[별표 2]

이중용도품목

※이중용도품목의 본문은 전략물자관리시스템(www.Yestrade.go.kr)의 전략물자관리제도 ⇒ 우리나라 ⇒ 관련법령 ⇒ 전략물자수출입고시 별표2 참조

제1부 특별소재 및 관련 장비

1A  시스템, 장비 및 부품

1A001 불소화합물(Fluorinated compounds)로 제조된 부품

1A001.a 항공기 우주선용 불소화합물의 부품

1A001.b 불소수지 압전고분자와 공중합체

1A001.c 불소탄성 중합체로 만들어진 실, 가스켓 용기, 밸브시이트 또는 다이아프램 등

1A002 복합재료(Composite)”또는 적층재료(Laminate) 구조물

1A002.a 유기물모체를 갖는 섬유재료 및 필라멘트 소재

1A002.b 탄소 또는 금속모체 복합구조물 또는 층상구조물

1A003 비불소 고분자 물질(Non-fluorinated polymeric substance)

1A003.a 두께 0.254mm를 초과하는 것

1A003.b 탄소, 흑연, 금속, 자성물질로 코팅된 및 적층구조물

1A004 화학, 생물, 방사능 물질 방호용 기기 및 탐지장비

1A004.a 가스마스크, 여과통, 정화기와 전용설계된 부품

1A004.b 방호복, 장갑 및 신발

1A004.c 핵, 화학, 생화학 탐지장비와 전용설계된 부품

1A004.d 폭발물질 추적탐지 장비

1A005 방호장비

1A005.a 연성 방호복과 전용설계된 부품

1A005.b 경성 방호복(하드 바디 아머, Hard nody armour)용 플레이트

1A006 급조폭발장치의 처리를 위해 전용설계 또는 개조된 장비 및 부품

1A006.a 원격조정장비

1A006.b 디스럽터(Disruptors)

1A007 장약 점화용 활성물질이 포함된 장비 및 장치

1A007.a 폭발신관기폭세트

1A007.b 전기적으로 작동되는 폭발신관

1A008 장약, 장치 및 부품

1A008.a 성형장약(shaped charges)

1A008.b 성형절단장약(linear shaped cutting charges)

1A008.c 도폭선

1A008.d 파단기(cutters) 및 절단기(severing tools)

1A102 카본-카본 부품

1A202 튜브 형태의 복합재료 구조물(Composite structures)

1A225 백금촉매

1A226 중수 분리용 충진재(Packing)

1A227 방사선 차폐창

1B  시험, 측정 및 생산장비

1B001 복합재료 제조장비 및 부품

1B001.a 필라멘트 와인딩 장치

1B001.b 항공기 또는 미사일 구조물 제조를 위한 테이프적층 또는 사슬배치 기계

1B001.c 직조기와 꼬여짜기 장비

1B001.d 강화섬유의 제조 및 개조 장비

1B001.e 열용융방식(Hot melt method)에 의한 수지침투 프리프레그를 제조장비

1B001.f 비파괴 검사장비

1B001.g 토우 배열(tow-placement) 기계

1B002 금속, 분말, 합금의 오염방지를 위한 것

1B003 초소성 성형 및 확산접합용 장비

1B003.a 비행기, 우주선 구조물용

1B003.b 항공기, 우주선엔진용

1B003.c 이러한 구조물 및 엔진을 위해 설계된 부품용

1B101 복합재료 생산 장비 및 부품

1B101.a 필라멘트 와인딩 장치 또는 섬유 위치장치(fibre placement machines)(3축이상)

1B101.b 테이프 적층장비

1B101.c 섬유생산 장비

1B101.d 섬유표면의 특수처리 및 프리프레그, 프리폼 생산장비

1B102 금속분말“생산장비”및 부품

1B115 추진제와 추진제 구성물의 생산장비

1B116 열분해 소재

1B117 배치혼합기

1B118 연속혼합기

1B119 유체에너지 제분기

1B201 필라멘트 와인딩 머신(Filament winding machine)

1B225 불소생산용 전해조

1B226 전자기 동위원소 분리기

1B227 암모니아 합성장치

1B228 수소-극저온(CRYOGENIC) 증류 칼럼

1B229 물-황화수소(Hydrogen sulfide) 교환 트레이 탑 및 내부접촉기

1B230 칼륨아미드(Potassium amide) 촉매 용액 순환 펌프

1B231 트리튬(삼중수소) 취급시설

1B232 터보팽창기(turboexpander) 또는 터보팽창기-압축기 세트

1B233 리튬 동위원소 분리 시설, 공장 그리고 이를 위한 장비

1C 소재

1C001 전도성 고분자

1C002 금속합금, 금속합금분말 그리고 합금소재로서 다음의 것

1C003 자성금속

1C004 우라늄-티타늄합금 또는 텅스텐 합금

1C005 초전도체 재료

1C006.a.1 합성 실라탄화수소 오일류

1C006.a.2 클로로플루오로탄소

1C006.b 특정성분이 주성분인 윤활유용 유체

1C006.c 댐핑유체 및 부유유체

1C006.d 전자냉각유체용 불화탄소

1C007 세라믹 기초 복합소재 및 전구체 재료

1C008. 비불소고분자물질

1C008.a.1 비스말레이미드(Bismaleimides)류

1C008.a.2 방향족 폴리아미드이미드(Aromatic polyamideimides)류

1C008.a.3 방향족폴리이미드(Aromatic polyimides))류

1C008.a.4 방향족 폴리에테르이미드(Aromatic polyetherimides))류

1C008.b. 열가소성 액정 공중합체(Thermoplastic liquid crystal copolymers)

1C008.d 폴리아릴렌 케톤(Polyarylene ketones)

1C008.e.~f 기타 폴리아릴렌 고분자

1C009 불소 고분자화합물

1C010 복합재료용‘섬유상 또는 필라멘트 소재’

1C011 금속 및 화합물

1C012 플루토늄, 넵투늄

1C101 스텔스용 소재 및 장치

1C102 카본-카본(Carbon-carbon) 소재

1C107. 흑연 및 세라믹 소재

1C111.a 추진물질

1C111.b 추진제용 고분자 물질

1C111.c 추진제 첨가제 및 보조제

1C116 마레이징강

1C117 미사일 모터 구성용 텅스텐, 몰리브덴 합금 및 분말

1C118 티타늄안정 이중 스텐레스강(Ti-DSS)

1C202 알루미늄 및 티타늄 합금

1C210 섬유, 필라멘트, 프리프레그

1C216 마레이징강

1C225 보론-10(10B) 동위원소

1C226 텅스텐 및 텅스텐 카바이드

1C227 칼슘

1C228 마그네슘

1C229 비스무스(Bismuth)

1C230 베릴륨 및  베릴륨 합금

1C231 하프늄 및 하프늄 합금

1C232 헬륨-3(3He)

1C233 리튬-6(6Li) 동위원소

1C234 지르코늄 및 지르코늄 합금

1C235 트리튬 및 트리튬을 포함하는 장치

1C236 알파-방출 방사성 핵종(Alpha-emitting radionuclides)

1C237 라듐-226(226Ra)

1C238 삼불화염소(Chlorine trifluoride (CIF3))

1C239 고폭발물질 및 그 혼합물(군용물자 리스트 포함 품목 제외)

1C240 니켈 분말 및 다공성의 니켈금속

1C350 독성화학작용제의 전구체로 사용될 수 있는 화학물질 혼합물

1C350.1 티오디글리콜(Thiodiglycol)

1C350.2 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride)

1C350.3 디메틸 메틸포스포네이트(Dimethyl methylphosphonate)

1C350.4 메틸포스포닐 디플루오라이드(Methylphosphonyl difluoride)

1C350.5 메틸포스포닐 디클로라이드(Methylphosphonyl dichloride)

1C350.6 디메틸포스파이트(Dimethyl phosphite)

1C350.7 포스포러스 트리클로라이드(Phosphorus trichloride)

1C350.8 트리메틸포스파이트(Trimethyl phosphite)

1C350.9 티오닐클로라이드(Thionyl chloride)

1C350.10 3-하이드록시-1-메틸피페리딘(3-Hydroxy-1-methylpiperidine)

1C350.11 N,N-디이소프로필-베타-아미노에틸 클로라이드

1C350.12 N,N-디이소프로필-베타-아미노에탄 티올

1C350.13 3-퀴뉴클리디놀(3-Quinuclidinol)

1C350.14 플루오르화칼륨(Potassium fluoride)

1C350.15 2-클로로에탄올(2-Chloroethanol)

1C350.16 디메틸아민(Dimethylamine)

1C350.17 디에틸 에틸포스포네이트(Diethyl ethylphosphonate)

1C350.18 디에틸 N,N-디메틸포스포스포라미데이트

1C350.19 디에틸 포스파이트(Diethyl phosphite)

1C350.20 디메틸아민 하이드로클로라이드(Dimethylamine hydrochloride)

1C350.21 에틸 포스피닐 디클로라이드(Ethyl phosphinyl dichloride)

1C350.22 에틸포스포닐 디클로라이드(Ethyl phosphonyl dichloride)

1C350.23 에틸포스포닐 디플루오라이드(Ethylphosphonyl difluoride)

1C350.24 플루오르화수소(Hydrogen fluoride)

1C350.25 메틸 벤질레이트(Methyl benzilate)

1C350.26 메틸 포스피닐 디클로라이드( Methyl phosphinyl dichloride)

1C350.27 N,N-디이소프로필-베타-아미노에탄올

1C350.28 피나콜릴 알코올(Pinacolyl alcohol)

1C350.29 O-에틸-2-디이소프로필아미노에틸메틸 포스포나이트

1C350.30 트리에틸 포스파이트(Triethyl phosphite)

1C350.31 아르세닉 트리클로라이드(Arsenic trichloride)

1C350.32 벤질산(Benzilic acid)

1C350.33 디에틸 메틸포스포나이트(Diethyl methylphosphonite)

1C350.34 디메틸 에틸포스포네이트(Dimethyl ethylphosphonate)

1C350.35 에틸 포스피닐 디플루오라이드(Ethyl phosphinyl difluoride)

1C350.36 메틸 포스피닐 디플루오라이드(Methyl phosphinyl difluoride)

1C350.37 3-퀴뉴클리돈(3-Quinuclidone)

1C350.38 오염화인(Phosphorus pentachloride)

1C350.39 피나콜론(Pinacolone)

1C350.40 시안화칼륨(Potassium cyanide)

1C350.41 산성불화칼륨(Potassium bifluoride)

1C350.42 불화수소암모늄(Ammonium hydrogen fluoride)

1C350.43 플루오르화나트륨(Sodium fluoride)

1C350.44 산성플루오르화나트륨(Sodium bifluoride)

1C350.45 시안화나트륨(Sodium cyanide)

1C350.46 트리에탄올아민(Triethanolamine)

1C350.47 오황화인(Phosphorus pentasulphide)

1C350.48 디이소프로필아민(Diisopropylamine)

1C350.49 디에틸아미노에탄올(Diethylaminoethanol)

1C350.50 황화나트륨(Sodium sulphide)

1C350.51 설퍼 모노클로라이드(Sulphur monochloride)

1C350.52 설퍼 디클로라이드(Sulphur dichloride)

1C350.53 트리에탄올아민 염산염(Triethanolamine hydrochloride)

1C350.54 N,N-디이소프로필-2-아미노염화에틸 염산염

1C350.55 메틸 포스포닉산(Methylphosphonic acid)

1C350.56 디에틸 메틸포스포네이트(Diethyl methylphosphonate)

1C350.57 N,N-디메틸 아미노포스포릴 디클로라이드

1C350.58 트리이소프로필 포스파이트 (Triisopropyl phosphite)

1C350.59 에틸디에탄올아민 (Ethyldiethanolamine)

1C350.60 O,O-디에틸 포스포로티오에이트 (O,O-Diethyl phosphorothioate)

1C350.61 O,O-디에틸 포스포로디티오에이트(O,O-Diethyl phosphorodithioate)

1C350.62 육불화실리케이트 나트륨(Sodium hexafluorosilicate)

1C350.63 메틸포스포노티오익 디클로라이드 (Methylphosphonothioic dichloride)

1C351. 인체․인수공통병원균 및 독소(Human pathogens, zoonoses and "toxins")

1C351.a 인체․인수공통 바이러스

1C351.c 인체․인수공통 박테리아

1C351.d 독소

1C351.e 인체․인수공통 진균

1C352 동물병원균(Animal pathogens)

1C352.a 동물 바이러스

1C352.b 우페역

1C353 유전적 성분 및 유전적으로 변형된 미생물(Genetic elements and genetically modified organisms)

1C354 식물병원균(Plant pathogens)

1C354.a 식물 바이러스

1C354.b 식물 박테리아

1C354.c 식물 진균

1C450 독성 화학물질과 독성화학물질 전구체 및 화학혼합물질

1C450.a.1 아미톤 (Amiton) 및 아미톤 염

1C450.a.2 PFIB: 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(트리플루오로메틸)-1-프로펜

1C450.a.3 BZ: 3-퀴뉴클리디닐 벤질레이트(3-Quinuclidinyl benzilate)

1C450.a.4 포스겐(Phosgene): 카보닐 디클로라이드(Carbonyl dichloride )

1C450.a.5 시아노겐 클로라이드(Cyanogen chloride)

1C450.a.6 시안화수소(Hydrogen cyanide)

1C450.a.7 클로로피크린(Chloropicrin) :트리클로로니트로메탄(Trichloronitromethane)

1C450.b. 기타 독성화학물질 전구체

1C901.a  중증급성호흡기증후군 코로나 바이러스

1C901.b  우해면양 뇌병증 병원체(Bovine Spongiform encephalophathy  agent)

1D 소프트웨어

1D001 1B001~1B003에서 명시된 장비의 개발, 생산, 사용을 위해 전용설계된 소프트웨어

1D002 유기모체, 금속모체, 또는 탄소모체 적층구조 및 복합재료 개발용 소프트웨어

1D003 1A004.c.항에서 통제되는 장비용 소프트웨어

1D101 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 또는 1B119 전용 소프트웨어

1D103 레이더 전파 반사, 자외선/적외선 흔적(signature) 및 음향 관련 소프트웨어

1D201 1B201에서 명시된 물품의 사용을 위해 전용 설계된 소프트웨어

1E 기술

1E001 1A001.b., 1A001.c., 1A002부터 1A005까지, 1B 또는 1C에 명시된 장비 및 소재의
개발 및 생산에 대한 일반기술해설에 규정되어 있는 기술

1E002 기타 기술

1E002.a 폴리벤조씨아졸류 또는 폴리벤조자졸류 기술

1E002.b 비닐 에테르 모노머를 함유한 불소 탄성체 화합물 기술

1E002.c 기초소재, 비-복합 세라믹 재료의 설계, 제조기술

1E002.d 방향성 폴리아미드 섬유 생산을 위한 기술

1E002.e 1C001에 의해 통제되는 재료의 장치, 유지, 보수 기술

1E002.f 1A002, 1C007.c, 또는 1C007.d.에 명시되는 “복합재”구조와 적층구조 또는 소재의
보수를 위한 기술

1E002.g 1A004.c.용 장비를 위해 특별히 제작되거나 개조된 라이브러리(매개변수 기술 데이터
베이스)

1E101 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115에서 1B119까지, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111에서
1C117까지, 1D101 또는 1D103에 의해 명시된 물품의 사용에 대해 일반기술해설에
규정되어 있는 기술

1E102 1D001, 1D101, 또는 1D103에 명시된 소프트웨어의 개발에 대해 기술일반사항에
규정되어 있는 기술

1E103 복합재나 부분적으로 처리된 복합재의 생산에 사용되는 autoclave관련 기술

1E104 열분해 관련 기술

1E201 1A, 1B, 1C, 1D 관련 기술

1E202 1A202 또는 1A225부터 1A227까지에서 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을
위한 기술제어에 적용되는 “기술”

1E203 1D201에 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

1장 부속서(폭발물 목록)

제2부 소재가공

2A  시스템, 장비 및 부품

2A001. 저마찰 베어링과 베어링 시스템 및 부품

2A001.a. 볼베어링(Ball bearings), 솔리드 롤러 베어링(Solid roller bearings)

2A001.c. 능동 마그네틱 베어링 시스템(Active magnetic bearing systems)

2A225. 내성로(Crucibles)

2A226. 밸브(Valves)

2B  시험, 검사 및 생산장비

2B001  공작기계와 전용 설계된 부품

2B001.a. 터닝가공 공작기계(Machine tools for turning)

2B001.b. 밀링가공 공작기계(Machine tools for milling)

2B001.c. 연삭가공 공작기계(Machine tools for grinding)

2B001.d. 와이어를 사용하지 않는 방전가공기(EDM)

2B001.e. 금속, 세라믹 또는 복합재료를 제거하기 위한 공작기계

2B001.f. 심공드릴머신(Deep hole drilling machines) 또는 심공드릴용으로 개조된 터닝머신

2B002. 비구면 광학표면 가공을 위해 선택적으로 소재를 제거할 수 있는 광학다듬질(Optical finishing) 공작기계

2B003. 기어를 제작할 수 있는 수치제어 또는 수동 공작기계

2B004 열간 정수압 프레스(Hot isostatic presses)

2B005. 비전자 기판(substrate)에 무기 도금(overlay), 코팅 및 표면 개질의 침착(deposition),
처리(processing), 공정 중(in-process) 제어 위해 특별히 설계된 장비

2B005.a. 화학기상증착(Chemical vapor deposition, CVD) 생산장비

2B005.b. 이온주입(Ion implantations) 생산장비

2B005.c. 전자빔 물리기상증착(Electron beam physical vapour deposition, EB-PVD) 생산장비

2B005.d. 플라즈마 분사(Plasma spraying) 생산 장비

2B005.e. 스퍼터 증착(Sputter deposition) 생산 장비

2B005.f. 음극아크 증착(Cathodic arc deposition) 생산 장비

2B005.g. 이온도금(Ion plating) 생산 장비

2B006.  치수검사 또는 치수측정 시스템과 장치 그리고 전자조립품

2B006.a. 3차원 측정기(Co-ordinate measuring machine, CMM)

2B006.b.1.a. 비접촉형 측정시스템(Non-contact type measuring systems)

2B006.b.1.b. 선형전압차동변압기(Linear voltage differential transformer, LVDT) 시스템

2B006.b.1.c. 레이저 포함 측정시스템

2B006.b.1.d. 레이저 포함 측정시스템용 전자 조립체

2B006.b.2. 각 변위(Angular displacement) 측정기구

2B006.c. 표면조도(Surface irregularities) 측정 장비

2B007. 로봇(Robots), 제어장치(Controllers), 엔드이펙터(End-effectors)

2B008.  공작기계를 위해 특별히 설계된 조립체 또는 유닛, 치수검사시스템, 측정시스템과 장비

2B008.a. 선형위치피드백장치(Linear position feedback units)

2B008.b. 회전위치피드백장치(Rotary position feedback units)

2B008.c. 복합 회전테이블(Compound rotary tables), 경사 스핀들(Tilting spindles)

2B009. 회전성형기(Spin forming machines), 유동성형기(Flow forming machines)

2B104. 기타 정수압프레스(Isostatic presses)

2B105. 화학기상증착로(Chemical vapour deposition (CVD) furnaces)

2B109. 유동성형기(Flow forming machines)

2B116.a. 진동시험시스템(Vibration test system)

2B116.b. 디지털제어기(Digital controller)

2B116.c. 가진기(Vibration thruster, Shaker units)

2B116.d. 시험체 지지구조물(Test piece support structures) 및 전자장치

2B117. 복합재 로켓 노즐과 재진입체 첨두(nose tip)의 고밀도화와 열분해를 위한 장비와
공정제어기술

2B119. 밸런싱머신(Balancing machine)과 관련 장비

2B120. 모션 시뮬레이터(Motion simulators) 및 레이트(속도) 테이블(Rate tables)

2B121. 위치제어 테이블(Positioning table)

2B122. 원심분리기(Centrifuge)

2B201.  공작기계와 그 부품

2B201.a. 기타 밀링가공 공작기계(Machine tools for milling)

2B201.b. 기타 연삭가공 공작기계(Machine tools for grinding)

2B204. 기타 정수압프레스(Isostatic presses), 금형(Dies), 주형(moulds) 및 제어장치

2B206. 기타 치수검사기계(Dimensional inspection machines)

2B207. 기타 로봇(Robot), 엔드이펙터(End-effectors)

2B209. 기타 유동성형기계(Flow forming machines), 회전성형기계(Spin forming machines),
맨드릴(Mandrel)

2B219. 다면 원심 밸런싱 머신(Centrifugal multiplane balancing machine)

2B225. 방사화학 분리운전실(Radiochemical separation operations) 또는 핫셀(hot cell)용
원격조작기(Remote manipulator)

2B226. 통제대기 유도로(Controlled atmosphere induction furnaces) 및 동력공급장치

2B227. 진공 또는 다른 가스 분위기의 금속용융로, 주조로 및 관련 장비

2B227.a. 아크 재용융로(Arc remelt furnace) 및 주조로(Casting furnaces)

2B227.b. 전자빔 용융로(Electron beam melting furnaces), 플라스마 원자화 및 용융로
(Plasma atomization and melting furnaces)

2B227.c. 2B227.a.~b.의 로 전용 컴퓨터 제어시스템

2B228. 회전자(Rotor) 제조 또는 조립장비, 회전자 직선화 장비, 벨로우즈 성형 맨드렐, 금형(Dies)

2B230. 압력 변환기(Pressure transducers)

2B231. 진공펌프(Vacuum pump)

2B232. 다단계 경량 가스건(Multistage light gas gun) 시스템 또는 고속도 건
(High-velocity gun) 시스템

2B350.  화학물질 제조설비, 장비 및 부품

2B350.a. 반응용기(Reaction vessels), 반응기(Reactors)

2B350.b. 교반기(Agitators), 교반기의 부분품[임펠러(Impellers), 날(Blades), 축(Shafts)]

2B350.c. 저장탱크(Storage tanks), 컨테이너(Containers), 수집조(Receivers)

2B350.d. 열교환기(Heat exchangers) 또는 응축기(Condensers)와 그 부분품인 튜브(Tubes),
플레이트(Plates), 코일(Coils), 블록(코어)(Blocks, cores)

2B350.e. 증류탑(Distillation top) 또는 흡수탑(Absorption top)과 그 부분품인 액체 배분기

2B350.f. 충전장비(Filling equipment)

2B350.g. 밸브(Valves)와 그 부분품인 케이싱(Casings) 또는 케이싱 라이너(Casing liners)

2B350.h. 다중벽파이프(Multi-walled piping)

2B350.i. 다밀봉펌프(Multiple-seal pumps), 비밀봉펌프(Seal-less pumps), 진공펌프(Vacuum
pumps)와 그 부분품인 케이싱(Casings), 케이싱라이너(Casing liners), 임펠러(Impeller),
로터(Rotors) 또는 제트펌프 노즐(Jet pump nozzles)

2B350.j. 소각장치(Incinerators)

2B351. 독성가스 감지 시스템 및 이를 위한 탐지 부품(탐지기(detector), 감지장치(sensor device), 교체가능한 감지 카트리지(replaceable sensor cartridge))

2B352.  생물학적 물질 취급에 사용 가능한 장비

2B352.a.생물학적 완전차단시설(Complete biological containment facilities)

2B352.b. 발효조(Fermenter), 생물반응기(Bioreactors), 화학조절장치(Chemostats),

2B352.c. 원심분리장치(Centrifugal separators), 디캔터(Decanters)

2B352.d. 교차(접선)흐름 여과 장치 및 부품[Cross(tangential) flow filtration equipment

2B352.e. 동결건조장비(Freeze drying equipment, freeze dryer)

2B352.f.1 전신 또는 반신 보호복(Protective full or half suits, or hoods)

2B352.f.2. Ⅲ등급의 생물학적 안전 캐비넷, 분리대(Class Ⅲ biological safety cabinets or isolators)

2B352.g. 에어로졸 흡입실(Aerosol inhalation chamber)

2B352.h. 분무 또는 연무 시스템 및 부속품(Spraying or fogging systems and components)

2B352.i. 독소 또는 병원성 미생물의 건조가 가능한 분무건조장치

2C 소재 - 없음

2D 소프트웨어

2D001. 2A001 또는 2B001에서 2B009에 기술된 장비의 “개발”, “생산”, “사용”을 위해
전용 설계되거나 개조된 것

2D002. 전자장치를 위한 소프트웨어로서 "윤곽 제어"를 위해 4축 초과를 동시제어 할 수
있는 "수치 제어" 유닛으로서 장치 또는 시스템을 기능하게 하는 것

2D003. 2B002에 기술된 장비의 “작동”을 위해 설계되거나 개조된 “소프트웨어”

2D101. 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 또는 2B119에서 2B122까지에 기술된 장비의
“사용”을 위해 전용설계되거나 개조된 소프트웨어

2D201. 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 또는 2B227에 기술된 장비의 “사용”을 위해
전용설계되거나 개조된 소프트웨어

2D202. 2B201에 기술된 장비의 “개발”, “생산”, “사용”을 위해 전용설계되거나 개조된 것

2D351. 2B351에 규정된 장치의 사용을 위하여 특별히 설계된 소프트웨어

2E 기술

2E001. 2A, 2B 또는 2D에 기술된  “소프트웨어” 또는 장비의 “개발”에 대한 일반기술해설에
따른 “기술”

2E002. 2A 또는 2B에 기술된 장비의 “생산에 대해서 일반기술해설에 따른 ”기술“

2E003. 기타의 기술

2E101. 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119에서 2B122 또는 2D101까지에 기술된
“소프트웨어“ 또는 장비의 ”사용“에 대한 일반기술해설에 따른 ”기술“

2E201. 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B116, 2B201, 2B204,
2B206, 2B207, 2B209, 2B219, 2B225에서 2B232, 2D201 또는 2D202에 기술된 품목의
“개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

2E301. 2B350에서 2B352까지의 기술된 제품의 “사용”에 대한 일반기술해설에 따른 “기술”

소재공정 표  증착기술

제3부 전자

3A  시스템, 장비 및 부품

3A001. 전자부품 및 이의 전용설계된 부품

3A001.a.1. 내방사선(Radiation hardened) 집적회로

3A001.a.2. 극한 온도(Extreme temperature)에서 동작하도록 설계된 집적회로

3A001.a.3. 화합물반도체로 제조된 “마이크로프로세서 마이크로회로”, “마이크로컴퓨터
마이크로회로”, 마이크로 컨트롤러 마이크로회로

3A001.a.5. 아날로그-디지털 변환기(Analog-to-digital converter) 및 디지털-아날로그

3A001.a.6. “신호처리”용 전기광학(Electro-optical) 집적회로 및 “광(Optical) 집적회로”

3A001.a.7. 필드프로그래머블 로직 디바이스(Field programmable logic device)

3A001.a.9. 신경회로망(Neural network) 집적회로

3A001.a.10. 주문형 집적회로(Custom integrated circuit)

3A001.a.11. 기타 범용 디지털 집적회로

3A001.a.12. 고속 푸리에 변환(Fast fourier transform (FFT)) 프로세서

3A001.a.13. 직접 디지털 주파수합성기 집적회로

3A001.b.1.a. 진행파(펄스 또는 지속파)관 (Travelling wave(Pulsed or continuous wave) tube)

3A001.b.1.b. 교차장 증폭기관(Crossed-field amplifier tube)

3A001.b.1.c. 전자관용 함침형음극(Impregnated cathode)

3A001.b.2. 전력증폭용 마이크로웨이브 단일칩 집적회로(MMIC)

3A001.b.3. 마이크로웨이브 트랜지스터(Microwave transistor)

3A001.b.4. 마이크로웨이브 반도체 증폭기(Microwave solid state amplifier)

3A001.b.5. 전자 또는 자기 가변 대역통과 또는 대역저지 필터

3A001.b.7. 주파수 변환기(converters) 및 고조파 혼합기(harmonic mixers)

3A001.b.8. 마이크로웨이브 전력증폭기(Microwave vacuum tube amplifier)

3A001.b.9. 마이크로웨이브 전력 모듈(Microwave power modules (MPM))

3A001.b.10. 발진기(Oscillators) 및 발진기 조립체(Oscillator assemblies)

3A001.b.11. 주파수합성기 전자조립체

3A001.c. 음파(acoustic wave) 장치

3A001.d. 초전도 소재(Superconductive material)로 제작한 전자장치 및 전자회로

3A001.e.1.a. 1차 셀(Primary cell)

3A001.e.1.b. 충전가능 셀(Rechargeable cell)

3A001.e.2. 고에너지 저장 축전기(High energy storage capacitor)

3A001.e.3. “초전도”전자석(Superconductor electromagnet)과 솔레노이드(Solenoid)

3A001.e.4. “우주용” 태양 전지, 셀 연결 커버글라스(cell - interconnect - coverglass (CIC))
조립체, 태양 전지판, 태양전지 어레이

3A001.f. 회전입력형 축 절대위치 엔코더(Rotary input type shaft absolute position encoder)

3A001.g. 반도체 펄스형 전력 스위칭 사이리스터(thyristor) 장치 및 ‘사이리스터 모듈’

3A001.h. 전력 반도체 스위치, 다이오드, 또는 ‘모듈’

3A002. 일반용도의 전자장비 및 이를 위한 부속품

3A002.a.1. 아날로그 계측 자기테이프 기록기

3A002.a.2. 디지털 비디오 자기테이프 기록기(Digital video magnetic tape recorder)

3A002.a.3. 디지털 계측 자기테이프 데이터 기록기

3A002.a.4. 디지털 비디오 자기테이프 기록기를 디지털 계측 데이터 기록기로 변환 사용할 수
있도록 설계된 장비

3A002.a.5. 파형디지타이저(Waveform digitizer)와 과도현상 기록기(Transient recorder)

3A002.a.6. 자기디스크(Magnetic disk) 저장기술을 사용하는 디지털 계측 데이터 기록기

3A002.c. 무선주파수 “신호분석기”(Radio frequency "signal analyser")

3A002.d. 주파수 합성을 이용한 신호발생기(Frequency synthesised signal generator)

3A002.e. 회로망 분석기(Network analyzer)

3A002.f. 마이크로웨이브용 시험수신기(Microwave test receiver)

3A002.g. 원자 주파수 표준기(Atomic frequency standard)

3A003. 스프레이냉각 열관리시스템(Spray cooling thermal management system)

3A101. 3A001에서 규정된 것 이외의 전자장비, 장치 및 부품

3A101.a. 아날로그/디지털 변환기(Analog-to-digital converter)

3A101.b. 제동복사(Bremsstrahlung)에 의한 전자기파 방사(Electromagnetic radiation)가
가능한 가속기(Accelerator)

3A102 '미사일‘용으로 설계되거나 개조된 ’열전지(thermal batteries)‘

3A201. 3A001에서 규정된 것 이외의 전자부품

3A201.a. 고에너지 저장 축전기(High energy storage capacitor)

3A201.b. “초전도체” 솔레노이드 전자석(Superconductor Solenoid electromagnet)

3A201.c. 섬광 X-선 발생기(Flash X-ray generator) 또는 펄스 전자가속기

3A225. 주파수 변환기 또는 발생기(Frequency changer or generator)

3A226. 고전류 직류 전력공급기(High-power direct current power supply)

3A227. 고전압 직류 전력공급기(High-voltage direct current power supply)

3A228. 스위칭 장치

3A228.a. 냉 음극관(Cold-cathode tube)

3A228.b. 격발형 불꽃간극 (Triggered spark-gap)

3A228.c. 빠른 스위칭 기능을 갖는 모듈 또는 조립체

3A229. 고전류 펄스 발생기

3A230. 고속펄스발생기(High-speed pulse generator)

3A231. 중성자 발생 시스템(Neutron generator system)

3A232. 다분기점 발화시스템(multipoint initiation system)

3A233. 질량분석계(Mass spectrometer)와 이온원(Ion source)

3B  시험, 검사 및 생산장비

3B001. 반도체 장치나 재료의 생산 용도로 제작된 장비와 이를 위해 전용 설계된 부품
및 부속품

3B001.a. 적층성장(Epitaxial growth)을 위해 설계된 장비

3B001.b. 이온주입(Ion implantation)장비

3B001.c. 비등방성(Anisotropic) 플라스마 건조에칭(Plasma dry etching) 장비

3B001.e. 자동로드 멀티-챔버 중앙 웨이퍼처리시스템

3B001.f. 석판인쇄(Lithography) 장비

3B001.g. 마스크 또는 망선(Mask and reticle)

3B001.h. 위상 변이 층(Phase shift layer)을 가진 다층 마스크(Multi-layer mask)

3B001.i. 임프린트 리소그래피 템플릿(template)

3B002. 완성품 혹은 비완성품 반도체 장치를 시험하기 위해 전용 설계된 시험장비와 그
부분품 및 조립품

3C  소재

3C001. 헤테로 적층(Hetero-epitaxial) “기판”(Substrate)

3C002. 감광성 수지막(Resist) 재료 및 감광성 수지막으로 도포한 “기판(Substrate)”

3C003. 유기-무기화합물(Organo-inorganic compound)

3C004. 인, 비소 또는 안티몬의 수소화물(Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony)

3C005. 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨 나이트라이드(GaN), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) “기판”, 주괴(ingots), 불(boules) 또는 이러한 재료로 만든 기타 모재(preforms)

3C006 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN)로 된 한층 이상의 적층구조를 갖는 기판

3D  소프트웨어

3D001. 3A001.b~3A002.g, 혹은 3B 에서 통제되는 장비의 "개발" 또는 “생산” 전용으로
설계된 "소프트웨어"

3D002. 3B001.a.~f, 3B002에 의해 통제되는 장비의 “사용”을 위해 전용으로 설계된 "소프트웨어"

3D003. 물리기반(physics-based) 시뮬레이션 "소프트웨어"

3D004. 3A003에 의해 통제되는 장비의 "개발"을 위해 전용으로 설계된 "소프트웨어"

3D101. 3A101.b.에서 규정된 장비의 “사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

3E  기술

3E001. 3A, 3B 또는 3C에서 통제되는 장비, 재료의 "개발" 또는 ”생산“을 위한
[일반기술해설]에 따른 ”기술“

3E002. 논리연산장치(arithmetic logic unit)와 “마이크로프로세서 마이크로회로”, “마이크로
컴퓨터 마이크로회로” 및 마이크로컨트롤러 마이크로회로의 "개발" 또는 “생산”을
위한 [일반기술해설]에 의한 “기술”

3E003. 기타 “기술”

3E101. 3A001.a.1. 또는 3A001.a.2., 3A101, 3A102 또는 3D101.에서 규정된 장비 또는
"소프트웨어"의 “사용”을 위한 [일반기술해설]에 의한 “기술”

3E102. 3D101.에서 규정된 "소프트웨어"의 "개발"을 위한 [일반기술해설]에 의한 “기술”

3E201. 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 ~ 3A233..에서 규정된 장비의 “사용”을
위한 [일반기술해설]에 의한 “기술”

제4부 컴퓨터

4A  시스템, 장비 및 부품

4A001. 다음과 같은 전자식(Electronic) 컴퓨터, 관련 장비, “전자조립체” 및 전용부품

4A001.a.1. 극한 온도에서 동작하도록 설계된 전자식 컴퓨터 관련 장비

4A001.a.2. 방사선에 의한 영향을 방지하도록 설계된 전자식 컴퓨터, 관련 장비,

4A003. "디지털 컴퓨터", 조립품, 관련 장비 및 전용부품

4A003.b. "최적수행성능"(Adjusted Peak Performance, APP)이 0.75 Weighted TeraFLOPS(WT)를 초과하는 "디지털 컴퓨터"

4A003.c. 집합 프로세서의 “APP” 강화 “전자 조립체"

4A003.e. 아날로그-디지털(A/D) 변환장비

4A003.g. "디지털 컴퓨터"의 외부연결 전용장비 또는 결합장치

4A004. 컴퓨터, 전용 설계된 관련 장비, “전자 조립품” 및 관련 부품

4A101. 우주발사체 또는 관측 로켓용 아날로그/디지털 컴퓨터, 디지털 차동분석기

4A102. 우주발사체 또는 관측 로켓용 모델링, 모의시험 또는 설계통합을 위해 전용 설계된 하이브리드 컴퓨터

4B  시험, 검사 및 생산장비 - 없음

4C  소재 - 없음

4D  소프트웨어

4D001.a. 4A001 ~ 4A004, 또는 4D에 의해 통제되는 장비 또는 "소프트웨어"의 "개발",
“생산” 또는 “사용”을 위해 전용 설계되거나 수정된 "소프트웨어"

4D001.b. 4D001.a.에 의해 통제되는 "소프트웨어" 이외의 "소프트웨어"

4D002. 4E 항목에 의해 통제되는 “기술”을 지원하기 위해 전용설계 또는 수정된 "소프트웨어"

4E  기술

4E001.a. 4A 또는 4D에 의해 통제되는 장비 또는 "소프트웨어"의 "개발", “생산” 또는
“사용”을 위한 [일반기술해설]에 따른 기술

4E001.b. 4E001.a에 의해 통제되는 “기술” 이외의 “기술”

제5부 정보통신 및 정보보안

제1장- 정보통신

5A1  시스템, 장비 및 관련부품

5A001.a. 전기통신장비

5A001.b. 전기통신용 전송장비와 시스템 이를 위해 전용 설계된 부품 및 부속품

5A001.c. 광섬유 통신 케이블, 광섬유 및 이의 부속품

5A001.d. 전자조정 위상배열 안테나

5A001.e. 무선 방향 탐지 장비(Radio direction finding equipment)

5A001.f. 전파방해 장치 및 부품(Jamming equipment and components)

5A001.g. 수동 간섭 위치 시스템 또는 장비

5A001.h. 급조 폭발물 방지 장비와 관련 장비

5A101. 원격측정과 원격제어장비(Telemetering and telecontrol equipment)

5B1  시험, 검사 및 생산용장비

5B001.a. 제5부1장에서 통제되는 장비, 기능 또는 특성의 "개발", “생산” 또는 “사용”을
위해 전용 설계된 장비

5B001.b. 원격통신 전송장비 또는 교환기의 "개발"을 위하여 전용 설계된 장비

5C1  소재 - 없음

5D1  소프트웨어

5D001.a. 상기 5A001 또는 5B001에서 규제되는 장비나 기능, 특성의 "개발", “생산” 또는
“사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

5D001.b. 5E001에서 통제하는 “기술”을 지원하기 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

5D001.c. 5A001 이나 5B001에서 규제되는 장비의 특성, 기능 또는 특징을 제공하기 위해
전용 설계되거나 변경된 특정(specific) "소프트웨어"

5D001.d. 원격통신 전송장비 또는 교환기의 "개발"을 위하여 전용 설계되거나 개조된
"소프트웨어"

5D101. 5A101에서 규정된 장비의 “사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

5E1  기술

5E001.a. 5A001에서 통제되는 장비, 기능 및 특성 또는 5D001.a에서 통제되는 "소프트웨어"의 "개발", “생산” 또는 “사용”(운영 제외)을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술””

5E001.b. 특정 “기술”

5E001.c. 원격통신 전송장비 또는 교환기의 "개발"이나 “생산”을 위한 [일반기술해설]에
따른 “기술”

5E001.d. 정보통신을 위해 전용 설계된 마이크로웨이브 단일칩 집적회로(MMIC) 전력 증폭기의 “개발” 또는 “생산”을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”

5E001.e. 정보통신을 위해 전용 설계되고 “초전도” 재료로 제작된 부품을 포함하고 있는 전자 장치 및 회로 및 “초전도” 재료 중 최소 하나의 “임계 온도”보다 낮은 온도에서 작동되도록 전용 설계된 전자 장치 및 회로의 “개발” 또는 “생산”을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”

5E101. 5A101에 명시된 장비의 "개발", "생산", "사용"을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”

제2장 - 정보보안

5A2  시스템, 장비 및 부품

5A002.a. “정보보안”을 위한 시스템, 장비, 특정응용 “전자조립체”, 모듈과 집적회로(IC)
및 기타 전용 설계된 부품

5A002.b. 시스템, 장비, 특정응용 “전자조립체”, 모듈과 집적회로(IC)

5B2  시험, 검사 및 생산용장비

5B002.a. 5A002 또는 5B002.b에 의해 통제되는 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 장비

5B002.b. “정보보안”기능을 평가하거나 심사하기 위하여 전용 설계된 측정 장비

5C2  소재 - 없음

5D2  소프트웨어

5D002.a. 5A002에 의해 통제되는 장비 또는 5D002.c에서 통제되는 "소프트웨어"의 "개발", “생산”, “사용”을 위해 전용 설계 또는 개조된 "소프트웨어"

5D002.b. 5E002에 의해 통제되는 “기술”을 지원하기 위해 전용 설계 또는 개조된 "소프트웨어"

5D002.c. 특수한 "소프트웨어"

5D002.d .“소프트웨어”로서, 품목이 5A002.a에서 통제하는 기능을 위해 통제되는 성능의 수준에 도달하거나 초과할 수 있도록 설계되거나 개조된 것

5E2  기술

5E002. 5A002, 5B002에서 통제되는 장비 또는 5D002.a 또는 5D002.c에서 통제되는 "소프트웨어"의 "개발", “생산” 또는 “사용”목적인 [일반기술해설]에 따른 “기술”

제6부 센서 및 레이저

제6부 센서 및 레이저

6A  시스템, 장비 및 부품

6A001.  음향장치류(acoustics)

6A001.a.1.a. 수심측량시스템(심측기)

6A001.a.1.b. 물체탐지 또는 위치 탐지시스템

6A001.a.1.c. 음향송수신기

6A001.a.1.d. 수면 혹은 수중용 선박 위치 판단용 음향시스템

6A001.a.1.e. 개인용 능동 개별 소나

6A001.a.2.a. 수중 청음기

6A001.a.2.b. 견인 수중청음기 어레이(Towed acoustic hydro phone arrays)

6A001.a.2.c. 견인(Towed) 음파 수중청음기 어레이 전용 신호처리장비

6A001.a.2.d. 선수 방위 센서(heading sensors)

6A001.a.2.e. 해저 또는 베이(bay)케이블 장치(수중청음기용)

6A001.a.2.f. 해저 또는 베이(bay)케이블 시스템(신호처리장비용)

6A001.b. 상대속력 수중음파탐지 측정장비(Correlation-velocity sonar log equipment)

6A002.  광센서류(optical sensors)

6A002.a.1. 우주용 솔리드스테이트 검출기

6A002.a.2.a. 영상증배관

6A002.a.2.b. 마이크로 채널판, GaAs 또는 GaInAs를 광음극, 기타 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 광음극

6A002.a.3. 비 우주용 초점면 배열(Focal plane arrays)

6A002.b. 스펙트럼 영상센서

6A002.c. 직시형 영상 장비

6A002.d. 광센서의 전용보조부품

6A003.  카메라류

6A003.a.1. 고속영화촬영카메라

6A003.a.2. 기계식 고속카메라

6A003.a.3. 기계식 또는 전자식 스트리크 카메라

6A003.a.4. 전자식 프레임 카메라

6A003.a.5. 전자식 카메라

6A003.a.6. 플러그인

6A003.b.1. 고체촬상소자(Solid state sensor)를 내장한 비디오 카메라

6A003.b.2. 스캐닝 카메라

6A003.b.3. 영상증배관을 내장한 영상 카메라

6A003.b.4. “초점면배열”을 내장한 영상카메라

6A003.b.5. 6A002.a.1에 규정된 반도체 검출기를 장착한 영상카메라

6A004.  광학기구류

6A004.a.1. 연속 혹은 다 소자표면을 가진‘변형가능한 거울’

6A004.a.2. 경량의 단층 거울

6A004.a.3. 경량의 복합 또는 발포 거울 구조

6A004.a.4 빔 조정용 거울

6A004.b. 셀렌화아연(ZnSe) 또는 황화아연(ZnS)으로 제조된 광학부품

6A004.c. 우주용 광학시스템 부품

6A004.d. 광학 제어장비

6A004.e. 비구면 광학요소

6A005.  “레이저”류, 관련 광학장비 및 부품

6A005.a. 비 “파장가변” “레이저”

6A005.b. 비 “파장가변” “펄스 레이저”

6A005.c. “파장가변” “레이저”

6A005.d. 기타 “레이저”

6A005.e. 레이저 부품

6A005.f. 광학장비

6A005.g. 레이저 음향 측정장치

6A006.  “자기계”, “자기경도계”, “진성 자기경도계”, 수중전기장센서와 "보상시스템" 및
전용 설계된 관련 부품으로 다음의 것

6A006.a. 자기계

6A006.b. 수중전기장 센서

6A006.c. “자기경도측정기“

6A006.d. 자기센서 또는 수중전기장센서의 “보상시스템”

6A007. 중력계와 중력경도계

6A008. 레이더 시스템, 장비 및 조립품

6A102. 내방사선(Radiation hardened) 탐지기(Detector)

6A107. 중력측정계(gravimeters) 및 관련 부품, 중력경사계(gravity gradio meter)

6A108.  레이더 시스템과 추적시스템

6A108.a. 레이더 및 레이저 레이더 시스템

6A108.b.1. 추적시스템(Tracking systems)

6A108.b.2. 거리측정 레이더

6A202. 광전자증배관(Photomultiplier tube)

6A203.  카메라 및 부품

6A203.a. 기계식 회전거울카메라

6A203.b. 전자스트릭(Electronic streak) 및 전자프레이밍(electric framing) 카메라, 관(tube) 및 장치

6A203.c. 방사선에 견디는 TV 카메라 또는 이를 위한 렌즈

6A205.  “레이저”와 “레이저” 증폭기와 발진기

6A205.a. 이온 레이저(아르곤이온레이저)

6A205.b. 동조가능 펄스 단일모드 색소(Single-mode dye) 레이저 발진기

6A205.c. 동조가능 색소(Dye) 레이저증폭기와 발진기

6A205.d. 펄스 이산화탄소 레이저

6A205.e. Para-hydrogen Raman shifter

6A205.f. 네이디뮴이 도핑된 레이저

6A225. 속도간섭계 (Velocity interferometer)

6A226. 압력 센서

6B  시험, 검사 및 생산용 장비

6B004.  광학기구

6B004.a. 반사율의 절대값 측정 장비

6B004.b. 비평면 광표면형상의 비접촉 광학측정 장비

6B007. 지상용 중력계의 제조 및 조절장치

6B008. 펄스레이더 단면측정시스템

6B108. 레이더 피사면적(RCS) 측정시스템

6C 소재

6C002.  광센서 소재

6C002.a. 텔루륨 원소(Te)

6C002.b.1. 텔루르화아연카드뮴(CdZnTe)

6C002.b.2. 텔루르화카드뮴(CdTe)

6C002.b.3. 텔루르화수은카드뮴(HgCdTe)

6C004.  광학 소재

6C004.a. 셀렌화아연 및 황화아연 화합물

6C004.b. 전자광학의 불(boule)

6C004.c. 비선형 광학 재료

6C004.d. 탄화실리콘 또는 베릴륨-베릴륨(Be/Be)으로 만든 기판

6C004.e. 광학유리(용융 실리카, 인산유리, 형광인산유리, 플루오르화지르코늄(ZrF4),
플루오르화하프늄(HfF4))

6C004.f. 인조 다이아몬드 소재

6C005. 합성된 결정성 레이저 주 소재

6D 소프트웨어

6D001.  6A004, 6A005, 6A00.8, 또는 6B008 에 의해 통제되는 장비의 “개발” 또는 “생산”을
위해 전용 설계된 “소프트웨어”

6D002.  6A002.b, 6A008, 또는 6B008에 의해 통제되는 설비의 “사용”을 위해 전용 설계된
“소프트웨어”

6D003.  기타 “소프트웨어”

6D102.  6A108에 명시된 물품의 사용을 위하여 전용 설계되거나 개조된 소프트웨어

6D103.  비행후 기록된 데이터를 분석해서, 전 비행 구간에서 비행체의 위치를 알아낼 수
있는 분석 소프트웨어로서 미사일용으로 전용 설계되거나 개조된 것

6E 기술

6E001.  6A, 6B, 6C, 또는 6D에 의해 통제되는 장비, 재료 또는 “소프트웨어”의 “개발”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

6E002.  6A, 6B, 또는 6C 에 의해 통제되는 장비 또는 재료의 “생산”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

6E003.  기타 “기술”

6E101.  6A002, 6A007.b, 6A007.c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 또는 6D103
항목에 명시되는 장비 또는 소프트웨어의 사용을 위한 일반기술해설에 따른 기술

6E201.  6A005.c.2., 6A005.d.3.c., 6A005.d.4.c., 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 또는 6A226. 항목에 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

제7부 항법 및 항공전자

7A  시스템, 장비 및 부품

7A001 가속도계(Linear accelerometer)

7A002 자이로(gyros) 또는 각속도 센서

7A003 관성시스템(Inertial systems)

7A004 자이로-천축 나침반 및 기타 장치(Gyro-astro compasses, and other devices)

7A005 위성항법시스템(Global navigation satellite systems)

7A006 항공용 탑재고도계(Airborne altimeters)

7A008 수중음파탐지 항법시스템(Underwater sonar navigation systems)

7A101 선형 가속도계(Accelerometers, 7A001 이외의 것)

7A102 자이로스코프(Gyroscope)

7A103 계기, 항법 장비 및 시스템(7A003에 명시된 것을 제외)

7A104 자이로-천축 나침반(Gyro-astro compass) 및 기타 위치 추적 장치

7A105 위성항법시스템(GNSS)의 수신장치

7A106 레이더 또는 레이저 레이더 형태의 고도계 (Altimeters of radar or laser radar type)

7A115 전자기파의 발원지 추적(방향탐지기)센서 등 수동센서

7A116 비행제어시스템과 서보밸브(Flight control systems and servo valves)

7A117 미사일에 사용가능한 유도장치(Guidance sets usable in missiles)

7A118 미사일을 위해 전용설계된 Umbilical 과 단간 전기 연결단자

7B  시험, 검사 및 생산장비

7B001 7A에 명시된 장비를 위한 시험, 교정 또는 정렬장비

7B002. 링“레이저”자이로용 거울의 특성을 갖추게 하기 위하여 전용 설계된 장비

7B003  7A에 명시된 장비의 생산 장비(Production equipment for navigation equipment)

7B102 반사측정기(Reflectometers)

7B103 생산설비 및 생산 장비(Production facilities and production equipment)

7C 소재

해당 없음

7D 소프트웨어

7D001.  7A 또는 7B에 명시된 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위하여 전용 설계되거나
개조된  "소프트웨어"

7D002.  관성항법장치(INS) 또는 비행자세 방위측정 표시장치(AHRS)에 “사용”되는
“소스코드(source code)”

7D003.  기타의 "소프트웨어"

7D004.  7E004.a 또는 7E004.b에 명시된 “개발” “기술”을 사용하는 “소스코드”

7D101.   7A001~7A006, 7A101~7A106, 7A115, 7A116.a., 7A116.b., 7B001, 7B002, 7B003,
7B102 또는 7B103의 장비 “운용”을 위해 전용설계 또는 개조된 “소프트웨어”

7D102.  통합“소프트웨어”

7D103.  “유도장치”의 모델링, 모의시험(시뮬레이션)을 위해, 또는 우주발사체나 관측로켓과의
설계통합을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

7E 기술

7E001  7A, 7B, 또는 7D에 의해 수출 통제되는 장비 또는 “소프트웨어”의 “개발”을 위한
일반기술해설에 의거한 “기술”

7E002  7A, 또는 7B에 의해 수출 통제되는 장비의 “생산”을 위한 일반기술해설에 의거한 “기술”

7E003  7A001～7A004에 의해 수출 통제되는 장비의 수리, 개조 또는 분해 조립검사를 위한
일반기술해설에 의거한 “기술”

7E004  그 밖의 “기술”

7E101  7A001~7A006, 7A101~7A106, 7A115~7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103,
7D101~7D103에서 명시된 장비의 “사용”에 관하여 일반기술해설에 규정되어 있는 “기술”

7E102  외부 전자기 충격(EMP)과 전자기 간섭(EMI)의 위험으로부터 항공전자장비와
전기장치를 보호하기 위한 다음의 “기술”

7E104  비행제어, 유도 및 추진 데이터를 비행관리체계에 통합하기 위한 “기술”로서 로켓
시스템의 비행궤도를 최적화하기 위한 것

제8부 해양

8A  시스템, 장비 및 부품

8A001. 잠수정 및 수상선

8A001.a. 유인, 밧줄이 달린 잠수정(Submersible vehicles)

8A001.b. 유인, 밧줄이 없는 잠수정

8A001.c. 무인, 밧줄이 달린 잠수정

8A001.d. 무인, 밧줄이 없는 잠수정

8A001.e. 해양구조 시스템(Ocean salvage systems)

8A001.f. 표면효과선(Surface-effect vehicles), 스커트로 싸인 것

8A001.g. 표면효과선(Surface-effect vehicles), 강성측벽을 가진 것

8A001.h. 수중익선(Hydrofoil vessels)

8A001.i. 소수선 면적 선박(Small waterplane area vessels)

8A002.  시스템, 장비 및 부품

8A002.a. 잠수정 전용 시스템, 장비 및 부품

8A002.b. 잠수정의 자동 제어를 위한 시스템

8A002.c. 광섬유 선체 관통구(Fibre optic hull penetrator) 또는 연결구

8A002.d. 수중관측 시스템(Underwater vision systems)

8A002.e. 수중용으로 전용 설계·개조된 사진용 스틸 카메라

8A002.g. 수중용으로 전용 설계·개조된 조명장치

8A002.h. 컴퓨터로 제어되는 수중용 "로봇"

8A002.i. 잠수정용으로 전용 설계·개조된 원격조종 관절형 머니퓰레이터(manipulator)

8A002.j. 공기에 무관한 동력장치(Underwater power systems)

8A002.k. 스커트(Skirt), 실(Seal) 및 핑거(Finger)

8A002.l. 표면효과선용 부양용 송풍기(Lift fans for surface effect vehicles)

8A002.m. 완전 침수형 Subcavitating 또는 Supercavitating hydrofoil(수중익)

8A002.n. 선박의 운동 제어용 능동시스템

8A002.o. 추진 프로펠러, 동력전달시스템 및 소음감소 장치

8A002.p. 펌프제트 추진시스템

8A002.q. 자기저장식(self contained) 수중유영(재호흡방식) 장비

8A002.r. 잠수부 제지(制止) 음향시스템

8B  시험, 검사 및 생산장비

8B001. 수관(Water tunnel)

8C 소재

8C001. 수중용의 Syntactic foam

8D 소프트웨어

8D001. 8A, 8B 및 8C 전용 설계·개조된 "소프트웨어"

8D002.  수중소음 감소용으로 "소프트웨어"

8E 기술

8E001  8A, 8B, 8C를 위한 [일반기술해설]에 의한 기술

8E002  기타의 기술

제9부 항공우주 및 추진

9A  시스템, 장비 및 부품

9A001 항공가스터빈 엔진(Aero Gas Turbine Engines)

9A002 선박용 가스터빈엔진 (Marine Gas Turbine Engines)

9A003 가스터빈 엔진 추진시스템용으로 전용 설계된 조립품 및 부품

9A004 우주발사체 및 우주비행체 (Space launch vehicles and spacecraft)

9A005 액체로켓 추진시스템 (Liquid rocket propulsion systems)

9A006 액체로켓 추진시스템 전용 시스템 및 부품

9A007 고체로켓 추진시스템(Solid rocket propulsion systems)

9A008 고체로켓 추진시스템 전용 부품

9A009 하이브리드 로켓 추진시스템 (Hybrid rocket propulsion systems)

9A010 발사체, 발사체 추진시스템 또는 우주비행체를 위해 전용 설계된 부품, 시스템, 구조물

9A011 램제트, 스크램제트, 복합 사이클 엔진 및 이의 전용 부품

9A012 무인항공기 및 관련 시스템, 장비 및 부품

9A101 터보제트 및 터보팬 엔진 (터보컴파운드 엔진 포함)

9A102 ‘터보프롭 엔진시스템’ 및 이의 전용 부품

9A104 관측 로켓 (Sounding rockets)

9A105 액체추진제 로켓엔진 (Liquid propellant rocket engines)

9A106 액체로켓 추진시스템 전용 시스템 또는 부품

9A107 고체추진제 로켓엔진 (Solid propellant rocket engines)

9A108 고체로켓 추진시스템을 위해 전용 설계된 부품

9A109 하이브리드 로켓 모터 및 이의 전용 설계된 부품

9A110 복합소재구조물, 적층구조물 및 그 제품

9A111 펄스제트 엔진 및 이의 전용 설계 부품

9A115 발사지원장비 (Launch support equipment)

9A116 미사일에 사용가능한 재진입 비행체 및 이를 위해 설계 또는 개조된 장비

9A117 미사일에 사용가능한 단(Stage)간의 결합, 분리 및 연결 메커니즘

9A118 연소조절장치

9A119 로켓 단

9A120 액체 추진제 탱크, 기타 액체 추진제

9A350 항공기나 무인항공기에 사용 될 수 있는 분무 또는 연무 시스템 및 이의 전용 부품
(Spraying or fogging systems)

9B  시험, 검사 및 생산장비

9B001 가스터빈 블레이드, 베인 또는 팁 슈라우드(shroud) 주물의 제작 및 측정을 위해 전용
설계된 장비, 공구, 고정구

9B002 실시간 제어시스템, 계측장치(센서포함) 및 자동 데이터 획득 및 처리장치

9B003 가스터빈 브러시 밀봉(seal)의 검사 또는 제조 전용 장비, 부품 및 부속품

9B004 가스터빈용 “초합금”, 티타늄, 에어포일-디스크 결합체의 고체상태 접합을 위한
치공구, 다이스 또는 고정구

9B005 실시간 제어시스템, 계측장치(센서포함) 및 자동화된 데이터 획득․처리장치

9B006 음향진동 시험장비 (Acoustic vibration test equipment)

9B007 로켓 모터 검사장비

9B008 표면마찰 변환기 (Transducers)

9B009 터빈엔진의 분말야금 로터(회전자) 부품제조 공구

9B010 9A012에 명시된 관련 시스템, 장비 및 부품과 무인항공기의 생산을 위해 전용 설계된 장비

9B105 미사일과 그 서브시스템에 사용될 수 있는 풍동

9B106 환경시험 챔버(chamber)와 무반향실

9B115 9A005~9A009, 9A011, 9A101, 9A105~9A109, 9A111, 9A116~9A120에서 명시된 시스템,
서브시스템 및 구성요소를 위해 전용 설계된 생산 장비

9B116 9A004에서 명시된 우주발사체 혹은 9A005~9A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A104~9A109, 9A111, 또는 9A116~9A120에서 명시된 시스템, 서브시스템, 그리고 구성요소들을 위해 전용 설계된 생산 설비

9B117 추진기관 시험대(test benches and test stands)

9C 소재

9C108 입상 단열재 와 내부 라이닝

9C110 레진 포화 화이버 프리프레그 및 금속도금 화이버 프리폼

9D 소프트웨어

9D001 9A001~9A119, 9B 또는 9E003에 명시된 장비 또는 “기술“의 “개발”을 위해 전용 설계
또는 개조된 “소프트웨어”

9D002  9A001~9A119 또는 9B에 명시된 장비의 “생산”을 위해 전용 설계 또는 개조된
“소프트웨어”

9D003  9E003.h.에 명시된 "기술"을 사용하고, 9A에 명시된 추진시스템 또는 9B에 명시된 장비를 위한 통합 디지털 전자 엔진제어시스템("FADEC Systems" : Full Authority Digital Electronic Engine Controls Systems)에 사용되는 "소프트웨어"

9D004  기타 "소프트웨어"

9D101  9B105, 9B106, 9B116이나 9B117에 명시된 제품의 “사용”을 위해 전용 설계되거나
개조된 "소프트웨어"

9D103  9A004에 명시된 우주발사체나 9A104에 명시된 관측로켓 또는 9A005, 9A007, 9A105, 9A106.c., 9A107, 9A108.c., 9A116 또는 9A119에 명시된 서브시스템의 모델링, 시뮬레이션 및 설계통합을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

9D104  9A001, 9A005, 9A006.d, 9A006.g., 9A007.a., 9A008.d., 9A009.a., 9A010.d., 9A011,
9A101, 9A102, 9A105, 9A106.c., 9A106.d., 9A107, 9A108.c., 9A109, 9A111, 9A115.a.,
9A116.d., 9A117 또는 9A118에 명시된 제품의 사용을 위해 전용 설계되거나 개조된
"소프트웨어"

9D105  하나 이상의 서브시스템의 기능을 조정하는 “소프트웨어”로서 9A004에 명시된
우주발사체나 9A104의 관측로켓의 시스템에 사용하기 위해 전용 설계 또는 개조된 것

9E 기술

9E001  9A001.b, 9A004~9A012, 9A350, 9B 혹은 9D에 명시된 장비 또는 “소프트웨어”의
“개발”에 대한 일반기술해설에 따른 “기술”

9E002  9A001.b, 9A004~9A011, 9A350 혹은 9B에 명시된 장비의 “생산”을 위한
일반기술해설에 따른 “기술”

9E003  기타 기술

9E101.a 9A101, 9A102, 9A104~9A111, 혹은 9A115~9A119에 명시된 물품의 "개발"을 위한 것으로서, 일반기술해설에 따른 “기술”

9E101.b 9A012에 명시된 '무인항공기' 또는 9A101, 9A102, 9A104~9A111, 혹은 9A115~9A119에 명시된 물품의 "생산"을 위한 것으로서, 일반기술해설에 따른 “기술”

9E102  9A004에 명시된 우주발사체, 9A005~9A011에 명시된 물품,  9A012에 명시된 '무인항공기' 또는 9A101, 9A102, 9A104~9A111, 9A115~9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 혹은 9D103에 명시된 물품의 "사용"을 위한 것으로서, 기술일반해설에 따른 “기술”

제 10 부 - 원자력 전용품목 (핵물질, 설비 및 장비)

0A  시스템, 장비 및 부품

0A001. “원자로” 및 그 용도로 특별히 설계 또는 준비된 장비와 부품

0A001.a. 원자로(Complete Nuclear reactor)

0A001.b. 원자로용기(Nuclear reactor vessel)

0A001.c. 원자로 핵연료교환기(Nuclear fuel charging and discharging machine)

0A001.d. 원자로 제어봉 및 장비(Nuclear reactor control rod and equipment)

0A001.e. 원자로 압력관(Nuclear reactor pressure tube)

0A001.f. 지르코늄관(Zirconium tube)

0A001.g. 1차 냉각재용 펌프(Primary coolant pump)

0A001.h. 원자로 내부구조물(Nuclear reactor internals)

0A001.i. 열교환기(Heat exchanger)

0A001.j. 중성자 검출 및 측정장치(Neutron detection and measuring instruments)

0B  시험, 검사 및 생산장비

0B001. "천연우라늄", "감손우라늄", 그리고 "특수 핵분열성물질"의 동위원소 분리공장 및
그 용도로 전용 설계 또는 준비된 장비와 부품

0B001.a. "천연우라늄", "감손우라늄", "특수 핵분열성물질"의 동위원소 분리를 위해 전용
설계된 공장

0B001.b. 가스원심분리기와 그 용도로 특별히 설계된 조립체 및 부품

0B001.b.1. 가스원심분리기(Gas centrifuge)

0B001.b.2. 회전자 조립체

0B001b.3. 회전자관

0B001b.4. 링 또는 벨로우즈(Ring or bellows)

0B001b.5. 배플(Baffle)

0B001b.6. 상단캡 및 하단캡(Top or bottom cap)

0B001b.7. 고정부품(Static components)

0B001b.8. 베어링 및 댐퍼(Bearing/damper)

0B001b.9. 분자펌프(Molecular pump)

0B001b.10. 모터 고정자(Motor stator)

0B001b.11. 원심분리기 하우징/용기(Centrifuge housing/recipient)

0B001b.12. 스쿠프(Scoop)

0B001b.13. 특수 차단 및 제어 밸브(Special shut-off and control valves)

0B001b.14. 주파수변환기(Frequency changers)

0B001b.15. 벨로우즈 밸브(Bellows valves)

0B001.c.  가스확산 농축용 용도로 특별히 설계되거나 준비된 조립체․부품

0B001c.1. 가스확산막(Gaseous diffusion barrier)

0B001c.2. 확산 하우징(Diffuser housing)

0B001c.3. 압축기 및 가스송풍기(Compressor or gas blower)

0B001c.4. 회전축밀봉장치(Rotary shaft seal)

0B001c.5. UF6 냉각 열교환기(Heat exchangers for cooling UF6)

0B001c.6. 특수 차단 및 제어 밸브(Special shut-off and control valves)

0B001.d. 공기역학 농축 공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부품

0B001.d.1. 분리노즐 (Separation nozzles)

0B001.d.2. 소용돌이관 (Vortex tubes)

0B001.d.3. 압축기 및 가스송풍기(Compressor or gas blower)

0B001.d.4. 회전축밀봉장치(Rotary shaft seal)

0B001.d.5. 가스냉각용 열교환기 (Heat exchangers for gas cooling)

0B001.d.6. 하우징(Separation element housings)

0B001.d.7. 특수차단 및 제어 밸브(Special shut-off and control valves)

0B001.d.8. UF6 / 운반가스 분리 장치(UF6/carrier gas separation systems)

0B001.e. 화학적교환 농축공장 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부속품

0B001.e.1. 액체-액체 맥동탑(Liquid-liquid pulse columns)

0B001.e.2. 액체-액체 원심접촉기

0B001.e.3. 전기 화학적 환원셀

0B001.e.4. 우라늄환원 계통 및 장비

0B001.e.5. 급송 계통(Feed preparation systems)

0B001.e.6. 우라늄산화 계통(Uranium oxidation systems)

0B001.f. 이온교환 농축공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부속품

0B001.f.1. 고속반응 이온교환 수지/흡착제(Fast-reacting ion exchange resins/ adsorbents)

0B001.f.2. 이온교환탑(Ion exchange columns)

0B001.f.3. 이온교환 환류 시스템(Ion exchange reflux systems)

0B001.g. 원자증기 레이저 동위원소분리(AVLIS) 공정을 위해 전용 설계, 준비된 장비와 부품

0B001.g.1. 우라늄 증기화계통 (Uranium vaporization systems)

0B001.g.2. 액체우라늄 금속 처리 계통(Liquid uranium metal handling systems)

0B001.g.3. 우라늄 금속생성물 및 잔재물 수집기

0B001.g.4. 분리모듈 하우징

0B001.g.5. 레이저 계통(Laser systems)

0B001.h. 분자“레이저” 동위원소분리공정(MLIS)과 동위원소 선택적 레이저 활성화에 의한
화학반응법(CRISLA)을 위해 특수 설계 또는 준비된 장비 및 부품

0B001.h.1. 초음속 팽창노즐(Supersonic expansion nozzles)

0B001.h.2. UF5 생성물 수집기(Uranium pentafluoride product collectors)

0B001.h.3. UF6/운반가스 압축기

0B001.h.4. 회전축 밀봉

0B001.h.5. 불소화 계통

0B001.h.6. UF6/운반가스 분리 계통

0B001.h.7. 레이저 계통(Laser systems)

0B001.i. 플라스마 분리 농축 공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․ 부품

0B001.i.1. 마이크로파 에너지원 및 안테나(Microwave power sources and antennas)

0B001.i.2. 이온 여기화 코일 (Ion excitation coils)

0B001.i.3. 우라늄 플라스마 발생 시스템 (Uranium plasma generation systems)

0B001.i.4. 액상 금속 우라늄 취급계통(Liquid uranium metal handling systems)

0B001.i.5. 우라늄금속 ‘생성물’ 및 ‘잔재물’ 수집기 조립체

0B001.i.6. 분리 모듈 하우징(Separator module housings)

0B001.j. 전자기 농축공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부품

0B001.j.1. 이온 소스

0B001.j.2. 이온 수집기

0B001.j.3. 진공 하우징

0B001.j.4. 자극 편

0B001.j.5. 고압 전원공급장치(High voltage power supplies)

0B001.j.6. 자기력 공급장치(Magnet power supplies)

0B002. 동위원소 분리용으로 특별히 설계되거나 준비된 보조장치․장비․부품

0B002.a. 농축공정으로 UF6 를 공급하기 위하여 사용되는 급송 고온고압로, 오븐 또는 계통

0B002.b. 농축공정에서부터 가열된 상태로 배출된 UF6 를 회수하기 위하여 사용하는 응축
또는 냉각트랩

0B002.c. UF6 를 액상 또는 고체상으로 변환하여 압축에 의해 농축공정으로 부터 UF6를
배출하는데 사용되는 고화 또는 액화 저장소

0B002.d. UF6 ‘생성물’ 및 ‘잔재물’을 용기로 담는데 사용되는 저장소

0B002.e. 헤더파이핑 계통

0B002.f. 진공계통 및 펌프

0B002.g. UF6 질량분석기/이온 소스

0B003. 우라늄 변환공장 및 그 용도로 특별히 설계된 계통

0B003.a. 우라늄정광을 UO3로 변환하기 위하여 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B003.b. UO3를 UF6로 변환하기 위해 특별히 설계된 계통

0B003.c. UO3를 UO2로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B003.d. UO2를 UF4로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B003.e. UF4를 UF6로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B003.f. UF4를 우라늄 금속으로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B003.g. UF6를 UO2로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B003.h. UF6를 UF4로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B003.i. UO2를 UCl4로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B004. 중수, 중수소 및 중수소 화합물을 생산 또는 농축하기 위한 공장 및 그 용도로
특별히 설계 또는 준비된 장비

0B004.a. 중수, 중수소 및 중수소 화합물 생산공장

0B004.b. 장비 및 부품

0B004.b.1. 물-황화수소 교환탑 (Water-hydrogen sulphide exchange towers)

0B004.b.2. 송풍기 및 압축기 (Blowers and Compressors)

0B004.b.3. 암모니아-수소 교환탑 (Ammonia-Hydrogen Exchange Towers)

0B004.b.4. 탑 내부장치 및 단 펌프 (Tower Internals and Stage Pumps)

0B004.b.5. 암모니아 분해장치 (Ammonia Crackers)

0B004.b.6. 적외선 흡수 분석기 (Infrared Absorption Analyzers)

0B004.b.7. 촉매작용 버너 (Catalytic Burners)

0B004.b.8. 중수 고순도화 장치 완성품 또는 그를 위한 탑

0B005. 핵연료 가공공장과 그 용도로 특별히 설계 또는 준비된 장비

0B006. 조사후 핵연료의 재처리공장 및 그 용도로 특별히 설계 또는 준비된 장비

0B006.a. 조사후 “원자로” 핵연료의 재처리를 위한 공장

0B006.b. 조사후 핵연료 절단기(Irradiated fuel element chopping machine)

0B006.c. 용해조(Dissolver)

0B006.d. 용매 추출기 또는 용매 추출장비

0B006.e. 화학약품 취급용기 또는 저장조

0B007. 조사된 천연우라늄, 감손우라늄 또는 특수핵분열성물질의 재처리를 감시 또는
제어하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 공정제어 장비

0B007.a. 플루토늄 질산염을 플루토늄 산화물로 변환시키기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

0B007.b. 금속 플루토늄 생산을 위해 특별히 설계되거나 준비된 설비

0C  물질

0C001. 핵원료 물질( Source material)

0C002. 특수 핵분열성물질(Special fissionable material)

0C003. 중수소 및 중수(Deuterium and heavy water)

0C004. 원자로급 흑연(Nuclear grade graphite)

0D 소프트웨어

0D001. 관련 품목의 “개발”, “생산” 또는 “사용”을 위하여 전용 설계되거나 개조된 “소프트웨어”

0E 기술

0E001. 관련 기술

부록 - 초민감품목

부록 - 민감품목

{별표 2]

※ (통제체제)는 해당 품목의 원천 통제체제 및 통제번호를 나타내며 각 기호는 다음을 의미함.

(IL→바세나르체제, NR/NT→핵공급국그룹, MT→미사일기술통제체제, AG→오스트레일리아그룹, CWC→화학무기의 개발·생산·비축·사용 금지 및 폐기에 관한 협약, BWC→세균무기(생물무기) 및 독소무기의 개발·생산·비축 금지 및 폐기에 관한 협약)

통제번호

(통제체제)

(별표 2) 이중용도품목

Dual-use Control Lists

일반 기술 해설

(제1부부터 제9부의 E 부분 관련)

제1부부터 제9부까지 통제되는 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위해 “필요한” “기술”의 수출은 제1부부터 제9부까지 조항에 따라 통제된다.

품목의 “개발”, “생산” 및 “사용”을 위해 “필요한” “기술”은 통제대상이 아닌 품목에 적용할 경우에도 통제된다.

통제 대상이 아니거나 수출 허가된 품목의 설치, 운용, 유지(점검) 및 보수에 필요한 최소한의 기술은 통제하지 아니한다.

주. 위에 의해서  1E002.e.와 1E002.f.항 그리고 8E002.a.와 8E002.b.항에 수록되어 있는 “기술”은 통제 대상에서 빠지지 않는다.(즉 통제의 대상이 된다.)

“일반에 공개된 정보”, “기초과학연구” 또는 특허 출원에 필요한 최소한의 정보에 대해서는 “기술” 이전 통제에서 제외한다.

일반 소프트웨어 해설

(이 해설은 제1부부터 제9부의 D의 모든 통제에 대해 우선한다.)

본 목록의 제1부부터 제9부는 다음 중 어느 한 조항에 속하는 “소프트웨어”는 통제하지 아니한다.

a. 다음과 같이 대중에 일반적으로 공개된 것

1. 아래 어느 하나의 경로를 통해 아무런 제한 없이 소매점에서 판매되는 것

a. 소매상구매

b. 우편주문거래

c. 전자거래, 또한

d. 전화주문거래, 그리고

2. 공급자의 현저한 도움 없이 사용자가 설치토록 설계된 것, 또는

주 제5부 제2장(“정보보안”, information security)에 수록된 “소프트웨어”는 일반소프트웨어해설의 a항에 의해 통제에서 제외되지 않는다.

b. “일반에 공개된 정보”(정의 : 배포수단과 대상이 정의되지 않고 통제대상이 아닌 기술이나 소프트웨어를 지칭)

GENERAL TECHNOLOGY NOTE (GTN)

(To be read in conjunction with section E of Categories 1 to 9)

The export of ″technology″ which is ″required″ for the ″development″, ″production″ or ″use″ of goods controlled in Categories 1 to 9,  is controlled according to the provisions of Categories 1 to 9.

″Technology″ ″required″ for the ″development″, ″production″ or ″use″ of goods  under control remains under control even

when applicable to non-controlled goods.

Controls do not apply to that ″technology″ which is the minimum necessary for the installation, operation, maintenance(checking) and repair of those goods which are not controlled or whose export has been authorised.

N.B.: this does not release such ″technology″ specified in 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. and 8E002.b.

Controls on ″technology″ transfer do not apply to information ″in the public domain″, to ″basic scientific research″ or to the minimum necessary information for patent applications.

GENERAL SOFTWARE NOTE (GSN)

(This note overrides any control within section D of Categories 0 to 9)

Categories 0 to 9 of this list do not control ″software″ which is either:

a. Generally available to the public by being:

1. sold from stock at retail selling points, without restriction, by means of:

a. over-the-counter transactions;

b. mail order transactions;

c. electronic transactions; or

d. telephone order transactions; and

2. designed for installation by the user without further substantial support by the supplier; or

N.B.: Entry a. of the General Software Note does not release ″software″ specified in Category 5 —Part 2 (″Information Security″).

b. ″In the public domain″

1A

1A001

(IL1.A.1)

1A001.a

1A001.b

1A001.c

1A002

(IL1.A.2)

(MT6A.1)

(NR2.A.3)

1A002.a

1A002.b

1A003

(IL1.A.3)

1A003.a

1A003.b

1A004

(IL1.A.4)

1A004.a

1A004.b

1A004.c

1A004.d

1A005

(IL1.A.5)

1A005.a

1A005.b

1A006

(IL1.A.6)

1A006.a

1A006.b

1A007

(IL1.A.7)

1A007.a

1A007.b

1A007.b.1

1A007.b.2

1A007.b.3

1A007.b.4

1A008

(IL1.A.8)

1A008.a

1A008.b

1A008.c

1A008.d

1A102

(MT6A.2)

1A202

(NR2.A.3)

1A225

(NR2.A.2)

1A226

(NR4.A.1.)

1A227

(NR1.A.1.)

1B

1B001

(IL1.B.1)

1B001.a

(MT6B.1.a)

(NR3.B.4)

1B001.b

(MT6B.1.b)

1B001.c

(MT6B.1.c)

1B001.d

(MT6B.1.d.1.)

1B001.d.1

1B001.d.2

(MT6B.1.d.2.)

1B001.d.3

(MT6B.1.d.3.)

1B001.d.4

1B001.e

(MT6B.1.e)

1B001.f

1B001.f.1

1B001.f.2

1B001.g

1B002

(IL1.B.2)

(MT4B.3.d)

1B003

(IL1.B.3)

1B003.a

1B003.b

1B003.c

1B101

(MT6B.1)

1B101.a

(MT6B.1.a.)

1B101.b

(MT6B.1.b)

1B101.c

(MT6B.1.d.)

1B101.c.1

1B101.c.2

1B101.c.3

1B101.d

(MT6B1.e)

1B102

(MT4B.3.d)

1B102.a

1B102.b

1B115

(MT4B.1.)

1B115.a

(MT4B.1.)

1B115.b

(MT4B.2.)

1B116

(MT6E.3)

(MT6B.2*)

1B117

(MT4B.3.a)

1B118

(MT4B.3.b)

1B118.a

1B118.b

1B119

(MT4B.3.C)

1B201

(NR3.B.4.)

1B201.a

1B201.b

1B201.c

1B225

(NR3.B.1)

1B226

(NR3.B.5)

1B227

(NR4.B.3)

1B228

(NR4.B.2)

1B229

(NR4.B.1)

1B229.a

1B229.b

1B230

(NR4.A.2)

1B231

(NR2.B.1)

1B232

(NR4.A.3)

1B233

(NR2.B.2)

1B233.a

1B233.b

1B233.b.1

1B233.b.2

1B233.b.3

1B233.b.4

1C

1C001

(IL1.C.1)

(MT17C.1)

1C001.a

1C001.b

1C001.c

1C001.c.1

1C001.c.2

1C001.c.3

1C001.c.4

1C001.c.5

1C002

(IL1.C.2)

1C002.a

1C002.a.1

1C002.a.2

1C002.b

1C002.b.1

1C002.b.1.a

1C002.b.1.b

1C002.b.2

1C002.b.2.a

1C002.b.2.b

1C002.b.3

(NR2.C.13.)

1C002.b.3.a

1C002.b.3.b

1C002.b.4

(NR2.C.1.)

1C002.b.4.a

1C002.b.4.b

1C002.b.5

1C002.b.5.a

1C002.b.5.b

1C002.c

1C002.d

1C003

(IL1.C.3)

1C003.a

1C003.b

1C003.b.1

1C003.b.2

1C003.c

1C004

(IL1.C.4)

1C005

(IL1.C.5)

1C005.a

1C005.b

1C005.c

1C006

(IL1.C.6)

1C006.a

1C006.a.1

1C006.a.2

1C006.b

1C006.b.1

1C006.b.2

1C006.c

1C006.d

1C007

(IL1.C.7)

1C007.a

(MT6C.5)

(MT6C.6)

1C007.b

1C007.c

1C007.d

1C007.e

1C007.e.1

1C007.e.2

1C007.e.3

1C007.f

1C008

(IL1.C.8)

1C008.a.1

1C008.a.2

1C008.a.3

1C008.a.4

1C008.b

1C008.c

1C008.d

1C008.e

1C008.f

1C009

(IL1.C.9)

1C009.a

1C009.b

1C009.c

1C010

(IL1.C.10)

1C010.a

(NR2.C.7.a)

1C010.b

(NR2.C.7.a)

1C010.c

1C010.d

1C010.d.1

1C010.d.2

1C010.e

(NR2.C.7.c)

(MT6C.1)

1C010.e.1

1C010.e.2

1C011

(IL1.C.11)

1C011.a

(MT4C.2.d)

1C011.b

(MT4C.2.e)

1C011.

NB

1C011.c

1C011.d

1C012

(IL1.C.12)

1C012.a

1C012.b

1C101

(MT17A.1)

(MT17C.1)

1C102

(MT6C.2)

1C107

1C107.a

(MT6C.3)

1C107.a.1

1C107.a.2

1C107.a.3

1C107.b

(MT6C.4)

1C107.c

(MT6C.5)

1C107.d

(MT6C.6.a.)

1C107.e

(MT6C.6.b.)

1C111

1C111.a

1C111.a.1

(MT4C.2.c.)

1C111.a.2

(MT4C.2.d.)

1C111.a.3

1C111.a.3.a

(MT4C.4.a.)

1C111.a.3.b

1C111.a.3.c

1C111.a.3.d

1C111.a.3.e

1C111.a.3.f

1C111.a.4

(MT4C.2.b.)

1C111.a.4.a

1C111.a.4.b

1C111.a.4.c

1C111.a.4.d

1C111.a.4.e

1C111.a.4.f

1C111.a.4.g

1C111.a.4.h

1C111.a.4.i

1C111.a.4.j

1C111.a.4.k

1C111.a.4.l

1C111.a.4.m

1C111.a.4.n

1C111.a.4.o

1C111.a.4.p

1C111.a.4.q

1C111.b

(MT4C.5)

1C111.b.1

1C111.b.2

1C111.b.3

1C111.b.4

1C111.b.5

1C111.c

1C111.c.1

(MT4C.6.c.1)

1C111.c.2

(MT4C.6.d.1)

1C111.c.3

(MT4C.6.e.1)

1C111.c.4

(MT4C.6.d.2)

1C111.c.5

(MT4C.6.d.4)

1C111.c.6

(MT4C.6.c.2)

1C111.c.6.a

1C111.c.6.b

1C111.c.6.c

1C111.c.6.d

1C111.c.6.e

1C111.c.6.f

1C111.c.6.g

1C111.c.6.h

1C111.c.6.i

1C111.c.6.j

1C111.c.6.k

1C111.c.6.l

1C111.c.6.m

1C111.c.6.n

1C111.c.6.o

1C111.c.7

(MT4C.6.d.5)

1C116

(MT6C.8)

1C116.a

1C116.b

1C117

(MT6C.7)

1C117.a

1C117.b

1C117.d

1C118

(MT6C.9)

1C118.a

1C118.b

1C202

1C202.a

(NR2C.1)

1C202.b

(NR2C.13)

1C210

1C210.a

(NR2.C.7.a)

1C210.a.1

1C210.a.2

1C210.b

(NR2.C.7.b.)

1C210.c

(NR2.C.7.c.)

1C216

(NR2.C.11)

1C225

(NR2.C.4)

1C226

(NR2.C.14)

1C227

(NR2.C.5)

1C228

(NR2.C.10)

1C229

(NR2.C.3)

1C230

(NR2.C.2)

1C231

(NR2.C.8)

1C232

(NR2.C.18)

1C233

(NR2.C.9)

1C234

(NR2.C.15)

1C235

(NR2.C.17)

1C236

(NR2.C.19)

1C236.a

1C236.b

1C236.c

1C236.d

1C237

(NR2.C.12)

1C238

(NR2.C.6)

(MT4C.4.a.6)

1C239

(NR6.C.1.e)

1C240

(NR2.C.16)

1C240.a

1C240.b

1C350

(AG, CWC)

1C350.1

(AG1.1, C2B10)

1C350.2

(AG1.2, C3B1)

1C350.3

(AG1.3)

1C350.4

(AG1.4, C1B1)

1C350.5

(AG1.5)

1C350.6

(AG1.6, C3B6)

1C350.7

(AG1.7, C3B2)

1C350.8

(AG1.8, C3B4)

1C350.9

(AG1.9, C3B10)

1C350.10

(AG1.10)

1C350.11

(AG1.11)

1C350.12

(AG1.12)

1C350.13

(AG1.13, C2B6)

1C350.14

(AG1.14)

1C350.15

(AG1.15)

1C350.16

(AG1.16)

1C350.17

(AG1.17)

1C350.18

(AG1.18)

1C350.19

(AG1.19, C3B7)

1C350.20

(AG1.20)

1C350.21

(AG1.21)

1C350.22

(AG1.22)

1C350.23

(AG1.23)

1C350.24

(AG1.24)

1C350.25

(AG1.25)

1C350.26

(AG1.26)

1C350.27

(AG1.27)

1C350.28

(AG1.28, C2B11)

1C350.29

(AG1.29, C1B2)

1C350.30

(AG1.30, C3B5)

1C350.31

(AG1.31, C2B4)

1C350.32

(AG1.32, C2B5)

1C350.33

(AG1.33)

1C350.34

(AG1.34)

1C350.35

(AG1.35)

1C350.36

(AG1.36)

1C350.37

(AG1.37)

1C350.38

(AG1.38, C3B3)

1C350.39

(AG1.39)

1C350.40

(AG1.40)

1C350.41

(AG1.41)

1C350.42

(AG1.42)

1C350.43

(AG1.43)

1C350.44

(AG1.44)

1C350.45

(AG1.45)

1C350.46

(AG1.46, C3B13)

1C350.47

(AG1.47)

1C350.48

(AG1.48)

1C350.49

(AG1.49)

1C350.50

(AG1.50)

1C350.51

(AG1.51, C3B8)

1C350.52

(AG1.51, C3B9)

1C350.53

(AG1.53)

1C350.54

(AG1.54)

1C350.55

(AG1.55)

1C350.56

(AG1.56)

1C350.57

(AG1.57)

1C350.58

(AG1.58)

1C350.59

(AG1.59, C3B11)

1C350.60

(AG1.60)

1C350.61

(AG1.61)

1C350.62

(AG1.62)

1C350.63

(AG1.63)

1C351

(AG4)

(BWC)

1C351.a

1C351.a.1

1C351.a.2

1C351.a.3

1C351.a.4

1C351.a.5

1C351.a.6

1C351.a.7

1C351.a.8

1C351.a.9

1C351.a.10

1C351.a.11

1C351.a.12

1C351.a.13

1C351.a.14

1C351.a.15

1C351.a.16

1C351.a.17

1C351.a.18

1C351.a.19

1C351.a.20

1C351.a.21

1C351.a.22

1C351.a.23

1C351.a.24

1C351.a.25

1C351.a.26

1C351.a.27

1C351.a.28

1C351.a.29

1C351.a.30

1C351.a.31

1C351.a.32

1C351.a.33

1C351.a.34

1C351.a.35

1C351.a.36

1C351.a.37

1C351.a.38

1C351.a.39

1C351.b

1C351.c

1C351.c.1

1C351.c.2

1C351.c.3

1C351.c.4

1C351.c.5

1C351.c.6

1C351.c.7

1C351.c.8

1C351.c.9

1C351.c.10

1C351.c.11

1C351.c.12

1C351.c.13

1C351.c.14

1C351.c.15

1C351.c.16

1C351.c.17

1C351.d

1C351.d.1

1C351.d.2

1C351.d.3

1C351.d.4

1C351.d.5

1C351.d.6

1C351.d.7

1C351.d.8

1C351.d.9

1C351.d.10

1C351.d.11

1C351.d.12

1C351.d.13

1C351.d.14

1C351.d.15

1C351.d.16

1C351.d.17

1C351.d.18

1C351.d.19

1C351.e

1C351.e.1

1C351.e.2

1C352

(AG6)

(BWC)

1C352.a

1C352.a.1

1C352.a.2

1C352.a.3

1C352.a.4

1C352.a.5

1C352.a.6

1C352.a.7

1C352.a.8

1C352.a.9

1C352.a.10

1C352.a.11

1C352.a.12

1C352.a.13

1C352.a.14

1C352.a.15

1C352.a.16

1C352.a.17

1C352.b

1C353

(AG)

(BWC)

1C353.a

1C353.b

1C354

(AG5)

(BWC)

1C354.a

1C354.b

1C354.c

1C450

(CWC)

1C450.a

1C450.a.1

(C2A)

1C450.a.2

(C2A.1)

1C450.a.3

(C2A.2)

1C450.a.4

(C2A.3, C3A.1)

1C450.a.5

(C3A.2)

1C450.a.6

(C3A.3)

1C450.a.7

(C3A.4)

1C450.b

(C2B)

1C450.b.1

(C2B.1)

1C450.b.2

(C2B.2)

1C450.b.3

(C2B.3)

1C450.b.4

(C2B.7)

1C450.b.5

(C2B.8)

1C450.b.6

(C2B.9)

1C450.b.7

(C3B)

1C450.b.8

(C3B.12)

1C901.a

(BWC)

1C901.b

(BWC)

1D

1D001

(IL1.D.1)

(MT6D.1)

(NR3.B.4)

1D002

(IL1.D.2)

1D003

(IL)

1D101

(MT4D.1)

(MT6D.1)

1D103

(MT17D.1)

1D201

(NR3.B.4)

1E

1E001

(IL1E.1)

(MTCR)

(NR)

(AG)

1E002

(IL1.E.2)

1E002.a

1E002.b

1E002.c

1E002.c.1

1E002.c.2

1E002.d

1E002.e

1E002.f

1E002.g

1E101

(MT6E.1)

1E102

(MT6E.1)

(MT17E.1)

(NR)

1E103

(MT6E.2)

1E104

(MT7E.1)

1E201

(NR)

1E202

(NR)

1E203

(NR)

제1부 특별소재 및 관련 장비

시스템, 장비 및 부품

불소화합물로 만들어진 부품으로 다음의 것

a. 1C009.b. 또는 1C009.c.에 의해 명시되는 소재를 중량기준으로 50% 초과 사용하고 항공기 또는 우주선용으로 전용 설계된 실(seal), 가스켓, 밀봉제, 연료용기

b. 1C009.a.에 명시된 불화비닐리덴물질(CAS 75- 38-7)로 만들어진 압전성 고분자와 공중합체로서 다음의 특성을 모두 가진 것

1. 판(sheet)상 또는 필름 형태이고

2. 두께가 200㎛를 초과하는 것

c. 실(seal), 가스켓, 밸브 시트(valve seats), 블래더(bladders) 또는 다이아프램(diaphragm)으로서, 다음의 모든 특성을 가지는 것:

1. 하나 이상의 비닐에테르군(vinylether group)이 구성단위로 포함된 불소탄성중합체로 만들어 진것,

2. "항공기", 우주선, '미사일'용으로 전용 설계된 것

주: 1A001.c 에서 "미사일(missile)"이란 완성 로켓 시스템 및 무인 비행체를 의미함

“복합재료”구조물 또는 적층구조물(laminate)로 다음 중 하나인 것

주의: 1A202, 9A010 및 9A110 참고

a. 유기물 "모재(Matrix)"를 갖고 1C010.c, 1C010.d. 또는 1C010.e.에 의해 명시되는 소재로 만들어진 것으로 구성된 것

b. 금속 또는 탄소 "모체"를 함유하고 다음 중 하나로 만들어진 것으로 구성된 것

1. 탄소“섬유 또는 필라멘트 소재”로서

a. 비탄성계수가 10.15×106m를 초과하고

b. 비인장강도가 17.7×104m를 초과하는 것

2. 1C010.c.에서 명시된 소재들

주1: 1A002는 민간용 항공기 구조물 또는 적층구조물을 수리하기 위한 에폭시수지가 함침된 “섬유상 또는 필라멘트 소재”의 복합재료 구조물 또는 층상구조물로써, 다음의 모든 특성을 갖는 것은 제외

a. 면적이 1 m2을 초과하지 않고;

b. 길이가 2.5m를 초과하지 않으며;

c. 폭이 15mm를 초과하는 것

주2: 1A002는 다음과 같이 순수 민간용으로 전용 설계된 반제품은 제외

a. 스포츠용품

b. 자동차산업

c. 공작기계산업

d. 의료용품

주3: 1A002.b.1은 최대 2차원으로 혼교된 필라멘트를 포함하고 다음의 용도로 전용 설계된 완제품 또는 반제품은 제외

a. 뜨임처리(tempering)를 위한 금속 열처리 로(furnace)

b. 실리콘 불(boule) 생산 장비

주4: 1A002는 특정 용도로 전용 설계된 완제품은 통제하지 않는다.

기술해설

1. 비탄성률 : 온도 (296±2)K ((23±2)℃), 상대습도 50±5%에서 파스칼 단위 (Pa=N/m2)로 측정한 Young's 탄성률을 비중량(N/m3)으로 나눈 것

2. 비인장강도 : 온도 (296±2)K ((23±2)℃), 상대습도 50±5%에서 파스칼 단위 (Pa=N/m2)로 측정한 극한인장강도를 비중량(N/m3)으로 나눈 것

1C008.a.3에 명시된 필름, 판, 테입, 리본 형태의 비가용성 방향족 폴리이미드의 제조품으로서, 다음 중 한 개의 특성을 지닌 것

a. 두께가 0.254mm를 초과하는 것, 또는

b. 탄소, 흑연, 금속, 또는 자성 물질로 코팅되었거나 적층구조물로 만들어진 것

주1 : 1A003에서 전자회로 기판용으로 설계되고 구리로 코팅되었거나 구리로 된 적층구조물은 제외

주의 : 모든 형태의 “가용성” 방향족 폴리이미드에 관해선 1C008.a.3.을 참조

군용물자 통제(Military goods controls)에서 명시된 것을 제외한 보호 및 탐지 장비와 그 부품으로서 다음의 것

주의: 2B351과 2B352를 참조

a. 방호용으로 설계 또는 수정된 전면(안면보호)마스크, 여과통 그리고 정화기와 전용설계된 부품으로 다음을 견딜수 있는 것;

1. “전쟁용” 생물학 작용제

2. “전쟁용” 방사능 물질

3. 화학무기작용제(CW)

4. 폭동 진압제로 다음의 것

a. α-브로모벤젠아세토니트릴,(브로모벤질 시아나이드)(CA)(CAS 5798-79-8);

b. [(2-클로로페닐)메틸렌] 프로판에디니트릴, (o-클로로벤질아데네멀로노나이트릴)(CS)(CAS 2698-41-1);

c. 2-클로로-1-페닐에탄논, 페닐아실클로라이드(ω-클로로아세토페논)(CN)(CAS 532-27-4);

d. 디벤즈-(b,f)-1,4-옥사제파인(CR)(CAS 257-07-8);

e. 10-클로로-5,10-디하이드로페나자인, (페나자인 클로라이드), (아댐사이트), (DM)(CAS 578-94-9);

f. N-노나노일몰포라인, (MPA)(CAS 5299-64-9);

주 : 1A004.a는 1A004.a에 기재된  작용제 또는 물질의 방호용으로 설계되거나 수정된 전동식 공기 정화 호흡기(Powered Air Purifying Respirators, PAPR)를 포함한다.

기술해설

1A004.a.의 전면(안면보호)마스크는 가스마스크로도 불린다.

b. 방호용으로 전용설계 또는 수정된 방호복, 장갑 및 신발로서 다음의 것

1. “전쟁용” 생물학 작용제

2. “전쟁용” 방사능물질

3. 화학무기(CW) 작용제

c. 다음을 식별 또는 탐지를 위해 전용설계 또는 수정된 탐지장비와 이러한 탐지장비를 위하여 전용설계된 부품

1. “전쟁용” 생물학 작용제

2. “전쟁용” 방사능물질; 또는

3. 화학무기(CW) 작용제

주: 1A004에서 다음의 것은 제외

a. 개인용 방사능 선량계

b. 다음을 포함한 주거안전 또는 공공산업에 특정한 위험을 예방할 목적으로 설계되거나 기능할 수 있도록 한정된 직업안전보건장비

1. 광업

2. 채석

3. 농업

4. 제약

5. 의료

6. 수의

7. 환경

8. 폐기물 관리

9. 식품산업

d.   “폭발성” 잔존량을 자동 탐지 또는 감지하고 ‘추적탐지’ 기술을 이용을 위해 설계된  전자장비(예 표면음향파동, 이온 운동분석, 차동분석, 질량분석)

기술해설

추적탐지는 1ppm 증기 또는 1mg 고체나 액체  이하를 탐지할 수 있는 것

주 1 :   1A004.d.는 실험용은 통제하지 않는다

주 2 :  1A004.d.는 비접촉 통과형 경비장치는 통제하지 않는다.

기술해설

1. 1A004는 방호용 또는 탐지용으로 “전쟁용”방사능물질, “전쟁용” 생물작용제, 화학무기작용제, 이의 유사품 또는 “폭동진압제”로 일반산업용도인 광업, 채석, 농업, 제약, 의료, 수의, 환경, 폐기물 관리, 또는 식품산업에 사용되는 장비 와 부품을 포함한다.

2. ‘유사품’은 교육훈련, 연구, 실험 또는 평가에 사용되는 독성물질(화학 또는 생물)의 원료 또는 재료

방호장비와 그 부품으로서 다음의 것

a. 군사표준 또는 규격에 따라 생산되지 않았거나, 성능이 동등하지 않은 연성 방호복(소프트 바디 아머,  Soft body armour)과 전용설계된 부품

b.  경성 방호복(하드 바디 아머, Hard nody armour)용 플레이트로서 IIIA 등급(NIJ 0101.06, July 2008)  또는 이에 준하는 국가규격 이하의 방탄능력을 갖는 것

주의1 : 개인방어장비의 제작에 사용되는 “섬유 또는 필라멘트소재”에 대해서는 1C010 참고할 것

주의 2 : 군사표준 또는 규격에 따라 생산된 방호복은 ML13.d를 참조할 것

주 1: 1A005에서 개인방어장비나 방호복이 사용자 개인의 보호를 위한 것일 때는 제외

주 2: 1A005에서 비군사용 폭발장치의 파편과 폭발에 대해서만 정면보호를 제공하도록 설계된 보호 장비는 제외

주 3 : 1A00는 칼, 스파이크, 침 또는 둔기의 방호만을 위해 설계된 방호복은 통제하지 않는다

급조폭발장치의 처리를 위해 전용설계되거나 개조된 장비, 부품 및

부속품으로서 다음과 같은 것

주의: 군용물자통제 참조할 것

a. 원격조종장비;

b. 디스럽터(Disruptors)

기술해설:

디스럽터(Disruptor)는 폭발물의 작동을 막기 위해 액체, 고체 또는

무른 발사체를 발사하여 폭발물의 작동을 막기 위한 목적으로

전용설계된 장치

주 : 1A006은 조작자가 수반되는 장비를 통제하지 않는다.

전기적 방법으로 장약을 점화시키기 위한 활성물질을 포함하는

장비 및 장치로 다음과 같은 것

주의: 군용물자통제, 3A229, 3A232 참조할 것

a. 1A007.b.에서 정의된 폭발뇌관의 구동을 위해 설계된 폭발신관

기폭세트

b. 전기적으로 작동되는 폭발 신관으로 다음과 같은 것

1. 폭발용 브리지(exploding bridge : EB)

2. 폭발용 브리지 배선(exploding bridge wire : EBW)

3. 슬래퍼(slapper)

4. 폭발용 박판 착화기(exploding foil initiators : EFI)

기술해설 :

1. 착화기(initiator)와 기폭기(ignitor)라는 용어는 종종 뇌관detonator)를 대신하여 사용한다.

2. 1A007.b에서 모든 뇌관은 고속 고전류의 펄스가 통과하게 되면 폭발적으로 기화하는 작은 전도체(브릿지, 브릿지배선 흑은 박판(foil)을 이용한다. 비 슬래퍼형(nonslapper type)에서 폭발하는 전도체(exploding conductor)는 PETN (pentaerythrit olter tranitrate)과 같은 고 폭발성 소재와 접촉하고 있는 화학뇌관을 작동시킨다. 슬래퍼형 뇌관인 경우에는, 전도체의 폭발성 기화가 갭(gap)을 가로질러 플라이어(flyer) 혹은 슬래퍼를 작동시키게 되고 폭발물에 대한 슬래퍼의 영향은 화학적 폭발을 일으킨다. 설계에 따라 슬래퍼가 자력에 의해 작동되는 것도 있다. 폭발하는 박판(exploding foil) 뇌관이라는 용어는 EB나 슬래퍼형 뇌관 가운데 하나를 의미할 수도 있다. 또한 발화체(initiator)라는 용어는 때때로 뇌관 (detonator)이라는 용어 대신 사용된다.

장약, 장치 및 부품으로서, 다음과 같은 것:

a. 아래와 같은 모든 특성을 갖는 성형장약(shaped charges):

1. 폭발물 순중량(NEQ)이 90 g을 초과하고; 그리고

2. 주조물의 외경이 75 mm와 같거나, 또는 이를 초과하는 것;

b. 아래와 같은 모든 특성을 갖는 선형절단장약(linear shaped

cutting charges)과, 그리고 이를 위한 전용설계 부품:

1. 폭발물 장전량이 40g/m를 초과하고; 그리고

2. 폭이 10mm이거나, 또는 이보다 큰 것;

c. 폭발물 내부 장전량이 64g/m을 초과하는 도폭선(detonating

cord);

d. 1A008.b.에 명시된 것들 이 외의 파단기(破斷機, cutters)와, 폭발물 순중량(NEQ)이 3.5kg을 초과하는 절단기(severing tools).

기술해설:

‘성형장약(shaped charges)’이란 폭발효과(effects of the explosive blast)를 특정 방향으로 집중시키기 위해 성형된 폭발물 장약이다.

주: 1A008.에 명시된 장약과 장치는, 1장의 부속서 목록에 있는 "폭발물(explosives)"과, 그리고 이들의 혼합물(mixtures)을 포함하는 것에 한 한다

재포화 열분해 카본-카본(carbon-carbon) 부품으로서 9A004에 명시된 우주선 발사체 또는 9A104에 명시된 관측용 로켓을 위해 설계된 것

다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 튜브 형태의 복합구조물(1A002 제외)

주의: 9A010과 9A110을 참고

a. 내경이 75～400mm 인 것, 그리고

b. 1C010.a. 또는 b, 또는 1C210.a.에서 명시된 “섬유 또는 필라멘트 소재”의 일부 또는 1C210.c.에서 명시된 탄소섬유 프리프레그 소재로 제조된 것

중수로부터 삼중수소를 분리하거나 중수를 생산하기 위한 것으로서,  수소와 물 사이의 수소동위원소 교환반응을 촉진하기 위해 전용 설계되거나 준비된 백금촉매

보통 물에서 중수를 분리하는 데 사용되는 특별한 packing으로 다음 두 가지의 특성을 모두 갖는 것

a. 젖음성(wettability)을 향상시키기 위해 화학적으로 처리된 인광 구리망사(phosphor-bronze mesh)로 만들어진 것, 그리고

b. 진공증류탑에서 사용되도록 설계된 것

고밀도(납유리 또는 다른 것) 방사선 차폐창으로 다음의 특성 모두를 가지며, 이를 위해 전용 설계된 프레임

a. 0.09m2를 초과하는 ‘저방사능구역’를 가지는 것

b. 3g/㎤를 초과하는 밀도를 가지는 것

c. 100mm 이상의 두께인 것

기술해설 :

1A227의  ‘저방사능구역’은 설계적용시 가장 낮은 수준의 방사능에 노출되는 창의 가시면적을 의미한다.

시험, 측정 및 생산 장비

1A002에 명시된 ‘복합재료’ 구조물 또는 적층구조물(laminate)과 1C010에 명시된 “섬유상 또는 필라멘트 재료”의 생산과 검사를 위한 장비로서 다음의 것과 그것을 위해 전용설계된 부품과 부속품

주의: 1B101과 1B201을 참조

a. 화이버 (fiber) 의 위치제어, 덮기, 감기를 위한 3축 또는 그 이상의 ‘주요서보위상(primary servo positioning)' 축으로 조정되고 프로그램되는 필라멘트 와인딩 장치로서 “섬유상 또는 필라멘트 소재”로 된 “복합재” 구조물이나 적층재를 제조하기 위해 전용 설계된 것

b. 테이프, 사슬, 또는 판상(sheets)의 적층과 위치제어를 위한 작동이 5축 또는 그 이상의 “주요서보위상(primary servo positioning)" 축으로 조정되고 프로그램되는 테이프 적층(tape-laying) 기계로 "복합재"로 된 항공기 또는 미사일의 구조물을 제조하기 위해 전용 설계된 것

주: 1B001.b.에서 "미사일(missile)"이란 완성 로켓 시스템 및 무인비행체를 의미함

c. "복합재" 구조물 을 위한 직조, 꼬여짜기 및 땋아짜기 전용의 다각, 다차 직조기와 꼬여짜기 장비로서 어댑터 및 개조용 키트를 포함하고 있는 것

기술해설:

1B001.c.에서 꼬여짜기 기술에는 편물(knitting)이 포함됨

d. 강화섬유의 제조를 위해 전용 설계, 또는 개조된 장비로서 다음의 것

1. 고분자섬유(폴리아크릴로-니트릴, 레이온, 피치 또는 폴리카보실렌과 같은 것)를 탄소섬유 또는 실리콘 카바이드 섬유로 변환하기 위한 장비(열을 가하는 동안 섬유를 변형시키는 전용장비를 포함)

2. 실리콘카바이드 섬유 제조를 위해 가열된 filamentary 기판위에 단원소나 화합물을 화학기상증착(chemical vapor deposition)하기 위한 장비

3. 내화세라믹(알루미늄 산화물과 같은 것)의 습식방사를 위한 장비

4. 열처리에 의해 알루미늄 함유섬유전구체를 알루미나섬유로 변환하기 위한 장비

e. 1C010.e.에서 명시되는 수지침투 프리프레그를 열용융방식(hot melt method)에 의해 제조하기 위한 장비

f. “복합재료”용으로 특별히 설계된 비파괴검사장비로 다음의 것:

1. 3차원 결함검사를 위한 X선 단층촬영 시스템;

2. 발신기 또는 수신기를 위치하는 동작이 동시에 조절되거나 검사할 부품의 3차원 표면을 따라 4축 이상으로 프로그램되는 수치제어 초음파 검사기

g. 토우, 또는 판상(sheets)의 적층과 위치제어를 위한 작동이 2축 또는 그 이상의 “주요서보위상(primary servo positioning)" 축으로 조정되고 프로그램되는 토우 배열(tow-placement) 기계로 "복합재"로 된 항공기 또는 미사일의 구조물을 제조하기 위해 전용 설계된 것

Technical Note

1B001.의 목적에 따라, "주요서보위상(primary servo positioning)' 축은 원하는 공정을 달성하기 위해 정확한 배열과 방향에서의 작업 단위의 공간에서 end effector(예, head)의 위치를 컴퓨터 프로그램으로 조정한다.

1C002.c.2.에서 명시된 공정 중 하나에서 사용하도록 특별 설계된 합금, 합금분말, 또는 합금된 소재의 제조를 위한 장비로서 오염방지를 위해 전용 설계된 것

주의: 1B102를 참조

티타늄, 알루미늄 또는 이들의 합금의 초소성 성형 및 확산접합용 공구, 다이스, 금형, 또는 고정기구로서 다음 중 하나의 것을 제조하기 위해 전용 설계된 것

a. 비행기 또는 우주선의 구조물

b. 항공기 또는 우주선의 엔진, 또는

c. 1B003.a에서 명기된 이러한 구조물 또는 1B003.b에서 명기된 엔진을 위해 전용 설계된 부품

구조용 복합재의 “생산” 장비(1B001 제외) 및 이를 위해 전용 설계된 부품 및 부수품으로서 다음의 것

주의: 1B201를 참고

주: 1B101에 명시된 기계용 부품 및 부수품에는 복합구조물, 판재 및 관련제품의 압착, 경화, 주조,  소결 또는 접착을 위한 주형, 맨드렐, 금형, 치구, 공구 등이 있다.

a. 필라멘트 와인딩 장치(Filament winding machines) 또는 섬유 위치 장치(fibre placement machines)로서, 섬유의 위치제어, 덮기 (wrapping) 및 감기를 위한 작동이 3축 이상에서 조화롭게 기능하고 프로그래밍 될 수 있으며, 섬유나 단섬유류 소재의 복합재 또는 적층을 제작하기 위해 설계된 것(관련 축제어기 및 프로그래밍 장비 포함)

b. 복합재로 된 항공기기체나 ‘미사일’구조체를 제작하기 위해 설계된 테이프 적층기계로서 위치제어, 테이프 또는 박판의 적층과정이 2축 이상의 좌표계상에서 동작하고 프로그램에 의해 제어되는 것

c. “섬유 또는 필라멘트 소재”의 “생산“용으로 설계되거나 개조된 장비로서 다음의 것:

1. 중합체섬유(예: 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 레이온(rayon) 또는 폴리카보실레인(polycarbosilane))를 변환하는 장비로서 열을 가하면서 섬유를 연신하는 특수장비를 갖춘 것;

2. 가열된 단섬유 위에 어떤 원소나 화합물을 증착(vapour deposition)시키는 장비

3. 내화 세라믹(예:알미늄 산화물)의 습식방사(wet-spinning) 장비

d. 9C110의 도입부에 명시된 섬유표면의 특수처리 또는 프리프레그와 프리폼의 생산용으로 설계되거나 개조된 장비

주: 1B101.d.는 롤러, 인장 신장기(stretcher), 코팅장비, 절단기 및 제륜자(clicker) 다이를 포함한다.

금속분말 “생산장비” 및 부품 (1B002에 명시된 해당품목 제외)

으로 다음의 것

주의: 1B115.b.를 참조

a. 통제된 환경 하에서 1C011.a., 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2. 또는 군용물자 통제목록부분에서 명시된 구형 또는 분무된 소재의 생산에 이용할 수 있는 금속분말 "생산 장비"

b. 1B002 또는 1B102.a.에서 명시된 생산 장비를 위해 전용 설계된 부품

주: 1B102는 다음의 것을 포함한다.

a. 아르곤 물 분위기 공정도 함께 포함한 스퍼터 또는 구형 금속분말을 생성하는데 사용할 수 있는 플라즈마 발생기(고주파 아크분사)

b. 아르곤-물 환경하에서 유기화 절차를 포함한 스퍼터 또는 구형 금속분말을 생성하는데 사용할 수 있는 전자분쇄장비

c. 금속 용해물을 불활성 매체(예: 질소) 분위기에서 분쇄하여 구형 알루미늄 분말을 생산하는데 사용할 수 있는 장비

추진제와 추진제 구성물의 생산을 위한 장비(1B002 또는 1B102에서 명시된 것은 제외)로서 다음의 것 및 이를 위해 전용 설계된 부품

a. 1C011.a., 1C011.b., 1C111 또는 군용물자 통제목록에서 명시된 액체 추진제 또는 추진제 성분의 생산, 취급, 또는 성능합격시험을 위한 생산장비

b. 1C011.a., 1C011b., 1C111 또는 군용물자 통제목록에서 명시된 고체추진제 또는 추진제 구성제의 생산, 취급, 혼합, 경화, 주조, 압착, 기계가공, 압출, 또는 수락시험을 위한 “생산설비”

주: 1B115.b.는 배치 혼합기, 연속 혼합기 또는 유체에너지 분쇄기를 포함하지 않는다. (배치혼합기, 연속 혼합기, 그리고 유체에너지 분쇄기에 관해서는 1B117, 1B118 그리고 1B119를 참조)

주1: 군용물자의 제조를 위해 전용 설계된 장비에 관해서는 군용물자 통제목록(the Military Goods Controls)를 참조

주2: 1B115는 탄화붕소의 생산, 취급, 성능합격시험에 관한 장비를 포함하지 않는다.

130Pa-20kPa의 압력으로 1,573K(1,300℃)-3,173K(2900℃) 온도 범위에서 분해되는 전구체 가스(precursor gas)로부터, 금형․맨드렐․또는 기타 기판(substrate) 위에서 형성되는 열분해 소재를 생성하기 위해 전용 설계된 노즐

0-13.326kPa 범위의 진공하에서 혼합기능을 갖고 혼합챔버의 온도제어기능을 갖는 배치(Batch) 혼합기 및 이를 위해 전용 설계된 부품으로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 전체 부피용량이 110ℓ이상이고,

b. 혼합 및 반죽을 위해 적어도 한 개 이상의 편심축을 갖는 것

0-13.326KPa의 진공하에서 혼합기능을 갖고 혼합챔버에 온도제어기능을 갖는 연속혼합기 및 이를 위해 특수설계된 부품으로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 혼합 및 반죽용 축이 2개 이상이거나,

b. 단일 진동 축과 혼합실 케이스 안쪽에 반죽용 이/핀(kneading teeth/pins)이 있는 것

1C011.a., 1C011.b., 1C111 또는 군용물자 통제목록(Military Goods Controls)에 명시된 것으로서, 소재를 분쇄 또는 절삭하기 위해 사용할 수 있는 유체에너지 분쇄기 및 이를 위해 전용 설계된 부품

1B001 또는 1B101에 명시된 것을 제외한 필라멘트 와인딩 머신 (filament winding machine) 및 그 관련 장비로서 다음의 것

a. 필라멘트 와인딩 머신으로 다음의 모든 특성을 갖는 것

1. 섬유를 위치시키고 (positioning), 덮고(wrapping), 감고(winding)
하기 위한 운동이 두 축 이상에서 조정되고 프로그램 되는 것으로

2. 특히 “섬유 또는 필라멘트 소재”로부터 복합재 구조나 판상구조물을 제조하기 위해 전용 설계되었으며

3. 회전자 지름이 75mm~400mm 이고 길이가 600mm이상인 것을 권선할 능력을 가진 것

b. 1B201.a.에 명시된 필라멘트 와인딩 머신을 조정 및 프로그램밍하는 제어 능력

c. 1B201.a.에 명시된 필라멘트와인딩 머신에 사용하기 위한 정밀 mandrel

불소생산을 위한 전해조로 시간당 불소 250g 이상의 처리능력을 갖는 것

총 50mA 이상의 이온빔 전류를 제공할 수 있는 단일 또는 여러 개의 이온 소스(source)용으로 설계되거나 또는 이온소스가 장착된 전자자기 동위원소 분리기

주: 1B226은 다음과 같은 분리기를 포함한다.

a. 우라늄은 물론 우라늄을 위한 안정성 동위원소를 농축할 수 있는 것

b. 수집기와 이온소스가 모두 자기장 내부에 위치하거나 자기장 외부에 위치한 것

암모니아 합성반응기(convertors) 또는 암모니아 합성 장치로서 합성가스(질소 및 수소)가 암모니아/수소 고압 교환칼럼으로부터 회수되고 합성암모니아가 상기 칼럼으로 되돌아가는 것

수소-냉각제(CRYOGENIC)증류 칼럼으로 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. 35K (-238℃)이하의 내부온도에 작동하도록 설계되고

b. 0.5~5MPa의 내압에서 작동되도록 설계되어

c. 다음 중 어느 하나의 것으로 건조된 것

1. 오스테나이트 구조에 관한 ASTM(또는 동급의 표준)규격으로 결정립 크기번호가 5 이상이며 유황함유량이 적은  300시리즈의 스테인리스강, 또는

2. 극저온 및 수소 존재환경에서 사용가능한 소재, 그리고

d. 내경이 1m 이상이고 유효 길이가 5m이상인 것

물-황화수소 (hydrogen sulfide) 교환 트레이 칼럼 및 내부 접촉기(contactors)로서 다음의 것

주의: 중수생산을 위하여 전용 설계되거나 제작된 칼럼(column)에 대해서는 0B004를 참조

a. 물-황화수소 교환 트레이 칼럼(tray column)으로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

1. 2MPa이상의 압력에서 작동 가능하고

2. 오스테나이트 구조에 관한 ASTM(또는 동급의 표준) 규격으로 결정립 크기 번호가 5 이상인 carbon steel로 건조되고

3. 직경 1.8m이상인 것

b. 1B229.a.에 명시된  물-황화수소 교환 트레이칼럼을 위한 내부 접촉기(contactor)

기술해설:

칼럼의 내부 접촉기(contractor)는 유효 조립 직경 1.8m이상의 분리된 트레이들로서 역류 접촉(contacting)을 용이하게 하도록 설계되고 카본 함량이 0.03%이하의 스테인리스강으로 건조된다. 이들의 종류는 sieve tray, valve tray, bubble cap tray 또는 turbogrid tray 등이 있다.

액체암모니아(KNH2/NH3)에 농축 또는 희석된 potassium amide 촉매 용액을 순환시킬 수 있는 펌프로 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 공기차폐(밀폐)되고

b. 8.5㎥/h를 초과하는 용량을 갖는 것으로

c. 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

1. 농축 potassium amide 용액(1% 이상의 것)을 위한 것으로1.5~60MPa의 압력에서 작동되는 것

2. 희석 potassium amide 용액(1% 미만의 것)을 위한 것으로 20~60MPa의 압력에서 작동되는 것

트리튬(삼중수소)시설 또는 공장 및 이를 위한 장비로서 다음의 것

a. 트리튬의 생산, 회수, 추출, 농축 또는 처리용 시설 또는 공장

b. 트리튬 시설 또는 공장용 장비로서 다음의 것

1. 수소 또는 헬륨 냉각기로서 -250℃(23K)이하로 만들 수 있는 냉각능력이 있고 1150W 이상의 열을 제거하는 능력이 있는 것

2. 수소 동위원소 저장 및 정화시스템으로서 저장 또는 정화 매개체로 금속 하이드라이드를 사용하는 것

터보팽창기 또는 터보팽창기 압축기 세트로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. 외부온도 35K (-238℃)이하에서 작동하도록 설계되고

b. 1000kg/hr 이상의 수소가스 처리용으로 설계된 것

리튬 동위원소 분리 시설, 공장 그리고 이를 위한 장비들로서 다음의 것

a. 리튬동위원소 분리용 시설 또는 공장

b. 리튬동위원소 분리 장비로서 다음의 것

1. 리튬 아말감용으로 전용 설계된 액체-액체 교환 팩트 칼럼(packed column)

2. 수은 또는 리튬 아말감 펌프

3. 리튬 아말감 전해질 셀

4. 농축된 리튬 수산화용액용 증발기

소재

기술해설:

금속과 합금:

반대 조항이 없다면 1C001~1C012에서 ‘금속’과 ‘합금’이란 용어는 다음과 같이 미가공(crude) 및 반가공형태(semi-fabricated forms)를 포함한다.

미가공 형태:

양극, 볼, 바(노치 바 및 와이어 바 포함), 강편(billets), 블록, 블룸, 브리켓, 케이크, 음극, 결정, 입방체, 입상재(grains, granules), 잉곳트, 괴상재(lumps), 펠렛, pigs, 분말 ,rondelles, 구상재 ,평판,슬러그,해면상(sponge),봉재.

반가공 형태(코팅, 도금, 드릴링, 펀칭 여부와 무관)

a. 다음의 공정에 의하여 가공된 형태: 압연, 인발 ,압출, 단조, 충격압출 프레스, 무늬내기(graining), 분무법및 절삭가공, 예: 각재(angle), 채널형재, 원형모재(circle), 디스크상 모재, 압분(dust), 편상재, 금속박, 단조품, 판재, 분말, 압착재(pressings and stampings), 리본, 링, 봉재(단순용접봉, 선재 및 압연선재 포함), 형재(sections), 이형재(shapes), 박판, 띠판, 파이프 및 튜브 (원통상, 각형 튜브 및 중공구조물 포함), 압연선재 또는 압출선재;

b. 모래, 다이, 금속, 석고 혹은 다른 형태의 주형에서 주조 제작된 주조소재로서 고압 주조물, 소결체, 그리고 분말 야금에 의한 성형체를 포함한다.

어떤 물건을 위에서 언급되지 않은 형태인 완성품 형태라 주장하여 수출 시에도, 이것이 사실상 미가공 또는 반가공형태를 보인다면 통제가 면제될 수 없다.

전자파의 흡수체로 사용될 목적으로 전용 설계된 소재 또는 자체적으로 전도성을 갖는 고분자로서 다음의 것

주의: 1C101을 참조

a. 2×108Hz를 초과하고 3×1012Hz 미만의 주파수를 흡수하기 위한 소재

주1: 1C001.a.는 다음과 같은 것은 통제하지 않음

a. 흡수성을 제공하기 위하여 비자성 천연 또는 합성섬유로 구성된 머리카락 형태의 흡수체

b. 자성손실이 없는 흡수체로서 입사평면의 형태가 비평면인 피라미드형, 원추형, 쐐기형, 그리고 회선형의 면을 갖는 것

c. 다음의 모든 것을 가지는 평면 흡수체

1. 다음의 어느 것으로 만들어진 것

a. 탄소를 포함하는 플라스틱 폼 (foam) 소재(유연, 비유연 불문) 또는 유기성 소재(접합재 포함)로서 입사에너지의 중심주파수의 ±15%를 초과하는 밴드폭에 대해 금속과 비교해 5% 초과의 반사파를 주며 450K(177℃)를 초과하는 온도에서 견딜 수 없는 것,

b. 세라믹소재로서 입사에너지 중심주파수의 ±15%를 초과하는 밴드폭에 대해 금속과 비교해 20%를 초과하는 반사파를 주며 800K(527℃)를 초과하는 온도에서는 견딜 수 없는 것

기술해설:

1C001.a.의 주1.c.1.을 위한 흡수시험 샘플은 한 면의 길이가 중심 주파수의 최소한 5파장 이상인 사각형이고, 방사요소에서 원거리(far field)에 위치하여야 한다.

2. 인장강도가 7×106N/m2 미만인 것, 그리고

3. 압축강도가 14×106N/m2 미만인 것

d. 소결페라이트로 만들어진 평면흡수체로서 다음의 모두를 갖는 것

1. 비중이 4.4를 초과하고

2. 최고 동작온도가 548K(275℃)인 것

주2: 1C001.a의 주1은 자기소재가 페인트에 함유되어 흡수성을 제공할 때에도 적용된다.

b. 흡수 주파수가 1.5×1014Hz를 초과하고 3.7×1014Hz 미만이며, 가시광선에 불투명한 소재

주 : 1C001.b.는 다음 중 어느 하나의 용도로 전용 설계되거나 배합된 물질을 통제하지 않는다.

a. 고분자의 레이저 마킹; 또는

b. 고분자의 레이저 용접

c. ‘체적 전기전도도’가 10,000S/m(Siemens per meter)를 초과하거나 표면 전기저항이 100Ω/square 미만인 전도성 고분자 소재로서 다음 중 하나로 만들어진 것

1. 폴리아닐린(Polyaniline)

2. 폴리피롤(Polypyrrole)

3. 폴리티오펜(Polythiophene)

4. 폴리페닐렌-비닐렌(Poly phenylene-vinylene), 또는

5. 폴리티에닐렌-비닐렌(Poly thienylene-vinylene)

기술해설:

‘체적전기전도도(bulk electrical conductivity)’ 및 ‘표면전기저항(sheet(surface) resistivity)’은 ASTM D-257 또는 동등의 국가규격으로 결정해야 한다.

주 : 1C001.c는 액체상태의 물질을 통제하지 않는다.

금속합금, 금속합금분말 그리고 합금소재로서 다음의 것

주의: 1C202를 참조

주: 1C002에서 기판도금을 위한 금속합금․금속합금분말 그리고 합금소재는 제외

기술해설:

1. 1C002에서 규정하고 있는 금속합금은 다른 어느 요소보다 해당 금속의 중량비를 높게 포함하고 있다.

2. 응력파단수명은 ASTM규격 E-139 또는 동등의 국가규격에 따라 측정해야 한다.

3.  저사이클 피로파괴수명은 ASTM규격 E-606 ‘항-주기 저사이클 피로파괴수명 시험’이나 동등국가규격에 따라 측정되어야 한다. 시험은 평균응력비가 1이고 응력집중계수(Kt)를 1로 하여 된 축방으로 한다. 평균응력은 최대응력에서 최소응력을 빼어 최대응력으로 나눈 값으로 정의된다.

a. 알루미늄화합물로서 다음의 것

1. 중량비 15~38%의 알루미늄과 하나 이상의 추가합금성분을 함유한 니켈알루미늄화합물

2. 중량비 10%이상의 알루미늄과 하나 이상의 추가합금성분을 함유한 티타늄알루미늄화합물

b. 1C002.c.에 명시된 분말 또는 입자성 소재로 만들어진 금속합금으로서 다음의 것

1. 니켈합금으로서 다음 중 하나의 것

a. 온도 923K(650℃) 및 응력 676MPa에서 응력파괴 수명이 10,000시간 이상인 니켈합금, 또는

b. 온도 823K(550℃) 및 최대응력 1,095MPa에서 저사이클(Low cycle) 피로파괴수명이 10,000사이클 이상인 니켈합금

2.  니오비움(Niobium)합금으로서 다음 중 하나의 것

a. 온도 1,073K(800℃) 및 응력 400MPa에서 응력파단수명이 10,000시간이상인 니오비움합금, 또는

b. 온도 973K(700℃) 및 최대응력 700MPa에서 저사이클 피로파괴 수명이 10,000사이클 이상인 니오비움합금

3. 티타늄합금으로서 다음 중 하나의 것

a. 온도 723K(450℃) 및 응력 200MPa에서 응력파괴수명이 10,000 시간 이상인 티타늄합금, 또는

b. 온도 723K(450℃) 및 최대응력 400MPa에서 저사이클 피로파괴 수명이 10,000사이클 이상인 티타늄합금

4. 알루미늄합금으로서 다음 중 하나의 인장강도를 가진 것

a. 온도473K(200℃)에서 240MPa 이상, 또는

b. 온도298K(25℃)에서 415MPa 이상

5. 마그네슘합금으로서

a. 345MPa 이상의 인장강도를 갖고

b. ASTM규격 G-31 또는 동등의 국가규격으로 측정할 때 3% 염수 시험에서 1 mm/year 미만의 부식률을 갖는 것

c. 다음의 모든 특성을 가진 금속합금 분말 또는 입상소재

1. 다음의 조성계중 어느 한 가지로 만들어진 재료

기술해설:

X는 1개 이상의 합금원소를 말한다.

a. 터빈엔진 부품 및 구성품에 사용될 수 있는 니켈합금(Ni-Al-X, Ni-X-Al). 즉, 109개 합금 입자 내에 100㎛ 초과의 크기를 갖는 비금속입자를 3개(제조 공정 중에 도입되는 것)미만 포함한 경우

b.  니오비움합금(Nb-Al-X, 또는 X-Al, Nb-Si-X,또는 Nb-X-Si, Nb-Ti-X, 또는 Nb-X-Ti)

c. 티타늄합금(Ti-Al-X, 또는 Ti-X-Al)

d. 알루미늄합금(Al-Mg-X,또는 Al-X-Mg, Al-Zn-X, 또는 Al-X-Zn,  Al-Fe-X, 또는 Al-X-Fe), 또는

e. 마그네슘합금(Mg-Al-X, 또는 Mg-X-Al)

2. 다음 중의 한 공정에 의하여 통제된 환경 내에서 제조된 것

a. "진공 분무"

b. "가스 분무"

c. "회전 분무"

d. "스플랫트 담금질(quenching)"

e. "용융 방사(Melt spinning)" 및 "분쇄"

f. "용융금속 추출" 및 "분쇄"

g. "기계적 합금", 그리고

3. 1C002.a. 또는 1.C002.b.에 명시되는 성형가능한 소재

d. 다음의 모든 특성을 가진 금속합금

1. 1C002.c.1.에서 명시된 조성으로 만들어 진 것

2. 분쇄되지 않는 박편, 리본상 또는 가는 봉상형태의, 그리고

3. 통제된 환경에서 다음의 공정에 의해 제조된 것

a. "Splat 급냉“

b. "용융 방사(Melt spinning)" 또는

c. "용융추출"

모든 형태의 자성금속류로서 다음 중 하나의 것:

a. 초기상대투자율(permeability)이 120,000이상이고 두께가 0.05mm 이하의 것;

기술해설:

초기상대투자율은 충분히 소둔된  소재로 측정되어야 한다.

b. 자왜 합금으로 된 것으로서, 다음 중 하나의 특성을 갖는 것;

1. 포화 자왜 5×10-4을 초과하거나

2. 자성기계적 커플링계수(K)가 0.8을 초과하는 것

c. 비정질  혹은 ‘나노결정합금’ 스트립으로 된 것으로 다음 중 하나인 것;

1. 중량비로 Fe, Co, Ni 중 한 원소가 최소 75%인 합성물이고,

2. 포화자기유도(Bs)가 1.6T 이상으로서, 그리고

3. 다음의 한 가지인 것

a. 스트립 두께가 0.02 mm 이하 이거나

b. 전기저항이 2 x 10-4 ohm-cm 이상인 것

기술해설:

1C003.c.의 나노결정 소재란 X선 회절로 평각된 특정한 결정립(crystal grain)의 크기가 50nm 이하인 것

Fe, Ni 또는 Cu를 기초 "모재"로 한 우라늄-티타늄합금 또는 텅스텐 합금으로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 밀도가 17.5g/cm³을 초과하고,

b. 탄성 한도가 880MPa를 초과하고,

c. 최대인장강도가 1,270MPa를 초과하며,

d. 연신율이 8%를 초과하는 것

길이가 100m를 초과하거나 질량이 100g을 초과하는 "초전도" 복합재 전도체로서 다음의 것

a. 다음 모두에 해당하는 니오비움-티타늄 섬유를 한 개 이상 함유한 "초전도" “복합재료” 전도체:

1.  Cu 또는 Cu혼합 “모재” 이외의 모재에 들어가며, 그리고

2. 필라멘트로서 단면적이 0.28× 10-4mm2(원형필라멘트에 대해서는 6㎛의 직경) 미만인 것

b. Nb-Ti 이외의 “초전도” 필라멘트가 하나 이상 구성된 “초전도” “복합재료” 전도체로서 다음 모두의 특성을 가진 것

1. 자기유도가 0인 "임계온도"가 -263.31℃ 이상, 그리고

2. 자기장이 도체의 장축에 수직인 방향으로 걸려 있을때 4.2K (-268.96oC)의 온도에서 "초전도성"을 유지하며 자속밀도는 12T, 횡단면 전체에 대한 임계 전류밀도가 1,750A/mm2을 넘는 것

c. -158.16℃이상에서 “초전도성”을 유지하는 한개 이상의 “초전도성” 필라멘트로 구성된  “초전도성” “복합재료” 도체

기술해설

1C005에서 필라멘트 형태는 선, 실린더, 필름, 테이프 또는 리본이다.

유체 및 윤활유로서 다음의 것

a. 유압용 액체로서 주성분으로 다음 중 하나를 함유한 것

1. 합성 실라탄화수소 오일류로서 다음의 모든 성질을 갖춘 것

기술해설:

IC006.a.1.의 실라탄화수소 오일류는 주로 실리콘, 수소 및 탄소를 함유한다.

a. 발화점이 477K(204℃)를 초과

b. 소화점이 239K(-34℃) 이하

c. 점성계수가 75 이상, 그리고

d. 616K(343℃)에서 열안정성 확보

2.  아래의 모든 성질을 갖춘 클로로플루오르화탄소

기술해설:

1C006.a.2.의 클로로플루오르화탄소는 주로 탄소, 불소 및 염소만을 포함한다.

a. 발화성이 없고,

b. 자기점화온도가 977K(704℃)를 초과하고,

c. 소화점이 219K(-54℃) 이하이고,

d. 점성계수가 80 이상이고,

e. 비등점이 473K(200℃) 이상인 것

b. 주요 성분으로 다음 중 하나를 함유하는 윤활 소재

1. 페닐렌(Phenylene), 알킬페닐렌 에테르(alkylphenylene ethers) 혹은 티오-에테르(thio-ethers) 또는 이들의 혼합물로서 두개 이상의 에테르(ether) 또는 티오-에테르(ethers) 관능기를 가지고 있거나 이러한 혼합물을 함유한 것, 또는

2. 298K(25℃)에서 측정된 동점성(kinematic viscosity)이 5,000mm2/s (5,000 centistokes) 미만의 불소계 실리콘액

c. 댐핑 또는 부유 유체로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

1. 순도 99.8%를 초과

2. 100ml당 200㎛ 이상의 입자가 25개 이하 포함; 그리고

3. 다음 중의 하나로서 최소 85% 이상 사용되어 제조된 것

a. 디브로모테트라플루오르에탄(Dibromotetrafluoroethane)

(CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8)

b. 폴리클로로트리플루오르에틸렌(Polychlorotrifluoroethylene)

(오일 또는 왁스형태로 만들어진 것), 또는

c. 폴리브로모트리플루오르에틸렌(Polybromotrifluoroethylene)

d. 불화탄소 전자냉각유체로서 다음을 모두를 갖는 것

1. 다음의 하나 또는 이들의 혼합물이 무게로 85%이상 함유하고 있는 것

a. 단량체 형태의 퍼플루오르폴리알킬에테르-트리아진(Perfl-uoropolyalkyether-triazines) 또는 퍼플루오르알리패틱-에테르 (Perfluoroaliphatic-ethers)

b. 퍼플루오르알킬아민(Perfluoroalkylamines)

c. 퍼플루오르사이클로알칸(Perfluorocycloalkanes), 혹은

d. 퍼플루오르알칸(Perfluoroalkanes)

2. 298K(25℃)의 온도에서 1.5g/㎖ 이상의 밀도

3. 273K(0℃)에서 액체상태, 그리고

4. 무게기준 60% 이상의 불소함유

주  : 1C006.d.는 의료용 제품으로 특정되거나 포장된 물질은 통제하지 않는다

기술해설:

1C006 관련해서

1. 발화점은  ASTM D-92 또는 동등한 국가규격에서 정하는 Cleveland Open Cup Method를 사용하여 측정한다.

2. 소화점은 ASTM D-97 또는 동등한 국가규격에서 정하는 방법으로 측정한다.

3. 점성지수는 ASTM D-2270 또는 동등한 국가규격에서 정하는 방법으로 측정한다.

4. 열안정성은 다음 시험방법 또는 동등한 국가규격으로 측정한다 :

측정하고자 하는 유체 20ml를, 평균직경 12.5 mm을 가진 M-10 tool steel, 52,100 steel 및 네이발청동 (60% Cu, 39% Zn, 0.75% Sn)구슬이 들어있는 46ml형 317 스테인레스 스틸용기(Chamber)에 각각 넣는다.

용기는 질소로 충전하여 대기압 하에서 밀봉한 후 644±6K(371±6℃)까지 온도를 상승시켜 6시간 동안 유지시킨다.

위의 절차를 완료하고 다음의 모든 조건을 충족하면 열안정성이 있다고 판단한다.

a. 각 구슬의 무게감소량이 구슬 표면적 기준 10mg/㎟ 미만

b. 311K(38℃)에서 측정된 점성계수의 변화가 25% 미만, 그리고

c. 전체 산가 및 염기가가 0.40 미만

5. 자기발화온도는 ASTM E-659에 기술된 방법 또는 동등한 국가규격으로 측정한다.

세라믹을 기초로 하는 기초소재로서, 비 "복합" 세라믹 소재, 세라믹 "모재" "복합" 소재와 그 전구체 재료 (Precursor materials)로서 다음의 것

주의: 1C107을 참조

a. 의도적인 첨가물을 제외하고, 총 금속불순물의 허용량이 5,000ppm 미만이며, 평균 입자 크기가 5㎛ 이하이고 10㎛를 초과하는 입자가 10% 이하인 티타늄 붕산화합물 또는 티타늄붕산착화합물 (complex borides of titanium)의 기초소재

b. 이론밀도의 98% 이상의 티타늄 붕산화합물로 구성된 비-"복합" 세라믹소재 또는 중간재

주: 1C007.b.는 연마재를 제외함

c. 유리 또는 산화물 “모재(matrix)”를 가지고 있고 다음 특성 모두를 갖는 섬유로 강화된 세라믹-세라믹 “복합재료”로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 다음 중 하나의 것으로 된 소재

a. Si-N

b. Si-C

c. Si-Al-O-N  혹은

d. Si-O-N, 그리고

2. 비인장강도가 12.7×103m를 초과하는 것

d. 세라믹-세라믹 “복합재료”로서, 연속상의 금속 상(phase)을 갖고 있든지 아니든지 상관없이, 입자나 휘스커 (whisker)나 섬유를 포함하고 있으며, 실리콘, 지르코니움 또는 붕소의 카바이드 또는 질화물로 “모재”를 형성하는 것.

e. IC007.c.에 명시되는 소재의 어떠한 상을 제조하기 위한 (특수목적의 고분자 또는 유기금속등과 같은) 전구체로서 다음의 것

1.  Polydiorganosilanes(실리콘카바이드  제조용)

2.  Polysilazanes(질화실리콘 제조용)

3.  Polycarbosilazanes(실리콘, 탄소, 질소성분의 세라믹 제조용)

f. 다음 중 하나로부터 생성된 연속섬유로 보강된 산화물 또는 유리모재의 세라믹-세라믹 “복합재료“ 소재

1. Al2O3(CAS 1344-28-1), 또는

2. Si-C-N

주 1C007.f에서 섬유를 가진 “복합재료”로서 1,000℃에서 700㎫미만의 섬유 인장강도를 가지는 것과, 또는 섬유 인장 크립 저항성이 100시간 동안 1,000℃, 100㎫의 하중에서 1%이상 크리프 변형(creep strain)을 하는 것은 제외한다.

비불소 고분자 물질로서 다음의 것

a. 이미드류(Imides)로서 다음의 것

1. 비스말레이미드류(Bismaleimides)

2. 유리 전이 온도가 563K(290℃)를 초과하는 방향족 폴리아미드-이미드류(Aromatic polyamide-imides)

3. 방향족 폴리이미드류(Aromatic polyimides)

4. 유리 전이 온도(Tg)가 563 K (290℃)를 초과하는 방향족 폴리에테르이미드류(Aromatic Polyetherimides)

주 1  1C008.a.에서 액상 또는 용해성 고상으로 레진, 분말, 펠렛(pellet), 필름, 박판, 테이프, 또는 리본형상의 물질을 통제 한다.

주    2   필름, 박판, 테이프, 또는 리본형상의 비용해성 방향족 폴리이미드(Aromatic polyimides)는 1A003을 참조한다.

b. 하중이 1.80N/㎟에서 ISO 75-2(2004) 또는 동등한 국가규격에 의해 측정하여 열비틀림온도가 250℃를 초과하는 열가소성 액정(liquid crystal) 공중합체로서 다음의 것으로 구성된 것

1. 다음 중 하나의 화합물

a. 페닐렌(Phenylene), 비페닐렌(Biphenylene), 또는 나프탈렌(Naphthalene), 또는

b. 메틸, Tertiary-butyl 또는 페닐렌으로 치환된 페닐렌, 비페닐렌 또는 나프탈렌, 그리고

2. 다음 중 하나의 산성 물질

a. 테레프탈산(Terephthalic acid)

b. 6-하이드록시-2-나프토산(6-Hydroxy-2-naphthoic acid)

c. 4-하이드록시벤조산(4-Hydroxybenzoic acid)

c. 사용 안함

d. 폴리아릴렌 케톤(Polyarylene ketones)

e. 폴리아릴렌 설파이드(Polyarylene sulphides), 여기서 아릴렌그룹은 비페닐렌, 트리페닐렌 또는 이것들의 조합을 말함

f.  유리 전이 온도가(Tg)가 563 K (290℃)를 초과하는 폴리바이페닐렌 에테르설폰(Polybiphenylenethersulphone)

기술해설:

1C008의 상기소재의 유리 천이온도(Tg)는 ISO 11357-2 (1999) 에서 기술된 방법에 의해서 기술된 방법 또는 유사 국가규격에 의해서 측정한다. 또한 1C008.a.2. 재료의 유리전이온도(Tg)의 측정은 최소 310°C이상에서 15분 이상 경화된 PAI 시편을 사용한다.

가공되지 않은 불소화합물로서 다음의 것

a. 스트레칭 없이 75% 이상의 베타결정구조를 가진 비닐리덴 불화공중합체

b. 불소를 중량비 10% 이상 함유한 불소화된 폴리이미드 (fluorina ted polyimides)

c. 불소를 중량비 30% 이상 함유한 불소화된 포스파젠 (fluori nated phosphazene) 탄성체(elastomer)

섬유 또는 필라멘트 소재"로서 다음의 것.

주의 : 1C210, 9C110을 참조

a. 유기 "섬유 또는 필라멘트 소재"로 된 것으로 다음 특성 모두를 갖는 것

1. "비탄성율"이 12.7×106m를 초과하며

2. "비인장강도"가 23.5×104m를 초과하는 것

주: 1C010.a.은 폴리에틸렌은 제외

b. 탄소 "섬유 또는 필라멘트 소재"로 된 것으로 다음 특성 모두를 갖는 것

1. "비탄성률"이 14.65x106m를 초과하며

2. "비인장강도"가 26.82x 104m를 초과하는 것

주

1C010.b.는 다음을 통제하지 않는다.

a. "섬유 또는 필라멘트 소재"로 “민간항공기” 구조물 또는 적층구조물을 수리를 위한 것으로 다음의 모든 특성을 갖는 것

1. 면적이 1 m2을 초과하지 않고;

2. 길이가 2.5m를 초과하지 않으며;

3. 폭이 15mm를 초과하는 것

b. 기계적으로 춉핑(Chopped), 밀링(milled) 또는 컷팅(cut)된 탄소 “섬유상 및 필라멘트 소재"로서  25.0mm 이하의 길이의 것

기술해설:

1C010.b.에 기술된 소재의 물성은 SACMA(고성능 복합재료 공급자 협회)가 추천한 방법인 SRM 12～17, ISO 10618 (2004) 10.2.1 Method A) 또는 동등한 국가규격 토우(tow)시험으로 결정되며 평균치를 기준으로 한다.

c. 무기 "섬유 또는 필라멘트 소재"로 된 것으로 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 비탄성률이 2.54×106m를 초과하는 것, 그리고

2. 비활성분위기에서 1922K(1,649℃)보다 높은 용융점, 연화점, 분해점 또는 승화점을 가지는 것

주: 1C010.c.에서 다음의 것은 제외

1. 절단된 섬유 또는 랜덤 매트(random mat) 형태의 불연속, 다상, 다결정 알루미나 섬유로서 중량으로 3% 이상의 실리카를 포함한 것과 "비탄성률"이 10×106m 미만의 것

2. 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 섬유

3. 붕소 섬유

4. 비활성분위기에서 2,043K(1,770℃) 미만의 용융점, 연화점, 분해점 또는 승화점을 갖는 불연속 세라믹 섬유

d. "섬유 또는 필라멘트 소재"

1. 다음 중 하나로 구성되는 것

a. 1C008.a.에 명시된  폴리에테르이미드(Polyetherimides), 또는

b. 1C008.b.에서 f까지에 명시된 소재

2. 1C010.d.1.a.또는 1C010d.1.b.에 명시된 소재로 구성된 것과 1C010.a. ,1C010.b. 또는 1C010.c.에 명시된 다른 섬유와 “혼합된” 것

e. 완전히 또는 부분적으로 레진(resin)이나 피치(pitch)를 함침한 “섬유상 또는 필라멘트 소재” (prepregs), 금속 또는 탄소로 코팅된 “섬유상 또는 필라멘트 소재” (preforms) 또는 "탄소섬유 예비성형물"로서 다음의 모든 것

1. 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

a. 1C010.c.에 명시된 무기 “섬유상 또는 필라멘트 소재” 또는

b. 유기 또는 탄소 “섬유상 또는 필라멘트 소재”로 다음 특성 모두를 갖는 것 :

1. "비탄성률"이 10.15×106m를 초과하는 것; 그리고

2. "비인장강도"가 17.7×104m를 초과하는 것; 그리고

2. 다음중 어느 하나의 특성을 갖는 것

a. 1C008. 또는 1C009.b에 명시된 레진이나 피치

b. '동적기계적분석(dynamic mechanical analysis)'법에 의한 유리전이온도(DMA Tg)가 페놀수지에 함침되었을 때 453 K(180oC) 이상인 것; 또는

c. 1C008. 또는 1C009.b에 명시되지 않은 레진이나 피치에 함침되고 '동적기계적분석(dynamic mechanical analysis)'법에 의한 유리전이온도(DMA Tg)가  505 K(232oC) 이상인 것으로서 페놀수지가 아닌 것

주 1

레진이나 피치로 함침되지 않은 금속 또는 탄소로 코팅된 “섬유상 또는 필라멘트 소재” (preforms) 또는 "탄소섬유 예비성형물"은 1C010.a., 1C010.b. 또는 1C010.c.를 따른다.

주 2 : 1C010.e.는 다음을 통제하지 않는다

a. “항공기” 구조 또는 적층구조물을 수리하기 위한 다음 특성을 모두 갖는 에폭시수지 “모체"로 함침된 탄소 “섬유상 또는 필라멘트 소재” (프리프레그)

1. 면적이 1m2을 초과하지 않는 것;

2. 길이가 2.5m를 초과하지 않고; 그리고

3. 폭이 15mm를 초과하지 않는 것

b. 완전히 또는 부분적으로 레진, 피치가 함침된 기계적 춉핑, 밀링, 컷팅 된 탄소 “섬유상 또는 필라멘트 소재”로서 길이가 25.0mm 이하인 것으로서 1C008 또는 1C009.b에 명시된 레진이나 피치를 사용하지 않은 것

기술해설

1C010.e.에 명시된 소재의 동적기계적분석 유리 전이온도(Tg)는   ASTM D 7028-07에 규정된 방법 또는 동등국가규격에 규정된 방법으로 건조시험시편을 이용해 측정한다. 열경화성 재료에 대해서는 건조 시험 시편의 경화도(degree of cure)는 ASTM E 2160-04또는 동등 국가 규격에서 정의된 바와 같이 최소 90%이상이어야 한다.

기술해설

1. 비탄성률 : 온도 (296±2)K (( 23±2)℃),에서 측정한 영률(Pa=N/m2)을 비중량(N/m3)으로 나눈 것

2. 비인장강도 : 온도 (296±2)K ((23±2)℃),에서 측정한 최대인장강도(Pa=N/m2)를 비중량(N/m3)으로 나눈 것

다음과 같은 금속 및 화합물

주의: 군용물자 통제목록과 1C111 참조

a. 입자의 형태(구형, 분쇄된 형태, 타원형, 박형, 연마된 형태)에 관계없이 입자크기가 60㎛ 미만이고, 지르코늄, 마그네슘, 그리고 이들의 합금성분이 99% 이상 함유된 물질로 제조된 금속

기술해설 :

지르코늄에 함유된 하프늄의 천연함유량(통상 2%~7%)은 지르코늄으로 계산한다.

주: 1C011.a.에 규정된 금속이나 합금은 알루미늄, 마그네슘, 지르코늄, 또는 베릴륨으로 포집된 (encapsulated) 형태로 되거나 되지 않았거나 모두 통제된다.

b. 보론(붕소) 또는 붕소합금으로, 입자크기가 60㎛ 이하이며 다음의 것

1. 중량기준으로 85% 이상의 순도를 가진 붕소

2. 붕소의 함유량이 중량기준으로 85% 이상인 붕소 합금

3. 붕소 또는 붕소합금  금속 분말로서, 구형, 분쇄형태, 타원형, 박형, 연마형 등 형태에 관계없이 총 입자의 부피 혹은 중량으로 적어도 90% 이상이 60㎛ 미만(체, 레이져 분광법, 광학 스캐닝 등의 방법으로 측정된 것)이며, 붕소 함유량이 중량으로 85%이상인 것;

주 : 하나 혹은 그 이상의 모드가 1C011.b로 통제되는 다중모드 분포(다른 입자 사이즈들간의 혼합물)에서는 전체 분말 혼합물이 통제된다.

주의 : 군사적 목적으로 배합된 혼합물을 만들기 위해 다른 물질들과 혼합된 금속 분말의 경우에는 ML8.c.5.b를 참조

주: 1C011.b.에 규정된 금속이나 합금은 알루미늄, 마그네슘, 지르코늄, 또는 베릴륨으로 포집된 (encapsulated) 형태로 되거나 되지 않았거나 모두 통제된다.

c. 질산구아니딘(Guanidine nitrate)(CAS 506-93-4)

d. 니트로구아니딘(Nitroguanidine, NQ) (CAS 556-88-7)

다음과 같은 소재

기술해설:

다음의 소재는 주로 원자력 열원으로 이용된다.

a.  플루토늄 동위원소인 플루토늄-238의 함량이 중량으로  50%를 초과하는 모든 형태의 플루토늄

주: 1C012.a.는 다음의 것을 통제하지 아니한다.

a. 플루토늄 1g 이하의 선적

b. 장비내  감지 부품 (sensing component in instruments)에 사용된 "유효무게:effective grams" 3g 이하의 선적

b. "기분리된" 모든 형태의 neptunium-237

주: 1C012.b. Neptunium-237 1g 이하의 선적은 통제되지 아니한다.

레이다 전파 반사율, 자외선/적외선 특성 및 음파특성(signature) 등을 감소시키기 위한 소재 및 장치로서 “미사일” 및 그 하부시스템 또는 9A012에  명시된 무인비행체(1C001품목제외)에 사용될 수 있는 것

주1: 1C101은 다음을 포함한다.

a. 레이다 반사율(Reflectivity)를 줄이기 위해 전용 설계된 구조소재 및 코팅소재

b. 전자기스펙트럼 중 마이크로웨이브, 적외선 또는 자외선 영역에서 반사계율(Reflectivity) 또는 방사율(emissivity)을 줄이거나 가변시키기 위하여 전용 설계된 코팅재료(도료 포함)

주2: 1C101은 인공위성의 열량제어를 위해 전용 사용되는 코팅재료는 제외한다.

기술해설:

1C101에서 ‘미사일’은 300km를 넘는 사거리를 가진 완전한 로켓시스템 및 무인 비행 시스템을 의미한다.

재포화 열분해 카본-카본(carbon-carbon) 소재로서 9A004에 명시된 우주선 발사체 또는 9A104에 명시된 관측용 로켓을 위해 설계된 것

1C007에 명시된 것을 제외한 흑연과 세라믹소재로서 다음의 것

a. 미세분말흑연으로서 15℃에서 최소 1.72g/cm3 이상의 겉보기밀도를 가지며, 100×10-6m (100㎛)이하의 입자크기를 갖는 것으로서 1A의 시스템용으로 사용될 수 있는 로켓의 노즐이나 재진입 비행체의 첨두에 사용될 수 있는 것으로 다음 중 하나의 것

1. 직경이 120mm 이상이고 길이가 50mm 이상인 실린더

2. 내경이 65mm 이상, 벽 두께(wall thickness)가 25mm 이상, 길이가 50mm 이상인 튜브

3. 120mm × 120mm × 50mm 이상의 규격을 갖는 블록

주의 : 0C004를 참조

b. 9A004의 우주발사체 또는 9A104의 관측로켓에 이용 가능한 열분해 또는 섬유강화흑연으로서 로켓의 노즐과 미사일에 사용가능한 재진입 비행체의 첨두에 사용될 수 있는 것

주의: 0C004를 참조

c. 9A004의 우주발사체 또는 9A104의 관측로켓에 이용가능한 세라믹 복합재 (100 MHz - 100 GHz의 주파수대에서 유전상수 6 미만)로서 미사일 에 사용가능한 레이다덮개로 사용될 수 있는 것

d. 9A004의 우주발사체 또는 9A104의 관측로켓에 이용할 수 있는 대형가공이 가능한 실리콘-카바이드 강화 불연소세라믹으로서 "미사일" 첨두(nose tip)에 사용될 수 있는 것

e. 9A004의 우주발사체 또는 9A104의 관측로켓에 이용 가능한 강화 실리콘-카바이드 세라믹 복합재로서 미사일에 사용할 수 있는 첨두, 재진입비행체와 노즐 플랩에 사용될 수 있는 것

1C011에 명시된 것 이외의 추진제 및 추진제를 구성하는 화학물질로서 다음의 것

a. 추진물질:

1. 군용품 통제에 명시된 것을 제외한 구형 혹은 타원형의 알루미늄 분말(CAS 7429-90-5)로서 입자 사이즈가 200㎛ 미만의 입자이면서 알루미늄 함량이 중량으로 97%이상 함유된 것(단, 총무게중 최소 10%가 ISO 2591:1988, 또는 동등한 국가규격에 따라 63㎛ 미만의 입자로 된 것에 한한다.)

기술해설:

입자 크기 63㎛(ISO R-565)은 250mesh(Tyler) 또는 230 mesh (ASTM standard E-11)에 상당한다.

2. 군용품 통제에 명시된 것 이외의 금속연료로서, 구형, 분쇄형태, 타원형, 박형, 연마형 등 형태에 관계없이 총 입자의 부피 혹은 중량으로 적어도 90% 이상이 60×10-6m(60㎛) 미만(체, 레이져 분광법, 광학 스캐닝 등의 방법으로 측정된 것)이며, 다음 중 하나가 중량으로 97%이상인 것;

a. 지르코늄(CAS 7440-67-7)

b. 베릴륨(CAS 7440-41-7)

c. 마그네슘(CAS 7439-95-4) 또는

d. a~c에 명시된 금속의 합금

주 : 하나 혹은 그 이상의 모드가 통제되는 다중모드 분포(다른 입자 사이즈들간의 혼합물)에서는 전체 분말 혼합물이 통제된다.

기술해설:

지르코늄(일반적으로 2%~7%)에 함유된 천연의 하프늄은 지르코늄으로 계산한다.

3. 액체 추진로켓 엔진에 사용되는 산화물질로서 다음의 것

a. 디나이트로젠 트리옥사이드(CAS 10544-73-7)

b. 나이트로젠 디옥사이드(CAS 10102-44-0)/디나이트로젠(CAS 10544-72-6)

c. 디나이트로젠 펜톡사이드(CAS 10102-03-1);

d. 혼합질소산화물(MON)

기술해설:

혼합질소산화물(MON)은 디나이트로젠 테트록사이드 사산화이질소/이산화질소(N2O4/NO2)을 용매로 하는 산화질소(NO)의 용액으로 미사일 시스템에 사용될 수 있다. MONi 또는 MONij로 표시될 수 있는 여러 종류의 구성물이 있으며, 여기서 I, j는 혼합물에서 산화질소(NO)의 비율을 나타내는 정수이다. 예컨대, MON3은 산화질소가 3%, MON25는 25% 함유하고 있다. 최대 한계치는 MON40으로서 40%이상을 함유할 수 없다.

e. Inhibited Red Fuming Nitric Acid(IRFNA)에 대해선 군용물자 통제부분 참조

f. 불소에 할로겐, 산소 또는 질소 중 하나 이상이 함유된 불소화합물에 관해선 군용물자 통제 및 1C238을 참고

4. 히드라진 유도체로 다음의 것

주의: 군용물자 통제목록(Military Goods controls) 참조

a. 트리메틸히드라진(CAS 1741-01-1);

b. 테트라메틸히드라진(CAS 6415-12-9);

c. N,N 디알리히드라진

d. 알릴히드라진(CAS 7422-78-8);

e. 에틸렌 디히드라진

f. 모노메틸히드라진 디나이트레이트

g. 비대칭 디메틸히드라진 나이트레이트

h. 히드라진 아자이드(CAS 14546-44-2);

i. 디메틸히드라진 아자이드

j. 히드라지니움 나이트레이트은 군용물자 통제 참조

k. 디이미도 옥살산 디히드라진 (CAS 3457-37-2);

l. 2-하이드로시에틸히드라진 나이트레이트(HEHN)

m. 히드라지니움 퍼클로레이트를 위해선 군용물자를 참고

n. 히드라지니움 디퍼클로레이트 (CAS 13812-39-0);

o. 메틸히드라진 나이트레이트(MHN)

p. 디에틸히드라진 나이트레이트(DEHN)

q. 3,6-디히드라지노 테트라진 나이트레이트(1,4-디하이드라진 나이트레이트)(DMTN)

b. 고분자물질

1. 카르복시-터미네이티드 폴리부타디엔(CTPB);

2. 하이드록시-터미네이티드 폴리부타디엔(HTPB), 군용물자 통제에 명기된 것 제외

3. 폴리부타디엔-아크릴산(PBAA);

4. 폴리부타디엔-아크릴산-아크릴로나이트릴 (PBAN);

5. 폴리에트라하이드로퓨란 폴리에틸렌글리콜(TPEG);

기술해설:

폴리테트라하이드로퓨란 폴리에틸렌 글리콜(TPEG)는 폴리 1,4-부타디엔디올 및 폴리에틸렌 글리콜(PEG)의 블록 공중합체 이다.

c. 기타 추진제 첨가제 및 보조제로서 다음의 것

1. 카르보란, 데카보란, 펜타보란 및 이의 유도체에 관해선 군용물자 통제를 참조

2. 트리에틸렌 글리콜 디나이트레이트(TEGDN)

3. 2-나이트로디페닐아민(CAS 119-75-5)

4. 트리메틸로에탄 트리나이트레이트(TMETN) (CAS 3032-55-1)

5. 디에틸렌 글리콜 디나이트레이트(DEGDN)

6. 페로신 유도체로 다음의 것

a. 카토신에 관해선 군용물자 통제 참조

b. 에틸 페로신(CAS 1273-89-8);

c. 프로필 페로신

d. n-부틸 페로신에 관해선 군용물자 통제 참조

e. 펜틸 페로신(CAS 1274-00-6)

f. 디사이클로펜틸 페로신

g. 디사이클로헥실 페로신

h. 디에틸 페로신 (CAS 1273-97-8);

i. 디프로필 페로신

j. 디부틸 페로신(CAS 1274-08-4)

k. 디헥실 페로신(CAS 93894-59-8)

l. 아세틸 페로신(CAS 1271-55-2) / 1,1'-디아세틸 페로신(CAS 1273-94-5)

m. 페로신 카르복실릭산(CAS 1271-42-7)과 1,1'-페로신 카르복실릭산(CAS 1293-87-4)에 대해선 군용물자 통제 참조

n. 부타신에 관해선 군용물자 통제 참조

o. 로켓 추진체 연소 속도 개선제로 사용할 수 있는 타 페로신 유도체로서 군용물자 통제에 명시된 것은 제외

주

1C111.c.6.o는 육각 탄소 방향족 관능기가 페로신 분자에 결합된 페로신 유도체는 통제하지 않는다.

7. 4,5-디아지도메틸-2-메틸-1,2,3-트리아졸(iso- DAMTR) 로 군용물자 통제에 명시된 것은 제외

주: 1C111에 명시되지 않은 추친제 및 추진제 구성 화학물질에 관해서는 군용물자 통제를 참조

마레이징강으로 다음 모두에 해당하는 것:

a. 20℃에서 아래 이상의 최대인장강도 값을 갖는 것

1. 용액 강화 단계에서 0.9 GPa 이상; 혹은

2. 석출 경화 단계에서 1.5 GPa 이상

b. 다음의 형태중 하나에 해당하는 것 :

1. 두께 5.0mm 이하의 판 혹은 벽 두께가 5.0mm 이하인 시트, 플레이트 혹은 튜브; 혹은

2. 벽 두께가 50mm 이하인 튜브형태이며, 내경이 270mm 이상인 것

기술해설:

마레이징강이란 철합금으로서 다음의 것

a. 일반적으로 높은 니켈함유량과 아주 미소한 탄소를 함유하고 있으며, 시효경화(age-hardening)를 위해서 치환형 원소 또는 석출물(precipitate)을 사용한 것; 그리고

b. 마르텐사이트 변태 과정(solution annealed stage)을 가능케 하기 위해 열처리 싸이클을 겪고 후에 시효 경화(석출경화) 된 것

주의 : 1C216을 참조

9A004의 우주발사체,  9A012의 UAV(무인항공기) 또는 9A104의 로켓모터(미사일)용 구성부품의 가공을 위한 재료로써 다음의 것

a. 순도 97%이상, 50×10-6m(50μm) 이하의 크기를 가지는 텅스텐과 텅스텐 합금 미립자

b. 순도 97%이상, 50×10-6m(50μm) 이하의 크기를 가지는 몰리브덴과 몰리브덴 합금 미립자

c. 고체상의 텅스텐 재료로써 다음의 모든 것에 해당하는 것

1. 다음 중 하나의 조성을 갖는 재료

a. 텅스텐과 텅스텐 합금으로 텅스텐 함량이 97% 이상인 것,

b. 구리 침투(Copper infiltrated) 텅스텐으로 텅스텐 함량이 80% 이상인 것

c. 은 침투(Silver infiltrated) 텅스텐으로 텅스텐 함량이 80% 이상인 것

2. 다음 중 하나의 제품으로 가공할 수 있는 것:

a. 직경이 120mm 이상이며 길이가 50mm 이상인 실린더

b. 내경이 65mm 이상, 벽 두께(wall thickness)가 25mm 이상, 길이가 50mm 이상인 튜브

c. 120mm × 120mm × 50mm 이상의 규격을 갖는 블록

티타늄-안정화된 듀플렉스 스텐레스강(Ti-DSS)으로서 다음의 모든 것에 해당하는 것

a. 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 크롬 17.0~23.0%(중량) 및 니켈 4.5～7.0%(중량)을 함유

2. 티타늄 성분이 0.10%(중량) 초과, 그리고

3.페라이트-오스테나이트미세구조(ferritic-austenitic microstructure ; 2상(相)의 미세구조로도 불림)로서 오스테나이트가 부피로 최소한 10%인 것(ASTM E-1181-87 또는 동등 국가규격에 의함)

b. 다음의 형태중 하나를 갖는 것

1. 각 면이 100mm 이상의 크기를 갖는 주괴 또는 봉강

2. 폭 600mm 이상이고 두께가 3mm 이하인 박판 혹은

3. 외경이 600mm 이상이고 벽 두께가 3mm 이하인 튜브

1C002.b.3. 또는 b.4.에 명시된 것 이외의 합금으로서 다음의 것

a.  다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 알루미늄 합금

1. 온도 293K(20℃)에서 최대 인장 강도 460MPa에 견딜 수 있는 것

2. 외경 75mm 초과의 튜브나 원통(단조품 포함) 형태의 것

b. 티타늄 합금으로서 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 것

1. 온도 293K(20℃)에서 최대인장강도 900MPa 이상을 견딜 수 있는 것

2. 외경 75mm 초과의 튜브나 원통(단조품 포함) 형태의 것

기술해설:

“견딜 수 있는”합금은 열처리 전 또는 후의 합금을 포함한다.

1C010.a.,b., 또는 e에 명시된 것 이외의 “섬유 또는 필라멘트 소재" 또는 프리프레그(prepregs)로서 다음의 것

a. 탄소 또는 아라미드 “섬유 또는 필라멘트 소재"로서 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

1. 12.7×106m 이상의 “비탄성률” (specific modulus), 또는

2. 235×103m 이상의 “비인장강도” (specific tensile strength)

주: 1C210.a.는 에스테르(ester)를 기초로한 섬유 표면 조정제(modifier)가 무게로 0.25%이상 포함된 아라미드 “섬유 또는 필라멘트 소재”는 통제하지 않는다.

b.  유리“섬유 또는 필라멘트 소재"로서 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 것

1. 3.18×106m 이상의 “비탄성률“ (specific modulus), 그리고

2. 76.2×103m 이상의 “비인장강도” (specific tensile strength)

c. 1C210.a. 또는 b.에 명시된  카본 또는 유리 “섬유 또는 필라멘트 소재"에 열경화성 수지가 함침되어 있는, “방적사(yarn)”, “조방사(roving)” , "섬유다발(tow)" 또는 15mm 이하의 폭을 갖는  테이프 (prepreg)

기술해설:

수지는 복합재의 모재(matrix)를 형성한다.

주: 1C210에서 “섬유 또는 필라멘트 소재"는 연속적인 ”모노필라멘트“, ”방적사(yarn)“, ”조방사(roving)“, ”사슬(tow)“, 또는 테이프(tape)로 한정된다.

293K(20℃)에서 2,050 MPa 이상의 최대인장강도를 “견딜 수 있는” 마레이징강(maraging steel)으로서 1C116에 명시된 것을 제외한 것

주: 1C216에서 75mm이하의 모든선형차원치수는 통제하지 아니한다.

기술해설:

“견딜 수 있는”은 마레이징강은 열처리 전 또는 후의 마레이징강 (maraging steel)을 포함한다.

보론(붕소)-10(10B) 동위원소의 농도가 천연상태에서의 농도보다 높은 농축보론으로서 다음의 것 : 원소상태 보론, 보론 화합물, 보론 혼합물, 그 제품 및 이들의 폐기물이나 부산물

주: 1C225에서 보론 혼합물은 보론을 함유한(boron loaded) 소재를 포함한다.

기술해설:

boron-10의 천연 동위원소 농도는 약 18.5 질량 %(20 원자 %)이다.

텅스텐, 텅스텐 카바이드 및 중량으로 90% 이상의 텅스텐을 포함하는 합금으로서 다음 두 가지 특성을 모두 갖는 것

a. 100mm~300mm 사이의 내경을 갖고, 속이 빈 실린더 형태의 대칭성을 갖는 (실린더 형태의 부위를 갖는 것도 포함) 형상, 그리고

b. 20kg을 초과하는 질량의 것.

주: 1C226에서는 중량 또는 감마선 시준기(collimator)로 사용하기 위해 전용 설계된 제품은 통제하지 않는다.

다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 칼슘

a. 마그네슘 이외의 금속불순물이 중량으로 1000ppm 미만의 것, 그리고

b. 보론(붕소)이 중량으로 10ppm 미만인 것

마그네슘으로서 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 것

a. 칼슘이외의 금속불순물이 중량으로 200ppm 미만이고

b. 보론(붕소)이 중량으로 10ppm 미만인 것

다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 비스무스(Bismuth)

a. 중량으로 순도 99.99% 이상의 것

b. 은이 중량으로 10ppm 미만인것

베릴륨 금속, 중량으로 50% 초과의 베릴륨을 포함하는 합금, 베릴륨 화합물 및 그 제조물과 이들의 폐기물 또는 부산물

주: 1C230에서는 다음을 통제하지 않는다.

a. X-ray 기계용 또는 bore-hole logging 장치용 금속창

b. 전자부품이나 회로용으로 전용 설계되어 조립되거나 반조립된 산화물형태(oxide shapes)

c. 에머랄드 또는 아쿠아마린 형태의 베릴 (베릴륨과 알루미늄의 실리케이트)

하프늄금속, 중량기준으로 60%를 초과하는 하프늄을 함유한 하프늄 합금 (alloy), 중량기준으로 60%를 초과하는 하프늄을 포함하는 하프늄 화합물 (compound), 그 제품 및 이들의 폐기물이나 부산물

헬륨(3He), 헬륨-3을 포함하는 혼합물 및 이들을 포함하는 제품이나 장치

주: 1C232에서는 1g미만의 헬륨-3을 포함하는 제품이나 장치는 통제하지 않는다.

자연에 존재하는 리튬-6(6Li) 동위원소보다 초과하여 농축한 리튬 및 생산품 또는 농축된 리튬을 포함하는 장치로서, 다음의 것; 원소상태의 리튬, 합금, 화합물 또는 리튬을 함유한 혼합물과 그 제품 및 이들의 폐기물이나 부산물

주: 1C233에서는 열형광 선량계를 통제하지 않는다.

기술해설:

자연에 존재하는 동위원소 Li-6의 농도는 약 6.5 중량 % (7.5 원자 %)이다.

하프늄 대 지르코늄의 비율이 1:500(중량기준) 미만의 하프늄을 갖는 지르코늄으로서, 다음의 것; 지르코늄 금속, 중량기준으로 지르코늄을 50% 초과하여 포함하고 있는 합금, 화합물, 그 제품 및 이들의 폐기물

주: 1C234에서는 두께가 0.10mm 이하의 foil형태의 지르코늄은 통제하지 않는다.

트리튬, 트리튬 화합물, 트리튬 대 수소의 원자비율이 1/1,000을 초과하는 화합물 및 이들을 포함하는 제품이나 장치

주: 1C235에서는 1.48×103GBq(40Ci) 미만의 트리튬을 포함하는 제품이나 장치를 통제하지 않는다.

10일 이상 200년 미만의 알파반감기를 갖는 알파방출 방사성 핵종으로서 다음의 것

a. 원소

b. 37GBq/kg 이상의 총 알파 방사능을 갖는 화합물

c. 37GBq/kg 이상의 총 알파 방사능을 갖는 혼합물

d. 상기의 것을 포함하는 제품이나 장치

주: 1C236에서는 3.7 GBq미만(100 millicuries)의 알파 방사능을 포함하는 제품이나 장치는 통제하지 않는다.

라듐-226(226Ra), 라듐-226 합금, 라듐-226 화합물, 또는 라듐-226을 함유하고 있는 혼합물, 그 제조물 및 이들 중의 한가지를 함유하는 제품 또는 장치

주: 1C237에서는 다음의 것은 통제하지 않는다.

a. 의료기기

b. 방사능량이 0.37GBq(10 millicuries) 미만인 라듐-226을 함유하고 있는 제품 또는 장치

삼불화염소(CIF3)

군용물자 통제목록에 명시된 것을 제외한 고폭발물 또는 고폭발물의 함유량이 중량으로 2%를 초과하는 물질 또는 혼합물로서, 1.8g/㎤ 를 초과하는 결정(crystal) 밀도와 8,000m/s를 초과하는 폭굉속도를 갖는 것

0B001.c.1.에 명시된 것 이외의 니켈 분말 및 다공성의 니켈금속으로서 다음의 것

a. 니켈 분말로서 다음 두 가지 특성을 모두 갖는 것

1. 중량기준 니켈 순도가  99.0% 이상의 것, 그리고

2. ASTM(American Society for Testing and Materials) B 330 규격으로 측정된 평균 입자 크기가 10㎛ 미만인 것

b. 1C240.a에 명시된 소재로부터 제조된 다공성 니켈금속

주: 1C240에서는 다음의 것은 통제하지 않는다.

a. 필라멘트형태의 니켈분말

b. 박판(sheet)당 1000㎠이하의 단일 다공성 니켈 금속 판

기술해설 :

1C240.b는 구조물 전체에 걸쳐 내부적으로 서로 연결된 미세한 구멍을 가진 금속소재를 만들기 위해 1C240.a의 소재를 압축하고 소결하여 만든 다공성의 금속을 말한다.

독성화학작용제의 전구체로 사용될 수 있는 다음의 화학물질 및 이들을 하나 이상 함유하고 있는 화학물질 혼합물

주의: 군용물자 통제목록과 1C450을 참조

1. 티오디글리콜  (111-48-8)

2. 포스포러스 옥시클로라이드 (10025-87-3)

3. 디메틸 메틸포스포네이트(756-79-6)

4. 메틸 포스포닐 디플루오라이드(676-99-3)에 관해선 군용물자 통제목록을 참조

5. 메틸 포스포닐 디클로라이드 (676-97-1)

6. 디메틸 포스파이트 (868-85-9)

7. 포스포러스 트리클로라이드 (7719-12-2)

8. 트리메틸 포스파이트 (121-45-9)

9. 티오닐 클로라이드 (7719-09-7)

10. 3-하이드록시-1-메틸피페리딘 (3554-74-3)

11. N,N-디이소프로필-베타-아미노에틸 클로라이드 (96-79-7)

12. N,N-디이소프로필-베타-아미노에탄 티올 (5842-07-9)

13. 3-퀴뉴클리디놀 (1619-34-7)

14. 불화칼륨  (7789-23-3)

15. 2-클로로에탄올 (107-07-3)

16. 디메틸아민 (124-40-3)

17. 디에틸 에틸포스포네이트 (78-38-6)

18. 디에틸 N,N-디메틸포스포스포라미데이트 (2404-03-7)

19. 디에틸 포스파이트 (762-04-9)

20. 디메틸아민 하이드로클로라이드 (506-59-2)

21. 에틸 포스피닐 디클로라이드 (1498-40-4)

22. 에틸 포스포닐 디클로라이드 (1066-50-8)

23. 에틸 포스포닐 디플루오라이드 (753-98-0)에 관해선 군용물자 통제목록을 참조

24. 불화수소 (7664-39-3)

25. 메틸 벤질레이트 (76-89-1)

26. 메틸 포스피닐 디클로라이드 (676-83-5)

27. N,N-디이소프로필-베타-아미노에탄올 (96-80-0)

28. 피나콜릴 알코올 (464-07-3)

29. O-에틸 O-2-디이소프로필아미노에틸메틸 포스포나이트 (57856 -11-8)에 관해선 군용물자 통제목록을 참조

30. 트리에틸 포스파이트 (122-52-1)

31. 아르세닉 트리클로라이드 (7784-34-1)

32. 벤질산 (76-93-7)

33. 디에틸 메틸포스포나이트 (15715-41-0)

34. 디메틸 에틸포스포네이트 (6163-75-3)

35. 에틸 포스피닐 디플루오라이드 (430-78-4)

36. 메틸 포스피닐 디플루오라이드 (753-59-3)

37. 3-퀴뉴클리돈 (3731-38-2)

38. 오염화 인(10026-13-8)

39. 피나콜론 (75-97-8)

40. 시안화칼륨 (151-50-8)

41. 산성불화칼륨 (7789-29-9)

42. 불화수소암모늄 (1341-49-7)

43. 불화나트륨(7681-49-4)

44. 산성불화나트륨 (1333-83-1)

45. 시안화나트륨 (143-33-9)

46. 트리에탄올아민 (102-71-6)

47. 오황화인 (1314-80-3)

48. 디이소프로필아민 (108-18-9)

49. 디에틸아미노에탄올 (100-37-8)

50. 황화나트륨 (1313-82-2)

51. 설퍼 모노클로라이드 (10025-67-9)

52. 설퍼 디클로라이드 (10545-99-0)

53. 트리에탄올아민 염산염 (637-39-8)

54. N,N-디이소프로필-2-아미노염화에틸 염산염 (4261-68-1)

55. 메틸 포스포닉산(993-13-5);

56. 디에틸 메틸포스포네이트(683-08-9);

57. N,N-이메틸 아미노포스포릴 디클로라이드(677-43-0);

58. 트리이소프로필 포스파이트(116-17-6);

59. 에틸디에탄올아민(139-87-7);

60. O,O-디에틸 포스포로티오에이트(2465-68-8)

61. O,O-디에틸 포스포로디티오에이트(298-06-6)

62. 헥사플루오로실리케이트 나트륨(16893-85-9)

63. 메틸포스포노티오익 디클로라이드(676-98-2)

기술해설

화학물질은 물질명, 화학초록서비스(CAS)번호로 기재되어 있다. 같은 구조식의 화학물질들(예- 수화물)은 물질명, CAS번호에 관계없이 통제된다. CAS번호는 명명법과 관계없이 특정 화학물질이나 혼합물의 판정하는 것에 도움이 된다. 그러나 일부 통제대상 화학물질은 다른 CAS번호를 가질 수 있으며, 통제대상 화학물질을 함유한 혼합물 또한 마찬가지로 다른  CAS번호를 가질 수 있으므로 CAS번호가 모든 경우에 유일한 판정기준으로 사용될 수 없다.

주 1 : 화학무기금지협약 비가입국으로의 수출에 있어서, 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57, .63상에 명시된 화학물질을 하나 이상 함유하고 있는 혼합물로서, 이에 명시된 각각의 화학물질이 화학혼합물 중량의 10% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주 2 : 화학무기금지협약 가입국으로의 수출에 있어서 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57, .63상에 명시된 화학물질을 하나 이상 함유하고 있는 혼합물로서, 이에 명시된 각각의 화학물질이 화학혼합물 중량의 30% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주 3: 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61, .62상에 명시된 화학물질을 하나 이상 함유하고 있는 혼합물로서, 이에 명시된 각각의 화학물질이 화학혼합물 중량의 30%미만일 때는 통제하지 않는다.

주 4: 1C350은 개인사용 목적 또는 소매용도의 소비재로 확인된 물품에 대해서는 적용하지 않는다.

인체․인수공통병원균 및 독소

a. 바이러스로서, 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어 살아있는 배양균(isolated live cultures) 또는 다음의 배양균을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양균에 의해 감염된 살아있는 물질을 포함한 물질

1. 안데스 바이러스

2. 차파레 바이러스

3. 치쿤군야 바이러스

4. 초클로 바이러스

5. 크리미안-콩고 출혈열 바이러스

6. 뎅기열 바이러스

7. 도브라바-베오그라드 바이러스

8. 동부 마 뇌염 바이러스

9. 에볼라 바이러스

10. 구아나리토 바이러스

11. 한탄 바이러스

12. 헨드라 바이러스

13. 일본 뇌염 바이러스

14. 후닌 출혈열 바이러스

15. 캬사늘 숲 바이러스

16. 라구나 네그라 바이러스

17. 라사열 바이러스

18. 루우핑 일 바이러스

19. 루요 바이러스

20. 림프구성 맥락수막염 바이러스

21. 마추포 바이러스

22. 마버그 바이러스

23. 원숭이 폭스 바이러스

24. 머레이 계곡 뇌염 바이러스

25. 니파바이러스

26. 옴스크 출혈열 바이러스

27. 오로푸체 바이러스

28. 포와센 바이러스

29. 리프트 계곡열 바이러스

30. 라치오 바이러스

31. 사비아 바이러스

32. 서울 바이러스

33. 신 놈브레 바이러스

34. 세인트 루이스 뇌염 바이러스

35. 참진드기 매개뇌염 바이러스

36. 두창 바이러스

37. 베네주엘라 마 뇌염 바이러스

38. 서부 마 뇌염 바이러스

39. 황열 바이러스

b. <삭  제>

c. 박테리아로서, 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어 살아있는 배양균(isolated live cultures) 또는 다음의 배양균을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양균에 의해 감염된 살아있는 물질을 포함한 물질

1. 탄저균

2. 브루셀라 아보투스

3. 양 브루셀라균

4. 부루셀라 수이스

5. 클라미디오필라 시타치(클라미디아 시타치)(앵무새병 클라미디아)

6. 보튤리늄 신경독소를 생산하는 다음과 같은 균류들

1. 클로스트리디움 보튤리늄균

2. Clostridium argentinense

3. Clostridium baratii

4. 낙산균

5. 보튤리늄신경독소를 생산하는 다른 클로스트리디움 균류들

7. 야토균

8. 비저균

9. 멜리오이도시스균

10. 장티푸스균

11. 시가이질균

12. 콜레라균

13. 페스트균

14. 웰치균, 엡사일런 독소를 생산하는 2형

15. 시가독소(shiga toxin)를 생산하는 O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157과 시가독소를 생산하는 다른 혈청그룹의  대장균들

Note: 시가독소(shiga toxin)를 생산하는 대장균은 장출혈성 대장균(EHEC) 또는 베로독소를 생산하는 대장균(VTEC)으로 알려져 있음

16. 콕시엘라 부르네티

17. 리케치아 프로와제키

d. 독소 및 그 하위단위로서 다음의 것

1. 보툴리눔 독소

2. 웰치균 [알파 독소, 베타1 독소, 베타2 독소, 엡실론 독소, 아이오타 독소]

3. 코노 독소

4. 리신

5. 삭시 독소

6. 시가 독소

7. 포도상구균 장내독소, 용혈소 알파 독소, 독소쇼크증후군 독소(舊 포도상구균 장내독소 F)

8. 복어독

9. 베로톡신과 시가와 같은 리보솜 불활성 단백질

10. 마이크로시스틴(시안지노신)

11. 아플라톡신

12. 아브린

13. 콜레라 독소

14. Diacetoxyscirpenol toxin

15. T-2 toxin

16. H-2 toxin

17. 모데신독소

18. 볼켄신독소

19. Viscum album Lectin 1(Viscumin)

주: 1C351.d는 다음 모든 기준을 충족하는 제품형태의 보툴    리눔 독소와 코노 독소는 통제하지 않는다.

1. 인체 치료 의약품용으로 제형화된 것

2. 의약품으로 판매하기 위해 미리 포장된 것

3. 의약품으로 판매되기 위해 당국의 승인을 받은 것

e. 진균으로, 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어   살아있는 배양균(isolated live cultures) 또는 다음의 배양균   을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양균에 의해 감염된 살  아있는 물질을 포함한 물질

1. 콕시디오이데스 이미티스

2. 콕시디오이데스 포사다시

주: 1C351은 백신 또는 면역독소는 통제하지 않는다.

동물병원균

a. 바이러스로서, 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어 살아있는 배양균(isolated live cultures) 또는 다음의 배양균을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양균에 의해 감염된 살아있는 물질을 포함한 물질

1. 아프리카돼지열 바이러스

2.고병원성 조류 인플루엔자 바이러스로서 다음의 것

a. 특성이 규명되지 않거나

b. EC Directive 2005/94/EC(O.J .L.10 14.1.2006 p.19)에서 정의된 것처럼 고병원성을 가지는 다음의 것

1. 1.2보다 큰 6주된 닭에 있는 ‘IVPI(intravenous   pathogenicity index)을 보유하는 A형 바이러스, 또는

2. 아형 H5 또는 H7에 해당되는 A형 바이러스로서 다른 HPAI (고병원성 조류인플루엔자바이러스)에서 발견되는 유사한 유전자서열, 즉 헤마글루티닌의 절단부위에 다수의 염기성아미노산 서열을 가지고 있어서 숙주에 널리 존재하는 단백질절단효소에 의해 절단될 수 있는 유전자서열을 지니는 바이러스

3. 청설병 바이러스

4. 구제역 바이러스

5. 산양두 바이러스

6. 헤르페스 바이러스

7. 돼지콜레라 바이러스

8. 광견병 바이러스와  리싸 바이러스속에 속한 다른 바이러스들

9. 뉴캐슬병 바이러스

10. 소 반추 수역 바이러스

11. 돼지 수포병 바이러스

12. 우역 바이러스

13. 양두 바이러스

14. 테센병 바이러스

15. 수포성구내염 바이러스

16. 피부사상균 바이러스

17. 아프리카마역 바이러스

b. 마이코플라즈마로서 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어 살아있는 배양균(isolated live culture) 또는 다음의 배양균을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양균에 의해 감염된 살아있는 물질을 포함하는 물질

1. 마이코플라즈마 마이코이데스 아종: 미세콜로니형 마이코이데스

2. 마이코플라즈마 카프리콜럼 아종: 카프리콜럼 오니에

주: 1C352는 “백신”은 통제하지 않는다.

유전적 성분 및 유전적으로 변형된 미생물로서 다음의 것

a. 1C351.a., 1C351.b., 1C351.c., 1C351.e., 1C352 혹은 1C354에서 명시된 미생물의 병원성(pathogenicity)과 연관된 핵산 서열을 포함하는 유전적으로 변형된 미생물 또는 유전적 성분

b. 1C351.d에 명시된 독소 또는 그 하위단위를 코드화하는 핵산 서열이 포함된 유전적으로 변형된 미생물 또는 유전적 성분

기술해설:

1. 유전변형생물은 교접 그리고/또는 자연적인 유전자재조합에 의한 자연적으로 변형된 방식이 아닌 방법으로 변형된 유전물질(핵산서열)과 인공적으로 생산된 그러한 것들의 부분 또는 전체를 내포하는 생물이다.

유전물질은 유전적으로 변형된 또는 변형되지 않은, 또는 화학적으로 합성된  염색체, 유전자, 플라스미드, 트랜스포존, 그리고 벡터의 부분 또는 전체를 포함한다.

2. 1C351.a., 1C351.b., 1C351.c., 1C351.e., 1C352 혹은 1C354에 명시되어 있는 어떤 미생물의 병원성과 관련된 핵산 서열이라 함은 명시된 미생물에 특이한 다음과 같은 서열을 의미한다.

a. 그 자신 또는 전사되거나 번역된 물질을 통하여 인간, 동물 또는 식물의 건강에 심각한 해를 초래하는 것; 또는

b. 명시된 미생물의 능력을 향상시키거나 다른 유기체에 삽입, 또는 다른 유기체와 통합되어 인간, 동물 또는 식물의 건강에 심각한 해를 주는 원인이 되는 것으로 알려져 있는 것

주: 1C353은 베로톡신이나 그것의 하부 단위를 코드화하는 것을 제외한 장관출혈성 대장균의 병원체, 혈청형 O157과 기타 베로톡신 생산균주와 관련된 핵산 서열은 통제하지 않는다.

식물병원균

a. 바이러스로서, 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어 살아있는 배양균(isolated live cultures) 또는 다음의 배양균을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양균에 의해 감염된 살아있는 물질을 포함하는 물질

1. 감자구균

2. 감자걀쭉병 바이로이드

b. 박테리아로서, 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어 살아있는 배양균(isolated live cultures) 또는 다음의 배양균을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양균에 의해 감염된 살아있는 물질을 포함하는 물질

1. 구름무늬병균

2. 감귤궤양병

3. 벼흰잎마름병균

4. 감자둘레썩음병균

5. 풋마름병원균

c. 진균(Fungi)으로서, 자연적이든 개량 또는 변형되었든 간에, 분리되어 살아있는 배양체(isolated live cultures) 또는 다음의 배양체을 의도적으로 접종하거나 다음의 배양체에 의해 감염된 살아있는 물질을 포함하는 물질

1. 커피탄저병균

2. 깨씨무늬병균

3. Mycrocyclus ulei
(syn. Dothidelia ulei)

4. 줄기녹병균

5. 줄녹병균

6. 도열병균

7.Peronosclerospora philippinensis

8. Sclerophthora rayssiae var.zeae

9. 감자암종병균

10. 깜부기 병원균

11. Thecaphora solani

독성 화학물질과 독성화학물질 전구체로서 다음의 것, 그리고 이를 하나 이상 포함하고 있는 화학혼합물질

주의: 1C350, 1C351.d.와 군용물자 통제목록 참조

a. 독성 화학물로서 다음의 것

1. 아미톤(Amiton) : O,O-디에틸 S-[2-(디에틸아미노)에틸]포스포로티올레이트(78-53-5)와 그에 상응하는 알킬화 또는 수소화 염

2. PFIB : 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(트리플루오로메틸)-1-프로펜

(382-21-8)

3. BZ : 3-퀴뉴클리디닐 벤질레이트(6581-06-2)에 관해 군용물자 통제목록을 참조

4. 포스겐 : 카보닐 디클로라이드 (75-44-5)

5. 시아노겐 클로라이드 (506-77-4)

6. 시안화 수소(74-90-8)

7. 클로로피크린 : 트리클로로니트로메탄 (76-06-2)

주1:  화학무기금지협약 비가입국으로의 수출에 있어서, 1C450.a.1 및 a.2 도입부에 명시된 화학물질을 하나 이상 포함하고 있는 혼합물로서, 각각의 명시된 화학물이 혼합물 중량의 1% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주2: 화학무기금지협약 가입국으로의 수출에 있어서, 1C450.a.1 및 a.2 도입부에 명시된 화학물질을 하나 이상 포함하고 있는 혼합물로서, 각각의 명시된 화학물이 혼합물 중량의 30% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주3: 1C450.a.4., .a.5., .a.6., .a.7 도입부에 명시된 화학물질을 하나 이상 포함하고 있는 혼합물로서, 각각의 명시된 화학물이 혼합물 중량의 30% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주4: 1C450은 개인사용 목적 또는 소매용도의 소비재로 확인된 물품에 대해서는 적용하지 않는다.

b. 독성화학물 전구체(precursors)로서 다음의 것

1. 인 원자가 하나의 메틸, 에틸 혹은 프로필(노르말 또는 이소)그룹이외의 다른 탄소원자에는 결합되지 않은 화학물질  (1C350과 군용물자 통제목록 해당품목은 제외)

주: 1C405.b.1은 포노포스(Fonofos)를 통제하지 않는다. : O-에틸 S-페닐 에틸포스포노티올로티오네이트 (944-22-9)

2. NN-Dimethylaminophosphoryl dichloride를 제외한 N,N-디알킬(메틸, 에틸, 노르말-프로필, 이소-프로필)포스포라미딕 디할라이드

주의: N,N-Dimethylaminophosphoryl dichloride는 1C350.57 참조.

3. 디알킬(메틸, 에틸, 노르말-프로필, 이소-프로필) N,N-디알킬(메틸, 에틸, 노르말-프로필, 이소-프로필)-포스포라미데이트 (1C350에서 명시된 N-N디알킬 포스포라미데이트는 제외)

4. N,N-디알킬(메틸, 에틸, 노르말-프로필, 이소-프로필) 아미노에틸-2-클로라이드와 그에 상응하는 수소화 염 (1C350에 명시된 N,N-Diisopropyl-(beta)-amnioethyl chloride 또는 N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethyl chloride hydrochloride 제외)

5. N,N-디알킬(메틸, 에틸, 노르말-프로필, 이소-프로필)아미노에탄-2-올과 그에 상응하는 수소화 염 (1C350에 명시된 N,N-Diisopropyl- (beta)-aminoethanol (96-80-0) 및 N,NDiethylaminoethanol (100-37-8) 는 제외)

주: 1C450.b.5는 다음을 통제하지 않는다.

a. N,N-디메틸아미노에탄올(108-01-0)과 그에 상응하는 수소화 염

b. N,N-디에틸아미노에탄올(100-37-8)의 수소화 염

6. N,N-디알킬 [메틸, 에틸, 노르말-프로필, 이소-프로필] 아미노에탄-2-티올 및 그에 상응하는 수소화 염

(1C350에 명시된 N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethane thiol 제외)

7. 에틸디에탄올아민(Ethyldiethanolamine) (139-87-7)에 관해서는 1C350 참조

8. 메틸디에탄올아민(Methyldiethanolamine) (105-59-9)

주1: 화학무기금지협약 비가입국으로의 수출에 있어서, 1C450.b.1., .b.2., b.3., .b.4., .b.5., .b.6.에 명시된 화학물질을 하나 이상 포함하고 있는 화학혼합물로서, 각각의 명시된 화학물이 혼합물 중량의 10% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주2: 화학무기금지협약 가입국으로의 수출에 있어서, 1C450.b.1., .b.2., b.3., .b.4., .b.5., .b.6.에 명시된 화학물질을 하나 이상 포함하고 있는 화학혼합물로서, 각각의 명시된 화학물이 혼합물 중량의 30% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주3: 1C450.b.8.에 명시된 화학물질을 하나 이상 포함하고 있는 화학혼합물로서, 각각의 명시된 화학물이 혼합물 중량의 30% 미만일 때는 통제하지 않는다.

주4: 1C450은 개인사용 목적 또는 소매용도의 소비재로 확인된 물품에 대해서는 적용하지 않는다.

a. 중증급성호흡기증후군 코로나 바이러스

b. 우해면양 뇌병증 병원체(Bovine Spongiform encephalophathy  agent)

소프트웨어

1B001부터 1B003에서 명시된 장비의 개발, 생산, "사용"을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

유기모재, 금속모재 또는 탄소모재의 적층구조 또는 복합재를 개발하기 위한 소프트웨어

1A004.c. 또는 1A004.d 항에서 통제되는 장비의 기능을 수행할 수 있도록 하는 장비를 위해 특별히 제작되거나 개조된 “소프트웨어”

1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 또는 1B119에서 명시된 물품의 사용을 위해 전용 설계되거나 개조된 소프트웨어

레이더 전파 반사, 자외선/적외선 흔적(signature) 및 음향 흔적과 같은 감소된 관찰물의 분석을 위해 전용 설계된 소프트웨어

1B201에서 명시된 물품의 사용을 위해 전용 설계된 소프트웨어

기술

1A001.b., 1A001.c., 1A002부터 1A005까지, 1A006.b, 1A007, 1B 또는 1C에 명시된 장비 및 소재의 개발 및 생산에 대한 일반기술해설에 규정되어 있는 기술

기타 기술로서 다음의 것

a. 폴리벤조티아졸류(polybenzothiazoles) 또는 폴리벤조옥사졸류(polybenzoxazoles)의 "개발" 및 "생산"을 위한 “기술”

b. 최소 한 개의 비닐 에테르 모노머(vinylether monomer)를 함유한 불소 탄성체 화합물의 "개발" 및 "생산"을 위한 기술

c. 다음 기초소재 또는 "비-복합" 세라믹 소재의 설계 또는 “생산”을 위한 기술

1. 다음 모든 특성을 가진 기초소재

a. 다음 중 하나로 구성된 것

1. 단일 또는 복합 지르코늄산화물과, 실리콘 또는 알루미늄의 복합 산화물

2. 붕소의 단일 질화물(입방결정체 형태)

3. 실리콘 또는 붕소의 단일 또는 복합 카바이드, 또는

4. 실리콘의 단일 또는 복합 질화물

b. 의도적으로 첨가한 것을 제외한 총 금속 불순물이 아래 중 하나의 수치 미만인 것

1. 단일 산화물 또는 카바이드가 1,000ppm 미만인 것

2. 복합  화합물 또는 단일 질화물이 5,000ppm 미만인 것, 그리고

c. 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 것

1. 평균입자 크기가 1㎛이하이고, 5㎛를 초과하는 입자가 10% 이하인 지르코니아(CAS 1314-23-4)

2. 기타의 기초소재로서 평균입자 크기가 5㎛ 이하이고, 10㎛를 초과하는 입자가 10% 이하이거나,

3. 다음의 모든 것을 가질 것

a. 길이 대 두께비가 5를 초과하는 판상물과

b. 직경이 2㎛ 미만으로서 길이 대 직경비가 10을 초과하는 위스커와

c. 직경이 10㎛ 미만인 연속섬유 또는 단섬유

2. 1E002.c.1.에서 기술한 소재로 구성된 "비복합" 세라믹소재

주: 1E002.c.2에서 연마제의 설계 또는 제조를 위한 기술은 제외

d. 방향성 폴리아미드 섬유의 "생산"을 위한 기술

e. 1C001에 명시되는 소재의 장치, 유지 및 보수를 위한 기술

f. 1A002, 1C007.c., 또는 1C007.d.에 명시되는 “복합재”구조와 적층구조 또는 소재의 보수를 위한 기술

주: 1E002.f.는 항공기 제작자의 매뉴얼에 포함된 탄소 “섬유나 필라멘트 소재”와 에폭시수지를 사용한 “민항기” 구조물의 보수를 위한 “기술”은 통제하지 않는다.

g. 1A004.c. 또는 1A004.d 항에서 통제되는 장비의 기능을 수행할 수 있도록 하는 장비를 위해 특별히 제작되거나 개조된 라이브러리(매개변수 기술 데이터베이스)

기술해설 :

1E002.g.의 목적과 관련해서, 라이브러리(매개변수 기술 데이터베이스) 용어의 뜻은 관련 장비 또는 시스템의 성능을 향상 시키기 위한 참고자료로서 기술정보의 집합체를 의미한다.

1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115에서 1B119까지, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111에서 1C117까지, 1D101 또는 1D103에 의해 명시된 물품의 사용에 대해 일반기술해설에 규정되어 있는 기술

1D001, 1D101, 또는 1D103에 명시된 소프트웨어의 개발에 대해 기술일반사항에 규정되어 있는 기술

복합재나 부분적으로 처리된 복합재의 생산에 사용되는 경우, 압력솥(autoclaves) 또는 유체압력솥(hydroclaves)속에서 온도, 압력 및 환경을 조절하기 위한 기술

130Pa(1mmHg)-20kPa(150mmHg)의 압력으로 1,300℃-2,900℃(1,573K~3,173K) 온도범위에서 분해되는 선구가스(precursor gas)로부터 금형․맨드렐․또는 기타 기판(substrate) 위에 열분해 형성소재를 만드는 데 연관된 기술.

주: 1E104는 선구가스의 조성기술, 유동률․공정제어순서 및 공정 제어변수에 관한 기술을 포함한다.

1A002, 1A202, 1A225부터 1A227까지, 1B201, 1B225부터 1B233까지, 1C002.b.3. 또는 b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225부터 1C240 또는 1D201에 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

1A202 또는 1A225부터 1A227까지에서 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

1D201에 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

CATEGORY 1 - SPECIAL MATERIALS AND RELATED EQUIPMENT

Systems, Equipment and Components

Components made from fluorinated compounds, as follows:

a. Seals, gaskets, sealants or fuel bladders specially designed for "aircraft" or aerospace use made from more than 50 % by weight of any of the materials specified in 1C009.b. or 1C009.c.;

b. Piezoelectric polymers and copolymers made from vinylidene fluoride materials(CAS 75-38-7) specified in 1C009.a., having all of the following:

1. In sheet or film form; and

2. With a thickness exceeding 200 ㎛;

c. Seals, gaskets, valve seats, bladders or diaphragms, having all of the following:

1. Made from fluoroelastomers containing at least one vinylether group as a constitutional unit; and

2. Specially designed for "aircraft", aerospace or missile use.

Note: In 1A001.c., 'missile' means complete rocket systems and unmanned air vehicle systems.

"Composite" structures or laminates, having any of the following:

N.B: SEE ALSO 1A202, 9A010 and 9A110

a. Consisting of an organic "matrix" and made from materials specified in 1C010.c., 1C010.d. or 1C010.e.; or

b. Consisting of a metal or carbon "matrix" and made from:

1. Carbon "fibrous or filamentary materials" with:

a. A "specific modulus" exceeding 10.15 x 106 m; and

b. A "specific tensile strength" exceeding 17.7 x 104 m; or

2. Materials specified in 1C010.c.

Note 1:  1A002 does not control  composite structures or laminates, made from epoxy resin impregnated carbon "fibrous or filamentary materials", for the repair of "civil aircraft" structures or laminates, having all of the following:

a. An area not exceeding 1 m2;

b. A length not exceeding 2.5 m; and

c. A width exceeding 15 mm.

Note 2: 1A002 does not control semi-finished items specially designed for purely civilian applications as follows:

a. Sporting goods;

b. Automotive industry;

c. Machine tool industry;

d. Medical applications.

Note 3: 1A002.b.1. does not control finished or semi-finished items containing a maximum of two dimensions of interwoven filaments and specially designed for applications as follows:

a. Metal heat-treatment furnaces for tempering metals;

b. Silicon boule production equipment.

Note  4:  1A002 does not apply to finished items specially designed for a     specific application.

Technical Notes

1. Specific modulus: Young's modulus in pascals, equivalent to N/m2 divided by specific weight in N/m3, measured at a temperature of (296± 2) K ((23±2)℃) and a relative humidity of (50±5)%.

2. Specific tensile strength: ultimate tensile strength in pascals, equivalent to N/m2 divided by specific weight in N/m3, measured at a temperature of (296±2) K((23±2)℃) and a relative humidity of (50±5)%.

Manufactures of non-"fusible" aromatic polyimides in film, sheet, tape or ribbon form having any of the  following :

a.  A thickness exceeding 0.254 mm; or

b. Coated or laminated with carbon, graphite, metals or magnetic substances.

Note : 1A003 does not control manufactures when coated or laminated with copper and designed for the production of electronic printed circuit boards.

N.B.:  For "fusible" aromatic polyimides in any form, see 1C008.a.3.

Protective and detection equipment and components, other than those specified in military goods controls, as follows:

N.B.: SEE ALSO 2B351 AND 2B352.

a. Full face masks, filter canisters and decontamination equipment therefor designed or modified for defence against any of the following, and specially designed components therefor;

1. Biological agents "adapted for use in war";

2. Radioactive materials "adapted for use in war";

3. Chemical warfare(CW) agents; or

4. "Riot control agents", including:

a. α-Bromobenzeneacetonitrile, (Bromobenzyl cyanide) (CA) (CAS

5798-79-8);

b. [(2-chlorophenyl) methylene] propanedinitrile,

(o-Chlorobenzylidenemalononitrile) (CS)(CAS 2698-41-1);

c. 2-Chloro-1-phenylethanone, Phenylacyl chloride (ω

-chloroacetophenone) (CN) (CAS532-27-4);

d. Dibenz-(b,f)-1,4-oxazephine (CR) (CAS 257-07-8);

e. 10-Chloro-5,10-dihydrophenarsazine, (Phenarsazine chloride),

(Adamsite), (DM) (CAS 578-94-9);

f. N-Nonanoylmorpholine, (MPA) (CAS 5299-64-9);

Note : 1A004.a includes Powered Air Purifying Respirators (PAPR)

that are designed or modified for defence against agents or

materials, listed in 1A004.a.

Technical Note

For the purposes of 1A004.a, full face masks are also known as gas masks.

b. Protective suits, gloves and shoes specially designed or modified for defence against any of the following:

1. Biological agents "adapted for use in war";

2. Radioactive materials "adapted for use in war"; or

3. Chemacal warfare(CW) agents;

c. Detection systems, specially designed or modified for detection or identification of any of the following, and specially designed components therefor:

1. Biological agents "adapted for use in war";

2. Radioactive materials "adapted for use in war"; or

3. Chemical warfare (CW) agents.

Note: 1A004 does not control:

a. Personal radiation monitoring dosimeters;

b. Occupational health or safety equipment limited by design or function to protect against hazards specific to residential safety  or civil industries, including:

1. mining;

2. quarrying;

3. agriculture;

4. pharmaceutical;

5. medical;

6. veterinary;

7. environmental;

8. waste management;

9. food industry

d. Electronic equipment designed for automatically detecting or identifying the presence of "explosives" residues and utilising 'trace detection' techniques (e.g., surface acoustic wave, ion mobility spectrometry, differential mobility spectrometry, mass spectrometry).

Technical Notes

'Trace detection' is defined as the capability to detect less than 1 ppm vapour, or 1 mg solid or liquid.

Note 1	1A004.d. does not control equipment specially designed for laboratory use.

Note 2	1A004.d. does not control non-contact walk-through security portals.

Technical Notes:

1. 1A004 includes equipment and components that have been identified, successfully tested to national standards or otherwise proven effective, for the detection of or defence against radioactive materials "adapted for use in war", biological agents "adapted for use in war", chemical warfare agents, 'simulants' or "riot control agents", even if such equipment or components are used in civil industries such as mining, quarrying, agriculture, pharmaceuticals, medical, veterinary, environmental, waste management, or the food industry.

2. 'Simulant' is a substance or material that is used in place of toxic agent (chemical or biological) in training, research, testing or evaluation.

Body armour and components therefor, as follows:

a. Soft body armour not manufactured to military standards or specifications, or to their equivalents, and specially designed components therefor;

b. Hard body armour plates providing ballistic protection equal to or less  than level IIIA (NIJ 0101.06, July 2008) or national equivalents.

N.B.1 : For "fibrous or filamentary materials" used in the manufacture of body armour, see entry 1C010.

N.B.2 : For body armour manufactured to military standards or specifications,see entry ML13.d.

Note 1 : 1A005 does not control body armour when accompanying its user for the user's own personal protection.

Note 2 : 1A005 does not control body armour designed to provide frontal protection only from both fragment and blast from non-military explosive devices.

Note 3 : 1A005 does not control body armour designed to provide protection only from knife, spike, needle or blunt trauma.

Equipment, specially designed or modified for the disposal of

improvised explosive devices, as follows, and specially designed

components and accessories therefor:

N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS.

a. Remotely operated vehicles;

b. 'Disruptors'.

Technical Note:

'Disruptors' are devices specially designed for the purpose of

preventing the operation of an explosive device by projecting a

liquid, solid or frangible projectile.

Note: 1A006 does not control equipment when accompanying its

operator.

Equipment and devices, specially designed to initiate

charges and devices containing energetic materials, by electrical

means, as follows:

N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS, 3A229

AND 3A232.

a. Explosive detonator firing sets designed to drive explosive

detonators specified in 1A007.b.;

b. Electrically driven explosive detonators as follows:

1. Exploding bridge (EB);

2. Exploding bridge wire (EBW);

3. Slapper;

4. Exploding foil initiators (EFI).

Technical Notes :

1. The word initiator or igniter is sometimes used in place of the word detonator.

2. For the purpose of 1A007.b. the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire, or foil) that explosively vaporises when a fast, high-current electrical pulse is passed through  it. In non slapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high explosive material such as PETN (pentaerythritoltetranitrate). In slapper detonators, the explosive vaporization of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap, and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation. The slapper in some designs is driven by magnetic force. The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.

Charges, devices and components, as follows:

a. 'Shaped charges' having all of the following:

1. Net Explosive Quantity (NEQ) greater than 90 g; and

2. Outer casing diameter equal to or greater than 75 mm;

b. Linear shaped cutting charges having all of the following, and specially designed components therefor:

1. An explosive load greater than 40 g/m; and

2. A width of 10 mm or more;

c. Detonating cord with explosive core load greater than 64 g/m;

d. Cutters, other than those specified by 1A008.b., and severing tools, having a Net Explosive Quantity(NEQ) greater than 3.5 kg.

Technical Note

'Shaped charges' are explosive charges shaped to focus the effects of the explosive blast.

Note: The only charges and devices specified in 1A008. are those containing "explosives" listed in the Annex to Category 1 and mixtures thereof.

Resaturated pyrolized (i.e. carbon-carbon) components designed for space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Composite structures, other than those specified in 1A002, in the form of tubes and having both of the following characteristics:

N.B.: SEE ALSO 9A010 AND 9A110.

a. An inside diameter of between 75 mm and 400 mm; and

b. Made with any of the "fibrous or filamentary materials" specified in 1C010.a. or b. or 1C210.a. or with carbon prepreg materials specified in 1C210.c.

Platinized catalysts specially designed or prepared for promoting the hydrogen isotope exchange reaction between hydrogen and water for the recovery of tritium from heavy water or for the production of heavy water.

Specialized packings which may be used in separating heavy water from ordinary water, having both of the following characteristics:

a. Made of phosphor bronze mesh chemically treated to improve wettability; and

b. Designed to be used in vacuum distillation towers.

High-density (lead glass or other) radiation shielding windows, having all of the following characteristics, and specially designed frames therefor:

a. A 'cold area' greater than 0.09 m2

b. A density greater than 3g/cm3 and

c. A thickness of 100mm or greater.

Technical Note:

In 1A227 the term 'cold area' means the viewing area of the window exposed to the lowest level of radiation in the design application.

Test, Inspection and Production Equipment

Equipment for the production or inspection of "composite" structures or laminates specified in 1A002. or "fibrous or filamentary materials" specified in 1C010., as follows, and specially designed components and accessories therefor:

N.B.: SEE ALSO 1B101 AND 1B201.

a. Filament winding machines, of which the motions for positioning, wrapping and winding fibres are coordinated and programmed in three or more 'primary servo positioning' axes, specially designed for the manufacture of "composite" structures or laminates, from "fibrous or filamentary materials";

b. Tape-laying machines, of which the motions for positioning and laying tape or sheets are coordinated and programmed in five or more 'primary servo positioning' axes, specially designed for the manufacture of "composite" airframe or missile structures;

Note:  In 1B001.b., 'missile' means complete rocket systems and unmanned air vehicle systems.

c. Multidirectional, multidimensional weaving machines or interlacing machines, including adapters and modification kits, specially designed or modified for weaving, interlacing or braiding fibres for "composite" structures;

Technical Note:

For the purposes of 1B001.c. the technique of interlacing includes knitting.

d. Equipment specially designed or adapted for the production of reinforcement fibres, as follows:

1. Equipment for converting polymeric fibres (such as polyacrylonitrile, rayon, pitch or polycarbosilane) into carbon fibres or silicon carbide fibres, including special equipment to strain the fibre during heating;

2. Equipment for the chemical vapour deposition of elements or compounds on heated filamentary substrates to manufacture silicon carbide fibres;

3. Equipment for the wet-spinning of refractory ceramics (such as aluminium oxide);

4. Equipment for converting aluminium containing precursor fibres into alumina fibres by heat treatment;

e. Equipment for producing prepregs specified in 1C010.e. by the hot melt method;

f.  Non-destructive inspection equipment specially designed for "composite" materials, as follows:

1. X-ray tomography systems for three dimensional defect inspection;

2. Numerically controlled ultrasonic testing machines of which the motions for positioning transmitters or receivers are simultaneously coordinated and programmed in four or more axes to follow the three dimensional contours of the component under inspection.

g. Tow-placement machines, of which the motions for positioning and laying tows or sheets are coordinated and programmed in two or more 'primary servo positioning' axes, specially designed for the manufacture of "composite" airframe or missile structures.

Technical Note

For the purposes of 1B001., 'primary servo positioning' axes control, under computer program direction, the position of the end effector (i.e., head) in space relative to the work piece at the correct orientation and direction to achieve the desired process.

Equipment for producing metal alloys, metal alloy powder or alloyed materials, specially designed to avoid contamination and specially designed for use in one of the processes specified in 1C002.c.2.

N.B.: SEE ALSO 1B102.

Tools, dies, moulds or fixtures, for "superplastic forming" or "diffusion bonding" titanium or aluminium or their alloys, specially designed for the manufacture of any of the following:

a. Airframe or aerospace structures;

b. "Aircraft" or aerospace engines; or

c. Specially designed components for structures specified in 1B003.a or for engines specified in 1B003.b.

Equipment, other than that specified in 1B001, for the "production" of structural composites as follows; and specially designed components and accessories therefor:

N.B.: SEE ALSO 1B201.

Note: Components and accessories specified in 1B101 include moulds, mandrels, dies, fixtures and tooling for the preform pressing, curing, casting, sintering or bonding of composite structures, laminates and manufactures thereof.

a. Filament winding machines or fibre placement machines of which the motions for positioning, wrapping and winding fibres can be coordinated and programmed in three or more axes, designed to fabricate composite structures or laminates from fibrous or filamentary materials, and coordinating and programming controls;

b. Tape-laying machines of which the motions for positioning and laying tape and sheets can be coordinated and programmed in two or more axes, designed for the manufacture of composite airframe and "missile" structures;

c. Equipment designed or modified for the "production" of "fibrous or filamentary materials" as follows:

1. Equipment for converting polymeric fibres (such as polyacrylonitrile, rayon or polycarbosilane) including special provision to strain the fibre during heating;

2. Equipment for the vapour deposition of elements or compounds on heated filament substrates;

3. Equipment for the wet-spinning of refractory ceramics (such as aluminium oxide);

d.  Equipment designed or modified for special fibre surface treatment or for producing prepregs and preforms specified in entry 9C110.

Note: 1B101.d. includes rollers, tension stretchers, coating equipment, cutting equipment and clicker dies.

Metal powder "production equipment", other than that specified in 1B002, and components as follows:

N.B.: SEE ALSO 1B115.b.

a. Metal powder "production equipment" usable for the "production", in a controlled environment, of spherical or atomized materials specified in 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2. or in the Military Goods Controls.

b. Specially designed components for "production equipment" specified in 1B002 or 1B102.a.

Note: 1B102 includes:

a. Plasma generators (high frequency arc-jet) usable for obtaining sputtered or spherical metallic powders with organization of the process in an argon-water environment;

b. Electroburst equipment usable for obtaining sputtered or spherical metallic powders with organization of the process in an argon-water environment;

c. Equipment usable for the "production" of spherical aluminium powders by powdering a melt in an inert medium (e.g. nitrogen).

Equipment, other than that specified in 1B002 or 1B102, for the production of propellant and propellant constituents, as follows, and specially designed components therefor:

a. "Production equipment" for the "production", handling or acceptance testing of liquid propellants or propellant constituents specified in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 or in the Military Goods Controls;

b. "Production equipment" for the "production", handling, mixing, curing, casting, pressing, machining, extruding or acceptance testing of solid propellants or propellant constituents specified in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 or in the Military Goods Controls.

Note: 1B115.b. does not control batch mixers, continuous mixers or fluid energy mills. For the control of batch mixers, continuous mixers and fluid energy mills see 1B117, 1B118 and 1B119.

Note 1: For equipment specially designed for the production of military goods, see the Military Goods Controls.

Note 2: 1B115 does not control equipment for the "production", handling and acceptance testing of boron carbide.

Specially designed nozzles for producing pyrolitically derived materials formed on a mould, mandrel or other substrate from precursor gases which decompose in the 1,573 K(1,300℃) to 3,173 K (2,900℃) temperature range at pressures of 130 Pa to 20 kPa.

Batch mixers with provision for mixing under vacuum in the range of zero to 13.326 kPa and with temperature control capability of the mixing chamber and having all of the following, and specially designed components therefor:

a. A total volumetric capacity of 110 litres or more; and

b. At least one mixing/kneading shaft mounted off centre.

Continuous mixers with provision for mixing under vacuum in the range of zero to 13.326 kPa and with a temperature control capability of the mixing chamber having any of the following, and specially designed components therefor:

a. Two or more mixing/kneading shafts; or

b. A single rotating shaft which oscillates and having kneading teeth/pins on the shaft as well as inside the casing of the mixing chamber.

Fluid energy mills usable for grinding or milling substances specified in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 or in the Military Goods Controls, and specially designed components therefor.

Filament winding machines, other than those specified in 1B001 or 1B101, and related equipment, as follows:

a. Filament winding machines having all of the following characteristics:

1. Having motions for positioning, wrapping, and winding fibres coordinated and programmed in two or more axes;

2. Specially designed to fabricate composite structures or laminates from "fibrous or filamentary materials"; and

3. Capable of winding cylindrical rotors of diameter between 75 and 400 mm and lengths of 600 mm or greater;

b. Coordinating and programming controls for the filament winding machines specified in 1B201.a.;

c. Precision mandrels for the filament winding machines specified in 1B201.a.

Electrolytic cells for fluorine production with an output capacity greater than 250 g of fluorine per hour.

Electromagnetic isotope separators designed for, or equipped with, single or multiple ion sources capable of providing a total ion beam current of 50 mA or greater.

Note: 1B226 includes separators:

a. Capable of enriching stable isotopes as well as those for uranium;

b. With the ion sources and collectors both in the magnetic field and those configurations in which they are external to the field.

Ammonia synthesis converters or ammonia synthesis units, in which the synthesis gas (nitrogen and hydrogen) is withdrawn from an ammonia/hydrogen high-pressure exchange column and the synthesized ammonia is returned to said column.

Hydrogen-cryogenic distillation columns having all of the following characteristics:

a. Designed for operation with internal temperatures of 35 K (-238℃) or less;

b. Designed for operation at an internal pressure of 0.5 to 5 MPa;

c. Constructed of either:

1. Stainless steel of the 300 series with low sulphur content and with an austenitic ASTM (or equivalent standard) grain size number of 5 or greater; or

2. Equivalent materials which are both cryogenic and H2-compatible; and

d. With internal diameters of 1 m or greater and effective lengths of 5 m or greater.

Water-hydrogen sulphide exchange tray columns and 'internal contactors', as follows:

N.B.: For columns which are specially designed or prepared for the production of heavy water see 0B004.

a. Water-hydrogen sulphide exchange tray columns, having all of the following characteristics:

1. Can operate at pressures of 2 MPa or greater;

2. Constructed of carbon steel having an austenitic ASTM (or equivalent standard) grain size number of 5 or greater; and

3. With a diameter of 1.8 m or greater;

b. 'Internal contactors' for the water-hydrogen sulphide exchange tray columns specified in 1B229.a.

Technical Note:

'Internal contactors' of the columns are segmented trays which have an effective assembled diameter of 1.8 m or greater, are designed to facilitate countercurrent contacting and are constructed of stainless steels with a carbon content of 0.03% or less. These may be sieve trays, valve trays, bubble cap trays, or turbogrid trays.

Pumps capable of circulating solutions of concentrated or dilute potassium amide catalyst in liquid ammonia (KNH2/NH3), having all of the following characteristics:

a. Airtight (i.e., hermetically sealed);

b. A capacity greater than 8.5 m3/h; and

c. Either of the following characteristics:

1. For concentrated potassium amide solutions (1% or greater), an operating pressure of 1.5 to 60 MPa; or

2. For dilute potassium amide solutions (less than 1%), an operating pressure of 20 to 60 MPa.

Tritium facilities or plants, and equipment therefor, as follows:

a. Facilities or plants for the production, recovery, extraction, concentration, or handling of tritium;

b. Equipment for tritium facilities or plants, as follows:

1. Hydrogen or helium refrigeration units capable of cooling to 23 K (-250℃) or less, with heat removal capacity greater than 150 W;

2. Hydrogen isotope storage or purification systems using metal hydrides as the storage or purification medium.

Turboexpanders or turboexpander-compressor sets having both of the following characteristics:

a. Designed for operation with an outlet temperature of 35 K (-238℃) or less; and

b. Designed for a throughput of hydrogen gas of 1000 kg/hr or greater.

Lithium isotope separation facilities or plants, and equipment therefor, as follows:

a. Facilities or plants for the separation of lithium isotopes;

b. Equipment for the separation of lithium isotopes, as follows:

1. Packed liquid-liquid exchange columns specially designed for lithium amalgams;

2. Mercury or lithium amalgam pumps;

3. Lithium amalgam electrolysis cells;

4. Evaporators for concentrated lithium hydroxide solution.

Materials

Technical Note:

Metals and alloys:

Unless provision to the contrary is made, the words 'metals' and 'alloys' in 1C001 to 1C012 cover crude and semi-fabricated forms, as follows:

Crude forms:

Anodes, balls, bars (including notched bars and wire bars), billets, blocks, blooms, brickets, cakes, cathodes, crystals, cubes, dice, grains, granules, ingots, lumps, pellets, pigs, powder, rondelles, shot, slabs, slugs, sponge, sticks;

Semi-fabricated forms (whether or not coated, plated, drilled or punched):

a. Wrought or worked materials fabricated by rolling, drawing, extruding, forging, impact extruding, pressing, graining, atomising, and grinding, i.e.: angles, channels, circles, discs, dust, flakes, foils and leaf, forging, plate, powder, pressings and stampings, ribbons, rings, rods (including bare welding rods, wire rods, and rolled wire), sections, shapes, sheets, strip, pipe and tubes (including tube rounds, squares, and hollows), drawn or extruded wire;

b. Cast material produced by casting in sand, die, metal, plaster or other types of moulds, including high pressure castings, sintered forms, and forms made by powder metallurgy.

The object of the control should not be defeated by the export of non-listed forms alleged to be finished products but representing in reality crude forms or semi-fabricated forms.

Materials specially designed for use as absorbers of electromagnetic waves, or intrinsically conductive polymers, as follows:

N.B.: SEE ALSO 1C101.

a. Materials for absorbing frequencies exceeding 2 x 108 Hz but less than 3 x 1012 Hz;

Note 1: 1C001.a. does not control:

a. Hair type absorbers, constructed of natural or synthetic fibres, with non-magnetic loading to provide absorption;

b. Absorbers having no magnetic loss and whose incident surface is non-planar in shape, including pyramids, cones, wedges and convoluted surfaces;

c. Planar absorbers, having all of the following:

1. Made from any of the following:

a. Plastic foam materials (flexible or non-flexible) with carbon-loading, or organic materials, including binders, providing more than 5% echo compared with metal over a bandwidth exceeding ±15% of the centre frequency of the incident energy, and not capable of withstanding temperatures exceeding 450 K (177℃); or

b. Ceramic materials providing more than 20% echo compared with metal over a bandwidth exceeding ±15% of the centre frequency of the incident energy, and not capable of withstanding temperatures exceeding 800 K(527℃);

Technical Note:

Absorption test samples for 1C001.a. Note: 1.c.1. should be a square at least 5 wavelengths of the centre frequency on a side and positioned in the far field of the radiating element.

2. Tensile strength less than 7 x 106 N/m2 and

3. Compressive strength less than 14 x 106 N/m2

d. Planar absorbers made of sintered ferrite, having all of the following:

1. A specific gravity exceeding 4.4; and

2. A maximum operating temperature of 548 K (275℃).

Note 2: Nothing in Note 1 to 1C001.a. releases magnetic materials to provide absorption when contained in paint.

b. Materials for absorbing frequencies exceeding 1.5 x 1014 Hz but less than3.7 x 1014 Hz and not transparent to visible light;

Note 1C001.b does not control materials, specially designed or formulated for any of the following applications:

a. Laser marking of polymers; or

b. Laser welding of polymers.

c. Intrinsically conductive polymeric materials with a 'bulk electrical conductivity' exceeding 10,000 S/m (Siemens per metre) or a 'sheet (surface) resistivity' of less than 100 ohms/square, based on any of the following polymers:

1. Polyaniline;

2. Polypyrrole;

3. Polythiophene;

4. Poly phenylene-vinylene; or

5. Poly thienylene-vinylene.

Technical Note:

'Bulk electrical conductivity' and 'sheet (surface) resistivity' should be determined using ASTM D-257 or national equivalents.

Note 1C001.c does not control materials in a liquid form.

Metal alloys, metal alloy powder and alloyed materials, as follows:

N.B.: SEE ALSO 1C202.

Note: 1C002 does not control metal alloys, metal alloy powder and alloyed materials for coating substrates.

Technical Notes:

1. The metal alloys in 1C002 are those containing a higher percentage by weight of the stated metal than of any other element.

2. Stress-rupture life should be measured in accordance with ASTM standard E-139 or national equivalents.

3. Low cycle fatigue life should be measured in accordance with ASTM Standard E-606 'Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing' or national equivalents. Testing should be axial with an average stress ratio equal to 1 and a stress-concentration factor (Kt) equal to 1. The average stress is defined as maximum stress minus minimum stress divided by maximum stress.

a. Aluminides, as follows:

1. Nickel aluminides containing a minimum of 15 weight percent aluminium, a maximum of 38 weight percent aluminium and at least one additional alloying element;

2. Titanium aluminides containing 10 weight percent or more aluminium and at least one additional alloying element;

b. Metal alloys, as follows, made from the powder or particulate material in 1C002.c.:

1. Nickel alloys with:

a. A stress-rupture life of 10,000 hours or longer at 923 K (650℃) at a stress of 676 MPa; or

b. A low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more at 823 K (550℃) at a maximum stress of 1,095 MPa;

2. Niobium alloys with:

a. A stress-rupture life of 10,000 hours or longer at 1,073 K (800℃) at a stress of 400 MPa; or

b. A low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more at 973 K (700℃) at a maximum stress of 700 MPa;

3. Titanium alloys with:

a. A stress-rupture life of 10,000 hours or longer at 723 K (450℃) at a stress of 200 MPa; or

b. A low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more at 723 K (450℃) at a maximum stress of 400 MPa;

4. Aluminium alloys with a tensile strength of:

a. 240 MPa or more at 473 K (200℃); or

b. 415 MPa or more at 298 K (25℃);

5. Magnesium alloys with:

a. A tensile strength of 345 MPa or more; and

b. A corrosion rate of less than 1 mm/year in 3% sodium chloride aqueous solution measured in accordance with ASTM standard G-31 or national equivalents;

c. Metal alloy powder or particulate material, having all of the following characteristics:

1. Made from any of the following composition systems:

Technical Note:

X in the following equals one or more alloying elements.

a. Nickel alloys (Ni-Al-X, Ni-X-Al) qualified for turbine engine parts or components, i.e. with less than 3 non-metallic particles (introduced during the manufacturing process) larger than 100㎛  in 109 alloy particles;

b. Niobium alloys (Nb-Al-X or Nb-X-Al, Nb-Si-X or Nb-X-Si, Nb-Ti-X or Nb-X-Ti);

c. Titanium alloys (Ti-Al-X or Ti-X-Al);

d. Aluminium alloys (Al-Mg-X or Al-X-Mg, Al-Zn-X or Al-X-Zn,  Al-Fe-X or Al-X-Fe); or

e. Magnesium alloys (Mg-Al-X or Mg-X-Al);

2. Made in a controlled environment by any of the following processes:

a. "Vacuum atomisation";

b. "Gas atomisation";

c. "Rotary atomisation";

d. "Splat quenching";

e. "Melt spinning" and "comminution";

f. "Melt extraction" and "comminution"; or

g. "Mechanical alloying"; and

3. Capable of forming materials specified in 1C002.a. or 1C002.b.

d. Alloyed materials having all of the following characteristics:

1. Made from any of the composition systems specified in 1C002.c.1.;

2. In the form of uncomminuted flakes, ribbons or thin rods; and

3. Produced in a controlled environment by any of the following:

a. "Splat quenching";

b. "Melt spinning"; or

c. Melt extraction".

Magnetic metals, of all types and of whatever form, having any of the following:

a. Initial relative permeability of 120,000 or more and a thickness of 0.05 mm or less;

Technical Note:

Measurement of initial relative permeability must be performed on fully annealed materials.

b. Magnetostrictive alloys, having any of the following characteristics:

1. A saturation magnetostriction of more than 5 x 10-4 or

2. A magnetomechanical coupling factor (k) of more than 0.8; or

c. Amorphous or 'nanocrystalline' alloy strips, having all of the following:

1. A composition having a minimum of 75 weight percent of iron, cobalt or nickel;

2. A saturation magnetic induction (Bs) of 1.6 T or more; and

3. Any of the following:

a. A strip thickness of 0.02 mm or less; or

b. An electrical resistivity of 2 x 10-4 ohm-cm or more.

Technical Note:

'Nanocrystalline' materials in 1C003.c. are those materials having a crystal grain size of 50 nm or less, as determined by X-ray diffraction.

Uranium titanium alloys or tungsten alloys with a "matrix" based on iron, nickel or copper, having all of the following:

a. A density exceeding 17.5 g/cm3

b. An elastic limit exceeding 880 MPa;

c. An ultimate tensile strength exceeding 1,270 MPa; and

d. An elongation exceeding 8%.

"Superconductive" "composite" conductors in lengths exceeding 100 m or with a mass  exceeding 100 g, as follows:

a. "superconductive" "composite" conductors containing one or more niobium-titanium filaments having all of the following:

1. Embedded in a "matrix" other than a copper or copper-based mixed "matrix"; and

2. Having a cross-section area less than 0.28 x 10-4 mm2 (6㎛ in diameter for circular filaments);

b. Superconductive" "composite" conductors consisting of one or more "superconductive" filaments other than niobium-titanium, having all of the following:

1. A "critical temperature" at zero magnetic induction exceeding 9.85K (-263.31℃); and

2. Remaining in the "superconductive" state at a temperature of 4.2K(-268.96℃) when exposed to a magnetic field oriented in any direction perpendicular to the longitudinal axis of conductor and corresponding to a magnetic induction of 12T with critical current density exceeding 1,750 A/mm2 on overall cross-section of the conductor.

c. "Superconductive" "composite" conductors consisting of one or more "superconductive" filaments which remain "superconductive" above 115K(-158.16℃)

Technical Note

For the purpose of 1C005, filaments may be in wire, cylinder, film, tape or ribbon form.

Fluids and lubricating materials, as follows:

a. Hydraulic fluids containing, as their principal ingredients, any of the following :

1. Synthetic silahydrocarbon oils, having all of the following:

Technical Note:

For the purpose of 1C006.a.1., silahydrocarbon oils contain exclusively silicon, hydrogen and carbon.

a. A flash point exceeding 477 K (204℃);

b. A pour point at 239 K (-34℃) or less;

c. A viscosity index of 75 or more; and

d. A thermal stability at 616 K (343℃); or

2. Chlorofluorocarbons, having all of the following:

Technical Note:

For the purpose of 1C006.a.2., chlorofluorocarbons contain exclusively carbon, fluorine and chlorine.

a. No flash point;

b. An autogenous ignition temperature exceeding 977 K (704℃);

c. A pour point at 219 K (-54℃) or less;

d. A viscosity index of 80 or more; and

e. A boiling point at 473 K (200℃) or higher;

b. Lubricating materials containing, as their principal ingredients, any of the following :

1. Phenylene or alkylphenylene ethers or thio-ethers, or their mixtures, containing more than two ether or thio-ether functions or mixtures thereof; or

2. Fluorinated silicone fluids with a kinematic viscosity of less than 5,000 mm2/s (5,000 centistokes) measured at 298 K (25℃);

c. Damping or flotation fluids having all of the following:

1. Purity exceeding 99.8%;

2. Containing less than 25 particles of 200 µm or larger in size per 100 ml; and

3. Made from at least 85% of any of the following:

a. Dibromotetrafluoroethane (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

b.	Polychlorotrifluoroethylene (oily and waxy modifications only); or

c.	Polybromotrifluoroethylene;

d. Fluorocarbon electronic cooling fluids, having all of the following:

1. Containing 85% by weight or more of any of the following, or mixtures thereof:

a. Monomeric forms of perfluoropolyalkylether-triazines or perfluoroaliphatic-ethers;

b. Perfluoroalkylamines;

c. Perfluorocycloalkanes; or

d. Perfluoroalkanes;

2. Density at 298 K (25℃) of 1.5 g/ml or more;

3. In a liquid state at 273 K (0℃); and

4. Containing 60% or more by weight of fluorine.

Note : 1C006.d. does not control materials specified and packaged as medical products.

Technical Note:

For the purpose of 1C006:

1. Flash point is determined using the Cleveland Open Cup Method described in ASTM D-92 or national equivalents;

2. Pour point is determined using the method described in ASTM D-97 or national equivalents;

3. Viscosity index is determined using the method described in ASTM D-2270 or national equivalents;

4. Thermal stability is determined by the following test procedure or national equivalents:

Twenty ml of the fluid under test is placed in a 46 ml type 317 stainless steel chamber containing one each of 12.5 mm (nominal) diameter balls of M-10 tool steel, 52100 steel and naval bronze (60% Cu, 39% Zn, 0.75% Sn);

The chamber is purged with nitrogen, sealed at atmospheric pressure and the temperature raised to and maintained at 644±6 K (371±6℃) for six hours;

The specimen will be considered thermally stable if, on completion of the above procedure, all of the following conditions are met:

a. The loss in weight of each ball is less than 10 mg/mm2 of ball surface;

b. The change in original viscosity as determined at 311 K (38℃) is less than 25%; and

c. The total acid or base number is less than 0.40;

5. Autogenous ignition temperature is determined using the method described in ASTM E-659 or national equivalents.

Ceramic base materials, non-"composite" ceramic materials, ceramic-"matrix" "composite" materials and precursor materials, as follows:

N.B.: SEE ALSO 1C107.

a. Base materials of single or complex borides of titanium having total metallic impurities, excluding intentional additions, of less than 5,000 ppm, an average particle size equal to or less than 5 ㎛ and no more than 10% of the particles larger than 10 ㎛;

b. Non-"composite" ceramic materials in crude or semi-fabricated form, composed of borides of titanium with a density of 98% or more of the theoretical density;

Note: 1C007.b. does not control abrasives.

c. Ceramic-ceramic "composite" materials with a glass or oxide-"matrix" and reinforced with fibres having all of the following:

1. Made from any of the following materials:

a. Si-N;

b. Si-C;

c. Si-Al-O-N; or

d. Si-O-N; and

2. Having a specific tensile strength exceeding 12.7 x 103m;

d. Ceramic-ceramic "composite" materials, with or without a continuous metallic phase, incorporating particles, whiskers or fibres, where carbides or nitrides of silicon, zirconium or boron form the "matrix";

e. Precursor materials (i.e., special purpose polymeric or metallo-organic materials) for producing any phase or phases of the materials specified in 1C007.c., as follows:

1. Polydiorganosilanes (for producing silicon carbide);

2. Polysilazanes (for producing silicon nitride);

3. Polycarbosilazanes (for producing ceramics with silicon, carbon and nitrogen components);

f. Ceramic-ceramic "composite" materials with an oxide or glass "matrix" reinforced with continuous fibres from any of the following systems:

1. Al2O3(CAS 1344-28-1) or

2. Si-C-N.

Note: 1C007.f. does not control "composites" containing fibres from these systems with a fibre tensile strength of less than 700 MPa at 1,273 K (1,000℃) or fibre tensile creep resistance of more than 1% creep strain at 100 MPa load and 1,273 K (1,000℃) for 100 hours.

Non-fluorinated polymeric substances, as follows:

a. Imides as follows:

1. Bismaleimides;

2. Aromatic polyamide-imides (PAI) having a 'glass transition             temperature (Tg)' exceeding 563 K (290°C);

3. Aromatic polyimides;

4. Aromatic polyetherimides having a 'glass transition temperature    (Tg)' exceeding 563K (290°C);

Note 1   1C008.a. control the substances in liquid or solid "fusible" form, including resin, powder, pellet, film, sheet, tape, or ribbon.

Note 2   For non-"fusible" aromatic polyimides in film, sheet, tape, or ribbon form, see 1A003

b. Thermoplastic liquid crystal copolymers having a heat distortion temperature exceeding 523K (250℃) measured according to ISO 75-2 (2004), method A or national equivalents, with a load of 1.80 N/mm2 and composed of:

1. Any of the following compounds:

a. Phenylene, biphenylene or naphthalene; or

b. Methyl, tertiary-butyl or phenyl substituted phenylene, biphenylene or naphthalene; and

2. Any of the following acids:

a. Terephthalic acid;

b. 6-hydroxy-2 naphthoic acid; or

c. 4-hydroxybenzoic acid;

c. Not used;

d. Polyarylene ketones;

e. Polyarylene sulphides, where the arylene group is biphenylene, triphenylene or combinations thereof;

f. Polybiphenylenethersulphone having a glass transition temperature (Tg) exceeding 563 K (290℃)

Technical Note:

The glass transition temperature (Tg) for 1C008 materials is determined using the method described in ISO 11357-2 (1999) or national equivalents. In addition, for 1C008.a.2. materials, 'glass transition temperature (Tg)' is determined on a PAI test specimen having initially been cured at a minimum temperature of 310°C for a minimum of 15 minutes.

Unprocessed fluorinated compounds, as follows:

a. Copolymers of vinylidene fluoride having 75% or more beta crystalline structure without stretching;

b. Fluorinated polyimides containing 10% by weight or more of combined fluorine;

c. Fluorinated phosphazene elastomers containing 30% by weight or more of combined fluorine.

"Fibrous or filamentary materials" as follows:

N.B.: SEE ALSO 1C210 AND 9C110

a. Organic "fibrous or filamentary materials", having all of the following:

1. "specific modulus" exceeding 12.7 x 106 m; and

2. "specific tensile strength" exceeding 23.5 x 104 m;

Note: 1C010.a. does not control polyethylene.

b. Carbon "fibrous or filamentary materials", having all of the following:

1.  "specific modulus" exceeding 14.65 x 106 m; and

2.  "specific tensile strength" exceeding 26.82 x 104 m;

Note

1C010.b. does not control:

a. "Fibrous or filamentary materials", for the repair of "civil aircraft" structures or laminates, having all of the following:

1. An area not exceeding 1 m2;

2. A length not exceeding 2.5 m; and

3. A width exceeding 15 mm.

b. Mechanically chopped, milled or cut carbon "fibrous or filamentary materials" 25.0 mm or less in length.

Technical Note:

Properties for materials described in 1C010.b. should be determined using SACMA recommended methods SRM 12 to 17, ISO 10618 (2004) 10.2.1 Method A or national equivalent tow tests and based on lot  average

c. Inorganic "fibrous or filamentary materials", having all of the following:

1.  "specific modulus" exceeding 2.54 x 106 m; and

2.  melting, softening, decomposition or sublimation point exceeding 1,922 K(1,649℃) in an inert environment;

Note: 1C010.c. does not control:

1. Discontinuous, multiphase, polycrystalline alumina fibres in chopped fibre or random mat form, containing 3 weight percent or more silica, with a specific modulus of less than 10 x 106 m;

2. Molybdenum and molybdenum alloy fibres;

3. Boron fibres;

4. Discontinuous ceramic fibres with a melting, softening, decomposition or sublimation point lower than 2,043 K (1,770℃) in an inert environment.

d. "Fibrous or filamentary materials":

1. Composed of any of the following:

a. Polyetherimides specified in 1C008.a.; or

b. Materials specified in 1C008.b. to 1C008.f.; or

2. Composed of materials specified in 1C010.d.1.a. or 1C010.d.1.b. and "commingled" with other fibres specified in 1C010.a., 1C010.b. or 1C010.c.;

e. Fully or partially resin-impregnated or pitch-impregnated "fibrous or filamentary materials" (prepregs), metal or carbon-coated "fibrous or filamentary materials" (preforms) or "carbon fibre preforms", having all of the following:

1. Having any of the following:

a. Inorganic "fibrous or filamentary materials" specified in 1C010.c.; or

b. Organic or carbon "fibrous or filamentary materials", having all of the following:

1. "Specific modulus" exceeding 10.15 x 106 m; and

2. "Specific tensile strength" exceeding 17.7 x 104 m; and

2. Having any of the following:

a. Resin or pitch specified in 1C008. or 1C009.b.;

b. 'Dynamic Mechanical Analysis glass transition temperature (DMA Tg)' equal to or exceeding 453 K (180°C) and having a phenolic resin; or

c. 'Dynamic Mechanical Analysis glass transition temperature (DMA Tg)' equal to or exceeding 505 K (232°C) and having a resin or pitch, not specified in 1C008. or 1C009.b., and not being a phenolic resin;

Note 1

Metal or carbon-coated "fibrous or filamentary materials" (preforms) or "carbon fibre preforms", not impregnated with resin or pitch, are specified by "fibrous or filamentary materials" in 1C010.a., 1C010.b. or 1C010.c.

Note 2:	1C010.e. does not apply to:

a. Epoxy resin "matrix" impregnated carbon "fibrous or filamentary materials" (prepregs) for the repair of "civil aircraft" structures or laminates, having all of the following;

1. An area not exceeding 1 m2;

2. A length not exceeding 2.5 m; and

3. A width exceeding 15 mm;

b. Fully or partially resin-impregnated or pitch-impregnated mechanically chopped, milled or cut carbon "fibrous or filamentary materials" 25.0 mm or less in length when using a resin or pitch other than those specified by 1C008  or 1C009.b.

Technical Note

The 'Dynamic Mechanical Analysis glass transition temperature (DMA Tg)' for materials specified in 1C010.e. is determined using the method described in ASTM D 7028-07, or equivalent national standard, on a dry test specimen  In the case of thermoset materials, degree of cure of a dry test specimen shall be defined by ASTM E 2160-04 or equivalent national standard.

Technical Notes

1. Specific modulus: Young's modulus in pascals, equivalent to N/m2 divided by specific weight in N/m3, measured at a temperature of (296±2) K ((23±2)℃) and a relative humidity of (50±5)%.

2. Specific tensile strength: ultimate tensile strength in pascals, equivalent to N/m2 divided by specific weight in N/m3, measured at a temperature of (296±2) K ((23±2)℃) and a relative humidity of (50±5)%.

Metals and compounds, as follows:

N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS and 1C111.

a. Metals in particle sizes of less than 60 μm whether spherical, atomised, spheroidal, flaked or ground, manufactured from material consisting of 99% or more of zirconium, magnesium and alloys of these;

Technical Note :

natural content of hafnium in the zirconium (typically 2% to 7%)
is counted with the zirconium.

Note: The metals or alloys listed in 1C011.a. are controlled

whether or not the metals or alloys are encapsulated

in aluminium, magnesium, zirconium or beryllium.

b. Boron(CAS 7440-42-8) orboron alloys, with a particle size of 60 µm or less, as follows:

1. Boron with a purity of 85% by weight or more;

2. Boron alloys with a boron content of 85% by weight or more;

3.  Metal powders of either boron (CAS 7740-42-8) or boron alloys with a boron content of 85% or more by weight,  if at least 90% of the total particles by particle volume or weight are made up of particles of less than 60 µm (determined by measurement techniques such as using a sieve, laser diffraction or optical scanning), whether spherical, atomised, spheroidal, flaked or ground;

Note:

In a multimodal particle distribution (e.g. mixtures of different grain sizes) in which one or more modes are controlled, the entire powder mixture is controlled.

N.B. See ML8.c.5.b. for metal powders mixed with other substances to form a mixture formulated for military purposes.

Note: The metals or alloys listed in 1C011.b. are controlled

whether or not the metals or alloys are encapsulated

in aluminium, magnesium, zirconium or beryllium.

c. Guanidine nitrate(CAS 506-93-4);

d. Nitroguanidine (NQ) (CAS 556-88-7).

Materials as follows:

Technical Note:

These materials are typically used for nuclear heat sources.

a. Plutonium in any form with a plutonium isotopic assay of plutonium-238 of more than 50% by weight;

Note: 1C012.a. does not control:

a. Shipments with a plutonium content of 1 g or less;

b. Shipments of 3 "effective grammes" or less when contained in a sensing component in instruments.

b. "Previously separated" neptunium-237 in any form.

Note: 1C012.b. does not control shipments with a neptunium-237 content of 1 g or less.

Materials and devices for reduced observables such as radar reflectivity, ultraviolet/infrared signatures and acoustic signatures, other than those specified in 1C001, usable in 'missiles', "missile" subsystems or unmanned aerial vehicles specified in 9A012.

Note 1: 1C101 includes:

a. Structural materials and coatings specially designed for reduced
radar reflectivity;

b. Coatings, including paints, specially designed for reduced or
tailored reflectivity or emissivity in the microwave, infrared or
ultra violet regions of the electromagnetic spectrum.

Note 2: 1C101 does not include coatings when specially used

for the thermal control of satellites.

Technical Note:

In 1C101 'missile' means complete rocket systems and unmanned

aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Resaturated pyrolized carbon-carbon materials designed for space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Graphite and ceramic materials, other than those specified in 1C007, as follows:

a. Fine grain graphites with a bulk density of 1.72 g/cm3 or greater, measured at 288 K (15°C), and having a grain size of 100 μm or less, usable for rocket nozzles and re-entry vehicle nose tips, which can be machined to any of the following products:

1. Cylinders having a diameter of 120 mm or greater and a length of 50 mm or greater;

2. Tubes having an inner diameter of 65 mm or greater and a wall thickness of 25 mm or greater and a length of 50 mm or greater; or

3. Blocks having a size of 120 mm x 120 mm x 50 mm or greater;

N.B.: See also 0C004

b. Pyrolytic or fibrous reinforced graphites, usable for rocket nozzles and reentry vehicle nose tips usable in "missiles", space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;

N.B.: See also 0C004

c. Ceramic composite materials (dielectric constant less than 6 at any frequency from 100 MHz to 100 GHz) for use in radomes usable in "missiles", space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;

d. Bulk machinable silicon-carbide reinforced unfired ceramic, usable for nose tips usable in "missiles", space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;

e. Reinforced silicon-carbide ceramic composites, usable for nose tips, reentry vehicles and nozzle flaps usable in "missiles", space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Propellants and constituent chemicals for propellants, other than those specified in 1C011, as follows:

a. Propulsive substances:

1. Spherical or spheroidal aluminium powder(CAS 7429-90-5), other than that specified in the Military Goods Controls, in particle size of less than 200 μm and an aluminium content of 97% by weight or more, if at least 10% of the total weight is made up of particles of less than 63 μm, according to ISO 2591:1988 or national equivalents;

Technical Note:

A particle size of 63μm (ISO R-565) corresponds to 250 mesh (Tyler) or 230 mesh (ASTMstandard E-11).

2. Metal fuels, other than that specified in the Military Goods Controls, if at least 90% of the total particles by particle volume or weight are made up of particles of less than 60 µm (determined by measurement techniques such as using a sieve, laser diffraction or optical scanning), whether spherical, atomized, spheroidal, flaked or ground, consisting 97% by weight or more of any of the following:

a. Zirconium(CAS 7440-67-7);

b. Beryllium(CAS 7440-41-7);

c. Magnesium(CAS 7439-95-4); or

d. Alloys of the metals specified by a. to c. above;

Note:

In a multimodal particle distribution (e.g. mixtures of different grain sizes) in which one or more modes are controlled, the entire powder mixture is controlled.

Technical Note:

The natural content of hafnium in the zirconium (typically 2% to 7%) is counted with the zirconium.

3. Oxidiser substances usable in liquid propellant rocket engines as follows:

a. Dinitrogen trioxide(CAS 10544-73-7);

b. Nitrogen dioxide(CAS 10102-44-0)/dinitrogen tetroxide(CAS 10544-72-6);

c. Dinitrogen pentoxide(CAS 10102-03-1);

d. Mixed Oxides of Nitrogen (MON);

Technical Note:

Mixed Oxides of Nitrogen (MON) are solutions of Nitric
Oxide (NO) in Dinitrogen Tetroxide/Nitrogen Dioxide
(N2O4/NO2 ) that can be used in missile systems. There are a range of compositions that can be denoted as MONi or MONij, where i and j are integers representing the percentage of Nitric Oxide in the mixture (e.g., MON3 contains 3% Nitric Oxide, MON25 25% Nitric Oxide. An upper limit is MON40, 40% by weight).

e. SEE MILITARY GOODS CONTROLS FOR Inhibited

Red Fuming Nitric Acid (IRFNA);

f. SEE MILITARY GOODS CONTROLS AND 1C238

FOR Compounds composed of fluorine and one or

more of other halogens, oxygen or nitrogen;

4. Hydrazine derivatives as follows:

N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS.

a. Trimethylhydrazine(CAS 1741-01-1);

b. Tetramethylhydrazine(CAS 6415-12-9);

c. N,N diallylhydrazine;

d. Allylhydrazine(CAS 7422-78-8);

e. Ethylene dihydrazine;

f. Monomethylhydrazine dinitrate;

g. Unsymmetrical dimethylhydrazine nitrate;

h. Hydrazinium azide(CAS 14546-44-2);

i. Dimethylhydrazinium azide;

j. Hydrazinium nitrate;

k. Diimido oxalic acid dihydrazine; (CAS 3457-37-2);

l. 2-hydroxyethylhydrazine nitrate (HEHN);

m. See Military Goods Controls for Hydrazinium perchlorate;

n. Hydrazinium diperchlorate (CAS 13812-39-0);

o. Methylhydrazine nitrate (MHN);

p. Diethylhydrazine nitrate (DEHN);

q. 3,6-dihydrazino tetrazine nitrate(1,4-dihydrazine nitrate)

(DHTN);

b. Polymeric substances:

1. Carboxy-terminated polybutadiene(including

carboxyl-terminated polybutadiene) (CTPB);

2. Hydroxy-terminated polybutadiene(included

hydroxyl-terminated polybutadiene) (HTPB), other

than that specified in the Military Goods Controls;

3. Polybutadiene-acrylic acid (PBAA);

4. Polybutadiene-acrylic acid-acrylonitrile (PBAN);

5. Polytetrahydrofuran polyethylene glycol (TPEG);

Technical Note:

Polytetrahydrofuran polyethylene glycol (TPEG) is a

block co-polymer of poly 1,4-Butanediol and polyethylene

glycol (PEG).

c. Other propellant additives and agents:

1. SEE MILITARY GOODS CONTROLS FOR Carboranes,

decaboranes, pentaboranes and derivatives thereof;

2. Triethylene glycol dinitrate (TEGDN)(CAS 111-22-8);

3. 2-Nitrodiphenylamine (CAS 119-75-5);

4. Trimethylolethane trinitrate (TMETN) (CAS 3032-55-1);

5. Diethylene glycol dinitrate (DEGDN)(CAS 693-21-0);

6. Ferrocene derivatives as follows:

a. See Military Goods Controls for catocene;

b. Ethyl ferrocene(CAS 1273-89-8);

c. Propyl ferrocene;

d. See Military Goods Controls for n-butyl ferrocene;

e. Pentyl ferrocene (CAS 1274-00-6);

f. Dicyclopentyl ferrocene;

g. Dicyclohexyl ferrocene;

h. Diethyl ferrocene (CAS 1273-97-8);

i. Dipropyl ferrocene;

j. Dibutyl ferrocene (CAS 1274-08-4);

k. Dihexyl ferrocene (CAS 93894-59-8);

l. Acetyl ferrocene (CAS 1271-55-2) / 1,1'-diacetyl ferrocene (CAS 1273-94-5);

m. See Military Goods Controls for ferrocene Carboxylic acids(CAS 1271-42-7) / 1,1'-Ferrocenedicarboxylic acid (CAS 1293-87-4);

n. See Military Goods Controls for butacene;

o. Other ferrocene derivatives usable as rocket propellant burning rate modifiers, other than those specified in the Military Goods Controls.

Note

Item 1C111.c.6.o does not control ferrocene derivatives that contain a six carbon aromatic functional group attached to the ferrocene molecule.

7. 4,5 diazidomethyl-2-methyl-1,2,3-triazole (iso- DAMTR), other than that specified in the Military Goods Controls.

Note: For propellants and constituent chemicals for propellants not specified in 1C111, see the Military Goods Controls.

Maraging steels, having all of the following:

a. Having an ultimate tensile strength, measured at 20°C, equal to or greater than:

1. 0.9 GPa in the solution annealed stage; or

2. 1.5 GPa in the precipitation hardened stage; and

b. Any of the following forms:

1. Sheet, plate or tubing with a wall or plate thickness equal to or less than 5.0 mm; or

2. Tubular forms with a wall thickness equal to or less than 50 mm and having an inner diameter equal to or greater than 270 mm.

Technical Note:

Maraging steels are iron alloys:

a. Generally characterised by high nickel, very low carbon content and use substitutional elements or precipitates to produce strengthening and age-hardening of the alloy; and

b. Subjected to heat treatment cycles to facilitate the martensitic transformation process (solution annealed stage) and subsequently age hardened (precipitation hardened stage).

N.B.: SEE ALSO 1C216.

Materials for the fabrication of missile components in the systems specified in 9A004, 9A104 or 9A012, as follows:.

a. Tungsten and alloys in particulate form with a tungsten content of 97% by weight or more and a particle size of 50 x10-6 m(50 ㎛) or less;

b. Molybdenum and alloys in particulate form with a molybdenum content of 97% by weight or more and a particle size of 50 x10-6 m(50 ㎛) or less;

c. Tungsten materials in the solid form having all of the following:

1. Any of the following material compositions:

a. Tungsten and alloys containing 97% by weight or more of tungsten;

b. Copper infiltrated tungsten containing 80% by weight or more of tungsten; or

c. Silver infiltrated tungsten containing 80% by weight or more of tungsten; and

2. Able to be machined to any of the following products:

a. Cylinders having a diameter of 120 mm or greater and a length of 50 mm or greater;

b. Tubes having an inner diameter of 65 mm or greater and a wall thickness of 25 mm or greater and a length of 50 mm or greater; or

c. Blocks having a size of 120 mm x 120 mm x 50 mm or greater.

Titanium-stabilised duplex stainless steel (Ti-DSS) having all of the following:

a. Having all of the following characteristics:

1. Containing 17.0 - 23.0 weight percent chromium and 4.5 - 7.0 weight percent nickel;

2. Having a titanium content of greater than 0.10 weight percent; and

3. A ferritic-austenitic microstructure (also referred to as a two-phase microstructure) of which at least 10 percent is austenite by volume (according to ASTM E-1181-87 or national equivalents); and

b. Having any of the following forms:

1. Ingots or bars having a size of 100 mm or more in each dimension;

2. Sheets having a width of 600 mm or more and a thickness of 3 mm or less; or

3. Tubes having an outer diameter of 600 mm or more and a wall thickness of 3 mm or less.

Alloys, other than those specified in 1C002.b.3. or .b.4., as follows:

a. Aluminium alloys having both of the following characteristics:

1. 'Capable of' an ultimate tensile strength of 460 MPa or more at 293 K (20°C); and

2. In the form of tubes or cylindrical solid forms (including forgings) with an outside diameter of more than 75 mm;

b. Titanium alloys having both of the following characteristics:

1. 'Capable of' an ultimate tensile strength of 900 MPa or more at 293 K (20°C); and

2. In the form of tubes or cylindrical solid forms (including forgings) with an outside diameter of more than 75 mm.

Technical Note:

The phrase alloys 'capable of' encompasses alloys before or after heat treatment.

'Fibrous or filamentary materials' or prepregs, other than those specified in 1C010.a., b. or e., as follows:

a. Carbon or aramid 'fibrous or filamentary materials' having either of the following characteristics:

1. A "specific modulus" of 12.7 x 106 m or greater; or

2. A "specific tensile strength" of 235 x 103 m or greater;

Note: 1C210.a. does not control aramid 'fibrous or filamentary materials' having 0.25 percent or more by weight of an ester based fibre surface modifier;

b. Glass 'fibrous or filamentary materials' having both of the following characteristics:

1. A "specific modulus" of 3.18 x 106 m or greater; and

2. A "specific tensile strength" of 76.2 x 103 m or greater;

c. Thermoset resin impregnated continuous "yarns", "rovings", "tows" or "tapes" with a width of 15 mm or less (prepregs), made from carbon or glass 'fibrous or filamentary materials' specified in 1C210.a. or b.

Technical Note:

The resin forms the matrix of the composite.

Note: In 1C210, 'fibrous or filamentary materials' is restricted to continuous "monofilaments", "yarns", "rovings", "tows" or "tapes".

Maraging steel, other than that specified in 1C116, 'capable of' an ultimate tensile strength of 2,050 MPa or more, at 293 K (20℃).

Note: 1C216 does not control forms in which all linear dimensions are 75 mm or less.

Technical Note:

The phrase maraging steel 'capable of' encompasses maraging steel before or after heat treatment.

Boron enriched in the boron-10(10B) isotope to greater than its natural isotopic abundance, as follows: elemental boron, compounds, mixtures containing boron, manufactures thereof, waste or scrap of any of the foregoing.

Note: In 1C225 mixtures containing boron include boron loaded materials.

Technical Note:

The natural isotopic abundance of boron-10 is approximately 18.5 weight per cent (20 atom per cent).

Tungsten, tungsten carbide, and alloys containing more than 90% tungsten by weight, having both of the following characteristics:

a. In forms with a hollow cylindrical symmetry (including cylinder segments) with an inside diameter between 100 mm and 300 mm; and

b. A mass greater than 20 kg.

Note: 1C226 does not control manufactures specially designed as weights or gamma-ray collimators.

Calcium having both of the following characteristics:

a. Containing less than 1,000 parts per million by weight of metallic impurities other than magnesium; and

b. Containing less than 10 parts per million by weight of boron.

Magnesium having both of the following characteristics:

a. Containing less than 200 parts per million by weight of metallic impurities other than calcium; and

b. Containing less than 10 parts per million by weight of boron.

Bismuth having both of the following characteristics:

a. A purity of 99.99% or greater by weight; and

b. Containing less than 10 parts per million by weight of silver.

Beryllium metal, alloys containing more than 50% beryllium by weight, beryllium compounds, manufactures thereof, and waste or scrap of any of the foregoing.

Note: 1C230 does not control the following:

a. Metal windows for X-ray machines, or for bore-hole logging devices;

b. Oxide shapes in fabricated or semi-fabricated forms specially designed for electronic component parts or as substrates for electronic circuits;

c. Beryl (silicate of beryllium and aluminium) in the form of emeralds or aquamarines.

Hafnium metal, alloys containing more than 60% hafnium by weight, hafnium compounds containing more than 60% hafnium by weight, manufactures thereof, and waste or scrap of any of the foregoing.

Helium-3 (3He), mixtures containing helium-3, and products or devices containing any of the foregoing.

Note: 1C232 does not control a product or device containing less than 1 g of helium-3.

Lithium enriched in the lithium-6 (6Li) isotope to greater than its natural isotopic abundance, and products or devices containing enriched lithium, as follows: elemental lithium, alloys, compounds, mixtures containing lithium, manufactures thereof, waste or scrap of any of the foregoing.

Note: 1C233 does not control thermoluminescent dosimeters.

Technical Note:

The natural isotopic abundance of lithium-6 is approximately 6.5 weight percent (7.5 atom percent).

Zirconium with a hafnium content of less than 1 part hafnium to 500 parts zirconium by weight, as follows: metal, alloys containing more than 50% zirconium by weight, compounds, manufactures thereof, waste or scrap of any of the foregoing.

Note: 1C234 does not control zirconium in the form of foil having a thickness of 0.10 mm or less.

Tritium, tritium compounds, mixtures containing tritium in which the ratio of tritium to hydrogen atoms exceeds 1 part in 1000, and products or devices containing any of the foregoing.

Note: 1C235 does not control a product or device containing less than 1.48 x 103 GBq (40 Ci) of tritium.

Alpha-emitting radionuclides having an alpha half-life of 10 days or greater but less than 200 years, in the following forms:

a. Elemental;

b. Compounds having a total alpha activity of 37 GBq/kg (1 Ci/kg) or greater;

c. Mixtures having a total alpha activity of 37 GBq/kg (1 Ci/kg) or greater;

d. Products or devices containing any of the foregoing.

Note: 1C236 does not control a product or device containing less than 3.7 GBq (100 millicuries) of alpha activity.

Radium-226 (226Ra), radium-226 alloys, radium-226 compounds, mixtures containing radium-226, manufactures therof, and products or devices containing any of the foregoing.

Note: 1C237 does not control the following:

a. Medical applicators;

b. A product or device containing less than 0.37 GBq (10 millicuries) of radium-226.

Chlorine trifluoride (ClF3).

High explosives, other than those specified in the Military Goods Controls, or substances or mixtures containing more than 2% by weight thereof, with a crystal density greater than 1.8 g/㎤ and having a detonation velocity greater than 8,000 m/s.

Nickel powder and porous nickel metal, other than those specified in 0B001.c.1., as follows:

a. Nickel powder having both of the following characteristics:

1. A nickel purity content of 99.0% or greater by weight; and

2. A mean particle size of less than 10 micrometres measured by American Society for Testing and Materials (ASTM) B330 standard;

b. Porous nickel metal produced from materials specified in 1C240.a.

Note: 1C240 does not control the following:

a. Filamentary nickel powders;

b. Single porous nickel sheets with an area of 1,000 ㎠ per sheet or less.

Technical Note:

1C240.b. refers to porous metal formed by compacting and sintering the materials in 1C240.a. to form a metal material with fine pores interconnected throughout the structure.

Chemicals, which may be used as precursors for toxic chemical agents, as follows, and "chemical mixtures" containing one or more thereof:

N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS AND 1C450.

1. Thiodiglycol (111-48-8);

2. Phosphorus oxychloride (10025-87-3);

3. Dimethyl methylphosphonate (756-79-6);

4. SEE MILITARY GOODS CONTROLS FOR Methyl phosphonyl difluoride (676-99-3);

5. Methyl phosphonyl dichloride (676-97-1);

6. Dimethyl phosphite (DMP) (868-85-9);

7. Phosphorus trichloride (7719-12-2);

8. Trimethyl phosphite (TMP) (121-45-9);

9. Thionyl chloride (7719-09-7);

10. 3-Hydroxy-1-methylpiperidine (3554-74-3);

11. N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethyl chloride (96-79-7);

12. N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethane thiol (5842-07-9);

13. 3-Quinuclidinol (1619-34-7);

14. Potassium fluoride (7789-23-3);

15. 2-Chloroethanol (107-07-3);

16. Dimethylamine (124-40-3);

17. Diethyl ethylphosphonate (78-38-6);

18. Diethyl-N,N-dimethylphosphoramidate (2404-03-7);

19. Diethyl phosphite (762-04-9);

20. Dimethylamine hydrochloride (506-59-2);

21. Ethyl phosphinyl dichloride (1498-40-4);

22. Ethyl phosphonyl dichloride (1066-50-8);

23. SEE MILITARY GOODS CONTROLS FOR Ethyl phosphonyl difluoride (753-98-0);

24. Hydrogen fluoride (7664-39-3);

25. Methyl benzilate (76-89-1);

26. Methyl phosphinyl dichloride (676-83-5);

27. N,N-Diisopropyl-(beta)-amino ethanol (96-80-0);

28. Pinacolyl alcohol (464-07-3);

29. SEE MILITARY GOODS CONTROLS FOR O-Ethyl-2- diisopropylaminoethyl methyl phosphonite (QL) (57856-11-8);

30. Triethyl phosphite (122-52-1);

31. Arsenic trichloride (7784-34-1);

32. Benzilic acid (76-93-7);

33. Diethyl methylphosphonite (15715-41-0);

34. Dimethyl ethylphosphonate (6163-75-3);

35. Ethyl phosphinyl difluoride (430-78-4);

36. Methyl phosphinyl difluoride (753-59-3);

37. 3-Quinuclidone (3731-38-2);

38. Phosphorus pentachloride (10026-13-8);

39. Pinacolone (75-97-8);

40. Potassium cyanide (151-50-8);

41. Potassium bifluoride (7789-29-9);

42. Ammonium hydrogen fluoride or ammonium bifluoride (1341-49-7);

43. Sodium fluoride (7681-49-4);

44. Sodium bifluoride (1333-83-1);

45. Sodium cyanide (143-33-9);

46. Triethanolamine (102-71-6);

47. Phosphorus pentasulphide (1314-80-3);

48. Di-isopropylamine (108-18-9);

49. Diethylaminoethanol (100-37-8);

50. Sodium sulphide (1313-82-2);

51. Sulphur monochloride (10025-67-9);

52. Sulphur dichloride (10545-99-0);

53. Triethanolamine hydrochloride (637-39-8);

54. N,N-Diisopropyl-(Beta)-aminoethyl chloride hydrochloride (4261-68-1);

55. Methylphosphonic acid (993-13-5);

56. Diethyl methylphosphonate (683-08-9);

57. N,N-Dimethylaminophosphoryl dichloride (677-43-0);

58. Triisopropyl phosphite (116-17-6);

59. Ethyldiethanolamine (139-87-7);

60. O,O-Diethyl phosphorothioate (2465-65-8);

61. O,O-Diethyl phosphorodithioate (298-06-6);

62. Sodium hexafluorosilicate (16893-85-9);

63. Methylphosphonothioic dichloride (676-98-2).

Technical note

Chemicals are listed by name, Chemical Abstract Service (CAS) number. Chemicals of the same structural formula (e.g., hydrates) are controlled regardless of name or CAS number. CAS numbers are shown to assist in identifying whether a particular chemical or mixture is controlled, irrespective of nomenclature. However, CAS numbers cannot be used as unique identifiers in all situations because some forms of the listed chemical have different CAS numbers, and mixtures containing a listed chemical may also have different CAS numbers.

Note 1: For exports to "States not Party to the Chemical Weapons Convention", 1C350 does notcontrol "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55,.56, .57 and .63 in which no individually specified chemical constitutes more than 10% by theweight of the mixture.

Note 2: For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C350 does not control"chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C350.1, .3,5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 and.63 in which no individually specified chemical constitutes more than 30% by the weight of themixture.

Note 3: 1C350 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicalsspecified in entries 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39,.40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 and .62 inwhich no individually specified chemical constitutes more than 30% by the weight of themixture.

Note 4: 1C350 does not control products identified as consumer goods packaged for retail sale forpersonal use or packaged for individual use

Human pathogens, zoonoses and "toxins", as follows:

a. Viruses, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material including living material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. Andes virus

2. Chapare virus

3. Chikungunya virus

4. Choclo virus

5. Congo-Crimean haemorrhagic fever virus

6. Dengue fever virus

7. Dobrava-Belgrade virus

8. Eastern equine encephalitis virus

9. Ebola virus

10. Guanarito virus

11. Hantaan virus

12. Hendra virus (Equine morbillivirus)

13. Japanese encephalitis virus

14. Junin virus

15. Kyasanur Forest virus

16. Laguna Negra virus

17. Lassa fever virus

18. Louping ill virus

19. Lujo virus

20. Lymphocytic choriomeningitis virus

21. Machupo virus

22. Marburg virus

23. Monkey pox virus

24. Murray Valley encephalitis virus

25. Nipah virus

26. Omsk haemorrhagic fever virus

27. Oropouche virus

28. Powassan virus

29. Rift Valley fever virus

30. Rocio virus

31. Sabia virus

32. Seoul virus

33. Sin nombre virus

34. St Louis encephalitis virus

35. Tick-borne encephalitis virus (Russian   Spring-Summer encephalitis virus)

36. Variola virus

37. Venezuelan equine encephalitis virus

38. Western equine encephalitis virus

39. Yellow fever virus

b. Not used

c. Bacteria, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material including living material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Chlamydophila psittaci (Chlamydia psittaci);

6. Botulinum neurotoxin producing strains of Clostridium species as follows:

1. Clostridium botulinum

2. Clostridium argentinense

3. Clostridium baratii

4. Clostridium butyricum

5. Other strains of Clostridium species that produce Botulinum neurotoxin

7. Francisella tularensis;

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

10. Salmonella typhi;

11. Shigella dysenteriae;

12. Vibrio cholerae;

13. Yersinia pestis;

14. Clostridium perfringens epsilon toxin producing types;

15. Shiga toxin producing Escherichia coli (STEC) of serogroups O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, and other shiga toxin producing sero groups.

Note: Shiga toxin producing Escherichia coli (STEC) is also known as enterohaemorrhagic E. coli (EHEC) or verocytotoxin producing E. coli (VTEC)

16. Coxiella burnetti

17. Rickettsia prowazekii

d. "Toxins", as follows, and "sub-unit of toxins" thereof:

1. Botulinum toxins;

2. Clostridium perfringens [alpha toxin, beta 1 toxin, beta2 toxin, epsilon toxin and iota toxin];

3. Conotoxin;

4. Ricin;

5. Saxitoxin;

6. Shiga toxin;

7. Staphylococcus aureus enterotoxins, hemolysin alpha toxin, and toxic shock syndrome toxin (formerly known as Staphylococcus aureus enterotoxin F);

8. Tetrodotoxin;

9. Verotoxin and shiga-like ribosome inactivating proteins;

10. Microcystin (Cyanginosin);

11. Aflatoxins;

12. Abrin;

13. Cholera toxin;

14. Diacetoxyscirpenol toxin;

15. T-2 toxin;

16. HT-2 toxin;

17. Modeccin;

18. Volkensin;

19. Viscum album Lectin 1 (Viscumin).

Note: 1C351.d. does not control botulinum toxins and conotoxins in product form meeting all of the following criteria:

1. Are pharmaceutical formulations designed for human administration in the treatment of medical conditions;

2. Are pre-packaged for distribution as medical products;

3. Are authorised by a state authority to be marketed as medical products.

e. Fungi, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material including living material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. Coccidioides immitis;

2. Coccidioides posadasii.

Note: 1C351 does not control "vaccines" or "immunotoxins".

Animal pathogens, as follows:

a. Viruses, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material including living material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. African swine fever virus;

2. Avian influenza virus, which are:

a. Uncharacterised; or

b. Defined in Annex I(2) EC Directive 2005/94/EC (O.J. L.10 14.1.2006 p.16) as having high pathogenicity, as follows:

1. Type A viruses with an IVPI (intravenous pathogenicity index) in 6 week old chickens of greater than 1.2; or

2. Type A viruses of the subtypes H5 or H7 with genome sequences codified for multiple basic amino acids at the cleavage site of the haemagglutinin molecule similar to that observed for other HPAI viruses, indicating that the haemagglutinin molecule can be cleaved by a host ubiquitous protease;

3. Bluetongue virus;

4. Foot and mouth disease virus;

5. Goat pox virus;

6. Porcine herpes virus (Aujeszky's disease);

7. Swine fever virus (Hog cholera virus);

8. Rabies virus and other members of the Lyssavirus genus;

9. Newcastle disease virus;

10. Peste des petits ruminants virus;

11. Porcine enterovirus type 9 (swine vesicular disease virus);

12. Rinderpest virus;

13. Sheep pox virus;

14. Teschen disease virus;

15. Vesicular stomatitis virus;

16. Lumpy skin disease virus;

17. African horse sickness virus.

b. Mycoplasmas, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material including living material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. Mycoplasma mycoides subspecies mycoides SC (small colony);

2. Mycoplasma capricolum subspecies capripneumoniae.

Note: 1C352 does not control "vaccines".

Genetic elements and genetically modified organisms, as follows:

a. Genetically modified organisms or genetic elements that contain nucleic acid sequences associated with pathogenicity of organisms specified in 1C351.a., 1C351.b., 1C351.c., 1C351.e., 1C352 or 1C354;

b. Genetically modified organisms or genetic elements that contain nucleic acid sequences coding for any of the "toxins" specified in 1C351.d. or "sub-units of toxins" thereof.

Technical Notes:

1. Genetically-modified organisms includes organisms in which the genetic material (nucleic acid sequences) has been altered in a way that does not occur naturally by mating and/or natural recombination, and encompasses those produced artificially in whole or in part.

Genetic elements include, inter alia, chromosomes, genomes, plasmids, transposons and vectors whether genetically modified or unmodified, or chemically synthesized in whole or in part.

2. Nucleic acid sequences associated with the pathogenicity of any of the micro-organisms specified in 1C351.a., 1C351.b., 1C351.c., 1C351.e., 1C352 or 1C354 means any sequence specific to the specified micro-organism that:

a. In itself or through its transcribed or translated products represents a significant hazard to human, animal or plant health; or

b. Is known to enhance the ability of a specified micro-organism, or any other organism into which it may be inserted  or otherwise integrated, to cause serious harm to humans, animals or plant health.

Note: 1C353 does not apply to nucleic acid sequences associated with the pathogenicity of enterohaemorrhagic Escherichia coli, serotype O157 and other verotoxin producing strains, other than those coding for the verotoxin, or for its sub-units.

Plant pathogens, as follows:

a. Viruses, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material including living material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. Potato Andean latent tymovirus;

2. Potato spindle tuber viroid;

b. Bacteria, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas campestris pv. citri including strains referred to as Xanthomonas campestris pv. citri types A,B,C,D,E or otherwise classified as Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia or Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum or Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum Races 2 and 3 (Pseudomonas solanacearum Races 2 and 3 or Burkholderia solanacearum Races 2 and 3);

c. Fungi, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

7. Peronosclerospora philippinensis

8. Sclerophthora rayssiaevar.zeae

9. Synchytrium endobioticum

10. Tilletia indica

11. Thecaphora solani

Toxic chemicals and toxic chemical precursors, as follows, and "chemical mixtures" containing one or more thereof:

N.B.: SEE ALSO ENTRY 1C350, 1C351.d. AND MILITARY GOODS CONTROLS.

a. Toxic chemicals, as follows:

1. Amiton: O,O-Diethyl S-[2-(diethylamino)ethyl] phosphorothiolate (78-53-5) and corresponding alkylated or protonated salts;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-Pentafluoro-2-(trifluoromethyl)-1-propene (382-21-8);

3. SEE MILITARY GOODS CONTROLS FOR BZ : 3-Quinuclidinyl benzilate (6581-06-2);

4. Phosgene: Carbonyl dichloride (75-44-5);

5. Cyanogen chloride (506-77-4);

6. Hydrogen cyanide (74-90-8);

7. Chloropicrin: Trichloronitromethane (76-06-2);

Note 1: For exports to "States not Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.1. and .a.2. in which no individually specified chemical constitutes more than 1% by the weight of the mixture.

Note 2: For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.1. and .a.2. in which no individually specified chemical constitutes more than 30% by the weight of the mixture.

Note 3: 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.4., .a.5., .a.6. and .a.7. in which no individually specified chemical constitutes more than 30% by the weight of the mixture.

Note 4: 1C450 does not control products identified as consumer goods packaged for retail sale for personal use or packaged for individual use.

b. Toxic chemical precursors, as follows:

1. Chemicals, other than those specified in the Military Goods Controls or in 1C350, containing a phosphorus atom to which is bonded one methyl, ethyl or propyl (normal or iso) group but not further carbon atoms;

Note: 1C450.b.1 does not control Fonofos: O-Ethyl S-phenyl ethylphosphonothiolothionate (944-22-9);

2. N,N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] phosphoramidic dihalides, other than N,N-Dimethylaminophosphoryl dichloride;

N.B.: See 1C350.57. for N,N-Dimethylaminophosphoryl dichloride.

3. Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] N,N-dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)]-phosphoramidates, other than Diethyl-N, N-dimethylphosphoramidate which is specified in 1C350;

4. N,N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] aminoethyl- 2-chlorides and corresponding protonated salts, other than N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethyl chloride or N,N-Diisopropyl-(beta)- aminoethyl chloride hydrochloride which are specified in 1C350;

5. N,N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)]  aminoethane-2-ols and corresponding protonated salts, other than N,N-Diisopropyl-(beta)- aminoethanol (96-80-0) and N,NDiethylaminoethanol (100-37-8) which are specified in 1C350;

Note: 1C450.b.5. does not control the following:

a. N,N-Dimethylaminoethanol (108-01-0) and corresponding protonated salts;

b. Protonated salts of N,N-Diethylaminoethanol (100-37-8);

6. N,N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] aminoethane- 2-thiols and corresponding protonated salts, other than N,N-Diisopropyl- (beta)-aminoethane thiol which is specified in 1C350;

7. See 1C350 for ethyldiethanolamine (139-87-7);

8. Methyldiethanolamine (105-59-9).

Note 1: For exports to "States not Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does notcontrol "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. and .b.6. in which no individually specified chemica constitutes more than 10% by the weight of the mixture.

Note 2: For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does notcontrol "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. and .b.6. in which no individually specified chemical constitutes more than 30% by the weight of the mixture.

Note 3: 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entry 1C450.b.8. in which no individually specified chemical constitutes more than 30% by the weight of the mixture.

Note 4: 1C450 does not control products identified as consumer goods packaged for retail sale for personal use or packaged for individual use.

a. Severe acute respiratory syndrome corona virus

b. Bovine Spongiform encephalophathy agent

Software

"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 1B001 to 1B003.

"Software" for the "development" of organic "matrix", metal "matrix" or carbon "matrix" laminates or "composites".

"Software" specially designed or modified to enable equipment to perform the functions of equipment specified in 1A004.c. or 1A004.d

"Software" specially designed or modified for the "use" of goods specified in 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 or 1B119.

"Software" specially designed for analysis of reduced observables such as radar reflectivity, ultraviolet/infrared signatures and acoustic signatures.

"Software" specially designed for the "use" of goods specified in 1B201.

Technology

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 1A001.b., 1A001.c., 1A002 to 1A005, 1A006.b, 1A007, 1B or 1C.

Other "technology", as follows:

a. "Technology" for the "development" or "production" of polybenzothiazoles or polybenzoxazoles;

b. "Technology" for the "development" or "production" of fluoroelastomer compounds containing at least one vinylether monomer;

c. "Technology" for the design or "production" of the following base materials or non-"composite" ceramic materials:

1. Base materials having all of the following characteristics:

a. Any of the following compositions:

1. Single or complex oxides of zirconium and complex oxides of silicon or aluminium;

2. Single nitrides of boron (cubic crystalline forms);

3. Single or complex carbides of silicon or boron; or

4. Single or complex nitrides of silicon;

b. Total metallic impurities, excluding intentional additions, of less than:

1. 1,000 ppm for single oxides or carbides; or

2. 5,000 ppm for complex compounds or single nitrides; and

c. Being any of the following:

1. Zirconia(CAS 1314-23-4) with an average particle size equal to or less than 1 μm and no more than 10% of the particles larger than 5 μm;

2. Other base materials with an average particle size equal to or less than 5 μm and no more than 10% of the particles larger than 10 μm; or

3. Having all of the following:

a. Platelets with a length to thickness ratio exceeding 5;

b. Whiskers with a length to diameter ratio exceeding 10 for diameters less than 2 μm; and

c. Continuous or chopped fibres less than 10 μm in diameter;

2. Non-"composite" ceramic materials composed of the materials described in 1E002.c.1;

Note: 1E002.c.2. does not control "technology" for the design or production of abrasives.

d. "Technology" for the "production" of aromatic polyamide fibres;

e. "Technology" for the installation, maintenance or repair of materials specified in 1C001;

f. "Technology" for the repair of "composite" structures, laminates or materials specified in 1A002, 1C007.c. or 1C007.d.;

Note: 1E002.f. does not control "technology" for the repair of "civil aircraft" structures using carbon "fibrous or filamentary materials" and epoxy resins, contained in aircraft manufacturers' manuals.

g. 'Libraries (parametric technical databases)' specially designed or modified to enable equipment to perform the functions of equipment specified in 1A004.c. or 1A004.d

Technical Note:

For the purpose of 1E002.g., the term 'library (parametric technical database)' means a collection of technical information, reference to which may enhance the performance of relevant equipment or systems.

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 to 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 to 1C118, 1D101 or 1D103.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 1D001, 1D101 or 1D103.

"Technology" for the regulation of temperature, pressure or atmosphere in autoclaves or hydroclaves, when used for the "production" of "composites" or partially processed "composites".

"Technology" relating to the "production" of pyrolytically derived materials formed on a mould, mandrel or other substrate from precursor gases which decompose in the 1,573 K (1,300°C) to 3,173 K (2,900°C) temperature range at pressures of 130 Pa to 20 kPa.

Note: 1E104 includes "technology" for the composition of precursor gases, flow-rates and process control schedules and parameters.

"Technology" according to the Technology Controls for the "development", "production" or "use" of items specified in 1A002, 1A202, 1A225 to 1A227, 1B201, 1B225 to 1B233, 1C002.b.3. or b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 to 1C240 or 1D201.

"Technology" according to the Technology Controls for the "development", "production" or "use" of items specified in 1A202 or 1A225 to 1A227.

"Technology" according to the Technology Controls for the "development", "production" or "use" of items specified in 1D201.

1장

부속서

부속서

폭발물 목록

1. ADNBF(aminodinitrobenzofuroxan or 7-amino-4,6-dinitrobenzofurazane- 1-oxide) (CAS 97096-78-1);

2. BNCP (cis-bis (5-nitrotetrazolato) tetra amine-cobalt (III) perchlorate) (CAS 117412-28-9);

3. CL-14 (diamino dinitrobenzofuroxan or 5,7-diamino-4,6- dinitrobenzo furazane-1-oxide ) (CAS 117907-74-1);

4. CL-20 (HNIW or Hexanitrohexaazaisowurtzitane) (CAS 135285-90-4); chlathrates of CL-20;

5. CP (2-(5-cyanotetrazolato) penta amine-cobalt (III) perchlorate) (CAS 70247-32-4);

6. DADE (1,1-diamino-2,2-dinitroethylene, FOX7)(CAS 145250-81-3);

7. DATB (diaminotrinitrobenzene) (CAS 1630-08-6);

8. DDFP (1,4-dinitrodifurazanopiperazine);

9. DDPO (2,6-diamino-3,5-dinitropyrazine-1-oxide, PZO)

(CAS 194486 -77-6);

10. DIPAM (3,3 -diamino-2,2 ,4,4 ,6,6 -hexanitrobiphenyl or dipicramide) (CAS 17215-44-0);

11. DNGU (DINGU or dinitroglycoluril) (CAS 55510-04-8);

12. Furazans as follows:

a. DAAOF (diaminoazoxyfurazan);

b. DAAzF (diaminoazofurazan) (CAS 78644-90-3);

13. HMX and derivatives, as follows:

a.HMX (Cyclotetramethylenetetranitramine, octahydro-1,3,5,7-tetranitro- 1,3,5,7-tetrazine, 1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetraza-cyclooctane, octogen or octogene) (CAS 2691-41-0);

b. difluoroaminated analogs of HMX;

c K-55 (2,4,6,8-tetranitro-2,4,6,8-tetraazabicyclo [3,3,0]-octanone-3, tetranitrosemiglycouril or keto-bicyclic HMX) (CAS 130256-72-3);

14. HNAD (hexanitroadamantane) (CAS 143850-71-9);

15. HNS (hexanitrostilbene) (CAS 20062-22-0);

16. Imidazoles as follows:

a. BNNII (Octahydro-2,5-bis(nitroimino)imidazo [4,5-d]imidazole);

b. DNI (2,4-dinitroimidazole) (CAS 5213-49-0);

c. FDIA (1-fluoro-2,4-dinitroimidazole);

d. NTDNIA (N-(2-nitrotriazolo)-2,4-dinitroimidazole);

e. PTIA (1-picryl-2,4,5-trinitroimidazole);

17. NTNMH (1-(2-nitrotriazolo)-2-dinitromethylene hydrazine);

18. NTO (ONTA or 3-nitro-1,2,4-triazol-5-one) (CAS 932-64-9);

19. Polynitrocubanes with more than four nitro groups;

20. PYX (2,6-Bis(picrylamino)-3,5-dinitropyridine) (CAS 38082-89-2);

21. RDX and derivatives, as follows:

a. RDX (cyclotrimethylenetrinitramine, cyclonite, T4, hexahydro-1,3,5 -trinitro-1,3,5-triazine, 1,3,5-trinitro-1,3,5-triaza-cyclohexane, hexogen or hexogene) (CAS 121-82-4);

b. Keto-RDX (K-6 or 2,4,6-trinitro-2,4,6-triazacyclohexanone)

(CAS 115029-35-1);

22. TAGN (triaminoguanidinenitrate) (CAS 4000-16-2);

23. TATB (triaminotrinitrobenzene) (CAS 3058-38-6);

24. TEDDZ (3,3,7,7-tetrabis(difluoroamine) octahydro-1,5-dinitro-1,5 -dia zocine);

25. Tetrazoles as follows:

a. NTAT (nitrotriazol aminotetrazole);

b. NTNT (1-N-(2-nitrotriazolo)-4-nitrotetrazole);

26. Tetryl (trinitrophenylmethylnitramine) (CAS 479-45-8);

27. TNAD (1,4,5,8-tetranitro-1,4,5,8-tetraazadecalin) (CAS 135877-16-6);

28. TNAZ (1,3,3-trinitroazetidine) (CAS 97645-24-4);

29. TNGU (SORGUYL or tetranitroglycoluril) (CAS 55510-03-7);

30. TNP (1,4,5,8-tetranitro-pyridazino[4,5-d]pyridazine)

(CAS 229176-04-9);

31. Triazines as follows:

a. DNAM (2-oxy-4,6-dinitroamino-s-triazine)(CAS 19899-80-0);

b. NNHT (2-nitroimino-5-nitro-hexahydro-1,3,5-triazine

(CAS 130400-13-4);

32. Triazoles as follows:

a. 5-azido-2-nitrotriazole;

b. ADHTDN (4-amino-3,5-dihydrazino-1,2,4-triazole dinitramide)

(CAS 1614-08-0);

c. ADNT (1-amino-3,5-dinitro-1,2,4-triazole);

d. BDNTA ([bis-dinitrotriazole]amine);

e. DBT (3,3 -dinitro-5,5-bi-1,2,4-triazole) (CAS 30003-46-4);

f. DNBT (dinitrobistriazole) (CAS 70890-46-9);

g. <삭제>

h. NTDNT (1-N-(2-nitrotriazolo) 3,5-dinitrotriazole);

I. PDNT (1-picryl-3,5-dinitrotriazole);

j. TACOT (tetranitrobenzotriazolobenzotriazole) (CAS 25243-36-1);

33. "Explosives" not listed elsewhere in this list having a detonation velocity exceeding 8,700 m/s, at maximum density, or a detonation pressure exceeding 34 GPa (340 kbar);

34. Organic "explosives" not listed elsewhere in this list yielding detonation pressures of 25 GPa (250 kbar) or more that will remain stable at temperatures of 523K (250oC) or higher, for periods of 5 minutes or longer;

35. Nitrocellulose (containing more than 12.5% nitrogen)(CAS 9004-70-0);

36. Nitroglycol (CAS 628-96-6);

37. Pentaerythritol tetranitrate (PETN) (CAS 78-11-5);

38. Picryl chloride (CAS 88-88-0);

39. 2,4,6-Trinitrotoluene (TNT) (CAS 118-96-7);

40. Nitroglycerine (NG) (CAS 55-63-0);

41. Triacetone Triperoxide (TATP) (CAS 17088-37-8);

42. Guanidine nitrate (CAS 506-93-4);

43. Nitroguanidine (NQ) (CAS 556-88-7).

ANNEX

LIST - "EXPLOSIVES"

1. ADNBF(aminodinitrobenzofuroxan or 7-amino-4,6-dinitrobenzofurazane- 1-oxide) (CAS 97096-78-1);

2. BNCP (cis-bis (5-nitrotetrazolato) tetra amine-cobalt (III) perchlorate) (CAS 117412-28-9);

3. CL-14 (diamino dinitrobenzofuroxan or 5,7-diamino-4,6- dinitrobenzo furazane-1-oxide ) (CAS 117907-74-1);

4. CL-20 (HNIW or Hexanitrohexaazaisowurtzitane) (CAS 135285-90-4); chlathrates of CL-20;

5. CP (2-(5-cyanotetrazolato) penta amine-cobalt (III) perchlorate) (CAS 70247-32-4);

6. DADE (1,1-diamino-2,2-dinitroethylene, FOX7)(CAS 145250-81-3);

7. DATB (diaminotrinitrobenzene) (CAS 1630-08-6);

8. DDFP (1,4-dinitrodifurazanopiperazine);

9. DDPO (2,6-diamino-3,5-dinitropyrazine-1-oxide, PZO)

(CAS 194486 -77-6);

10. DIPAM (3,3 -diamino-2,2 ,4,4 ,6,6 -hexanitrobiphenyl or dipicramide) (CAS 17215-44-0);

11. DNGU (DINGU or dinitroglycoluril) (CAS 55510-04-8);

12. Furazans as follows:

a. DAAOF (diaminoazoxyfurazan);

b. DAAzF (diaminoazofurazan) (CAS 78644-90-3);

13. HMX and derivatives, as follows:

a.HMX (Cyclotetramethylenetetranitramine, octahydro-1,3,5,7-tetranitro- 1,3,5,7-tetrazine, 1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetraza-cyclooctane, octogen or octogene) (CAS 2691-41-0);

b. difluoroaminated analogs of HMX;

c K-55 (2,4,6,8-tetranitro-2,4,6,8-tetraazabicyclo [3,3,0]-octanone-3, tetranitrosemiglycouril or keto-bicyclic HMX) (CAS 130256-72-3);

14. HNAD (hexanitroadamantane) (CAS 143850-71-9);

15. HNS (hexanitrostilbene) (CAS 20062-22-0);

16. Imidazoles as follows:

a. BNNII (Octahydro-2,5-bis(nitroimino)imidazo [4,5-d]imidazole);

b. DNI (2,4-dinitroimidazole) (CAS 5213-49-0);

c. FDIA (1-fluoro-2,4-dinitroimidazole);

d. NTDNIA (N-(2-nitrotriazolo)-2,4-dinitroimidazole);

e. PTIA (1-picryl-2,4,5-trinitroimidazole);

17. NTNMH (1-(2-nitrotriazolo)-2-dinitromethylene hydrazine);

18. NTO (ONTA or 3-nitro-1,2,4-triazol-5-one) (CAS 932-64-9);

19. Polynitrocubanes with more than four nitro groups;

20. PYX (2,6-Bis(picrylamino)-3,5-dinitropyridine) (CAS 38082-89-2);

21. RDX and derivatives, as follows:

a. RDX (cyclotrimethylenetrinitramine, cyclonite, T4, hexahydro-1,3,5 -trinitro-1,3,5-triazine, 1,3,5-trinitro-1,3,5-triaza-cyclohexane, hexogen or hexogene) (CAS 121-82-4);

b. Keto-RDX (K-6 or 2,4,6-trinitro-2,4,6-triazacyclohexanone)

(CAS 115029-35-1);

22. TAGN (triaminoguanidinenitrate) (CAS 4000-16-2);

23. TATB (triaminotrinitrobenzene) (CAS 3058-38-6);

24. TEDDZ (3,3,7,7-tetrabis(difluoroamine) octahydro-1,5-dinitro-1,5 -dia zocine);

25. Tetrazoles as follows:

a. NTAT (nitrotriazol aminotetrazole);

b. NTNT (1-N-(2-nitrotriazolo)-4-nitrotetrazole);

26. Tetryl (trinitrophenylmethylnitramine) (CAS 479-45-8);

27. TNAD (1,4,5,8-tetranitro-1,4,5,8-tetraazadecalin) (CAS 135877-16-6);

28. TNAZ (1,3,3-trinitroazetidine) (CAS 97645-24-4);

29. TNGU (SORGUYL or tetranitroglycoluril) (CAS 55510-03-7);

30. TNP (1,4,5,8-tetranitro-pyridazino[4,5-d]pyridazine)

(CAS 229176-04-9);

31. Triazines as follows:

a. DNAM (2-oxy-4,6-dinitroamino-s-triazine)(CAS 19899-80-0);

b. NNHT (2-nitroimino-5-nitro-hexahydro-1,3,5-triazine

(CAS 130400-13-4);

32. Triazoles as follows:

a. 5-azido-2-nitrotriazole;

b. ADHTDN (4-amino-3,5-dihydrazino-1,2,4-triazole dinitramide)

(CAS 1614-08-0);

c. ADNT (1-amino-3,5-dinitro-1,2,4-triazole);

d. BDNTA ([bis-dinitrotriazole]amine);

e. DBT (3,3 -dinitro-5,5-bi-1,2,4-triazole) (CAS 30003-46-4);

f. DNBT (dinitrobistriazole) (CAS 70890-46-9);

g. Not used

h. NTDNT (1-N-(2-nitrotriazolo) 3,5-dinitrotriazole);

I. PDNT (1-picryl-3,5-dinitrotriazole);

j. TACOT (tetranitrobenzotriazolobenzotriazole) (CAS 25243-36-1);

33. "Explosives" not listed elsewhere in this list having a detonation velocity exceeding 8,700 m/s, at maximum density, or a detonation pressure exceeding 34 GPa (340 kbar);

34. Organic "explosives" not listed elsewhere in this list yielding detonation pressures of 25 GPa (250 kbar) or more that will remain stable at temperatures of 523K (250oC) or higher, for periods of 5 minutes or longer;

35. Nitrocellulose (containing more than 12.5% nitrogen)(CAS 9004-70-0);

36. Nitroglycol (CAS 628-96-6);

37. Pentaerythritol tetranitrate (PETN) (CAS 78-11-5);

38. Picryl chloride (CAS 88-88-0);

39. 2,4,6-Trinitrotoluene (TNT) (CAS 118-96-7);

40. Nitroglycerine (NG) (CAS 55-63-0);

41. Triacetone Triperoxide (TATP) (CAS 17088-37-8);

42. Guanidine nitrate (CAS 506-93-4);

43. Nitroguanidine (NQ) (CAS 556-88-7).

2A

2A001

(IL2.A.1)

2A001.a

(IL2.A.1.a)

(MT3A.7)

2A001.b

(IL2.A.1.b)

(MT3A.7)

2A001.c

(IL2.A.1.c)

2A225

(NR2.A.1)

2A225.a

2A225.b

2A225.c

2A226

(NR3.A.3)

2B

(IL2.B)

2B001

(IL2.B.1)

2B001.a

(IL2.B.1.a)

(NR1.B.2.a)

2B001.b

(IL2.B.1.b)

(NR1.B.2.b)

2B001.b.1

2B001.b.2

2B001.b.3

2B001.b.4

2B001.c

(IL2.B.1.c)

(NR1.B.2.c)

2B001.c.1

2B001.c.2

2B001.d

(IL2.B.1.d)

(NR1.B.2.d)

2B001.e

(IL2.B.1.e)

2B001.f

(IL2.B.1.f)

2B002

(IL2.B.2)

2B003

(IL2.B.3)

2B004

(IL2.B.4)

(NR1.B.5)

(MT6B.3)

2B005

(IL2.B.5)

2B005.a

2B005.b

2B005.c

2B005.d

2B005.e

2B005.f

2B005.g

2B006

(IL2.B.2)

(NR1.B.3)

2B006.a

2B006.b

2B006.b.1

2B006.b.1.a

2B006.b.1.b

2B006.b.1.c

2B006.b.1.d

2B006.b.2

2B006.c

2B007

(IL2.B.7)

2B007.a

2B007.b

2B007.c

2B007.d

2B008

(IL2.B.8)

2B008.a

2B008.b

2B008.c

2B009

(IL2.B.9)

(MT3B.3)

(NR1.B.1)

2B104

(MT6B.3)

2B105

(MT6B.4)

2B109

(MT3B.3)

(NR1.B.1)

2B109.a

2B109.b

2B116

(MT15B.1)

(NR1.B.6)

2B116.a

2B116.b

2B116.c

2B116.d

2B117

(MT6B.5)

2B119

2B119.a

(MT9B.2.a)

2B119.b

(MT9B.2.b)

2B120

(MT9B.2.c)

2B121

(MT9B.2.d)

2B122

(MT9B.2.e)

2B201

2B201.a

(NR1B.2.b)

2B201.a.1

2B201.a.2

2B201.b

(NR1B.2.c)

2B201.b.1

2B201.b.2

2B204

(NR1.B.5)

2B204.a

2B204.b

2B206

2B206.a

(NR1.B.3.a)

2B206.b

(NR1.B.3.d)

2B207

2B207.a

(NR1.A.3.a.1)

2B207.b

(NR1.A.3.b)

2B209

(NR1.B.1)

2B209.a

2B209.b

2B219

(NR3.B.3)

2B219.a

2B219.b

2B225

(NR1.A.4)

2B225.a

2B225.b

2B226

(NR1.B.4)

2B226.a

2B226.b

2B227

(NR1.B.7)

2B227.a

2B227.b

2B227.c

2B228

(NR3.B.2)

2B228.a

2B228.b

2B228.c

2B230

(NR3.A.7)

2B231

(NR3.A.8)

2B232

(NR5.B.2)

2B350

(AG2.Ⅰ)

2B350.a

2B350.b

2B350.c

2B350.d

2B350.e

2B350.f

2B350.g

2B350.h

2B350.i

2B350.j

2B351

(AG2.Ⅱ)

2B351.a

2B351.b

2B352

(AG3)

2B352.a

2B352.b

2B352.c

2B352.d

2B352.d.1

2B352.d.2

2B352.e

2B352.f

2B352.f.1

2B352.f.2

2B352.g

2B352.h

2B352.h.1

2B352.h.2

2B352.h.3

2B352.i

2C

2D

2D001

(IL2.D.1)

(MT3D)

(NR)

2D002

(IL2.D.2)

(NR1.D.3)

2D003

(IL2.D.2)

(NR1.D.3)

2D101

(MT3D.1)

(MT6D.2)

(MT15D.1)

(NR1.D.1)

2D201

(NR)

2D202

(NR)

2D351

(AG.2.IV)

2E

2E001

(IL2.E.1)

(MT)

(NR)

(AG)

2E002

(IL2.E.2)

(MT)

(NR)

(AG)

2E003

(IL2.E.3)

2E003.a

2E003.b

2E003.b.1

2E003.b.2

2E003.c

2E003.d

2E003.e

2E003.f

2E101

(MT)

(NR)

2E201

(NR)

2E301

(AG)

표

표

(계속)

표

(계속)

표

(계속)

표

(계속)

표

(계속)

표-주

표-주

(계속)

표-주

(계속)

표-주

(계속)

표-주

(계속)

표-주

(계속)

표-주

(계속)

표-주

(계속)

제2부  소재가공

시스템, 장비 및 부품

주의: 저소음 베어링은 군용물자 통제목록 참고

저마찰 베어링과 베어링 시스템으로서 다음과 같은 것, 그리고 이들의 부품

주: 2A001에서 ISO 3290 5등급 이하(제조사에 의해 규정된)의 공차를 가진 볼은 통제하지 않는다.

a. 볼베어링 및 롤러 베어링으로서, ISO 492 공차등급 4(또는 국내 동등 규격) 이상의 공차를 갖고,  모넬 또는 베릴륨으로 제작된 링 내외륜과 구름요소(Rolling Elements)(ISO5593)를 갖는 것

주: 2A001.a.에서 테이퍼 롤러베어링은 통제하지 않는다.

b. <삭 제>

c. 능동마그네틱 베어링 시스템으로 다음 중 하나를 이용한 것

1. 항복강도가 414MPa을 초과하고 자속밀도(Flux density)가 2.0T 이상인 재료

2. 전(全)-전자식의 3차원 단극편향 여자(勵磁)방식의 액츄에이터

3. 450K (177℃) 이상의 고온 위치센서를 사용한 것

액체 악티나이드(actinide) 금속에 대해 내구성을 지닌 물질로 만들어진 내성로(crucible)로서 다음의 것

a. 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 내성로

1. 체적이 150cm3～ 8,000cm3의 것

2. 98중량% 이상의 순도로서 다음의 물질로 만들어지거나 코팅된 것

a. 불화칼슘(Calcium fluoride, CaF2)

b. 메타지르콘산칼슘(metazirconate, CaZrO3)

c. 황화세륨(Cerium sulfide, Ce2S3)

d. 산화에르븀(erbia, Er2O3)

e. 산화하프늄(Hafnium oxide (hafnia), HfO2)

f. 산화마그네슘(Magnesium oxide, MgO)

g. 질화 니오브-티타늄-텅스텐 합금(약 50% Nb, 30% Ti, 20% W)

h. 산화이트늄(yttria), Y2O3)

i. 산화지르코늄(zirconia), ZrO2)

b. 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 내성로

1. 체적 50cm3～ 2,000cm3

2. 99.9중량% 이상의 순도를 가지는 탄탈륨(tantalum)으로 만들어지거나 라이닝(lined)된 것

c. 다음의 특성을 모두 구비하는 내성로

1. 체적 50cm3～ 2,000cm3

2. 98중량% 이상의 순도를 가지는 탄탈륨(tantalum)로 만들어지거나 라이닝(lined)된 것

3. 탄탈륨 카바이드(tantalum carbide), 질화물(nitride), 붕소화물(boride) 또는 이들의 혼합물로 코팅된 것

밸브 중 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. ‘호칭치수’가 5mm 이상이고,

b. 벨로우즈 밀봉(bellows seal)을 갖고 있으며,

c. 알루미늄, 알루미늄 합금, 니켈 또는 60중량% 초과의 니켈을 함유한 니켈합금으로 밸브 전체가 만들어지거나 라이닝된 것

기술해설 :

입구와 출구의 직경이 서로 다른 밸브에 대해서 2A226의 ‘호칭치수(norminal size)’는 가장 작은 직경을 적용한다.

시험, 검사 및 생산장비

기술해설:

1. 제2의 평행 윤곽제어축(예, 수평보링머신에서의 w축 또는 주  회전축에 중심선이 평행인 제2의 회전축)은 전체 윤곽제어축 수에 포함되지 않는다. 회전축은 360° 초과하여 회전할 필요가 없으며, 선형(구동)장치 (예, 스크류 또는 래크와 피니온)에 의하여 구동될 수 있다.

2. 2B의 “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축의 수는 가공 시에 공작물과 공구 사이에 동시적으로 상호연관된 운동이 일어나는 축의 수이다. 여기에는 다음과 같은, 기계내부에서 상대적 운동이 발생하는 부가축은 포함되지 아니한다.

a. 연삭기의 휠드레싱 시스템

b. 개별의 가공품들의 장착을 위해 설계된 평행 회전축

c. 동일 공작물을 다른 쪽 끝단에서 척(chuck)에 물려 조작할 수 있도록 설계한 동심의 회전축

3. 축의 용어는 ‘수치제어기계의 축과 구동에 대한 용어’의 국제 표준 ISO 841에 따라야 한다.

4. 2B001~2B009에서 “경사스핀들(tilting spindle)”은 회전축으로 간주된다.

5.  표기된 위치정밀도 수준은 개별 기계시험이 아니라 각 공작기 계 모델에 대한 ISO 230/2 (2006)나 국내 동등 규격에 따라 측정된다. 표기된 위치 정밀도는 어느 특정 기계모델의 정밀도 표시로서 국가공인기관에 인정한 정밀도 수치를 말한다.

6. 2B에서 ISO 230/2 (2006) 또는 국내 동등규격에 의한 정의와 같이 공작기계의 위치 정밀도에 대한 측정 불확실성은 고려하지 않는다.

표기정밀도의 결정

a. 평가할 모델중 기계 5개를 선정한다.

b. ISO 230/2  (2006)에 따라 각 직선축의 정밀도를 측정한다.

c. 각 기계의 각 축에 대한 A값을 결정한다. A값을 계산하는 방법은 ISO 표준에 설명되어 있다.

d. 각 축의 A값의 평균치를 결정한다. 이러한 평균값[eqn: rm bar A]가 해당모델의 각축의 표기  정밀도가 된다([eqn: rm bar A]x [eqn: rm bar A]y ...).

e. 제2부의 목록은 각 직선축에 해당되므로 직선축의 개수만큼의 표기 정밀도를 갖는다.

f. 2B001.a.～2B001c. 또는 2B201에 의하여 통제되지 않는 공작기계 모델의 축 중에서 표기 정밀도 Â가 연삭기에 대하여 6μm, 밀링머신이나 터닝머신에 대하여 8μm 보다 우수하다면, 공작기계 제조자는 매 18개월마다 정밀도 수준을 재측정해야 한다.

제조자의 기술사양서(specification)에 따라 “수치제어”를 위한 전자장치를 장착할 수 있는, 금속, 세라믹 또는 “복합재료”를 제거 또는 절삭하기 위한 다음의 공작기계와 이들의 결합으로 이루어 진 것

주의: 2B201 참고

주1: 2B001은 기어 제조용으로 국한된 특수목적의 공작기계는 통제하지 않는다. 이러한 기계에 대해서는 2B003참고

주2: 2B001은 다음 중 어느 하나의 부품제조용으로 국한된 특수목적의 공작기계는 통제하지 않는다.

a. 크랭크축 또는 캠축

b. 공구 또는 절삭공구(커터)

c. 압출기 웜(worm)

d. 조각된 보석 부품, 또는

e. 치과 보철물

주3: 터닝, 밀링, 연삭의 3가지 기능 중 최소한 2가지를 가지고 있는 공작기계(예, 밀링 기능이 있는 터닝머신)는 2B001.a, b, c에 각각 해당될 가능성이 있는지 평가해야 한다.

주의. 광학다듬질 공작기계는 2B002 참조

a. 터닝가공 공작기계로 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 ISO 230/2  (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 6㎛ 이하(같거나 더 우수한)이고,

2. “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 2개 이상인 것

주: 2B001.a.는 콘택트렌즈(Contact Lens) 제조용으로 특별히 제작된 터닝머신으로 다음의 특성을 모두 가진 것은 통제하지 않는다.

1. 부품 프로그래밍 데이터 입력용 소프트웨어에 기반한 안과용에 한정된 기계제어장치; 그리고

2. 진공 척킹(chucking) 능력이 없는 것

b. 밀링가공 공작기계로 다음 특성 중 하나를 갖는 것

1.  다음 특성을 모두 갖는 것

a. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 6㎛ 이하(보다 우수한)이고,

b. “윤곽제어”를 위해 동시 제어될 수 있는 3개의 직선 축과 1개의 회전축을 갖는 것

2.  “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 5개 이상인 것, 또는

3. 지그보링머신(Jig Boring Machine)의 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 4㎛ 이하(같거나 더 우수한)인 것, 또는

4. 플라이 컷팅 머신(Fly Cutting Machine)으로서 다음 특성을 모두 갖는 것

a. 스핀들의 “런 아웃”("run-out")과 “캐밍”("camming")이 0.0004mm TIR 미만(보다 우수한)이고,

b. 300mm 초과 이송거리에서 이송계의 각운동(요, 피치, 롤) 편차가 2아크초(arc second) TIR 미만(보다 우수한)인 것

c. 연삭가공 공작기계로서 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

1.  다음 특성을 모두 갖는 것

a. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 4㎛ 이하(같거나 더 우수한)이고,

b. “윤곽제어”를 위해 동시 제어될 수 있는 축이 3개 이상인 것

2.  “윤곽제어”를 위해 동시 제어될 수 있는 축이 5개 이상인 것

주  2B001.c에서 다음의 연삭기는 통제하지 않는다.

1. 원통내면, 외면 그리고 내․외면 연삭기로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. 용도가 원통연삭에만 한정되고

b. 최대가공 외경 또는 길이가 150mm 이하인 것

2. 지그전용 연삭기로 특별히 설계된 기계로서 z축 또는 w축이 없고 ISO 230/2 (2006)나 국내 동등 규격에 따라 ”모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 4㎛ 미만(보다 우수한)의 것

3. 표면 연삭기

d. 와이어를 사용하지 않는 방전가공기(EDM)로 “윤곽제어”를 위해 동시에 제어할 수 있는 회전축이 2개 이상인 것

e. 금속, 세라믹 또는 “복합재료”를 제거하기 위한 공작기계로서 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 다음 중 어느 하나의 방법에 의해 소재를 제거하는 것

a. 물 또는 기타 유체제트에 의한 것으로 연마제를 사용하는 것을 포함

b. 전자빔, 또는

c. “레이저”빔, 그리고

2.  다음 특성을 모두 갖는 회전축이 최소 2개인 것

a. “윤곽제어”를 위해 동시에 조정될 수 있고,

b. 위치정밀도가 0.003° 미만(보다 우수한)의 것

f. 심공드릴머신 또는 심공드릴용으로 개조된 터닝머신으로 최대 가공(천공) 깊이가 5m를 초과하는 것

비구면 광학표면 가공을 위해 선택적으로 소재를 제거할 수 있는 광학다듬질(optical finishing) 공작기계로, 다음의 특징을 모두 갖는 것

a. 1.0㎛ 미만인(보다 우수한) 형태로 다듬질,

b. 100nm rms 미만인(보다 우수한) 거칠기로 다듬질,

c. "윤곽제어"를 위해 동시제어될 수 있는 축의 수가 4개 이상이고

d. 다음 공정 중 하나에 해당되는 것

1. 자기유동다듬질(Magnetorheological finishing (MRF))

2. 전기유동다듬질(Electrorheological finishing (ERF))

3. 에너지입자빔다듬질(Energetic particle beam finishing)

4. 팽창멤브레인툴다듬질(Inflatable membrane tool finishing);

5. 유체제트다듬질(Fluid jet finishing).

기술해설 :

2B002를 대상으로 할 때 :

1. 'MRF'는 재료 제거 공정으로서 점성이 자기장에 의해 제어되는 연마 자성유체를 사용한다.

2.'ERF'는 점성이 전기장에 의해 제어되는 연마유체를 사용하는 제거공정이다.

3. ‘에너지입자빔다듬질’은 선택적으로 물질을 제거하기 위해 활성원자플라즈마(Reactive Atom Plasma (RAP)) 또는 이온빔을 사용한다.

4. '팽창멤브레인툴다듬질'은 좁은 범위에서 작업물에 접촉하기 위해 변형되는 기밀(氣密)의 멤브레인을 사용하는 공정이다

5. '유체제트다듬질'은 재료를 제거하기 위해 유체의 분출을 이용한다.

피치 직경이 1,250mm를 초과하고 치폭이 피치 직경의 15% 이상이며 경화된(Rc=40 이상) 평기어, 헬리컬 기어 및 더블 헬리컬 기어를 AGMA 14 (ISO 1328 등급 3과 동등한 것)와 같거나 보다 정밀하게 쉐이빙(shaving), 다듬질(finishing), 연삭(grinding), 호닝(honing)하기 위해 설계된 “수치제어” 또는 수동 공작기계와 이를 위해 특별히 설계된 부품, 제어장치 및 그 부품

열간 “정수압 프레스”로서 다음 특성을 모두 갖는 것과 이를 위해 특별히 설계된 부품과 부속품

주의: 2B104와 2B204 참고

a. 밀폐 공간 내에서 온도제어가 가능하고 내경이 406mm 이상인 챔버 공간을 갖는 것

b. 다음 중 하나의 특징을 갖는 것

1. 최대 작동압력이 207MPa 초과

2. 1,773K(1,500℃)를 초과하는 온도환경제어가 가능한 것

3. 탄화수소의 주입 및  퇴화된 기체 생성물 제거장치

기술해설:

챔버 내부크기란 가공온도와 가공압력이 도달될 수 있는 크기로서 고정장치는 포함하지 않는다. 그 크기는 압력 챔버의 내부직경 또는 절연로 챔버의 내부 직경 중 작은 것으로 하며, 어느 챔버가 다른 것의 안쪽에 있느냐에 따라 정해진다.

주의: 특수설계된 금형(다이), 몰드 및 공구세공에 대하여는 1B003, 9B009. 및 군용물자 통제목록을 참조할 것

비전자 기판(non-electronic substrate)에 무기 도금(overlay), 코팅 및 표면 개질의 침착(deposition), 처리(processing), 공정 중(in-process) 제어 위해 특별히 설계된 장비로서 2E003.f의 표와 관련 주에 의한 공정을 하는 것과 이에 특별히 설계된 자동 핸들링, 위치 조정, 조작, 제어용 부품

a. 화학기상증착(CVD) 생산 장비로서 다음 특성을 모두 갖는 것

주의: 2B105 참고

1. 다음 중 하나를 위해 수정된 공정

a. 맥동 CVD

b. 핵형성 제어 열증착(CNTD)

c. 플라즈마 강화 또는 플라즈마 원조 CVD

2. 다음 중 어느 하나를 구비한 것

a. 고진공(0.01Pa 이하) 회전 실(seal)을 구비

b. 현장(in situ) 코팅두께 제어기능 구비

b. 빔 전류 크기가 5mA 이상인 이온주입 생산 장비

c. 80kW를 초과한 전원장치를 가진 전자빔 물리기상증착(EB-PVD) 생산 장비로서 다음 중 하나를 장착한 것

1. 강괴(ingot)의 이동속도를 정확히 조절하는 '레이저' 이용 액체 풀 수위(liquid pool level) 제어 시스템

2. 둘 이상의 원소가 포함된 코팅의 증착속도를 제어하기 위해서 증기 흐름내 이온화 원자의 발광 원리로 동작되는 컴퓨터 제어 비율분석 모니터

d. 플라즈마 분사 생산장비로서 다음 특징 중 어느 하나를 구비한 것

1. 분사공정 이전에 0.01Pa까지 감압될 수 있는 진공챔버 내에서 감압조절 환경(노즐 출구로부터 300mm 이내에 그리고 그 위에서 측정된 압력이 10kPa 이하)에서 동작하는 것

2. 현장(in situ) 코팅두께 제어기능 구비

e. 15㎛/h 이상의 증착속도에서 전류 밀도가 0.1mA/mm² 이상인 스퍼터(sputter)증착 생산장비

f. 음극아크의 방향을 조절할 수 있는 전자기(電磁) 그리드를 갖춘 음극아크 증착 생산장비

g. 이온도금 생산 장비로서 다음 특징 중 하나의 현장(in situ) 측정이 가능한 것

1. 기판(substrate)위의 코팅 두께와 속도에 대한 제어, 또는

2. 광학적 특징

주: 2B005는 공구를 절삭하거나 가공하기 위해 특별히 설계된 화학기상증착장비, 음극아크, 스퍼터증착, 이온도금 또는 이온 주입장비를 통제하지는 않는다.

치수검사 또는 치수측정 시스템과 장치 그리고 전자조립품으로 다음의 것

a. 컴퓨터로 제어되거나 “수치제어”되는 3차원측정기(CMM)로서, 장비의 작동범위 내의 어느 점에서나 3차원 최대허용오차(E0,MPE ,maximum permissible error of length measurement)가 ISO 10360-2 (2009)에 따라 1.7+L/1,000㎛ 이하인(같거나 우수한) 것 (L은 측정길이(mm))

주의: 2B206 참고

기술해설

제조자가 명시한 최적(예: 탐침, 촉침 길이, 동작 파라미터, 주위 환경 등의 최적 상태)의 E0,MPE 와 “모든 가능한 보정”은 1.7 + L/1,000μm 값과 비교되어야 함

b. 직선 및 각 변위 측정기로 다음의 것

1. 직선 변위 측정기로 다음의 특성 중 하나에 해당되는 것

주: 변위측정 ‘레이저' 간섭계는 2B006.b.1.c.에 의해서만 통제된다.

기술해설:

2B006.b.1.에서의 ‘직선변위’는 측정용 탐침과 측정물 사이의 거리변화를 의미한다.

a. 비접촉형 측정시스템으로서 0.2mm까지의 측정범위 내에서 “분해능”이 0.2㎛ 이하인(같거나 더 우수한) 것

b. 선형전압 차동변압기(LVDT) 시스템으로서 다음의 모든 특성을 구비한 것

1. 5mm까지의 측정범위내에서 0.1% 이하인(같거나 더 우수한) “선형성”

2. ±1K 범위 내의 표준실내온도에서 측정한 경우에 편류율(drift)이 1일당 0.1% 이하인(같거나 더 우수한) 것

c. 측정 시스템으로서 다음 특성을 모두 구비한 것

1. “레이저”를 포함하고

2. 20±1°C 온도에서 다음 모두의 특성을 최소 12시간 이상 유지할 수 있는 것

a. 전측정범위(full scale)에서 “분해능”이 0.1㎛ 이하

b. 공기 굴절률을 보정하였을 때, “측정오차”가 (0.2+L/2,000)㎛ 이하일 수 있는 것(L은 측정길이 mm)

d. 2B006.b.1.c.에서 통제하는 시스템에서 피드백능력을 제공하도록 특별히 설계된 “전자조립품”

주: 2B006.b.1은 공작기계, 치수검사기 또는 유사장비의 이송오차를 측정하는 레이저 간섭계 중, 피드백이 없는 제어시스템을 장착한 것은 통제하지 않는다.

2.  각 변위 측정기로서 “각 위치 편차” 0.00025°이하인(같거나 더 우수한) 것

주: 2B006.b.2는 거울의 각 변위를 검출하기 위해 시준된(collimated) 빛(예, 레이저 광선)을 사용하는 광학기구(Auto-Collimater와 같은 장비)는 통제하지 않는다.

c. 광산란을 이용하여 0.5nm 이하의(같거나 더 우수한) 감도(sensitivity)를 가지고 표면결함(surface defects)를 포함한 표면거칠기(surface roughness)를 측정하는 장비

주:  2B001에서 통제되지 않는 공작기계로서, 2B006의 측정기 통제기준을 충족하여 측정기로도 사용될 수 있는 공작기계도 통제된다.

“로봇”으로 다음 중 하나의 특성을 갖는 것과, 이를 위해 특별히 설계된 제어장치와 “엔드이펙터”를 가진 것

주의: 2B207 참고

a. “프로그램”을 생성 또는 수정하거나 수치프로그램 데이터를 생성 또는 수정하기 위하여 완전한 삼차원의 실시간 영상처리 또는 화상분석이 가능한 것

기술해설:

‘화상분석’의 한계는 주어진 각도에서 관찰할 때 삼차원 근사치나, 인증된 작업(2 1/2 D)에서 깊이나 조직(texture)을 알기 위한 제한된 그레이스케일 변환은 포함하지 않는다.

b. 폭발가능한 군수품 환경에 적용되도록 국가안전규격에 맞추어 특수 설계된 것

주: 2B007.b는 페인트 도장용으로 전용설계된 ‘로봇’은 통제하지 않는다.

c. 작업성능의 저하없이 5×103Gy(si) 초과의 방사능에 견딜 수 있도록 특별히 설계되거나 방사능적으로 경화된 것

기술해설:

Gy(silicon)는 이온방사선에 노출되었을 때 껍질이 벗겨진 실리콘 샘플이 흡수되는 킬로그램 당 줄(Joule)에너지를 뜻한다.

d. 고도 30,000m 초과에서 작동되도록 특별히 설계된 것

공작기계를 위해 특별히 설계된 조립체 또는 유닛, 치수검사시스템, 측정시스템과 장비로서 다음의 것

a. 선형위치피드백장치로서 전체 정밀도가 (800+(600×L/1000))nm 미만인(보다 우수한) 것 (L은 유효길이로서 mm 단위)

주의: “레이저” 시스템에 관해서는 2B006.b.1.c와 2B006.b.1.d 참조

b.회전 위치 피드백장치로서 “정밀도”가 0.00025° 미만인(보다 우수한) 것

주의: “레이저” 시스템에 관해서는 2B006.b.2 참조

주: 2B008.a와 2B008.b의 콘트롤 장치는  유도형 장치, 눈금스케일, 적외선 시스템 또는 '레이저" 시스템과 같이 피드백 제어를 위한 위치 정보를 결정하기 위해 설계된 것이다.

c. 제조자의 사양서에 따라, 2B에서 규정된 수준이상의 공작기계로 성능을 향상시킬 수 있는 “복합 회전테이블”, “경사스핀들”

제작자의 기술사양서에 의거, “수치제어” 유닛 또는 컴퓨터제어기가 장착될 수 있는 회전성형기, 유동성형기로서 다음 모두를 가지고 있는 것

주의: 2B109와 2B209 참고

a. 3개 이상의 제어축을 가지고 있고  “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 것

b. 한 개의 롤러의 힘이 60kN을 초과하는 것

기술해설:

회전성형과 유동성형 기능을 겸하고 있는 기계는 2B009에서는 유동성형기로 간주한다.

2B004에서 통제하지 않는 "정수압프레스“로 다음 특징을 모두 갖는 것

주의: 2B204 참고

a. 최대 작동압력이 69MPa 이상

b. 873K(600℃) 이상의 온도환경을 유지할 수 있도록 설계된 것

c. 챔버 내부직경이 254mm 이상

탄소-탄소 복합재의 고밀도화를 위해 설계되거나 개조된 화학기상증착로(CVD furnace)로서 2B005에서 통제하지 않는 것

유동성형기 및 이를 위해 특별히 설계된 부품으로 2B009에서 통제하지 않은 것

주의: 2B009 참고

a. 유동성형기로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

1. 제조자의 기술사양서에 따라 추후에 수치제어장치 또는 컴퓨터제어장치가 부착될 수 있는 것과

2. 윤곽제어를 위해 동시제어 가능한 축이 2개 이상인 것

b. 2B009 또는 2B109.a의 유동성형기를 위하여 특별히 설계된 부품

주:     2B109는 9A005, 9A007.a. 또는 9A105.a.에 명시된 추진체 부품과 장비(예, 모터 케이스)의 생산에 사용되지 않는 기계는 통제하지 않는다.

기술해설 : 회전성형과 유동성형기능을 겸하고 있는 기계는 2B109에서는 유동성형기로 간주한다.

진동시험시스템, 장비와 그 부품으로서 다음의 것

a. 피드백 혹은 폐쇄회로 기법을 사용하고 디지털 제어기를 가진 진동시험장비로서, ‘bare table’ 측정에서 50kN 이상의 힘을 전달하는 동안 주파수 범위 20Hz ~ 2,000Hz 사이의 전 영역에서 10g rms 이상의 가속도로 진동시킬 수 있는 것

b. 디지털 제어기로서 전용 설계된 진동시험 소프트웨어를 장착하고 실시간 제어 대역폭(bandwidth)이 5kHz 초과이며 2B116.a에 제시된 진동시험시스템과 함께 사용하기 위해 설계된 것

기술해설:

2B116.a에서 '실시간  제어 대역폭'은 데이터 샘플링, 처리, 제어신호 송신의 완전한 주기를 실행할 수 있는 제어기의 최대율을 뜻한다.

c. 가진기(vibration thruster)로서 증폭기 장착여부에 관계없이 피진동체에 미치는 힘이 ‘bare table’ 측정에서 50kN 이상으로 2B116.a항의 진동시험 시스템에 사용할 수 있는 것

d.  시험체 지지구조물(test piece support structures) 및 전자장치로서 다수의 가진기를 결합하여 ‘bare table’ 측정에서 유효결합력 50kN 이상을 가할 수 있는 완전한 가진 장치를 구성할 수 있도록 설계된 것으로서 2B116.a의 진동시험시스템에 사용가능한 것

기술해설

2B116에서, ‘bare table’이란 고정구나 fitting이 없는 평평한 테이블, 또는 표면을 말한다.

복합재 로켓 노즐과 재진입체 첨두(nose tip)의 고밀도화와 열분해를 위하여 설계되거나 개조된 장비와 공정제어기술로서 2B004, 2B005.a, 2B104 또는 2B105에 통제하지 않은 것

밸런싱 머신과 관련 장비로서 다음의 것

주의: 2B219 참고

a. 다음 특성을 모두 갖는 밸런싱 머신

1. 3kg을 초과하는 로터/조립체를 밸런스 할 수 없는 것

2. 12,500rpm 초과하는 속도로 회전하는 로터/조립체를 밸런스 할 수 있는 것

3. 2개 평면 이상의 불균형을 교정할 수 있는 것

4. 로터 질량 1kg 당 0.2gmm까지의 잔여비불균형을 밸런싱할 수 있는 장비

주 : 2B119.a는 치과 또는 기타 의료장비용으로 설계되거나 개조된 밸런싱머신은 통제하지 않는다.

b. 2B119.a의 기계용으로 사용하기 위해 설계되거나 개조된 지시계 헤드(밸런싱 계측장치)

기술해설 :

지시계 헤드는 때로는 밸런싱 계측장비로 알려져 있다.

다음 특성을 모두 갖는 모션 시뮬레이터 및 각속도(rate) 테이블

a.  2축 이상

b. 슬립링 또는 전압이나 신호정보를 전달할 수 있는 통합 비접촉장치를 갖추도록 설계되거나 개조된 것;

c. 다음 특성 중 어느 하나를 갖는 것

1. 어떤 한 축에 대해서 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. 각속도 400도/초 이상 또는 30도/초 이하이고

b. 각속도 분해능 6도/초 이하이고 정확도 0.6도/초 이하

2. 10도 이상의 범위에서 최악의 경우에도 각속도 안정성이 평균적으로 ±0.05% 이하인 것

3. 위치제어 정확도가 5 아크 초 이하인(같거나 더 우수한) 것

주 1 : 2B120은 공작기계 또는 의료장비용으로  설계되거나 개조된 회전테이블은 통제하지 않는다. 공작기계 회전테이블의 통제는 2B008 참고

주 2 : 2B120에서 통제하는 모션 시뮬레이터나 레이트 테이블은 수출 당시 슬립링 또는 통합비접촉 장치의  장착여부와 관계없이 통제된다.

위치제어 테이블(어느 한 개의 축이라도 정밀 회전 위치제어가 가능한 장비)로서 다음 특성을 모두 갖으며 2B120에서 통제하지 않는 것

a. 2축 이상이고

b. 위치제어  정확도-가 5 아크 초 이하인(같거나 더 우수한) 것

주 : 2B121은 공작기계 또는 의료장비용으로 설계되거나 개조된 회전테이블은 통제하지 않는다. 공작기계 회전테이블의 통제는 2B008 참조

원심가속도 시험기(Centrifuges)로 100g 초과의 가속도를 발생시킬 수 있고, 슬립링 또는 전압이나 신호정보를 전달할 수 있는 통합 비접촉 장치를 갖추도록 설계되거나 변형된 것

주  :  2B122에서 통제하는 원심가속도 시험기는  수출 당시 슬립링 또는 통합비접촉 장치의  장착여부와 관계없이 통제된다.

제조업자의 기술적 사양에 따라 두개 또는 그 이상의 축에 동시 “윤곽제어”할 수 있는 전자장치를 장착할 수 있는 금속, 세라믹 또는 “복합재료” 절삭용 또는 제거용 공작기계와 그 부품으로서 2B001에서 통제하지 않는 것

a. 밀링가공 공작기계로서 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

1. 위치정밀도가 ISO 230/2 (1988)1)이나 국내 동등 규격에 따라 어느 한 개의 직선축이라도 6μm 이하로(같거나 더 우수한) “보정된” 위치 정밀도

2. 2개 이상의 윤곽 회전축을 갖는 것

주: 2B201.a.에서는 다음 특성을 모두 지닌 밀링머신은 통제하지 않는다.

a. x축 이송이 2m를 초과

b. ISO 230/2(1988)에 따라 30μm 초과(보다 열악한) x축 전체의 “위치 정밀도”

b. 연삭가공 공작기계로서 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

1. ISO 230/2(1988) 또는 국내 동등 규격에 따라 어느 한 개의 직선축이라도 4μm 이하(같거나 더 우수한)로 “보정된” 위치 정밀도

2. 2개 이상의 윤곽 회전축을 갖는 것

주: 2B201.b에서는 다음 연삭기를 통제하지 않는다.

a. 원통형 외면, 내면 및 외면/내면 연삭기들로서 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 최대 가공물의 외경 또는 길이가 150mm로 한정된 것

2. x, z, c 축만 갖는 것

b. 지그 연삭기로서, z축 또는 w축이 없고  ISO 230/2 (1988) 또는 국내 동등 규격에  따라 전위치정밀도가 4μm 미만(보다 우수한) 것

주 1 : 2B201은 다음 중 어느 하나의 부품제조용으로 국한된 특수목적의 공작기계는 통제하지 않는다.

a. 기어

b. 크랭크축 또는 캠축

c. 공구 또는 절삭공구(커터)

d. 돌출 웜(worm)

주 2 : 터닝, 밀링, 연삭의 3가지 기능 중 최소 2가지를 가진 공작기계(예: 밀링 능력을 가진 터닝 머신)는 2B001.a 또는 2B201.a 또는 b에 대해 반드시 평가해야 함

“정수압 프레스“와 그 관련 장비로 2B204 또는 2B104에서 통제하지 않는 것으로서 다음의 것

a. 다음의 2가지 특성을 모두 가진 “정수압 프레스“

1. 최대운전압력 69MPa 이상인 것

2. 내경이 152mm를 초과하는 챔버

b. 2B204.a에서 통제하는 “정수압 프레스“를 위하여 특별히 설계된 금형, 주형 및 제어장치

기술해설: 챔버 내부크기란 가공온도와 가공압력이 도달될 수 있는 크기로서 고정장치는 포함하지 않는다. 그 크기는 압력 챔버의 내부직경 또는 절연로 챔버의 내부 직경 중 작은 것으로 하며, 어느 챔버가 다른 것의 안쪽에 있느냐에 따라 정해진다.

치수검사기계, 장치, 또는 시스템으로 2B006에서 통제하지 않는

다음의 것

a. 컴퓨터제어 또는 수치제어 치수검사기계로 다음의 특성을 모두 보유한 것

1.  두 축 이상의 것

2. “정밀도” 0.2㎛ 미만의 탐침을 사용해 측정한 일차원 길이 “측정오차”가 (1.25+L/1000)㎛ (L은 측정 길이로 단위는 mm) 이하인 것 (참조：VDI/VDE  2617 Parts 1 및 2)

b. Hemishell의 직선-각도 동시검사를 위한 시스템으로 다음의 특성을 모두 구비한 것

1. 어느 한개의 직선축이라도 “측정오차”가 5mm 당 3.5㎛ 이하 (같거나 더 우수한) 인 것

2. “각도 위치 편차”가 0.02° 이하인 것

주1. 측정기로 사용가능한 공작기계가 측정기계 또는 공작기계로서 기능이 기준치 이상일 때는 통제된다.

2. 만약 기계의 가동범위(operating range) 어느 곳에서나 통제값을 초과하면 2B206에  기술된 기계는 통제된다.

기술해설

1. 치수측정시스템의 측정오차를 결정하는 데에 사용되는 탐침은 VDI/VDE 2617 parts 2,3,4에 기술된다.

2. 2B206내의 측정기준 값은 총 범위가 아닌  +/-(플러스/마이너스) 를 의미한다.

다음과 같은 ‘로봇’, '엔드이펙터’ 및 제어장치로서 2B007에서 통제하지 않는 것

a. 고성능 폭탄처리 국가 안전규격에 맞추어 특별히 설계된 '로봇' 또는 '엔드이펙터(예: 고성능 폭탄의 전기규약 등급을 만족시키는 것)

b. 2B207.a에서 통제하는 로봇 또는 '엔드이펙터'를 위해 전용 설계된 제어 장치

유동성형기, 유동성형기능이 가능한 회전성형기, 그리고 맨드릴로서 다음의 기능을 가지면서 2B009 또는 2B109에서 통제하지 않는 것

a. 다음의 두 가지 특성을 모두 가진 기계

1. 세 개 또는 그 이상의 롤러(능동형이나 안내형)를 가진 것

2. 제조업자의 사양에 따라, “수치제어”기 또는 컴퓨터 제어기를 장착할 수  있는 것

b. 75mm~400mm 내경의 실린더형 회전자를 만들 수 있도록 설계된 회전자 성형(rotor-forming) 맨드릴

주 2B209.a는 맨드릴을 지지하지만 성형공정에는 직접 관련이 없는 두개의 보조롤러가 부착되고 금속성형을 위해 설계된 하나의 롤러만을 가진 기계도 포함한다.

고정형 또는 이동형, 수평형 또는 수직형에 관계없이 다면 원심밸런싱 머신으로 다음의 특징을 갖는 것

a. 600mm 이상 길이의 유연회전자를 밸런싱하기 위한 원심밸런싱머신으로 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 스윙(swing) 또는 저널(journal) 직경이 75mm를 초과하고

2. 0.9~23kg의 무게용량과

3. 5,000rpm을 초과하는 밸런싱 속도를 갖는 것

b. 공동(空洞)실린더 회전자의 밸런싱을 위해 설계된 원심분리 밸런싱머신으로 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 저널(journal) 직경이 75mm를 초과하고

2. 0.9~23kg의 무게용량으로

3. 잔류 불균형이 평면당 0.01kg×mm/kg 이하가 되도록 밸런싱할 수 있는 기계

4. 벨트 전동 타입의 것

방사화학 분리운전실 또는 핫셀(hot cell)에서 원격조작을 할 때 사용할 수 있는 원격조작기로서 다음 특성 중 하나를 갖는 것

a. 0.6m 이상의 핫셀벽을 통과하여 운전할 수 있는 것(벽을 통과하여 하는 운전 ); 또는

b. 두께 0.6m 이상의 핫셀 윗부분을 넘어 운전할 수 있는 것

(벽을 위로 넘어 하는 운전)

기술해설: 원격조작기는 사람의 작동 움직임을 원격조작팔과 말단 정착물(terminal fixture)에 전달한다. 이것은 master/slave 형태일 수도 있고 또는 조이스틱(joystick)이나 키패드(keypad)로 조작될 수도 있다.

제어된 환경(진공 또는 불활성기체)의 유도로와 이를 위한 동력공급장치로서 다음의 것

주의: 3B 참고

a. 다음의 특징을 모두 가진 로(furnace)

1. 1,123K (850℃) 초과의 온도에서 운전할 수 있고

2. 유도코일은 직경이 600mm 이하이며

3. 동력은 5kW 또는 그 이상으로 설계된 것

b. 2B226.a.에서 통제하는 로를 위하여 특별히 설계된 정격출력 5kW 또는 그 이상의 동력공급장치

주 : 2B226.a는 반도체 웨이퍼의 공정을 위해 설계된 로를 통제하지 않는다.

진공 또는 기타 제어된 환경의 금속용융로, 주조로 및 관련 장비로 다음의 것

a. 아크 재용융 및 주조 용해로로서 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 것

1. 1,000㎤~20,000㎤ 사이의 소비전극용량

2. 1,973K(1,700℃) 초과의 용융온도에서 작동하는 것

b. 전자빔 용융로, 플라즈마 원자화 (atomization) 및 용융로로서 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 것

1. 50kW이상의 전력

2. 1,473K(1,200℃) 초과의 용융온도에서 작동하는 것

c. 2B227.a 또는 b에서 통제하는 로를 위해 특별히 제조된 컴퓨터 제어 및 감시시스템

회전자 제조 또는 조립장비, 회전자 직선화 장비, 벨로우즈 성형 맨드렐과 금형(다이)으로 다음의 것

a. 가스 원심분리 회전 튜브부분, 배플, 뚜껑(end caps)의 조립을 위한 회전자 조립장비

주: 2B228.a.에서는 정밀 맨드렐, 클램프, 수축 끼워맞춤(shrink fit) 장치를 포함한다.

b. 가스 원심 회전자 튜브부분을 공통축으로 정렬하기 위한 회전자 직선화 장비

기술해설 : 2B228.b의 장비는 일반적으로 컴퓨터와 연결된 정밀측정  탐침으로 구성되어 있으며, 연결된 컴퓨터는 회전자 튜브부분을 정렬하기 위한 공압램(pneumatic ram) 등의 움직임을 제어하게 된다.

c. 단일회선(single-convolution) 벨로우즈 생산을 위한 벨로우즈 성형 맨드렐 및 금형(다이)

기술해설 : 2B228.c에서 언급한 벨로우즈는 다음의 모든 특성을 갖는다.

1. 내경 75mm~400mm 사이

2. 길이 12.7mm 이상

3. 단일회선의 깊이 2mm 초과

4. 고강도 알루미늄 합금, 마레이징강 또는 고강도의 섬유나 필라멘트류 물질로 만들어진 것

0~13kPa의 범위의 어떤 절대압력이라도 측정할 수 있는 압력 변환기로 다음의 두가지 특성을 모두 갖는 것

a. 알루미늄, 알루미늄 합금, 니켈, 니켈이 중 60중량%를 초과하는 니켈합금으로 제조되었거나 보호되는 압력감지부품이 있고

b. 다음의 특성 중 어느 하나를 갖는 것

1. 13kPa 미만의 full scale을 가지면서 ±1% 미만의 full scale의 “정밀도”를 가진 변환기

2. 13kPa 이상의 full scale을 가지면서 ±130Pa 미만의 정밀도를 가진 변환기

기술해설

2B230에서 '정밀도'는 비선형, 이력현상(hysteresis) 상온에서의 반복정밀도를 포함한다.

진공펌프 중 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. 380mm 이상의 투입구를 가지며

b. 펌핑속도 15㎥/s 이상이고

c. 13.3mPa 미만의 극진공을 만들어 낼 수 있는 것

기술해설

1. 펌핑속도는 질소가스나 공기에 의해 측정점에서 결정된다.

2. 극진공(ultimate vacuum)은 막힌 상태의 펌프 입구에서 측정하여 결정한다.

다단계 경량 가스 건 (light gas gun) 시스템 또는 고속도 건(gun) 시스템 (코일형태, 전자기형태, 전자열형태 및 다른 진보된 시스템)으로 초당 2㎞ 이상의 가속투사능력을 갖는 것

화학물질 제조설비, 장비 및 부품으로서 다음의 것

기술해설:

가스킷, 패킹, 실, 스크류, 와셔 또는 밀봉 역할을 하는 부품의 소재는 이러한 부품이 교환이 가능하도록 설계된 경우, 하기 품목의 통제여부 판단(접액부 재질)시 고려하지 않는다.

a. 반응용기 또는 반응기로 교반기 유무와 관계없이 총 용적(기하학상의)이 0.1m3(100리터)을 초과하고 20m3(20,000리터)미만이며, 처리 또는 저장되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리피막 포함)

4. 니켈 또는 중량기준으로 니켈이 40%를 초과하는 합금

5. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금

6. 티타늄 또는 티타늄계 합금

7. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금

8. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

b. 2B350.a에 명시된 반응용기 또는 반응기에 사용을 위해 설계된 교반기, 그리고 이러한 교반기를 위해 설계된 임펠러(impellers), 날, 또는 축으로 처리 또는 저장되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 교반기의 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리 피막 포함)

4. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금
5. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금
6. 티타늄 또는 티타늄계 합금
7. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금

8. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

c. 저장탱크, 콘테이너 또는 수집조로 총 용적(기하학상의)이 0.1m3(100리터)을 초과하고, 처리 또는 저장되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리 피막 포함)

4. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금

5. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금

6. 티타늄 또는 티타늄계 합금

7. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금

8. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

d. 열교환 표면적이 0.15m2를 초과하고 20m2 미만인 열교환기 또는 컨덴서, 그리고 이러한 열교환기 또는 컨덴서를 위해 설계된 튜브, 판(plates), 코일(coil) 또는 블록(cores)으로 처리되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리 피막 포함)

4. 흑연 또는 탄소흑연
5. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금
6. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금
7. 티타늄 또는 티타늄계 합금
8. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금
9. 실리콘 카바이드
10. 티타늄 카바이드

11. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

e. 내경이 0.1m를 초과하는 증류탑 또는 흡수탑과 이를 위해 설계된 액체 배분기, 증기 배분기, 또는 액체 수집기로 처리되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리 피막 포함)

4. 흑연 또는 탄소흑연

5. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금

6. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금

7. 티타늄 또는 티타늄계 합금

8. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금

9. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

f. 원격 조정이 가능한 충전장비로서 처리 중인 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금

g. 호칭치수가 10mm를 초과하는 밸브와 이러한 밸브를 위해 설계된 케이싱(밸브 몸체) 또는 미리 제작된 케이싱 라이너로 생산, 처리 또는 저장되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리 피막 포함)

4. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금

5. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금

6. 티타늄 또는 티타늄계 합금

7. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금

8. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

9. 세라믹소재로서 다음의 것

a. 중량기준으로 순도 80%이상의 실리콘 카바이드

b. 중량기준으로 순도 99%이상의 알루미늄 옥사이드(알루미나)

c. 지르코늄 옥사이드(지르코니아)

기술해설:

‘호칭치수’는 투입구와 배출구의 직경 중 작은 것으로 정의 된다.

h. 누출 탐지 포트가 포함되어 있는 다중벽 파이프로서 처리 또는 저장되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리 피막 포함)

4. 흑연 또는 탄소흑연

5. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금

6. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금

7. 티타늄 또는 티타늄계 합금

8. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금

9. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

i. 제조자의 규정 최대유량이 0.6m3/h을 초과하는 다 밀봉 펌프, 비 밀봉 펌프, 또는 제조자가 규정한 최대유량이 5m3/h (표준온도 0℃, 표준 대기압 101.3kPa에서)을 초과하는 진공펌프, 그리고 이러한 펌프를 위해서 설계된 케이싱(펌프 몸체), 미리제작된 케이싱 라이너, 임펠러, 회전자(rotors) 또는 제트펌프 분사기로서, 처리 중인 화학물질과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 세라믹

3.  페로실리콘(고규소주철합금); 또는

4. 불소고분자(중합체 또는 탄성중합체로서 중량기준 35%이상의 불소를 포함하는 것)

5. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리 피막 포함)

6. 흑연 또는 탄소흑연

7. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금

8. 탄탈륨 또는 탄탈륨계 합금

9. 티타늄 또는 티타늄계 합금, 또는

10. 지르코늄 또는 지르코늄계 합금

11. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금

j. 1C350에서 명시된 화학물질을 폐기하기 위한 소각장치로 전용 설계된 폐기물 공급 시스템과 전용 조작시설을 가지고 있고, 소각실의 평균연소온도가 1,273K(1000℃)를 넘으며, 폐기물 공급 시스템에서 폐기 제품과 직접적으로 접촉하는 모든 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어지거나 표면처리 된 것

1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를 초과하는

크롬이 포함된 합금

2. 세라믹
3. 니켈 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하는 합금

기술해설:

탄소흑연은 중량비 8% 이상의 흑연과 비결정질의 탄소로 구성된 혼합물

기술해설:

상기 통제항에 기재된 소재에서, 특정한 원소 농도가 기재되어있지 않을 경우, ‘합금’이라는 용어는 판정의 기준이 되는 금속이 다른 원소보다 높은 중량비율인 경우를 뜻한다.

독성가스 감지 시스템 및 이를 위한 탐지 부품(탐지기(detector), 감지장치(sensor device), 교체가능한 감지 카트리지(replaceable sensor cartridge))으로서 다음과 같은 것

a. 연속작동을 위해 설계되고, 농도 0.3mg/m3 미만에서 1C350에 명시된 화학전 작용제 또는 화학물질을 감시하기 위해 사용 이 가능하도록 설계된 것, 또는

b. 콜린 에스터라제(cholinesterase) 억제작용을 감지할 수 있도록 설계된 것

생물학적 물질 취급에 사용 가능한 장비로서 다음과 같은 것

a. P3 또는 P4 차단수준(containment level)에서의 생물학적 완전차단시설

기술해설:
P3 또는 P4(BL3, BL4, L3, L4) 봉쇄수준은 WHO의 실험실-생물안전 지침서(제네바2004, 개정3판)에 명시된 것으로 함

b. 에어로졸(aerosols)의 전파없이 병원성 미생물, 바이러스나 독소의 생산에 사용가능한 발효조로  20리터 이상의  총 용량을 가진 것, 그리고

이런 발효조를 위해 설계된 다음과 같은 부품들:

a. 현장에서 살균되도록 설계된 배양 챔버

b. 장치를 갖춘 배양 챔버; 또는

c. 동시에 2개 이상의 발효 시스템 계수(parameter)를 관찰하고 제어할 수 있는 공정 제어 단위(발효 시스템 계수 예: 온도, pH, 영양, 교반, 용해산소, 공기흐름, 거품 등)

기술해설:
발효조에는 생물반응기, 화학조절장치 그리고 연속배양기도 포함된다.

c. 원심분리장치로 에어로졸의 전파없이 연속 분리가 가능한 것으로 다음의 모든 특성을 가진 것

1. 유량이 시간당 100리터를 초과하는 것

2. 스테인리스강 또는 티타늄 부품

3. 증기 저장 영역 내에서 하나 또는 다중의 밀폐 연결구,

그리고

4. 밀폐상태에서 증기로 현장에서 멸균을 할 수 있는 것

기술해설:

원심분리장치는 상층액분리기(decanters)를 포함한다.

d. 교차(접선)흐름 여과장치 및 부품으로서 다음과 같은 것

1. 교차(접선) 흐름 여과장치로 병원성 미생물, 바이러스, 독소 또는 세포배양물의 분리가 가능하고, 다음의 모든 특성을 가진 것

a.  총 여과면적이 1m2  이상의 것, 그리고

b. 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

1. 현장에서 내부 멸균 또는 살균이 가능한 것; 또는

2. 일회용 여과 부품을 사용하는 것

기술해설:

2B352.d.1.b에서 ‘멸균’(sterilised)이란, 물리적(예, 스팀)이거나 화학적 작용제를 사용하여 장비에서 모든 살아있는 미생물을 제거하는 것을 의미한다. ‘살균‘(disinfected)이란 살균력이 있는 화학적 작용제의 사용으로 장비내에서 잠재적인 미생물 전염성을 파괴하는 것을 의미한다. 살균과 멸균은 ‘위생처리’(sanitisation)와는 다른 것으로서 위생처리는 모든 미생물의 전염성과 생존성을 필연적으로 제거할 필요 없이 장비의 미생물 함유량을 낮추기 위해 고안된 세정절차를 의미한다.

2. 각각의 부품에 대해서 여과면적이 0.2m2 이상인 교차(접선)흐름 여과 부품들(예: 모듈, 원소들, 카세트, 카트리지, 장치 또는 판)로 2B352.d.에 명시된 교차(접선)흐름 여과 장비에서의 사용을 위해 설계된 것.

주: 2B352.d.는 제조업자에 의해 명시된 역 삼투압 장비는 통제하지 않는다.

e. 스팀멸균이 가능한 동결건조장비로 24시간이내에 얼음 10kg 초과, 1000kg 미만의 응축 용량을 가진 것

f. 보호 및 봉쇄 장비로 다음의 것

1. 차단된 외부 공기 공급과 연결되고 양압(positive pressure)의 조건에서 작동하는 전신 및 반신 보호복 또는 머리덮개

주: 2B352.f.1은 호흡장치를 내장해서 착용하도록 설계된 의복은 통제하지 않는다.

2. III등급(Class III)의 생물학적 안전 캐비넷 또는 유사한 성능   기준을 가진 분리대(isolator)

주: 2B352.f.2.에서 분리대는 유연성 분리대, 드라이 박스, 혐기성 챔버(chamber), 글로브 박스(glove boxes) 또는 층류형 후드(수직흐름으로 폐쇄된) 등을 포함한다.

g. 병원균, 바이러스 또는 독소로 에어로졸 테스트(aerosol challenge)를 할 수 있도록 설계된 챔버로 1m3 이상의 용적을 갖는 것.

h. 분무 또는 연무 시스템 및 부속품

1. 비행기, 경비행기(비행선) 또는 무인항공기에 알맞도록 특별히 설계된 완전한 분무 또는 연무 시스템으로 분당 2리터 초과의 유량으로 50마이크론 미만의 초기 유적 VMD를 분산할 수 있는 용량을 지니는 것

2. 비행기, 경비행기(비행선) 또는 무인항공기에 알맞도록 특별히 설계된 분무용 스프레이붐 또는 에어로졸 발생기 어레이(array)로 분당 2리터 초과의 유량으로 50마이크론 미만의 초기 유적 VMD를 분산할 수 있는 용량을 지니는 것

3. h.1과 h.2항에 명기된 조건들을 모두 만족하는 시스템에 알맞도록 전용 설계된 에어로졸 발생기 유닛

기술 해설:

에어로졸 발생기 유닛은 항공기에 알맞도록 설계 또는 개조된 것으로 노즐, 회전 드럼 분무기 및 유사한 장치들이 이에 해당 됨

h항에 명기된 분무 또는 연무 시스템중 전염성 에어로졸 형태로 생물작용제를 운반할 수 없는 것으로 증명된 것은 통제되지 않는다.

국제 표준 정의에 상정 중으로 다음의 지침들을 따라야함:

항공기 또는 무인항공기용으로 전용 설계된 분무 장치 또는 노즐에 대한 유적 크기는 다음의 방법으로 측정되어야 함

1. 도플러 레이저 방법

2. 전방 레이저 회절 방법

i. 독소 또는 병원성 미생물의 건조가 가능한 분무건조장치로서, 다음의 모든 특성을 가진 것

1. 수분 증발 용량이 0.4 kg/h이상이며, 400 kg/h이하 인것

2. 기존(장착된) 부품 또는 요구된 입자 크기를 생성가능한 분무 노즐(atomization nozzles)을 가진 분무건조기의 최소한의 개조에 의해 10 μm 이하의 평균 입자 크기를 생성가능 한 것

3. 현장에 살균 또는 소독이 가능한 것

소재

없음

소프트웨어

“소프트웨어”로서 2D002에서 통제하지 않는 것으로, 다음과 같은 것

a. “소프트웨어”로서 2A001 또는 2B001에 기술된 장비의 “개발”, “생산”을 위해 전용 설계되거나 개조된 것, 또는

b. “소프트웨어”로서 2A001.c, 2B001, 또는 2B003 내지 2B009에   기술된 장비의 “사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 것

주: 2D001은 다양한 부품들을 가공하기 위한 “수치제어” 코드를 생성하는 파트프로그래밍 소프트웨어에는 적용되지 않는다.

전자장치를 위한 소프트웨어로서 (전자장치 또는 시스템 내부에 설치되어 있더라도) "윤곽 제어"를 위해 4축 초과를 동시제어 할 수 있는 "수치 제어" 유닛으로서 장치 또는 시스템을 기능하게 하는 것

주1: 2D002는 제2부에 기술되지 않은 공작기계의 작동을 위해 전용설계되거나 개조된 소프트웨어는 통제하지 않는다.

주2: 2D002는 2B002에 기술된 품목을 위한 소프트웨어는 통제하지 않는다. 2B002에 기술된 품목의 소프트웨어 통제는 2D001과 2D003을 참고하시오.

주3: 2D002는 제2부에 기술되지 않은 공작기계와 함께 수출되는 소프트웨어 중 그 공작기계의 작동에 최소한으로 필요한 소프트웨어는 통제하지 않는다.

2B002에 기술된 장비의 “작동”을 위해 설계되거나 개조된 “소프트웨어”로서 요구되는 가공물을 제조하기 위해 광학적 설계, 가공대상물 측정결과, 가공재료 제거기능을 수치제어 명령어로 변환하는 것

2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 또는 2B119에서 2B122까지에 기술된 장비의 “사용”을 위해 전용설계되거나 개조된 소프트웨어

주의:  9D004 참조

2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 또는 2B227에 기술된 장비의 “사용”을 위해 전용설계되거나 개조된 “소프트웨어”

2B201에 기술된 장비의 “개발”, “생산”, “사용”을 위해 전용설계되거나 개조된 “소프트웨어”

1D003에서 규정된 것을 제외한 소프트웨어로서, 2B351에서 규정된 장치의 사용을 위하여 특별히 설계된 것.

기술

2A, 2B 또는 2D에 기술된 “소프트웨어” 또는 장비의 “개발”에 대한 일반기술해설에 따른 “기술”

주: 2E001은 2B006.a에 의해서 정의된 3차원측정기(CMM)에 탐침 시스템을 통합하기 위한 “기술”을 포함한다.

2A 또는 2B에 기술된 장비의 “생산에 대해서 일반기술해설에 따른 ”기술“

다음과 같은 기타의 “기술”

a. “수치제어”유닛의 일부인 프로그램(Part Program)의 준비나 수정을 위한 대화식 그래픽시스템 “개발”을 위한 “기술”

b. 금속의 가공, 제조공정을 위한 “기술”로서 다음의 것

1. 다음 중 어느 하나의 공정을 위해 특별히 설계된 공구, 다이 또는 고정구의 설계를 위한 “기술”

a. “초소성 성형” (superplastic forming)

b. “확산 결합”

c. “직접작용(Direct-acting) 유압프레싱”

2. 공정방법이나 공정변수(parameter)로 구성된 기술데이터로 아래 기재된 항목을 제어하기 위한 것

a. 알루미늄합금, 티타늄합금 또는 “초합금”에 대한 "초소성 성형"

1. 표면 준비

2. 변형율

3. 온도

4. 압력

b. "초합금" 또는 티타늄합금에 대한 "확산 결합";

1. 표면 준비

2. 온도

3. 압력

c. 알루미늄합금 또는 티타늄합금에 대한 “직접작용 유압프레싱”

1. 압력

2. 사이클 타임(Cycle Time)

d. 티타늄합금, 알루미늄합금 또는 초합금의 "열간정수압 고밀화“(”Hot isostatic densification")

1. 온도

2. 압력

3. 사이클 타임(Cycle Time)

c. 비행기 기체 구조물의 제조에 쓰이는 유압 인장성형기(stretch- forming machine)와 다이의 “개발” 또는 “생산”을 위한 “기술”

d. “수치제어”유닛에 내장된 설계데이터로부터 공작기계 명령어 생성기(예: 부품가공용 프로그램(Part Program))의 “개발”을 위한 “기술”

e. “수치제어”유닛에 작업 현장(Shop-floor)운영의 고급의사결정 지원을 위한 전문가시스템의 도입에 사용되는 통합 “소프트웨어”의 “개발”을 위한 “기술“

f. 다음을 위한 “기술”

1. 다음 표의 3번 열에 기술된 무기재료 코팅 또는 표면 개질을 위한 무기코팅으로서

2. 다음 표의 2번 열에 기술된 비전자성 기판(substrate) 위에 코팅을 수행하며

3. 다음 표의 1번 열에 기술되고 다음의 기술해설에서 정의된 공정을 사용하는 기술.

주: 표와 기술해설은 2E301 이후에 나옴

2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119에서 2B122 또는 2D101까지에 기술된 “소프트웨어“ 또는 장비의 ”사용“에 대한 일반기술해설에 따른 ”기술“

2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B116, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219, 2B225에서 2B232, 2D201 또는 2D202에 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

2B350에서 2B352까지의 기술된 제품의 “사용”에 대한 일반기술해설에 따른 “기술”

소재공정 표  증착기술

1. 코팅공정	2. 기지금속 (subtrate)	3. 코팅결과
A. 화학기상증착 (CVD)	“초합금” (“superalloy”)	내부관의 알루미늄화합물
	세라믹(19), 저 팽창유리(14)	규화물(silicides), 카바이드, 유전체층(15), 다이아몬드, 다이아몬드성 탄소(17)
	탄소-탄소, 세라믹 및 금속“모재” “복합소재”	규화물(silicides), 카바이드, 내화성금속, 이들의 혼합물(4), 유전체층(15), 알루미늄화합물, 알루미늄합금(2), 붕소질화물
	텅스텐 초경합금(16) 실리콘 카바이드(18)	카바이드, 텅스텐, 이들의 혼합물(4), 유전체층(15)
	몰리브덴 및 몰리브덴 합금	유전체층(15)
	베릴륨 및 베릴륨 합금	유전체층(15), 다이아몬드, 다이아몬드성 탄소(17)
	센서 창 소재	유전체층(15), 다이아몬드, 다이아몬드성 탄소(17)
B. 열기화물리기상 증착 (TE-PVD)
B.1. 물리기상증착 (PVD): 전자빔기상증착 (EB-PVD)	“초합금”	실리콘합금, 알루미늄합금(2), MCrAlX(5), 개량된 지르코니아(12), 규화물, 알루미늄화합물, 이들의 혼합물(4)
	세라믹(19) 및 저팽창유리(14)	유전체층(15)
	내부식성 강(7)	MCrAlX(5), 개량된 지르코니아(12), 이들의 혼합물(4)
	탄소-탄소, 세라믹 및 금속“모재” “복합소재”	규화물, 카바이드, 내화금속, 이들의 혼합물(4), 유전체층(15), 붕소질화물
	텅스텐 초경합금(16) 실리콘 카바이드(18)	카바이드, 텅스텐, 이들의 혼합물(4) 유전체층(15)
	몰리브덴 및 몰리브덴 합금(9)	유전체층(15)
	베릴륨 및 베릴륨 합금	유전체층(15), 붕화물, 베릴륨
	센서 창 소재(9)	유전체층(15)
	티타늄 합금(13)	붕화물, 질화물
B.2. 이온 저항열 물리기상증착 (PVD) (이온 플레이팅)	세라믹(19), 저팽창 유리(14)	유전체층(15), 다이아몬드성 탄소(17)
	탄소-탄소, 세라믹 및 금속“모재” “복합소재”	유전체층(15)
	텅스텐 초경합금 실리콘(16) 실리콘 카바이드	유전체층(15)
	몰리브덴 및 몰리브덴 합금	유전체층(15)
	베릴륨 및 베릴륨 합금	유전체층(15)
	센서 창 소재(9)	유전체층(15), 다이아몬드성 탄소(17)
B.3. 물리기상증착 (PVD): “레이저 기화”	세라믹(19), 저팽창유리(14)	규화물, 유전체층(15), 다이아몬드성 탄소(17)
	탄소-탄소, 세라믹 및 금속“모재” “복합소재”	유전체층(15)
	텅스텐 초경합금(16) 실리콘 카바이드(18)	유전체층(15)
	몰리브덴 및 몰리브덴 합금	유전체층(15)
	베릴륨 및 베릴륨 합금	유전체층(15)
	센서 창 재료(9)	유전체층(15), 다이아몬드성 탄소
B.4. 물리기상증착 (PVD): 음극아크방전	“초합금”	실리콘 합금 알루미늄합금(2), MCrAlX(5)
	중합체(11) 및 유기“모재” “복합소재”	붕화물, 카바이드, 질화물, 다이아몬드성 탄소(17)
C.확산침투처리(pack cementation) (비확산침투처리는 상기 A참조) (10)	탄소-탄소, 세라믹 및 금속“모재” “복합소재”	규화물, 카바이드, 이들의 혼합물
	티타늄합금(13)	규화물, 알루미늄화합물, 알루미늄합금(2)
	내화성 금속 및 합금(8)	규화물, 산화물
D. 플라즈마 분사법 (Plasma spraying)	“초합금”	MCrAlX(5), 개량된 지르코니아(12) 이들의 혼합물(4), 마찰 니켈-흑연, Ni-Cr-Al을 함유한 마찰 물질, 마찰 Al-Si-폴리에스테르, 알루미늄합금(2)
	알루미늄 합금(6)	MCrAlX(5), 개량된 지르코니아 규화물, 이들의 혼합물(4)
	내화성금속 및 합금(8)	알루미늄 화합물, 규화물, 카바이드
	내식성 강(7)	MCrAlX(5), 개량된 지르코니아(12) 이들의 혼합물(4)
	티타늄 합금(14)	카바이드, 알루미늄화합물, 규화물, 알루미늄 합금(2), 마찰 니켈-흑연, Ni-Cr-Al을 함유한 마찰 물질, 마찰 Al-Si- 폴리에스테르
E. 슬러리 증착 (Slurry Deposition)	내화성 금속 및 합금(8)	용융 규화물, 용융 알루미늄 화합물 (저항 가열 요소용은 제외)
	탄소-탄소, 세라믹 및 금속“모재” “복합소재”	규화물, 카바이드, 이들의 혼합물(4)
F. 스퍼트 증착 (Sputter Deposition)	”초합금“	실리콘 합금, 알루미늄합금(2), 귀금속 물성개선 알루미늄합금(3), MCrAlX(5), 개량된 지르코니아(12), 플래티늄(platium), 이들의 혼합물(4)
	세라믹 및 저팽창유리(14)	규화물, 플래티늄(platium), 이들의 혼합물(4), 유전체층(15), 다이아몬드성탄소(17)
	티타늄 합금(13)	붕화물, 질화물, 산화물, 규화물, 알루미늄화합물, 알루미늄합금(2), 카바이드
	탄소-탄소, 세라믹 및 금속“모재” “복합소재”	실리콘화합물, 카바이드, 내화성금속, 이들의 혼합물(4), 유전체층(15), 붕소질화물
	텅스텐 초경합금(16) 실리콘 카바이드	카바이드, 텅스텐, 이들의 혼합물(4), 유전체층(14), 붕소질화물
	몰리브덴 및 몰리브덴합금	유전체층(15),
	베릴륨 및 베릴륨합금	붕화물 유전체층(15), 베릴륨
	센서 창 재료(9)	유전체층(15), 다이아몬드성 탄소(17)
	내화성 금속 및 합금(8)	알루미늄화합물, 규화물, 산화물, 카바이드
G. 이온주입 (Ion Implantation)	고온 베어링강	크롬, 탄탈륨 또는 니오브(콜럼븀) 첨가물
	티타늄 합금(13)	붕화물, 질화물
	베릴륨 및 베릴륨 합금	붕화물
	텅스텐 초경합금 (16)	카바이드, 질화물

표- 증착기술 - [주]

1. ‘코팅공정’은 1차 코팅은 물론 코팅수리와 재코팅도 포함한다.

2. 알루미늄 화합물 코팅 이전에 혹은 코팅 중간에 단일원소 또는 여러 원소를 코팅하는 단일 단계 또는 다단계 코팅은, 이러한 원소들이 다른 코팅공정 방식으로 증착된다 할지라도 ‘알루미늄합금코팅’이라는 용어에 모두 포함된다. 그러나 알루미늄합금 코팅을 얻기 위하여 단일 단계 분말확산 피막처리를 여러 번 하는 것은 알루미늄 화합물 합금코팅에 포함되지 않는다.

3. 알루미늄 화합물 코팅을 하기 전에 귀금속 또는 여러 귀금속들을 추가로 코팅하는 다단계 코팅은 ‘귀금속 물성개선 알루미늄화합물’ 코팅항목에 포함된다.

4. ‘이들의 혼합물’은 침투재료, 재질, 농도가 다른 조성, 합금도금물질 및 다중박막으로 구성되어지며 본 표에 명시된 한 단계 또는 여러 단계의 코팅공정을 통하여 얻어진다.

5. ‘MCrAlX’는 코팅용 합금을 나타내며 여기서 M은 코발트, 철, 니켈 또는 이들의 조합을 나타내며, X는 임의의 양의 하프늄, 이트륨, 실리콘, 탄탈륨 또는 기타 다양한 비율과 조합에 의한 임의의 첨가물이 0.01중량%를 초과한 것.  단, 다음의 것은 제외한다.

a. 크롬중량이 22중량% 미만, 알루미늄중량이 7중량% 미만, 이트륨중량이 2중량% 미만 포함된 CoCrAIY 코팅

b. 크롬중량이 22~24중량%, 알루미늄중량이 10~12중량%, 이트륨중량이 0.5~0.7중량% 포함된 CoCrAlY 코팅

c. 크롬중량이 21~23중량%, 알루미늄중량이 !0~12중량%, 이트륨중량이 0.9~1.1중량% 포함된 NiCrAlY 코팅

6. ‘알루미늄합금’은 20℃(293K)에서 측정했을 때 최대 인장강도가 190MPa 이상인 합금을 말한다.

7. ‘내부식성강‘은 AISI(미국철강협회) 300 계열 또는 국내동등규격 표준강이다.

8. ‘내화성 금속 및 합금’으로 다음과 같은 금속 및 이들 금속의 합금들로 구성된 것 니오브(콜럼븀), 몰리브덴, 텅스텐 그리고 탄탈륨

9. ‘센서 창 재료’로서 다음의 것: 알루미나, 실리콘, 게르마늄, 황화아연, 징크셀레나이드 (zinc selenide), 갈륨 비소, 다이아몬드, 갈륨 인산염, 사파이어와 다음과 같은 금속 할로겐화물: 불화지르코늄과 불화하프늄으로 직경이 40mm 초과의 센서 창 재료

10. 고체 에어포일(airfoil)의 단일 단계 확산침투처리를 위한 “기술”은 제2부에 의해서 수출 통제되지 아니한다.

11.  ‘중합체’로서 다음의 것: 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리설파이드, 탄산염과 폴리우레탄

12.  ‘개량된 지르코니아’는 어떤 결정학상들 및 상 조성을 안정화
시키기 위해서 지르코니아에 다른 금속 산화물, 예를 들면 석회석, 마그네시아, 이트리아, 하프니아, 히토류 금속산화물 등을 첨가하는 것을 말한다. 석회석 또는 마그네시아를 이용하여  만들어진 내열(Thermal Barrier) 코팅은 통제 되지 아니한다.

13. ‘티타늄합금’은 20℃ (293K)에서 측정했을 때 최대 인장강도가 900MPa 이상인 항공우주합금만을 말한다.

14. ‘저열팽창 유리’는 20℃에서 측정된 때 1×10-7 K-1 이하의 열팽창 계수를 가지는 유리를 말한다.

15. ‘유전체층’은 절연재료를 복합층으로 구성한 도금을 의미하는데. 다양한 굴절지수를 가진 재료의 구성된 디자인의 간섭성질을 이용해서 다양한 파장을 반사, 전달, 또는 흡수한다. 유전체층은 4개를 초과한 유전체층 또는 유전체/금속“복합”층을 말한다.

16. ‘텅스텐 초경합금’은 텅스텐카바이드/(코발트, 니켈), 티타늄카바이드/(코발트, 니켈), 크롬카바이드/니켈-크롬, 크롬카바이드/니켈로 구성되어진 절삭 및 성형 공구 재료는 포함하지 않는다.

17. 다음의 어느 하나에 다이아몬드성 탄소를 증착(deposit)하기 위한 전용의 “기술”은 통제하지 않는다.

- 자기디스크 드라이브 및 헤드, 일회용품 제조기기, 수도꼭지용 밸브, 스피커의 진동막, 자동차의 엔진용 부품, 절삭공구, 펀칭프레스용 다이, 사무용 자동화기기, 마이크 또는 의료용 기구, 또는 플라스틱의 주조를 위한 주형으로 5%미만의 베릴륨을 함유한 합금으로 제조된 것

18. ‘실리콘카바이드’는 절삭공구, 성형공구용 소재를 포함하지 않는다.

19. 이 표에 사용된 ‘세라믹기판’은 분리 또는 결합된 형태에서 점토 또는 시멘트 성분을  5중량% 이상 함유한 세라믹 소재는 포함하지 않는다.

표의 1번 열에서 명시된 공정을 정의하면 다음과 같다.

a. 화학기상증착(CVD)은 오버레이(overlay) 코팅이나 표면 개질 코팅공정으로서 금속, 합금, “복합재료”, 유전체 또는 세라믹이 가열된 기판 위에 증착된다. 반응기체는 기판의 주변에서 분해되거나 합성되고, 그 결과 원하는 요소, 합금, 혼합물이 기판위에 증착된다. 이러한 분해나 화학반응 공정에 필요한 에너지는 기판, 글로우방전 플라스마, 또는 “레이저” 조사의 열에 의해서 제공된다.

주의 1 CVD는 다음의 공정을 포함한다. 유도 가스유동 out-of-pack 적층, 맥동 CVD, 핵형성제어 열증착(CNTD),  플라스마 강화 또는 플라스마를 이용한 CVD 공정.

주의 2  pack은 분말 혼합물 내에 담겨있는 기판을 의미한다.

주의 3  out-of-pack 공정에서 사용되는 기체 반응물은 확산침투처리 공정과 동일한 기본반응과 파라미터를 사용해서 제조된다. 단 코팅될 기판이 분말 혼합물과 직접 접촉하지 않는다는 점이 다르다.

b. 열기화 물리기상증착(TE-PVD)은 압력이 0.1Pa 미만인 진공상태에서 실행된 오버레이 코팅 공정으로서, 열에너지의 소스는 코팅재료를 기화시키는 데 사용된다. 이 공정의 결과 적절하게 위치한 기판 위에 기화된 물질이 응축(condensation) 또는 증착된다.

합성물 코팅을 제조하기 위해서 코팅공정 동안 진공챔버에 가스를 첨가하는 것은 일반적인 공정개선이다.

코팅의 증착을 촉진하거나 지원하기 위해서 이온이나 전자빔, 또는 플라즈마를 사용하는 것은 이러한 기술의 일반적인 개선이다. 광학적 특성과 코팅의 두께를 인프로세스(in-process)에서 측정하기 위해서 모니터를 사용하는 것이 이 공정의 특징이 될 수 있다.

특수 TE-PVD 공정은 다음과 같다.

1. 전자빔PVD는 코팅을 형성하는 재료를 가열하고 기화시키기 위해서 전자빔을 사용한다.

2. 이온 저항열 물리기상증착(Ion Assisted Resistive Heating PVD)은 impinging 이온빔과 함께 전기저항 가열원(electrically resistive heating sources)을 함께 사용해서 기화된 코팅 물질의 유입을 통제하고 일정하게 한다.

3. “레이저” 기화에서는 코팅을 형성하는 재료를 기화시키기 위해서 맥동형 또는 연속 파동 “레이저” 빔을 사용한다.

4. 음극아크증착은 코팅을 형성하는 재료로 제작한 1회용 음극을 사용하는데 이 음극은 ground trigger의 순간적인 접촉에 의해서 표면에 아크 방전(arc discharge)이 형성된다. 아크의 제어된 운동은 음극의 표면을 부식하여 고도로 이온화된 플라즈마를 생성한다. 양극판은 챔버(chamber)이거나 절연체를 통해서 음극의 주위에 부착되어 있는 기판. 바이어싱(biasing)은 비 가시선 (non-line-of-sight) 증착에 사용된다.

주의  위의 정의는 non-biased 기판상에 무작위(random) 음극아크 증착하는 것에는  포함되지 않는다.

5. 이온 플레이팅(Ion Plating)은 일반적인 TE-PVD공정의 특별한 개선공정으로서 증착할 물질을 이온화하기 위해서 플라즈마 혹은 이온원을 사용된다. 또한 플라스마로부터 물질의 추출을 촉진시키기 위해서 음(nagative)의 바이어스를 기판에 적용시킨다. 이 공정의 일반적인 개선과정으로는 반응물질의 도입, 공정챔버 내에서의 고체의 증발, 그리고 광학적 특성과 코팅의 두께를 인프로세스(in-process)에서 측정하기 위해서 모니터를 사용하는 것이다.

c. 확산침투처리는 표면개질도금이거나 오버레이 코팅공정으로서 기판을 다음으로 구성된 분말 혼합물(pack)에 담근다.

1. 증착될 금속분말(통상 알루미늄, 크롬, 실리콘 혹은 이것의 혼합물)

2. 활성제(보통 halide salt), 그리고

3. 비활성 분말로서 대부분 알루미나

기지금속과 분말 혼합물은 레토르트 내부에서 코팅을 적층하기 위한 충분한 시간을 확보하기 위해서 1,030K(757℃)와 1,375K(1,102℃)사이의 온도까지 가열된다.

d. 플라즈마 분사법(Plasma Spraying)은 오버레이 코팅과정으로써 플라스마를 생산하고 통제하는 총(스프레이 방사장치)이 분말이나 와이어 코팅재를 용해한 후, 기판을 향해서 추진시켜 그 기판 위에 일체로 결합된 코팅이 형성된다. 플라스마 분사법은 저압 플라즈마 분사법이나 또는 고속 플라즈마 분사법을 구성한다.

주의 1  저압은 대기압 미만인 것을 의미한다.

주의 2  고속은 0.1Mpa, 293K(20℃)에서 노즐-출구 가스 속도가 750m/s를 초과하는 것을 의미한다.

e. 슬러리 증착(Slurry Deposition)은 표면개질코팅이나 오버레이 코팅 공정으로서 유기 바인더를 포함한 금속 혹은 세라믹 분말이 액체에 부유되고 기판에 적용되는 것이다. 이때 원하는 코팅을 얻기 위해서 분사, 담금 또는 도장 그 후에 공기 오븐 건조와 열처리의 방법을 사용한다.

f. 스퍼트 증착(Sputter Deposition)은 운동량 전달현상에 기초한 overlay coating process를 의미한다. 여기에서 양이온은 목적물(코팅재료)의 표면을 향해서 전기장에 의해 가속화된다. 충돌하는 이온의 운동에너지는 충분해서 목적물 표면의 원자가 방출되고 이온이 적절하게 위치한 기판위에 증착된다.

주의 1 표에서는 도금의 응집력, 무선 주파수 증폭을 증가시킬 목적으로 사용되는 삼극진공관, 자전관 또는 반응 스퍼트 증착만을 의미하며, 또한 비금속 코팅 소재의 기화를 허용하는 데 사용되는  RF (radio frequency) 보강스퍼트 증착만을 의미한다.

주의 2 증착을 활성화하기 위해서 저 에너지 이온빔(5keV 미만)이 사용될 수 있다.

g. 이온 주입(Ion Implantation)은 표면개질코팅공정으로서 합금될 요소가 이온화되고, 전위차이(gradient)에 의해 가속화되어, 기판의 표면영역으로 주입된다. 여기에는 이온주입이 전자빔 물리기상증착 또는 스퍼트 증착과 동시에 발생하는 공정을 포함한다.

CATEGORY 2 - MATERIALS PROCESSING

Systems, Equipment and Components

N.B.: For quiet running bearings, see the Military Goods Controls.

Anti-friction bearings and bearing systems, as follows, and components therefor:

Note: 2A001 does not control balls with tolerances specified by the manufacturer in accordance with ISO 3290 as grade 5 or worse.

a. Ball bearings and solid roller bearings having all tolerances specified by the manufacturer in accordance with ISO 492 Tolerance Class 4 (or national equivalents), or better, and having both rings and rolling elements(ISO 5593) made from monel or beryllium;

Note: 2A001.a. does not control tapered roller bearings.

b. Not used

c. Active magnetic bearing systems using any of the following:

1. Materials with flux densities of 2.0 T or greater and yield strengths greater than 414 MPa;

2. All-electromagnetic 3D homopolar bias designs for actuators; or

3. High temperature (450 K (177℃) and above) position sensors.

Crucibles made of materials resistant to liquid actinide metals, as follows:

a. Crucibles having both of the following characteristics:

1. A volume of between 150 cm3 and 8,000 cm3 and

2. Made of or coated with any of the following materials, having a purity of 98% or greater by weight:

a. Calcium fluoride (CaF2);

b. Calcium zirconate (metazirconate) (CaZrO3);

c. Cerium sulphide (Ce2S3);

d. Erbium oxide (erbia) (Er2O3);

e. Hafnium oxide (hafnia) (HfO2);

f. Magnesium oxide (MgO);

g. Nitrided niobium-titanium-tungsten alloy (approximately 50% Nb, 30% Ti, 20% W);

h. Yttrium oxide (yttria) (Y2O3); or

i. Zirconium oxide (zirconia) (ZrO2);

b. Crucibles having both of the following characteristics:

1. A volume of between 50 cm3 and 2,000 cm3 and

2. Made of or lined with tantalum, having a purity of 99.9% or greater by weight;

c. Crucibles having all of the following characteristics:

1. A volume of between 50 cm3 and 2,000 cm3

2. Made of or lined with tantalum, having a purity of 98% or greater by weight; and

3. Coated with tantalum carbide, nitride, boride, or any combination thereof.

Valves having all of the following characteristics:

a. A 'nominal size' of 5 mm or greater;

b. Having a bellows seal; and

c. Wholly made of or lined with aluminium, aluminium alloy, nickel, or nickel alloy containing more than 60% nickel by weight.

Technical Note:

For valves with different inlet and outlet diameters, the 'nominal size' in 2A226 refers to the smallest diameter.

Test, Inspection and Production Equipment

Technical Notes:

1. Secondary parallel contouring axes, (e.g., the w-axis on horizontal boring mills or a secondary rotary axis the centre line of which is parallel to the primary rotary axis) are not counted in the total number of contouring axes. Rotary axes need not rotate over 360° A rotary axis can be driven by a linear device (e.g., a screw or a rack-and-pinion).

2. For the purposes of 2B, the number of axes which can be co-ordinated simultaneously for "contouring control" is the number of axes along or around which, during processing of the workpiece, simultaneous and interrelated motions are performed between the workpiece and a tool. This does not include any additional axes along or around which other relative movement within the machine are performed such as:

a. Wheel-dressing systems in grinding machines;

b. Parallel rotary axes designed for mounting of separate workpieces;

c. Co-linear rotary axes designed for manipulating the same workpiece by holding it in a chuck from different ends.

3. Axis nomenclature shall be in accordance with International Standard ISO 841, 'Numerical Control Machines - Axis and Motion Nomenclature'.

4. For the purposes of 2B001 to 2B009 a "tilting spindle" is counted as a rotary axis.

5. 'Stated positioning accuracy' derived from measurements made according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents may be used for each machine tool model as an alternative to individual machine tests. 'Stated positioning accuracy' means the accuracy value provided to national licensing authorities as representative of the accuracy of a specific machine model.

6. For the purposes of 2B., measurement uncertainty for the positioning accuracy of machine tools, as defined in the International Standard ISO 230/2 (2006) or national equivalents, shall not be considered.

Determination of Stated Values

a. Select five machines of a model to be evaluated;

b. Measure the linear axis accuracies according to ISO 230/2  (2006)

c. Determine the A-values for each axis of each machine. The method of calculating the A-value is described in the ISO standard;

d. Determine the mean value of the A-value of each axis. This mean value Â becomes the stated value of each axis for the model (Âx  Ây.....);

e. Since the Category 2 list refers to each linear axis there will be as many stated values as there are linear axes;

f. If any axis of a machine model not controlled by 2B001.a. to 2B001.c. or 2B201 has a stated accuracy Â of 6 microns for grinding machines and 8 microns for milling and turning machines or better, the manufacturer should be required to reaffirm the accuracy level once every eighteen months.

Machine tools and any combination thereof, for removing (or cutting) metals, ceramics or "composites", which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with electronic devices for "numerical control" as follows:

N.B.: SEE ALSO 2B201.

Note 1: 2B001 does not control special purpose machine tools limited to the manufacture of gears. For such machines see 2B003.

Note 2: 2B001 does not control special purpose machine tools limited to the manufacture of any of the following:

a. Crankshafts or camshafts;

b. Tools or cutters;

c. Extruder worms;

d. Engraved or facetted jewellery parts; or

e. Dental prostheses.

Note 3: A machine tool having at least two of the three turning, milling or grinding capabilities (e.g., a turning machine with milling capability), must be evaluated against each applicable entry 2B001.a., b. or c.

N.B. For optical finishing machines, see 2B002

a. Machine tools for turning, having all of the following characteristics:

1. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 6 μm according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis;  and

2. Two or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

Note: 2B001.a. does not control turning machines specially designed for the production of contact lenses, having all of the following characteristics:

1. Machine controller limited to using ophthalmic based software for part programming data input; and

2. No vacuum chucking.

b. Machine tools for milling, having any of the following characteristics:

1. Having all of the following:

a. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 6μm according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis;  and

b. Three linear axes plus one rotary axis which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

2. Five or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

3. A positioning accuracy for jig boring machines, with "all compensations available", equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; or

4. Fly cutting machines, having all of the following characteristics:

a. Spindle "run-out" and "camming" less (better) than 0.0004 mm TIR; and

b. Angular deviation of slide movement (yaw, pitch and roll) less (better) than 2 seconds of arc, TIR over 300 mm of travel.

c. Machine tools for grinding, having any of the following characteristics:

1. Having all of the following:

a. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 4μm according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; and

b. Three or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; or

2. Five or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

Note: 2B001.c. does not control grinding machines, as follows:

1. Cylindrical external, internal, and external-internal grinding machines having all the following characteristics:

a. Limited to cylindrical grinding; and

b. Limited to a maximum workpiece capacity of 150 mm outside diameter or length.

2. Machines designed specifically as jig grinders that do not have a z-axis or a w-axis, with a positioning accuracy with "all compensations available" less (better) than 4μm according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents.

3. Surface grinders.

d. Electrical discharge machines (EDM) of the non-wire type which have two or more rotary axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

e. Machine tools for removing metals, ceramics or "composites" having all of the following characteristics:

1. Removing material by means of any of the following:

a. Water or other liquid jets, including those employing abrasive additives;

b. Electron beam; or

c. "Laser" beam; and

2. At least two rotary axes having all of the following:

a. Can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and

b. A positioning accuracy of less (better) than 0.003°;

f. Deep-hole-drilling machines and turning machines modified for deep-hole-drilling, having a maximum depth-of-bore capability exceeding 5 m

Numerically controlled optical finishing machine tools equipped for selective material removal to produce non-spherical optical surfaces having all of the following characteristics:

a. Finishing the form to less (better) than 1.0 μm;

b. Finishing to a roughness less (better) than 100 nm rms.

c. Four or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and

d. Using any of the following processes:

1. Magnetorheological finishing ('MRF');

2. Electrorheological finishing ('ERF'); or

3. Energetic particle beam finishing.

4. 'Inflatable membrane tool finishing; or

5. 'Fluid jet finishing'.

Technical Notes

For the purposes of 2B002 .:

1. 'MRF' is a material removal process using an abrasive magnetic fluid whose viscosity is controlled by a magnetic field.

2. 'ERF' is a removal process using an abrasive fluid whose viscosity is controlled by an electric field.

3. 'Energetic particle beam finishing' uses Reactive Atom Plasmas (RAP) or ion-beams to selectively remove material.

4. 'Inflatable membrane tool finishing' is a process that uses a pressurized membrane that deforms to contact the workpiece over a small area.

5. 'Fluid jet finishing' makes use of a fluid stream for material removal.

"Numerically controlled" or manual machine tools, and specially designed components, controls and accessories therefor, specially designed for the shaving, finishing, grinding or honing of hardened (Rc = 40 or more) spur, helical and double-helical gears with a pitch diameter exceeding 1,250 mm and a face width of 15% of pitch diameter or larger finished to a quality of AGMA14 or better (equivalent to ISO 1328 class 3).

Hot "isostatic presses", having all of the following, and specially designed components and accessories therefor:

N.B.: SEE ALSO 2B104 and 2B204.

a. A controlled thermal environment within the closed cavity and a chamber cavity with an inside diameter of 406 mm or more; and

b. Any of the following:

1. A maximum working pressure exceeding 207 MPa;

2. A controlled thermal environment exceeding 1,773 K (1,500℃); or

3. A facility for hydrocarbon impregnation and removal of resultant gaseous degradation products.

Technical Note:

The inside chamber dimension is that of the chamber in which both the working temperature and the working pressure are achieved and does not include fixtures. That dimension will be the smaller of either the inside diameter of the pressure chamber or the inside diameter of the insulated furnace chamber, depending on which of the two chambers is located inside the other.

N.B. For specially designed dies, moulds and tooling see 1B003, 9B009 and the Military Goods Controls.

Equipment specially designed for the deposition, processing and in-process control of inorganic overlays, coatings and surface modifications, as follows, for non-electronic substrates, by processes shown in the Table and associated Notes following 2E003.f., and specially designed automated handling, positioning, manipulation and control components therefor:

a. Chemical vapour deposition (CVD) production equipment having all of the following:

N.B.: SEE ALSO 2B105.

1. Process modified for one of the following:

a. Pulsating CVD;

b. Controlled nucleation thermal deposition (CNTD); or

c. Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and

2. Any of the following:

a. Incorporating high vacuum (equal to or less than 0.01 Pa) rotating seals; or

b. Incorporating in situ coating thickness control;

b. Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;

c. Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW, having any of the following:

1. A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or

2. A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;

d. Plasma spraying production equipment having any of the following characteristics:

1. Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0.01 Pa prior to the spraying process; or

2. Incorporating in situ coating thickness control;

e. Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0.1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;

f. Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;

g. Ion plating production equipment capable of the in situ measurement of any of the following:

1. Coating thickness on the substrate and rate control; or

2. Optical characteristics.

Note: 2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.

Dimensional inspection or measuring systems, equipment and "electronic assemblies", as follows:

a. Computer controlled or "numerically controlled" Coordinate Measuring Machines (CMM), having a three dimensional (volumetric) maximum permissible error of length measurement (E0,MPE) at any point within the operating range of the machine (i.e., within the length of axes) equal to or less (better) than 1.7 + L/1,000 μm (L is the measured length in mm), according to ISO 10360-2 (2009);

N.B.: SEE ALSO 2B206.

Technical Note

The E0,,MPE of the most accurate configuration of the CMM specified by the manufacturer (e.g., best of the following: probe, stylus length, motion parameters, environment) and with "all compensations available" shall be compared to the 1.7 + L/1,000 μm threshold.

b. Linear and angular displacement measuring instruments, as follows:

1. Linear displacement measuring instruments having any of the following:

Note Displacement measuring "laser" interferometers are only

specified in 2B006.b.1.c.

Technical Note:

For the purpose of 2B006.b.1. 'linear displacement' means the change of distance between the measuring probe and the measured object.

a. Non-contact type measuring systems with a "resolution" equal to or less (better) than 0.2 μm within a measuring range up to 0.2 mm;

b. Linear voltage differential transformer systems having all of the following characteristics:

1. "Linearity" equal to or less (better) than 0.1% within a measuring range up to 5 mm; and

2. Drift equal to or less (better) than 0.1% per day at a standard ambient test room temperature ±1K K; or

c. Measuring systems having all of the following:

1. Containing a "laser"; and

2. Maintaining, for at least 12 hours, at a temperature of 20±1°C, all of the following:

a. A "resolution" over their full scale of 0.1 μm or less (better); and

b. Capable of achieving a "measurement uncertainty", when compensated for the refractive index of air, equal to or less (better) than (0.2 + L/2,000) μm (L is the measured length in mm); or

d. "Electronic assemblies" specially designed to provide feedback capability in systems specified in 2B006.b.1.c.;

Note: 2B006.b.1. does not control measuring interferometer systems, with an automatic control system that is designed to use no feedback techniques, containing a "laser" to measure slide movement errors of machine-tools, dimensional inspection machines or similar equipment.

2. Angular displacement measuring instruments having an "angular position deviation" equal to or less (better) than 0.00025°;

Note: 2B006.b.2. does not control optical instruments, such as autocollimators, using collimated light (e.g. laser light) to detect angular displacement of a mirror.

c. Equipment for measuring surface roughness (including surface defects), by measuring optical scatter with a sensitivity of 0.5 nm or less (better).

Note 2B006 includes machine tools, other than those specified in 2B001, that can be used as measuring machines if they meet or exceed the criteria specified for the measuring machine function.

"Robots" having any of the following characteristics and specially designed controllers and "end-effectors" therefor:

N.B.: SEE ALSO 2B207.

a. Capable in real time of full three-dimensional image processing or full three-dimensional 'scene analysis' to generate or modify "programmes" or to generate or modify numerical programme data;

Technical Note:

The 'scene analysis' limitation does not include approximation of the third dimension by viewing at a given angle, or limited grey scale interpretation for the perception of depth or texture for the approved tasks (2 1/2 D).

b. Specially designed to comply with national safety standards applicable to potentially explosive munitions environments;

Note 2B007.b. does not apply to "robots" specially designed for paint-spraying booths.

c. Specially designed or rated as radiation-hardened to withstand a total radiation dose greater than 5 x 103 Gy (silicon) without operational degradation; or

Technical Note:

The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.

d. Specially designed to operate at altitudes exceeding 30,000 m.

Assemblies or units, specially designed for machine tools, or dimensional inspection or measuring systems and equipment, as follows:

a. Linear position feedback units (e.g., inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems) having an overall "accuracy" less (better) than (800 + (600 x L x 10-3)) nm(L equals the effective length in mm);

N.B. For "laser" systems see also 2B006.b.1.c. and 2B006.b.1.d.

b. Rotary position feedback units (e.g., inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems) having an "accuracy" less (better) than 0.00025°;

N.B. For "laser" systems see also 2B006.b.2.

Note : 2B008.a and 2B008.b control units, which are designed to determine the positioning information for feedback control, such as inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems.

c. "Compound rotary tables" and "tilting spindles", capable of upgrading, according to the manufacturer's specifications, machine tools to or above the levels specified in 2B.

Spin-forming machines and flow-forming machines, which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control and having all of the following:

N.B.: SEE ALSO 2B109 AND 2B209.

a. Three or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and

b. A roller force more than 60 kN.

Technical Note:

Machines combining the function of spin-forming and flow-forming are for the purpose of 2B009 regarded as flow-forming machines.

"Isostatic presses", other than those specified in 2B004, having all of the following:

N.B.: SEE ALSO 2B204.

a. Maximum working pressure of 69 MPa or greater;

b. Designed to achieve and maintain a controlled thermal environment of 873 K (600℃) or greater; and

c. Possessing a chamber cavity with an inside diameter of 254 mm or greater.

Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.

Flow-forming machines, other than those specified in 2B009, and specially designed components as follows:

N.B.: SEE ALSO 2B209.

a. Flow-forming machines having all of the following:

1. According to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control, even when not equipped with such units; and

2. With more than two axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control".

b. Specially designed components for flow-forming machines specified in 2B009 or 2B109.a.

Note: 2B109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.

Technical Note: Machines combining the function of spin-forming and flow-forming are for the purpose of 2B109 regarded as flow-forming machines.

Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:

a. Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz while imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';

b. Digital controllers, combined with specially designed vibration test software, with a "real-time control bandwidth" greater than 5 kHz designed for use with vibration test systems specified in 2B116.a.;

Technical Note:

In 2B116.b., 'real-time control bandwidth' means the maximum rate at which a controller canexecute complete cycles of sampling, processing data and transmitting control signals.

c. Vibration thrusters (shaker units), with or without associated amplifiers, capable of imparting a force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration test systems specified in 2B116.a.;

d. Test piece support structures and electronic units designed to combine multiple shaker units in a system capable of providing an effective combined force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration systems specified in 2B116.a.

Technical Note:

In 2B116, 'bare table' means a flat table, or surface, with no fixture or fittings.

Equipment and process controls, other than those specified in 2B004, 2B005.a., 2B104 or 2B105, designed or modified for densification and pyrolysis of structural composite rocket nozzles and reentry vehicle nose tips.

Balancing machines and related equipment, as follows:

N.B.: SEE ALSO 2B219.

a. Balancing machines having all the following characteristics:

1. Not capable of balancing rotors/assemblies having a mass greater than 3 kg;

2. Capable of balancing rotors/assemblies at speeds greater than 12,500 rpm;

3. Capable of correcting unbalance in two planes or more; and

4. Capable of balancing to a residual specific unbalance of 0.2 g mm per kg of rotor mass;

Note: 2B119.a. does not control balancing machines designed or modified for dental or other medical equipment.

b. Indicator heads designed or modified for use with machines specified in 2B119.a.

Technical Note:

Indicator heads are sometimes known as balancing instrumentation.

Motion  simulators or rate tables having all of the following characteristics:

a. Two axes or more;

b. Designed or modified to incorporate slip rings or integrated non-contact devices capable of transferring electrical power, signal information, or both; and

c. Having any of the following characteristics:

1. For any single axis having all of the following:

a. Capable of rates of 400 degrees/s or more, or 30 degrees/s or less; and

b. A rate resolution equal to or less than 6 degrees/s and an accuracy equal to or less than 0.6 degrees/s;

2. Having a worst-case rate stability equal to or better (less) than plus or minus 0.05 % averaged over 10 degrees or more; or

3. A positioning accuracy equal to or less (better) than 5 arc second.

Note 1: 2B120 does not control rotary tables designed or modified for machine tools or for medical equipment. For controls on machine tool rotary tables see 2B008.

Note 2: Motion simulators or rate tables specified in 2B120 remain controlled whether or not slip rings or integrated non-contact devices are fitted at time of export.

Positioning tables (equipment capable of precise rotary positioning in any axes), other than those specified in 2B120, having all the following characteristics:

a. Two axes or more; and

b. A positioning accuracy equal to or less (better) than 5 arc second.

Note: 2B121 does not control rotary tables designed or modified for machine tools or for medical equipment. For controls on machine tool rotary tables see 2B008.

Centrifuges capable of imparting accelerations above 100 g and designed or modified to incorporate slip rings or integrated non-contact devices capable of transferring electrical power, signal information, or both.

Note: Centrifuges specified in 2B122 remain controlled whether or not slip rings or integrated noncontact devices are fitted at time of export.

Machine tools and any combination thereof, other than those specified in 2B001, as follows, for removing or cutting metals, ceramics or "composites", which, according to the manufacturer’'s technical specification, can be equipped with electronic devices for simultaneous "contouring control" in two or more axes:

a. Machine tools for milling, having any of the following characteristics:

1. Positioning accuracies with "all compensations available" equal to or less (better) than 6 μm according to ISO 230/2 (1988)1 or national equivalents along any linear axis; or

2. Two or more contouring rotary axes;

Note: 2B201.a. does not control milling machines having the following characteristics:

a. X-axis travel greater than 2 m; and

b. Overall positioning accuracy on the x-axis more (worse) than 30 μm.

b. Machine tools for grinding, having any of the following characteristics:

1. Positioning accuracies with "all compensations available" equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988)1 or national equivalents along any linear axis; or

2. Two or more contouring rotary axes.

Note: 2B201.b. does not control the following grinding machines:

a. Cylindrical external, internal, and external-internal grinding machines having all of the following characteristics:

1. Limited to a maximum workpiece capacity of 150 mm outside diameter or length; and

2. Axes limited to x, z and c;

b. Jig grinders that do not have a z-axis or a w-axis with an overall positioning accuracy less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988)1 or national equivalents.

Note 1: 2B201 does not control special purpose machine tools limited to the manufacture of any of the following parts:

a. Gears;

b. Crankshafts or camshafts;

c. Tools or cutters;

d. Extruder worms.

Note 2: A machine tool having at least two of the three turning, milling or grinding capabilities (e.g., a turning machine with milling capability), must be evaluated against each applicable entry 2B001.a. or 2B201.a. or b.

"Isostatic presses", other than those specified in 2B004 or 2B104, and related equipment, as follows:

a. "Isostatic presses" having both of the following characteristics:

1. Capable of achieving a maximum working pressure of 69 MPa or greater; and

2. A chamber cavity with an inside diameter in excess of 152 mm;

b. Dies, moulds and controls, specially designed for "isostatic presses" specified in 2B204.a.

Technical Note:  In 2B204 the inside chamber dimension is that of the chamber in which both the working temperature and the working pressure are achieved and does not include fixtures. That dimension will be the smaller of either the inside diameter of the pressure chamber or the inside diameter of the insulated furnace chamber, depending on which of the two chambers is located inside the other.

Dimensional inspection machines, instruments or systems, other than those specified in 2B006, as follows:

a. Computer controlled or numerically controlled dimensional inspection machines having both of the following characteristics:

1. Two or more axes; and

2. A one-dimensional length "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (1.25 +L/1000) μm tested with a probe of an "accuracy" of less (better) than 0.2 μm (L is the measured length in millimetres) (Ref.:VDI/VDE 2617 Parts 1 and 2);

b. Systems for simultaneous linear-angular inspection of hemishells, having both of the following characteristics:

1. "Measurement uncertainty" along any linear axis equal to or less (better) than 3.5 μm per 5mm; and

2. "Angular position deviation" equal to or less than 0.02°.

Note 1: Machine tools that can be used as measuring machines are controlled if they meet or exceed the criteria specified for the machine tool function or the measuring machine function.

Note 2: A machine specified in 2B206 is controlled if it exceeds the control threshold anywhere within its operating range.

Technical Notes:

1. The probe used in determining the measurement uncertainty of a dimensional inspection system shall be described in VDI/VDE 2617 parts 2, 3 and 4.

2. All parameters of measurement values in 2B206 represent plus/minus i.e., not total band.

"Robots", "end-effectors" and control units, other than those specified in 2B007, as follows:

a. "Robots" or "end-effectors" specially designed to comply with national safety standards applicable to handling high explosives (for example, meeting electrical code ratings for high explosives);

b. Control units specially designed for any of the "robots" or "end-effectors" specified in 2B207.a.

Flow forming machines, spin forming machines capable of flow forming functions, other than those specified in 2B009 or 2B109, and mandrels, as follows:

a. Machines having both of the following characteristics:

1. Three or more rollers (active or guiding); and

2. Which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control;

b. Rotor-forming mandrels designed to form cylindrical rotors of inside diameter between 75 mm and 400 mm.

Note: 2B209.a. includes machines which have only a single roller designed to deform metal plus two auxiliary rollers which support the mandrel, but do not participate directly in the deformation process.

Centrifugal multiplane balancing machines, fixed or portable, horizontal or vertical,as follows:

a. Centrifugal balancing machines designed for balancing flexible rotors having a length of 600 mm or more and having all of the following characteristics:

1. Swing or journal diameter greater than 75 mm;

2. Mass capability of from 0.9 to 23 kg ; and

3. Capable of balancing speed of revolution greater than 5,000 r.p.m.;

b. Centrifugal balancing machines designed for balancing hollow cylindrical rotor components and having all of the following characteristics:

1. Journal diameter greater than 75 mm;

2. Mass capability of from 0.9 to 23 kg;

3. Capable of balancing to a residual imbalance equal to or less than 0.01 kg x mm/kg per plane; and

4. Belt drive type.

Remote manipulators that can be used to provide remote actions in radiochemical separation operations or hot cells, having either of the following characteristics:

a. A capability of penetrating 0.6 m or more of hot cell wall (through-the-wall operation); or

b. A capability of bridging over the top of a hot cell wall with a thickness of 0.6 m or more (over-the-wall operation).

Technical Note: Remote manipulators provide translation of human operator actions to a remote operating arm and terminal fixture. They may be of 'master/slave' type or operated by joystick or keypad.

Controlled atmosphere (vacuum or inert gas) induction furnaces, and power supplies therefor, as follows:

N.B: SEE ALSO 3B.

a. Furnaces having all of the following characteristics:

1. Capable of operation above 1,123 K (850°C);

2. Induction coils 600 mm or less in diameter; and

3. Designed for power inputs of 5 kW or more;

b. Power supplies, with a specified power output of 5 kW or more, specially designed for furnaces specified in 2B226.a.

Note: 2B226.a. does not control furnaces designed for the processing of semiconductor wafers.

Vacuum or other controlled atmosphere metallurgical melting and casting furnaces and related equipment as follows:

a. Arc remelt and casting furnaces having both of the following characteristics:

1. Consumable electrode capacities between 1,000 cm3 and 20,000 cm3, and

2. Capable of operating with melting temperatures above 1,973 K (1,700oC);

b. Electron beam melting furnaces and plasma atomization and melting furnaces, having both of the following characteristics:

1. A power of 50 kW or greater; and

2. Capable of operating with melting temperatures above 1,473 K (1,200oC).

c. Computer control and monitoring systems specially configured for any of the furnaces specified in 2B227.a. or b.

Rotor fabrication or assembly equipment, rotor straightening equipment, bellows-forming mandrels and dies, as follows:

a. Rotor assembly equipment for assembly of gas centrifuge rotor tube sections, baffles, and end caps;

Note: 2B228.a. includes precision mandrels, clamps, and shrink fit machines.

b. Rotor straightening equipment for alignment of gas centrifuge rotor tube sections to a common axis;

Technical Note: In 2B228.b. such equipment normally consists of precision measuring probes linked to a computer that subsequently controls the action of, for example, pneumatic rams used for aligning the rotor tube sections.

c. Bellows-forming mandrels and dies for producing single- convolution bellows.

Technical Note:  In 2B228.c. the bellows have all of the following characteristics:

1. Inside diameter between 75 mm and 400 mm;

2. Length equal to or greater than 12.7 mm;

3. Single convolution depth greater than 2 mm; and

4. Made of high-strength aluminium alloys, maraging steel or high strength "fibrous or filamentary materials".

"Pressure transducers" capable of measuring absolute pressures at any point in the range 0 to 13 kPa and having both of the following characteristics:

a. Pressure sensing elements made of or protected by aluminium, aluminium alloy, nickel or nickel alloy with more than 60% nickel by weight; and

b. Having either of the following characteristics:

1. A full scale of less than 13 kPa and an 'accuracy' of better than ± 1% of full-scale; or

2. A full scale of 13 kPa or greater and an 'accuracy' of better than ± 130 Pa.

Technical Note:

For the purposes of 2B230, 'accuracy' includes non-linearity, hysteresis and repeatability at ambient temperature.

Vacuum pumps having all of the following characteristics:

a. Input throat size equal to or greater than 380 mm;

b. Pumping speed equal to or greater than 15 m3/s; and

c. Capable of producing an ultimate vacuum better than 13.3 mPa.

Technical Notes:

1. The pumping speed is determined at the measurement point with nitrogen gas or air.

2. The ultimate vacuum is determined at the input of the pump with the input of the pump blocked off.

Multistage light gas guns or other high-velocity gun systems (coil, electromagnetic, and electrothermal types, and other advanced systems) capable of accelerating projectiles to 2 km/s or greater.

Chemical manufacturing facilities, equipment and components, as follows:

Technical Notes:

The materials used for gaskets, packing, seals, screws, washers or other materials performing a sealing function do not determine the status of control of the items listed below, provided that such components be designed to be interchangeable

a. Reaction vessels or reactors, with or without agitators, with total internal(geometric) volume greater than 0.1 m3 (100 litres) and less than 20 m3 (20,000 litres), where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by weight;

2. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

3. Glass (including vitrified or enamelled coating or glass lining);

4. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

5. Tantalum or tantalum alloys;

6. Titanium or titanium alloys;

7. Zirconium or zirconium alloys; or

8. Niobium(columbium) or niobium alloys;

b. Agitators designed for use in reaction vessels or reactors specified in 2B350.a.; and impellers, blades or shafts designed for such agitators, where all surfaces of the agitator that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by weight;

2. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

3. Glass (including vitrified or enamelled coating or glass lining);

4. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

5. Tantalum or tantalum alloys;

6. Titanium or titanium alloys;

7. Zirconium or zirconium alloys; or

8. Niobium(columbium) or niobium alloys;

c. Storage tanks, containers or receivers with a total internal (geometric) volume greater than 0.1 m3 (100 litres) where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by weight;

2. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

3. Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);

4. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

5. Tantalum or tantalum alloys;

6. Titanium or titanium alloys;

7. Zirconium or zirconium alloys; or

8. Niobium(columbium) or niobium alloys;

d. Heat exchangers or condensers with a heat transfer surface area greater than 0.15 m2, and less than 20 m2 and tubes, plates, coils or blocks (cores) designed for such heat exchangers or condensers, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by weight;

2. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

3. Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);

4. Graphite or 'carbon graphite';

5. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

6. Tantalum or tantalum alloys;

7. Titanium or titanium alloys;

8. Zirconium or zirconium alloys;

9. Silicon carbide;

10. Titanium carbide; or

11. Niobium(columbium) or niobium alloys;

e. Distillation or absorption columns of internal diameter greater than 0.1m; and liquid distributers, vapour distributers or liquid collectors designed for such distillation or absorbtion columns, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by    weight;

2. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

3. Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);

4. Graphite or 'carbon graphite';

5. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

6. Tantalum or tantalum alloys;

7. Titanium or titanium alloys;

8. Zirconium or zirconium alloys; or

9. Niobium(columbium) or niobium alloys;

f. Remotely operated filling equipment in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by weight; or

2. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

g. Valves with nominal sizes greater than 10 mm and casings (valve bodies) or preformed casing liners designed for such valves, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by weight;

2. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

3. Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);

4. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

5. Tantalum or tantalum alloys;

6. Titanium or titanium alloys;

7. Zirconium or zirconium alloys; or

8. Niobium(columbium) or niobium alloys;

9. Ceramic materials as follows:

a. Silicon carbide with purity of 80% or more by weight;

b. Aluminium oxide(alumina) with purity of 99.9% or more by weight;

c. Zirconium oxide(zirconia)

Technical Note:

The ‘nominal size’ is defined as the smaller of the inlet and outlet port diameters.

h. Multi-walled piping incorporating a leak detection port, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by    weight;

2. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

3. Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);

4. Graphite or 'carbon graphite';

5. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

6. Tantalum or tantalum alloys;

7. Titanium or titanium alloys;

8. Zirconium or zirconium alloys; or

9. Niobium(columbium) or niobium alloys;

i. Multiple-seal and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0.6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 oC)) and pressure (101.3 kPa) conditions); and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by  weight;

2. Ceramics;

3. Ferrosilicon (high silicon iron alloys); or

4. Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35% fluorine by weight);

5. Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);

6. Graphite or 'carbon graphite';

7. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight;

8. Tantalum or tantalum alloys;

9. Titanium or titanium alloys;

10. Zirconium or zirconium alloys; or

11. Niobium(columbium) or niobium alloys;

j. Incinerators designed to destroy chemicals specified in entry 1C350, having specially designed waste supply systems, special handling facilities and an average combustion chamber temperature greater than 1,273 K (1,000oC), in which all surfaces in the waste supply system that come into direct contact with the waste products are made from or lined with any of the following materials:

1. Alloys with more than 25% nickel and 20% chromium by    weight;

2. Ceramics; or

3. Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight.

Technical Note:

'Carbon graphite' is a composition consisting of amorphous carbon and graphite, in which the graphite content is eight percent or more by weight.

Technical Note:

For the listed materials in the above entries, the term ‘alloy’ when not accompanied by a specific elemental concentration is understood as identifying those alloys where the identified metal is present in a higher percentage by weight than any other element.

Toxic gas monitoring systems and their dedicated detecting components as follows: detector; sensor devices; replaceable sensor cartridges therefor

a. Designed for continuous operation and usable for the detection of chemical warfare agents or chemicals specified in 1C350, at concentrations of less than 0.3 mg/m3 ; or

b. Designed for the detection of cholinesterase-inhibiting activity.

Equipment capable of use in handling biological materials, as follows:

a. Complete biological containment facilities at P3, P4 containment level;

Technical Note:

P3 or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (3nd edition, Geneva 2004).

b. Fermenters capable of cultivation of pathogenic micro-organisms, viruses, or for toxin production, without propagation of 20 litres or greater; and

Components designed for such fermenters, as follows:

a. cultivation chambers designed to be  sterilized or disinfected in situ;

b. cultivation chamber holding devices; or

c. process control units capable of simultaneously monitoring and controlling two or more fermentation system parameters (e.g., temperature, pH, nutrients, agitation, dissolved oxygen, air flow, foam control).

Technical Note:

Fermenters include bioreactors, chemostats and continuous-flow systems.

c. Centrifugal separators, capable of continuous separation without the propagation of aerosols, having all the following characteristics:

1. Flow rate exceeding 100 litres per hour;

2. Components of polished stainless steel or titanium;

3. One or more sealing joints within the steam containment    area; and

4. Capable of in-situ steam sterilisation in a closed state;

Technical Note:

Centrifugal separators include decanters.

d. Cross (tangential) flow filtration equipment and components as follows:

1. Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures,  having both of the following characteristics:

a. A total filtration area equal to or greater than 1m2;  and

b. Having any of the following  characterisitics:

1. Capable of being sterilised or disinfected in-situ ; or

2. Using disposable or single-use filtration components;

Technical Note:

In 2B352.d.1.b. sterilised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents. Disinfected denotes the destruction of potential microbial infectivity in the equipment through the use of chemical agents with a germicidal effect. Disinfection and sterilisation are distinct from sanitisation, the latter referring to cleaning procedures designed to lower the microbial content of equipment without necessarily achieving elimination of all microbial infectivity or viability.

2. Cross(tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0.2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;

Note: 2B352.d. does not control reverse osmosis equipment, as specified by the manufacturer.

e. Steam sterilisable freeze drying equipment with a condenser capacity exceeding 10 kg of ice in 24 hours and less than 1,000 kg  of  ice  in 24 hours;

f. Protective and containment equipment, as follows:

1. Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;

Note: 2B352.f.1. does not control suits designed to be     worn with selfcontained breathing apparatus.

2. Class III biological safety cabinets or isolators with similar  performance standards;

Note: In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).

g. Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater.

h. Spraying or fogging systems and components therefore, as follows:

1. Complete spraying or fogging systems, specially designed or modified for fitting to aircraft, lighter than air vehicles or UAVs, capable of delivering, from a liquid suspension, an initial droplet “VMD” of less than 50 microns at a flow rate of greater than two litres per minute.

2. Spray booms or arrays of aerosol generating units, specially designed or modified for fitting to aircraft, lighter than air vehicles or UAVs, capable of delivering, from a liquid suspension, an initial droplet “VMD” of less than 50 microns at a flow rate of greater than two litres per minute.

3. Aerosol generating units specially designed for fitting to systems that fulfill all the criteria specified in paragraphs h.1 and h.2.

Technical Notes:

Aerosol generating units are devices specially designed or modified for fitting to aircraft such as nozzles, rotary drum atomisers and similar devices.

This entry does not control spraying or fogging systems and components as specified in paragraph h above that are demonstrated not to be capable of delivering biological agents in the form of infectious aerosols.

Pending definition of international standards, the following guidelines should be followed:

Droplet size for spray equipment or nozzles specially designed for use on aircraft or UAVs should be measured using either of the following methods:

1. Doppler laser method

2. Forward laser diffraction method

i. Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic microorganisms having all of the following characteristics:

1..a water evaporation capacity of ≥ 0.4 kg/h and ≤ 400 kg/h

2..the ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 micrometers with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and

3. capable of being sterilized or disinfected in situ.

Materials

None.

Software

"Software", other than that specified in 2D002, as follows:

a. "Software" specially designed or modified for the      "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001.;

b. "Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001, or 2B003 to 2B009.

Note 2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.

"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than 4 axes for "contouring control".

Note1 2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of machine tools not specified in Category 2.

Note 2 2D002 does not control "software" for items specified in 2B002 See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.

Note 3 2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, machine tools not specified in Category 2.

"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.

"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.

N.B.: SEE ALSO 9D004.

"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.

"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.

"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.

Technology

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.

Note : 2.E.1. includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified by 2.B.6.a.

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.

Other "technology", as follows:

a. "Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;

b. "Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:

1. "Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:

a. "Superplastic forming";

b. "Diffusion bonding"; or

c. "Direct-acting hydraulic pressing";

2. Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:

a. "Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":

1. Surface preparation;

2. Strain rate;

3. Temperature;

4. Pressure;

b. "Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:

1. Surface preparation;

2. Temperature;

3. Pressure;

c. "Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:

1. Pressure;

2. Cycle time;

d. "Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":

1. Temperature;

2. Pressure;

3. Cycle time;

c. "Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;

d. "Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;

e. "Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;

f. "Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.

Note: The table and Technical Note appear after entry 2E301.

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.

"Technology" according to the Technology Controls for the "development", "production" or "use" of items specified  in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B116, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.

TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES

1. Coating Process (1)	2. Substrate	3. Resultant Coating
A.Chemical Vapour Deposition (CVD)	"Superalloys"	Aluminides for internal passages
	Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)	Silicides Carbides Dielectric layers (15) Diamond Diamond-like carbon (17)
	Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"	Silicides Carbides Refractory metals Mixtures thereof (4) Dielectric layers (15) Aluminides Alloyed aluminides (2) Boron nitride
	Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)	Carbides Tungsten Mixtures thereof (4) Dielectric layers (15)
	Molybdenum and Molybdenum alloys	Dielectric layers (15)
	Beryllium and Beryllium alloys	Dielectric layers (15) Diamond Diamond-like carbon (17)
	Sensor window materials (9)	Dielectric layers (15) Diamond Diamond-like carbon (17)
B. Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
B.1. Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)	"Superalloys"	Alloyed silicides Alloyed aluminides (2) MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Silicides Aluminides Mixtures thereof (4)
	Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)	Dielectric layers (15)
	Corrosion resistant steel (7)	MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Mixtures thereof (4)
	Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"	Silicides Carbides Refractory metals Mixtures thereof (4) Dielectric layers (15) Boron nitride
	Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)	Carbides Tungsten Mixtures thereof (4) Dielectric layers (15)
	Molybdenum and Molybdenum alloys	Dielectric layers (15)
	Beryllium and Beryllium alloys	Dielectric layers (15) Borides Beryllium
	Sensor window materials (9)	Dielectric layers (15)
	Titanium alloys (13)	Borides Nitrides
B.2. Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)	Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)	Dielectric layers (15) Diamond-like carbon (17)
	Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"	Dielectric layers (15)
	Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide	Dielectric layers (15)
	Molybdenum and Molybdenum alloys	Dielectric layers (15)
	Beryllium and Beryllium alloys	Dielectric layers (15)
	Sensor window materials (9)	Dielectric layers (15) Diamond-like carbon (17)
B.3. Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization	Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)	Silicides Dielectric layers (15) Diamond-like carbon (17)
	Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"	Dielectric layers (15)
	Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide	Dielectric layers (15)
	Molybdenum and Molybdenum alloys	Dielectric layers (15)
	Beryllium and Beryllium alloys	Dielectric layers (15)
	Sensor window materials (9)	Dielectric layers (15) Diamond-like carbon
B.4.Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge	"Superalloys"	Alloyed silicides Alloyed aluminides (2) MCrAlX (5)
	Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"	Borides Carbides Nitrides Diamond-like carbon (17)
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)	Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"	Silicides Carbides Mixtures thereof (4)
	Titanium alloys (13)	Silicides Aluminides Alloyed aluminides (2)
	Refractory metals and alloys (8)	Silicides Oxides
D.Plasma spraying	"Superalloys"	MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Mixtures thereof (4) Abradable Nickel-Graphite Abradable materials containing Ni-Cr-Al Abradable Al-Si-Polyester Alloyed aluminides (2)
	Aluminium alloys (6)	MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Silicides Mixtures thereof (4)
	Refractory metals and alloys (8)	Aluminides Silicides Carbides
	Corrosion resistant steel (7)	MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Mixtures thereof (4)
	Titanium alloys (13)	Carbides Aluminides Silicides Alloyed aluminides (2) Abradable Nickel-Graphite Abradable materials containing Ni-Cr-Al Abradable Al-Si-Polyester
E. Slurry Deposition	Refractory metals and alloys (8)	Fused silicides Fused aluminides except for resistance heating elements
	Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"	Silicides Carbides Mixtures thereof (4)
F. Sputter Deposition	"Superalloys"	Alloyed silicides Alloyed aluminides (2) Noble metal modified aluminides (3) MCrAlX (5) Modified zirconia (12) Platinum Mixtures thereof (4)
	Ceramics and Low- expansion glasses (14)	Silicides Platinum Mixtures thereof (4) Dielectic layers (15) Diamond-like carbon (17)
	Titanium alloys (13)	Borides Nitrides Oxides Silicides Aluminides Alloyed aluminides (2) Carbides
	Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"	Silicides Carbides Refractory metals Mixtures thereof (4) Dielectric layers (15) Boron nitride
	Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)	Carbides Tungsten Mixtures thereof (4) Dielectric layers (15) Boron nitride
	Molybdenum and Molybdenum alloys	Dielectric layers (15)
	Beryllium and Beryllium alloys	Borides Dielectric layers (15) Beryllium
	Sensor window materials (9)	Dielectric layers (15) Diamond-like carbon (17)
	Refractory metals and alloys (8)	Aluminides Silicides Oxides Carbides
G. Ion Implantation	High temperature bearing steels	Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
	Titanium alloys (13)	Borides Nitrides
	Beryllium and Beryllium alloys	Borides
	Cemented tungsten carbide (16)	Carbides Nitrides

TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES

1. The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.

2. The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process. It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.

3. The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.

4. The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.

5. 'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0.01 weight percent in various proportions and combinations, except:

a. CoCrAlY coatings which contain less than 22 weight percent of chromium, less than 7 weight percent of aluminium and less than 2 weight percent of yttrium;

b. CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 weight percent of chromium, 10 to 12 weight percent of aluminium and 0.5 to 0.7 weight percent of yttrium; or

c. NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 weight percent of chromium, 10 to 12 weight percent of aluminium and 0.9 to1.1 weight percent of yttrium.

6. The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293K (20℃).

7. The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.

8. 'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.

9. 'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.

10. "Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.

11. 'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, poly carbonates and polyurethanes.

12. 'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.  Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.

13. 'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293K (20°C).

14. 'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1×10-7K-1 or less measured at 293K (20°C).

15. 'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands. Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.

16. 'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/ nickel-chromium and chromium carbide/nickel.

17. "Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:

magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching- pressing dies, office automation equipment, microphones, medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5% beryllium.

18. 'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.

19. Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5% by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.

Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:

a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.  Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.  Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.

N.B.1  CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.

N.B.2  Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.

N.B.3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.

b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0.1Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.  This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.

The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.

The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.  The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.

Specific TE-PVD processes are as follows:

1. Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;

2. Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;

3. "Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;

4. Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.  Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.  The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.  Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.

N.B.  This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.

5. Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma. The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.

c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:

1. The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);

2. An activator (normally a halide salt); and

3. An inert powder, most frequently alumina.

The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1,030K (757°C) and 1,375K (1,102°C) for sufficient time to deposit the coating.

d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.  Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.

N.B.1   Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.

N.B.2  High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293K (20°C) at 0.1 MPa.

e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.

f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).  The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.

N.B.1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.

N.B.2  Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.

g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.  This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.

3A

3A001

(IL3.A.1.)

3A001.a

3A001.a.1

(MT14.A.1.b, MT18.A.1, MT18.A.2)

3A001.a.1.a

3A001.a.1.b

3A001.a.1.c

3A001.a.2

(MT14.A.1.b)

3A001.a.2.a

3A001.a.2.b

3A001.a.2.c

(MT14.A.1.b)

3A001.a.3

3A001.a.4

3A001.a.5

(MT14.A.1.b.1)

3A001.a.5.a

3A001.a.5.a.1

3A001.a.5.a.2

3A001.a.5.a.3

3A001.a.5.a.4

3A001.a.5.a.5

3A001.a.5.b

3A001.a.6

3A001.a.7

3A001.a.7.a

3A001.a.7.b

3A001.a.8

3A001.a.9

3A001.a.10

3A001.a.10.a

3A001.a.10.b

3A001.a.10.c

3A001.a.11

3A001.a.11.a

3A001.a.11.b

3A001.a.12

3A001.a.13

3A001.b

3A001.b.1

3A001.b.1.a

3A001.b.1.a.1

3A001.b.1.a.2

3A001.b.1.a.3

3A001.b.1.a.4

3A001.b.1.a.4.a

3A001.b.1.a.4.b

3A001.b.1.a.4.c

3A001.b.1.b

3A001.b.1.c

3A001.b.2

3A001.b.2.a

3A001.b.2.b

3A001.b.2.c

3A001.b.2.d

3A001.b.2.e

3A001.b.2.f

3A001.b.2.g

3A001.b.2.h

3A001.b.3

3A001.b.3.a

3A001.b.3.b

3A001.b.3.c

3A001.b.3.d

3A001.b.3.e

3A001.b.4

3A001.b.4.a

3A001.b.4.b

3A001.b.4.c

3A001.b.4.d

3A001.b.4.e

3A001.b.4.f

3A001.b.5

3A001.b.5.a

3A001.b.5.b

3A001.b.6

3A001.b.7

3A001.b.8

3A001.b.9

3A001.b.10

3A001.b.11

3A001.c

3A001.c.1

3A001.c.1.a

3A001.c.1.b

3A001.c.1.b.1

3A001.c.1.b.2

3A001.c.1.b.3

3A001.c.1.b.4

3A001.c.1.c

3A001.c.1.c.1

3A001.c.1.c.2

3A001.c.1.c.3

3A001.c.2

3A001.c.3

3A001.d

3A001.d.1

3A001.d.2

3A001.e

3A001.e.1

3A001.e.1.a

3A001.e.1.b

3A001.e.2

(NR6.A.4)

3A001.e.2.a

3A001.e.2.b

3A001.e.3

(NR3.A.4)

3A001.e.4

3A001.f

3A001.g

(NR6.A.3)

3A001.g.1

3A001.g.2

3A001.h

3A002

(IL3.A.2.)

3A002.a

3A002.a.1

3A002.a.1.a

3A002.a.1.b

3A002.a.1.c

3A002.a.2

3A002.a.3

3A002.a.3.a

3A002.a.3.b

3A002.a.4

3A002.a.5

3A002.a.6

3A002.b

3A002.c

3A002.c.1

3A002.c.2

3A002.c.3

3A002.c.4

3A002.c.5

3A002.d

3A002.d.1

3A002.d.2

3A002.d.3

3A002.d.3.a

3A002.d.3.b

3A002.d.3.c

3A002.d.3.d

3A002.d.3.e

3A002.d.3.f

3A002.d.4

3A002.d.5

3A002.e

3A002.f

3A002.g

3A002.g.1

3A002.g.2

3A002.g.3

3A003

(IL3.A.3.)

3A101

3A101.a

(MT14.A.1)

3A101.b.

(MT15.B.5)

3A102

(MT12.A.6)

3A201

3A201.a

(NR6.A.4.)

3A201.a.1

3A201.a.2

3A201.b.

(NR3.A.4)

3A201.c.

(NR5.B.1)

3A201.c.1

3A201.c.2

3A225

(NR3.A.1)

3A226

(NR3.A.5)

3A227

(NR3.A.6)

3A228

(NR6.A.3)

3A228.a

3A228.b

3A228.c

3A229

(NR6.A.2)

3A229.a

3A229.b

3A230

(NR5.B.6)

3A231

(NR6.A.5)

3A232

(NR6.A.1)

3A232.a

3A232.b

3A233

(NR3.B.6)

3A233.a

3A233.b

3A233.c

3A233.d

3A233.e

3A233.e.1

3A233.e.2

3A233.f

3B

3B001

(IL3.B.1.)

3B001.a

3B001.a.1

3B001.a.2

3B001.a.3

3B001.b

3B001.b.1

3B001.b.2

3B001.b.3

3B001.b.4

3B001.b.5

3B001.c

3B001.d

3B001.e

3B001.f

3B001.f.1

3B001.f.1.a

3B001.f.1.b

3B001.f.2

3B001.f.3

3B001.g

3B001.h

3B001.i

3B002

(IL3.B.2.)

3B002.a

3B002.b

3B002.c

3C

3C001

(IL3.C.1.)

3C001.a

3C001.b

3C001.c

3C001.d

3C002

(IL3.C.2.)

3C002.a

3C002.b

3C002.c

3C002.d

3C002.e

3C003

(IL3.C.3.)

3C003.a

3C003.b

3C004

(IL3.C.4.)

3C005

(IL3.C.5.)

3C006

(IL3.C.6.)

3D

3D001

(IL3.D.1.)

3D002

(IL3.D.2.)

3D003

(IL3.D.3.)

3D004

(IL3.D.4.)

3D101

(MT15.D.1.)

3E

3E001

(IL3.E.1.)

(MT)

(NR)

3E002

(IL3.E.2.)

3E002.a

3E002.b

3E002.c

3E003

(IL3.E.3.)

3E003.a

3E003.b

3E003.c

3E003.d

3E003.e

3E003.f

3E003.g

3E101

(MT14.E.1.)

3E102

(MT15.E.1)

3E201

(NR3.E.1.,

NR6.E.1.)

제3부 전자

시스템, 장비 및 부품

주 1 : 3A001 또는 3A002의 장비 및 부품의 통제여부는 (3A001.a.3~10항 또는 3A001.a.12항 또는 3A001.a.13 항에 기술된 것은 제외) 다른 장비와동일한 기능적 특성을 갖거나 그것을 위해 전용 설계된 것이면 그 다른 장비의 통제여부에 의해 결정된다.

주 2 : 3A001.a.3~9항 또는 3A001.a.12항 또는 3A001.a.13항의 집적회로가 다른 장비의 특정 기능용으로 개조할 수 없게 프로그램되거나 설계된 것일 경우의 통제여부는 그 다른 장비의 통제여부에 의해 결정된다.

주의 : 제조업자나 신청인이 다른 장비의 통제여부를 결정할 수 없을 때 집적회로(Integrated circuits)의 통제 여부는 3A001.a.3~9의 항 , 3A001.a.12.항 및 3A001.a.13항에 의해 결정된다.

전자부품 및 이의 전용 설계된 부품으로 다음의 것

a. 범용 집적회로로서 다음의 것

주 1: 기능이 이미 결정되어 있는 웨이퍼(가공 또는 미가공)의 통제 여부는 3A001.a.항의 통제규정에 따라 판단된다.

주 2: 집적회로의 종류는 다음과 같다.

“단일칩 집적회로”;

“하이브리드 집적회로”;

“멀티칩(multichip) 집적회로”;

실리콘온사파이어(silicon-on-sapphire)집적회로를 포함하는 “필름타입 집적회로”;

“광 집적회로”

1. 집적회로로서 다음 중 하나의 방사선조사에도 견딜 수 있도록 설계되거나 정격화된 것

a. 총흡수선량(Total Dose)이 실리콘 기준으로 5×103 Gy이상;

b. 흡수선량 비율 상한치(Dose Rate Upset)가 실리콘 기준으로 5×106 Gy/s 이상; 또는

c. 실리콘을 기준으로 중성자(1 MeV equivalent)의 총플럭스(integrated flux)가 5×1013 n/㎠ 이상, 또는 다른 소재를 기준으로 할 때 이와 동등한 것

주: 금속 절연 반도체(Metal Insulator Semiconductors (MIS)) 에는 3A001.a.1.c가 적용되지 않음

2. 화합물반도체로 제조된 “마이크로프로세서 마이크로회로”, “마이크로컴퓨터 마이크로회로”, 마이크로 컨트롤러 마이크로회로, 저장 집적회로 및 아날로그에서 디지털로의 변환기(A/D 변환기), 디지털에서 아날로그로의 변환기(D/A 변환기), “신호처리”를 위하여 설계된 전기 광학 집적회로 또는 “광 집적회로”, 필드프로그래머블 로직 디바이스, 주문형 집적회로로서 기능이 알려져 있지 않거나 집적회로가 사용될 장비의 통제 여부가 알려져 있지 않은 경우, 고속 푸리에 변환(FFT) 프로세서, EEPROM, 플래시메모리 또는 SRAM으로서 다음 중 하나 이상의 특성을 갖는 것

a. 398K(125℃) 초과의 주위 온도에서 동작하도록 정격화되거나,

b. 218K(-55℃) 미만의 주위 온도에서 동작하도록 정격화되거나, 또는

c. 218K(-55℃) ~ 398K(125℃)의 주위 온도 전 범위에서 동작하도록 정격화된 것

주: 3A001.a.2는 민간자동차나 철도차량용 집적회로에는 적용되지 않는다.

3. “마이크로프로세서 마이크로회로”, “마이크로컴퓨터 마이크로회로”, 마이크로 컨트롤러 마이크로회로로서 화합물반도체로 제조되고 40MHz 초과의 클락 주파수에서 동작하는 것

주: 본 항은 디지털 신호 프로세서(Digital signal processors), 디지털 배열 프로세서(Digit array processors) 및 디지털 코프로세서(Digital Coprocessors)를 포함한다.

4. 사용 안함

5. 아날로그에서 디지털로의 변환기(ADC), 디지털에서 아날로그로의 변환기(DAC) 집적회로서 다음 중 하나인 것

a. 아날로그에서 디지털로의 변환기(ADC)로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

주의: 3A101 참조

1.  분해능력(resolution)이 8bit 이상 10bit 미만이고, 출력속도(output rate)가 500million words / second를 초과하는 것

2. 분해능력이 10bit 이상 12bit미만이고, 출력속도가 300 million words /second를 초과하는 것

3. 분해능력이 12bit이고 출력속도가 200million words / second를 초과하는 것;

4. 분해능력이 12bit 초과 14bit이하이고 출력속도가 125 million words /second를 초과하는 것; 또는

5. 분해능력이 14bit를 초과하고 출력속도가 20million words /second를 초과하는 것.

b. 디지털에서 아날로그로의 변환기(DAC)로서 다음 중 하나의 것

1. 분해능력이 10bit 이상이고, ‘조정 갱신속도(adjusted update rate)’가 3,500메가샘플(MSPS) 이상; 또는

2. 분해능력이 12 bit 이상이고, ‘조정 갱신속도’가 1,250메가샘플(MSPS) 이상이며, 다음 중 하나의 것

a. 아날로그 출력값이 전체스케일 수준에서 전체스케일의 0.024% 수준으로 변화하기까지의 안정화 시간(settling time)이 9ns 미만의 것

b. 전체 스케일 100MHz의 아날로그 신호 또는 그 이하의 아날로그 출력신호를 생성할 때, ‘SFDR(Spurious Free Dynamic Range)' 값이 68dBc를 초과하는 것

기술해설

1. ‘SFDR'은 DAC 입력에서의 반송주파수(최대 신호 성분) 실효값(RMS)에 대한 DAC 출력에서의 최대 크기 잡음 또는 고조파 왜곡 성분의 실효값(RMS)의 비율을 의미한다.

2. SFDR은 SFDR 대 주파수 특성도 또는 사양표를 통해 결정된다.

3. 전체 스케일은 신호의 크기가 -3 dBfs(전체스케일) 이상 일때의 신호로 정의된다.

4. DAC의 ‘조정 갱신속도’:

a. 일반적인 (비 보간 형(non-interpolating)) DAC의 경우,  디지털 신호가 아날로그 신호 및 아날로그 출력값으로 변환되는 속도를 말한다. 보간 모드를 거치지 않는(보간 지수가 1인 경우) DAC를 일반적인(비 보간형) DAC로 간주한다.

b. 보간 형(interpolating) DAC(오버샘플링 DAC)의 ‘조정 갱신 속도’는 DAC의 갱신 속도를 최소 보간 지수로 나눈 값을 말한다. 보간 형 DAC에 관한 ‘조정 갱신속도’는 다음의 용어로도 규정될 수 있다.

•입력 데이터 속도

•입력 워드 속도

•입력 샘플 속도

•최대 총 입력 버스 속도

•DAC 클럭 입력의 최대 DAC 클럭 속도

기술해설:

1. n bit의 분해능력(resolution)은 2n개의 양자화 수준(quantization level)과 같다.

2. 출력 워드의 bit 수는 ADC의 분해능력과 같다.

3. 출력 속도(output rate)는 구성이나 오버샘플링에 관계없이 변환기의 최대 출력 속도이다. 공급자는 출력 속도를 샘플링 속도(sampling rate), 변환 속도(conversion rate) 또는 처리 속도(throughput rate)로 나타낼 수도 있다. 보통 메가헤르츠(MHz) 또는 초당 메가샘플(MSPS)로 정의된다.

4. ‘다채널(multiple channel) ADC'의 경우, 출력 워드의 bit 수는 각 채널의 bit 수의 총 합으로 정의하지 않으며, 출력 속도는 이 중 최대의 값을 갖는 1개 채널의 출력 속도이다.

5. ‘인터리빙 방식(interleaved) ADC 또는 인터리빙 방식으로 동작하는 ’다채널 ADC'의 경우, 출력 워드의 bit 수는 각 채널의 bit 수의 총 합으로 정의하며, 출력 속도는 각 채널의 모든 출력 속도를 합한 최대 값으로 한다.

6. 공급자는 출력 속도를 샘플링 속도, 변환 속도 또는 처리 속도로 나타낼 수 있다. 이는 보통 메가헤르츠(MHz) 또는 초당 메가샘플(MSPS)로 규정된다.

7. 출력 속도 측정 시, 초당 출력 워드는 1 헤르츠(Hz) 또는 초당 1 샘플과 같다.

8. ‘다채널 ADC'는 2개 이상의 ADC가 결합된 것으로서, 이때 각 ADC는 개별적인 아날로그 입력을 갖는다.

9. '인터리빙 방식 ADC'는 동일한 아날로그 입력신호를 각기 다른 시점에서 샘플링하여 그 출력이 합해지는 여러 개의 ADC를 포함하는 경우로 정의한다. 이렇게 함으로써 아날로그 입력이 효과적으로 샘플링되어지고 보다 높은 샘플링 속도로 변환될 수 있다.

6.  “신호처리”용  광전(electro-optical) 집적회로 및 “광(optical)집적회로”로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 1개 이상의 내부 “레이저”다이오드를 갖고,

b. 1개 이상의 내부 광검출 소자(수광소자)를 가지며,

c. 광 도파관(optical waveguides)을 갖는 것

7. 필드프로그래머블 로직 디바이스(field programmable logic devices)로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 단일(single-ended) 디지털 입/출력단자의 최대수가 500개를 초과;

b. ‘단방향 직렬 송수신기의 총 최대 데이터 전송속도’가 200 Gb/s를 초과;

주: 3A001.a.7은 다음의 것을 포함

- Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)

- Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)

- Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)

- Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)

- Field Programmable Interconnects (FPICs)

기술해설:

1. ‘필드프로그래머블 로직 디바이스’는 필드프로그래머블 게이트(field programmable gate) 또는 필드프로그래머블 로직 어레이(field programmable logic arrays)라고도 한다.

2. 3A001.a.7.a에서 입/출력단자의 최대 개수는 ‘최대 사용자 입/출력’단자수 또는 ‘최대 사용가능한 입/출력’단자수와 같고 집적회로의 조립여부와는 관계없음.

3. '단방향 직렬 송수신기의 총 최대 데이터 전송속도'는 직렬 단방향 송수신기의 최대 전송속도와 FPGA 상의 송수신기의 수와의 곱과 같다.

8. 삭 제

9. 신경회로망 집적회로

10.  주문형 집적회로로서 그 기능이 알려져 있지 않거나, 이를 사용한 장비의 통제여부를 제조업자가 알 수 없는 것으로 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 단자(terminal) 수가 1,500개를 초과하는 것

b. 일반적인 "기본게이트 전파지연시간"이 0.02ns 미만인 것, 또는

c. 동작주파수가 3GHz를 초과하는 것

11.  3A001.a.3~10. 및 3A001.a.12.에서 기술된 것을 제외한 디지털 집적회로로서 화합물반도체 재료로 제조되고, 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 등가게이트 수가 3,000개(2입력 게이트)를 초과하는 것, 또는

b. 토글 주파수가 1.2GHz를 초과하는 것

12. 고속 푸리에 변환(FFT) 프로세서로서 N-point 복소(complex) FFT의 정격 실행시간이 (N×log₂N)/20,480 ms 미만인 것 (N: point 수)

기술해설:

3A001.a.12에서 N이 1,024point일 경우 실행시간은 500㎲

13. 직접 디지털 주파수합성기 집적회로로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 3.5GHz 이상의 디지털-아날로그 변환기(DAC) 클락주파수를 갖고, 10비트 이상 12비트 이하의 DAC 분해능을 갖는 것; 또는

b. 1.25GHz 이상의 DAC 클락주파수를 갖고,  12비트 이상의 DAC 분해능을 갖는 것

기술해설

DAC 클락주파수는 마이크로프로세서의 클락주파수(마스터 클락주파수) 또는 DAC의 클락주파수(입력 클락주파수)로 정의된다.

b. 마이크로웨이브 또는 밀리미터 웨이브 소자로서 다음에 해당되는 것

1. 전자 진공관과 음극선관(cathodes)으로서 다음의 것

주 1: 다음의 모든 특성을 갖는 주파수 대역에서 작동되도록 설계되거나 정격화된 진공관은 통제하지 않는다.

a. 31.8GHz를 초과하지 않고

b. 무선측위(無線測位)를 제외한 무선통신 서비스를 위해 “ITU(International Telecommunication Union(국제전기통신연합))에 의해 할당된”

주 2: 다음의 모든 특성을 충족하는 비“우주용” 진공관은 통제하지 않는다.

a. 평균출력이 50W 이하이고

b. 아래의 모든 특성을 갖는 주파수 대역에서 작동되도록 설계되거나 정격화된 것

1. 31.8GHz를 초과하나 43.5GHz를 초과하지 않고

2. 무선측위(無線測位)를 제외한 무선통신 서비스를 위해 “ITU에 의해 할당된”

a. 진행파(펄스 또는 지속파)관으로서 다음 중 하나의 것

1. 동작주파수가 31.8GHz를 초과하는 것

2. 음극가열(cathode heater) 소자를 가지고 있으며, 정격출력에 도달할 때까지의 시간이 3초 미만인 것

3. 결합 공동관(coupled cavity tube) 또는 이의 파생된 관으로서 “비대역폭”(fractional bandwidth)이 7% 초과 또는 최대 출력(peak power)이 2.5 kW를 초과하는 것

4. 나선형 관(helix tube), 또는 이의 파생된 관으로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. “순간 대역폭”(instantaneous bandwidth)이 1옥타브를 초과하고, 평균출력(kW)과 주파수(GHz)의 곱이 0.5를 초과하는 것

b. “순간 대역폭”이 1옥타브 이하이고, 평균출력(kW)과 주파수(GHz)의 곱이 1.0을 초과하는 것

c. “우주용”

b. 교차장 증폭기관(crossed-field amplifier tubes)으로서 이득이 17dB를 초과하는 것

c.  전자관(electronic tubes)용 함침형음극(impregnated cathode)으로서 정격동작상태에서 연속방사전류밀도(continuous emission current density)가 5A/㎠를 초과하는 것

2. 마이크로웨이브 단일칩 집적회로(MMIC) 전력증폭기로서 다음 중 하나에 해당하는 것

a. 동작주파수가 3.2GHz 초과부터 6.8 GHz까지이고 "비대역폭”이 15%를 초과하고 평균출력이 4W(36dBm)를 초과하는 것

b. 동작주파수가 6.8 GHz 초과부터 16GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 1W(30dBm)를 초과하는 것

c. 동작주파수가 16GHz 초과부터 31.8GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 0.8W(29dBm)를 초과하는 것

d. 동작주파수가 31.8GHz 초과부터 37 GHz까지 평균출력이	0.1 nW (-70 dBm)를 초과하는 것;

e. 동작주파수가 37 GHz 초과부터 43.5GHz까지이고 "비대역폭"이 10%를 초과하고 평균출력이 1.0 W (30 dBm)를 초과하는 것

f. 동작주파수가 43.5GHz 초과부터 75GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 31.62 mW (15 dBm)를 초과하는 것;

g. 동작주파수가 75GHz 초과부터 90GHz까지이고 "비대역폭”이 5%를 초과하고 평균출력이 10 mW (10 dBm)를 초과하는 것; 또는

h. 동작주파수가 90GHz를 초과하고 평균출력이 0.1 nW (-70 dBm)를 초과하는 것;

주 1: 삭제

주 2: 3A001.b.2.a~f에서 정의된 주파수 범위 중 둘 이상의 주파수범위에서 동작하도록 정격화된 MMIC에 대한 통제 여부는 해당되는 주파수 범위에서의 평균출력 중 최저값을 기준으로 결정된다.

주 3: 3A 주1과 주2에 따라 MMIC가 전기통신, 레이더, 자동차와 같은 용도로 전용 설계된 경우에는 3A001.b.2.에 의해 통제되지 않는다.

3.  마이크로웨이브 트랜지스터로서 다음 중 하나인 것

a. 동작주파수가 3.2GHz 초과부터 6.8 GHz까지이고 평균출력이 60W(47.8dBm)를 초과하는 것

b. 동작주파수가 6.8 GHz 초과부터 31.8GHz까지이고 평균출력이 20W(43dBm)를 초과하는 것

c. 동작주파수가 31.8GHz 초과부터 37.5GHz까지이고 평균출력이 0.5W(27dBm)를 초과하는 것

d. 동작주파수가 37.5GHz 초과부터 43.5GHz까지이고 평균출력이 1W(30dBm)를 초과하는 것, 또는

e. 동작주파수가 43.5GHz를 초과하고, 평균출력이 0.1 nW를	초과하는 것;

주: 3A001.b.3.a~e 에서 정의된 주파수 범위 중 둘 이상의 주파수범위에서 동작하도록 정격화된 트랜지스터에 대한 통제 여부는 해당되는 주파수 범위에서의 평균출력 중 최저값을 기준으로 결정된다.

4.  마이크로웨이브 반도체 증폭기(solid state amplifier)와 마이크로웨이브 반도체 증폭기를 장착한 마이크로웨이브 조립품/모듈로서 다음 중 하나에 해당하는 것

a. 동작주파수가 3.2GHz 초과부터 6.8GHz까지이고 "비대역폭”이 15%를 초과하고 평균출력이 60W(47.8dBm)를 초과하는 것

b. 동작주파수가 6.8GHz 초과부터 31.8GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 15W(42dBm)를 초과하는 것

c. 동작주파수가 31.8GHz 초과부터 37.5GHz까지 평균출력이	0.1 nW를 초과하는 것;

d. 동작주파수가 37.5GHz 초과부터 43.5GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 1W(30dBm)를 초과하는 것

e. 동작주파수가 43.5GHz를 초과 평균출력이 0.1nW를 초과하	는 것;

f. 동작주파수가 3.2GHz를 초과하고 다음 모두에 해당하는 것

1. 평균출력 P(W로 표시)가 최대 동작주파수(GHz으로 표시)를 제곱한 값으로 나누어 150을 초과하는 경우 [P>150 W×GHz²/fGHz²]

2. "비대역폭”이 5% 이상인 것

3. 서로 수직인 양면의 길이 d(cm으로 표시)가 최저 동작주파수(GHz로 표시)로 나누어 15이하인 경우[d≤ 15cm×GHz/ fGHz]

기술해설:

3.2 GHz이하의 주파수 범위까지 동작하도록 정격화된 증폭기에 대해 3A001.b.4.f.3의 공식에서 최저 동작주파수는 3.2 GHz이다. [d≤15cm×GHz/3.2 GHz]

주의: MMIC 전력증폭기는 3A001.b.2의 기준과 비교 대비하여 평가해야 한다.

주 1: 삭제

주 2: 3A001.b.4.a~e에서 정의된 주파수 범위 중 둘 이상의 주파수범위에서 동작하도록 정격화된 품목에 대한 통제 여부는 해당되는 주파수 범위에서의 평균출력 중 최저값을 기준으로 결정된다.

주 3: 3A001.b.4는 송수신 모듈과 송신모듈을 포함한다.

5. 전자 또는 자기 가변 대역통과(band-pass) 또는 대역저지(band-stop) 필터로서 최대 주파수와 최소 주파수와의 비율이 1.5:1인 주파수대역을 10㎲ 미만의 시간이내에 동조시키는 가변 공진기(resonator)가 5개를 초과하고 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 통과 대역폭이 중심주파수(Center frequency)의 0.5%를 초과하거나,

b. 저지 대역폭이 중심주파수의 0.5% 미만인 것

6. 삭제

7. 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e, 혹은 3A002.f에 기술된 장비의 주파수 범위를 확대하기 위해 설계된 변환기 및 고조파 혼합기

8.  마이크로웨이브 전력증폭기로서 3A001.b.1. 에서 통제되는 진공관을 포함하고 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 동작주파수가 3GHz 초과

b. 평균 질량대 출력비(output power to mass ratio)가 80W/kg을 초과

c. 체적이 400 ㎤ 미만

주: 3A001.b.8은 무선측위(無線測位)를 제외한 무선통신 서비스를 위해 “ITU에 의해 할당된” 주파수 대역폭에서 작동되도록 설계되거나 정격화된 장비를 통제하지 않는다.

9. 마이크로웨이브 전력 모듈(Microwave power modules (MPM))로 적어도 하나 이상의 진행파관, 마이크로파 단일칩 집적회로 및 집적 전자 전원 안정기로 구성되어 있고 다음의 모든 특성을 가지는 것

a. 오프상태에서 완전한 동작 상태까지 걸리는 턴-온 시간이 10초 미만인 것;

b. 부피가 최대 정격 전력(W)과 10 ㎤/W 의 곱보다 작은 것; 그리고

c. “순간 대역폭”이 1 옥타브(fmax. > 2fmin,)를 초과하고 다음 중 하나에 해당하는 것:

1. 18GHz 이상의 주파수에서 RF 출력이 100W 초과; 또는

2. 주파수가 18 GHz 초과

기술해설

1. 3A001.b.9.b.에서 부피를 계산하기 위해 다음의 예를 참조

예 : 최대 정격 전력이 20 W 일 때 통제 부피는 20 W × 10 ㎤/W = 200 ㎤.

2. 3A001.b.9.a.에서 ‘턴-온 시간’은 완전한 오프상태에서 완전한 동작상태까지의 시간을 의미한다.; 즉, MPM의 예열 시간을 포함한다.

10. 발진기 또는 발진기 조립체로서 다음 모두를 만족하도록 명시된 것:

a. 단측파대(SSB) 위상잡음비(dBc/Hz 단위)가 10 Hz <F<10kHz 범위내의 임의의 주파수에서 –(126 + 20log10F - 20log10f) 보다 우수한 것;

b. 단측파대(SSB) 위상잡음비(dBc/Hz 단위)가 10 kHz ≤F <500 kHz범위내의 임의의 주파수에서 –(114 + 20log10F - 20log10f) 보다 우수한 것

기술해설

3A001.b.10.에서 F는 F는 Hz단위의 오프셋(off-set) 동작 주파수이며, f는 MHz단위의 오프셋(off-set) 동작 주파수이다.

11 “주파수합성기” “전자조립체”로서 “주파수 전환시간”이 다음 중 하나인 것:

a. 156 ps 미만인 것;

b. 4.8 GHz 초과 10.6GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 1.6GHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 100 μs 미만인 것;

c. 10.6GHz 초과 31.8GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 550MHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 250 μs 미만인 것;

d. 31.8GHz 초과 43.5GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 550 MHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 500 μs 미만인 것; 또는

e. 43.5GHz 초과 56GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 550 MHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 1ms 미만인 것; 또는

f. 56GHz 초과 75 GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 2.2GHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 1ms 미만인 것; 또는

g. 75 GHz 초과의 합성 주파수 범위 내에서 1 ms 미만인 것;

주의 : 범용 “신호 분석기”, 신호 발생기, 회로망 분석기 및 마이크로파 시험 수신기에 대해서는 각각 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. 및 3A002.f.를 참조

c. 음파(acoustic wave) 장치로서 다음의 것과 이를 위해 전용 설계된 부품

1. 표면탄성파(surface acoustic wave)와 표면 스키밍 탄성파(surface skimming acoustic wave)장치로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 반송 주파수(carrier frequency)가 6GHz를 초과하는 것

b. 반송 주파수가 1GHz초과 6GHz 이하이고, 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

1. '주파수 부엽 제거(side-lobe rejection)'가 65dB를 초과하는 것

2. 최대 지연시간(㎲)과 대역폭(MHz)의 곱이 100을 초과하는 것

3. 대역폭이 250MHz 초과인 것, 또는

4. 분산지연시간(dispersive delay)이 10㎲ 초과인 것

c. 반송 주파수가 1GHz 이하이고 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

1. 최대 지연시간(㎲)과 대역폭(MHz)의 곱이 100을 초과하는 것

2. 분산지연시간(dispersive delay)이 10㎲ 초과인 것, 또는

3. '주파수 부엽 제거(side-lobe rejection)'가 65dB을 초과하고 대역폭이 100 MHz 초과인 것

기술해설

‘주파수 부엽 제거(side-lobe rejection)’는 데이터시트 상에서 최대제거값(maximum rejection value)로 제시된다.

2. 체적(volume) 음파장치(즉, 탄성파를 사용하는 “신호처리” 장치)로서 6GHz초과의 주파수에서 신호의 직접처리가 가능한 것

주: 3A001.c.에서는 단일대역통과, 저역통과, 고역통과, 노치(notch)필터기능 또는 공진기능에 한정된 음파장치는 통제하지 않는다.

3. 음파(체적음파나 표면탄성파)와 광파 사이의 상호작용을 이용한 음파-광학(Acoustic-optic) “신호처리”장치로서 신호나 영상을 직접 처리하는 것. 여기에는, 스펙트럼 분석, 상관관계(correlation), 또는 중첩적분(convolution)을 포함한다.

d. “초전도” 재료로 제작한 전자장치 및 전자회로(부품 포함)로서 “초전도” 재료 중 최소 하나의 “임계온도”보다 낮은 온도에서 작동되도록 전용 설계된 것으로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

1. “초전도” 게이트를 가진 디지털회로의 전류스위치 기능을 가진 것으로 게이트당 지연시간(초 단위)과 게이트당 소비전력(와트 단위)의 곱이 10-14J 미만인 것

2. 모든 주파수에서의 주파수 선택이 가능하고, Q값이 10,000을 초과하는 공진회로를 사용하는 것

e. 고에너지 장치로서 다음의 것

1.  ‘셀’(Cell)로서 다음의 것:

a. ‘1차 셀’로 20℃에서 ‘에너지 밀도’가 550Wh/kg을 초과하는 것;

b. ‘2차 셀’로 20℃에서 ‘에너지 밀도’가 300Wh/kg을 초과하는 것;

기술해설

1. 3A001.e.1.에서 ‘에너지 밀도’(Wh/kg)는 공칭 전압에 공칭 용량(암페어-시간)을 곱한 값을 질량(kg)으로 나누어 계산한다. 공칭 용량이 기재되어 있지 않을 경우에는 공칭 전압의 제곱에 방전시간(시간)을 곱한 값을 방전 부하(옴)와 질량(kg)으로 나누어 계산된다.

2. 3A001.e.1.에서 ‘셀(cell)’은 전기화학 장치로 양극과 음극, 전해액을 가지는 전기 에너지 원으로 축전지(battery)의 기본 구성 요소이다.

3. 3A001.e.1.a.에서 ‘1차 셀’은 다른 에너지원에 의해 충전되도록 설계되지 않은 ‘셀’이다.

4. 3A001.e.1.b.에서 ‘2차 셀’은 외부 전기 에너지 원에 의해 충전되도록 설계된 ‘셀’이다.

주:  3A001.e.1.는 축전지(battery)(단일 셀 축전지를 포함)는 통제하지 않는다.

2. 고에너지 저장 축전기(capacitor)로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

주의: 3A201.a. 참조

a. 반복률(repetition rate)이 10Hz 미만의 축전기로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 정격 전압이 5kV 이상이고,

2. 에너지밀도가 250J/kg 이상이며,

3. 총 에너지가 25kJ 이상인 것

b. 반복률이 10Hz 이상의 축전기로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 정격 전압이 5kV 이상이고,

2. 에너지밀도가 50J/kg 이상이며,

3. 총 에너지가 100J 이상인 것

4. 충전/방전 사이클 수명이 10,000이상인 것

3.  “초전도” 전자석(electromagnet)과 솔레노이드(Solenoid)로서 1초 이내에 자계를 완전히 충전하거나 또는 방전시키도록 전용 설계된 것으로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

주의: 3A201.b. 참조

주: 3A001.e.3에서 의료용 자기공명영상장치(magnetic resonance imaging, MRI)를 위해 전용 설계된 “초전도” 전자석이나 솔레노이드는 통제하지 않는다.

a. 방전시 방출되는 에너지가 최초 1초간 10kJ을 초과하고,

b. 전류가 흐르는 권선의 내경이 250mm를 초과하며,

c. 정격 “총전류밀도”(overall current density)가 300A/㎟를 초과하는 것 또는 정격 자속밀도(magnetic induction)가 8T를 초과하는 것

4. “우주용” 태양 전지, 셀 연결 커버글라스(cell - interconnect - coverglass (CIC)) 조립체, 태양 전지판, 태양전지 어레이로서 평방미터당 1,367와트의 조사를 나타내는 ‘AM0’ 환경의 301 K (28℃) 에서 최소 평균 효율이 20%를 초과하는 것.

기술해설

‘AM0' 또는 'Air Mass Zero’는 지구와 태양간의 거리가 1 천문단위(AU)일 때 지구 외부 대기에서 태양광의 분광 방사조도를 의미한다.

f. 회전입력형 절대위치 엔코더(rotary input type absolute position encoder)로서 아크(arc)의 정확도가 ±1.0초이거나 이보다 우수한 것

g. 반도체 펄스형 전력 스위칭 사이리스터(thyristor) 장치 및 ‘사이리스터 모듈’로 전기적, 광학적, 또는 전자 방사 제어 스위치 방식을 사용하고 다음 중 하나인 것:

1. 최대 턴-온 상승 전류율(di/dt)이 30,000A/μs를 초과하고 오프-상태 전압이 1,100 V를 초과하는 것; 또는

2. 최대 턴-온 상승 전류율(di/dt)이 2,000A/μs를 초과하고 다음의 모두에 해당하는 것:

a. 오프-상태의 최대 전압이 3,000V 이상인 것; 그리고

b. 최대(써지) 전류가 3,000A 이상인 것.

주 1: 3A001.g. 는 다음을 포함한다.:

- 실리콘 제어 정류기 (Silicon Controlled Rectifiers (SCRs))

- 전기 동기 사이리스터 (Electrical Triggering Thyristors (ETTs))

- 광 동기 사이리스터 (Light Triggering Thyristors (LTTs))

- 집적 게이트 정류성 사이리스터(Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs))

- 게이트 턴-오프 사이리스터 (Gate Turn-off Thyristors (GTOs))

- MOS 제어 사이리스터 (MOS Controlled Thyristors (MCTs))

- 솔리드트론 (Solidtrons)

주 2:  3A001.g. 는 민간용 철도 및 “민간 항공기” 용도로 설계된 장비에 사용되는 사이리스터 장치와 ‘사이리스터 모듈’은 통제하지 않는다.

기술해설

3A001.g.에서 ‘사이리스터 모듈’은 하나 이상의 사이리스터 장치를 포함한다.

h. 전력 반도체 스위치, 다이오드, 또는 ‘모듈’로서 다음 모두를 갖는 것:

1. 최대 작동 접합 온도(junction temperature)가 488K (215oC)를 초과하도록 정격화된 것

2. 반복적 최대 비작동 전압(저지 전압)이 300V를 초과하는 것: 그리고

3. 상시 전류가 1A를 초과하는 것.

주 1: 3A001.h에서 반복적 최대 비작동 전압은 드레인(drain)-소스(source)간 전압, 컬렉터(collector)-에미터(emitter)간 전압, 반복적 최대 역방향 전압, 최대 반복적 비작동 저지 전압을 포함

주 2: 3A001.h는 다음을 포함

- 접합전계효과(혹은 전기장 효과)트랜지스터 (JFETs)

- 수직접합 전계효과트랜지스터 (VJFETs)

- 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터 (MOSFETs)

- 2중확산 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(DMOSFET)

- 절연게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)

- 고-전자전도성 트랜지스터 (HEMTs)

- 양극성 접합트랜지스터 (BJTs)

- 사이리스터(Thyristors), 실리콘제어정류기(SCRs)

- 게이트 턴-오프 사이리스터 (GTOs)

- 에미터 턴-오프 사이리스터 (ETOs)

- 핀다이오드

- 쇼트키다이오드

주3 : 3A001.h. 에서는 민간 차량, 민간 철도 또는 “민간 항공기” 용으로 설계된 장비에 포함되는 스위치, 다이오드, ‘모듈’에는 적용되지 않는다.

기술해설

3A001.h에서 ‘모듈’은 하나 이상의 전력 반도체 스위치 또는 다이오드를 포함한 것.

일반용도의 전자장비 및 이를 위한 부속품으로서 다음의 것

a. 다음과 같은 기록장비와 이를 위해 전용 설계된 시험테이프(test tape)

1.  아날로그 계측 자기테이프 기록기(analog instrumentation magnetic tape recorder)로서 디지털 신호를 기록 할 수 있는 것(예, 고밀도 디지털기록(high density digital recording; HDDR) 모듈을 사용)을 포함하고, 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 전자채널 또는 트랙당 4MHz를 초과하는 대역폭

b. 전자채널 또는 트랙당 2MHz를 초과하며, 42트랙을 초과하는 대역폭, 또는

c. IRIG나 EIA 규정을 적용하여 측정한 기본 시간편차에러(time displacement (base) error)가 ±0.1㎲ 미만인 것

주: 민간 비디오용으로 전용 설계된 아날로그 자기테이프 레코더는 제외

2. 디지털 비디오 자기테이프 기록기(digital video magnetic tape recorder)로서 장치간의 최대 디지털 전송속도(전송률)가 360Mbit/s를 초과하는 것

주: 3A002.a.2에서 민간텔레비전용으로 ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI 또는 IEEE에 의해 표준화되고 권고된 신호 압축 포맷(format)을 포함하는 신호 포맷을 사용하여 텔레비전 기록을 하는 전용 설계된 디지털 비디오 자기테이프 기록기는 통제하지 않는다.

3. 디지털 계측 자기테이프 데이터 기록기(digital instrumentation magnetic tape data recorder)로서 나선형 주사기술(helical scan technique) 또는 고정 헤드(fixed-head)기술을 사용하는 것으로 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 장치간의 최대 디지털 전송속도(전송율)가 175Mbit/s를 초과하는 것, 또는

b. “우주용”

주: 3A002.a.3에서 HDDR 변환 전자장치가 장착되고 디지털 데이터만을 기록하기 위해 만들어진 아날로그 자기테이프 기록기는 통제하지 않는다.

4. 디지털 비디오 자기테이프 기록기를 디지털 계측 데이터 기록기로 변환 사용할 수 있도록 설계된 장비로서 장치간의 최대 디지털 전송속도(전송율)가 175Mbit/s를 초과하는 것

5.  파형 디지타이저(Waveform Digitiser)와 과도현상 기록기(transient recorders)로서 다음 특성을 모두 갖는 것

a. 아날로그 데이터를 디지털 데이터 값으로 변환하는 변환율(Digitising Rates)이 초당 2억 샘플이상이고 분해능력(resolution)이 10bits 이상이며,

b. 연속처리속도(Continuous throughput)가 2Gbits/s 이상인 것

기술해설:

1. 병렬버스구조(parallel bus architecture)를 갖는 장치에서 ‘연속처리속도’는 한 워드의 비트수를 곱한 가장 높은 워드 속도(word rate)이다.

2. ‘연속처리량’은 샘플링율과 아날로그-디지털 변환을 유지한 채 정보의 손실 없이 그 장치가 대량 저장한 정보를 출력할 수 있는 가장 빠른 데이터 처리속도이다.

6. 자기디스크 저장기술을 사용하는 디지털 계측 데이터 기록기로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 아날로그 데이터를 디지털 데이터 값으로 변환하는 변환율이 초당 1억 샘플이상이고, 분해능력이 8bit이상이며

b. ‘연속처리량’이 1Gbits/s 이상인 것

b. 삭제

c 무선주파수 “신호분석기”로서 다음 중 하나인 것

1. “신호분석기”로 31.8GHz초과 37.5GHz이하의 주파수 내에서,  3dB의 분해 대역폭(resolution bandwidth, RBW)이 10MHz를 초과하는 것

2. “신호분석기”로 43.5GHz 초과 75 GHz 이하의 주파수 내에서, 표시 평균 노이즈 레벨(DANL)이 -150 dBm/Hz 미만인 것

3. “신호분석기”로 75 GHz 초과의 주파수를 분석할 수 있는 것

4. "신호분석기"로써 다음 모든 특성을 갖는 것:

a. 85MHz를 초과하는 "실시간 대역폭"을 갖는 것; 그리고

b. 신호의 윈도우 효과 또는 갭으로 인해 전체 진폭으로부터의 감소가 3dB 미만인 100% POD(Probability Of Discovery)가 15㎲ 이하의 지속시간을 갖는 것;

Technical Notes

1. 3A002.c.4.b에서 POD(Probability Of Discovery)는 POI(Probability Of Intercept) 또는 POC(Probability Of Capture)라고도 함.

2. 3A002.c.4.b에서 100% POD(Probability Of Discovery) 지속시간은 측정 불확정성의 수준을 규정하기 위한 최소 신호 지속시간과 같은 의미임.

Note 3A002.c.4는 일정비율 대역폭 필터(옥타브 또는 fractional 옥타브 필터로도 알려져 있음)만을 사용하는 “신호분석기”는 제외

5. “주파수 마스크 트리거” 기능을 갖는 "신호 분석기"로서 15 μs 이하의 트리거 시간을 갖는 신호에 대해 트리거(포착) 확률이 100% 인 것;

d. 주파수 합성을 이용한 신호발생기중 합성 출력주파수의 정밀도 및 단기 및 장기 안정도가 내부 기준 발진기에 의해 규제된 것으로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것:

1. 최대 합성 주파수가 31.8GHz 초과 75GHz이하에서 다음의 조건을 모두 만족하는 펄스를 발생시킬 수 있는 것

a. 펄스 지속시간(pulse duration)이 100ns 미만인 것

b. On/off ratio가 65dB을 초과하는 것

2. 최대 합성주파수가 43.5GHz 초과 75GHz 이하에서 출력이 100mW (20 dBm)를 초과하는 것

3.“주파수 전환 시간”이 다음 중 하나인 것:

a. 삭제(Not used since 2012);

b. 4.8 GHz 초과 10.6GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 1.6 GHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 100 µs 미만인 것;

c. 10.6 GHz 초과 31.8 GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 550 MHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 250 µs 미만인 것;

d. 31.8GHz 초과 43.5GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 550MHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 500µs 미만인 것;

e. 43.5 GHz 초과 56GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 550 MHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 1ms 미만인 것;

f. 56 GHz 초과 75 GHz 이하의 합성 주파수 범위 내에서 2.2 GHz를 초과하는 주파수 변화에 대해 1ms 미만인 것;

4. dBc/Hz 단위의 단측파대(SSB) 위상잡음비가 다음의 조건을 만족하는 것

a. 최대 합성주파수가 3.2GHz 초과 75 GHz 이하이며, 10Hz <F<10kHz범위내의 임의의 주파수에서  –(126 + 20[eqn: log _{10} F] - 20[eqn: log _{10} f]) 보다 우수한 것;

b. 최대 합성주파수가 3.2GHz 초과 75 GHz 이하이며, 10kHz ≤F <500 kHz에서 범위내의 임의의 주파수에서 –(114 + 20[eqn: log _{10} F] - 20[eqn: log _{10} f]) 보다 우수한 것

기술해설

3A002.d.4.에서 F는 F는 Hz단위의 오프셋(off-set) 동작 주파수이며, f는 MHz단위의 오프셋(off-set) 동작 주파수이다.

주 1: 3A002.d에서 주파수 합성 신호 발생기는 임의 파형 및 함수 발생기를 포함한다.

주 2:  2개 이상의 수정발진기 주파수의 가감(addition or subtraction) 또는 그 결과의 곱(multiplication)의 가감에 의해 발생하는 출력주파수를 갖는 장비는 통제하지 않는다.

기술해설

1. 파형 또는 함수 발생기의 최대합성주파수는 표본화율(samples/second)을 2.5로 나누어 계산된다.

2. 3A002.d.1.a에서 ‘펄스 지속시간’은 펄스가 최고점의 90%에 도달하는 상승구간(leading edge)과 최고점의 10%에 도달하는 하강구간(trailing edge) 사이의 시간간격으로 정의한다.

5. 최대 합성주파수가 75 GHz를 초과하는 것

e. 회로망 분석기로서 다음 중 하나인 것:

1. 43.5 GHz를 초과하고 75 GHz 미만인  동작주파수 범위에서 출력이 31.62mW(15dBm)을 초과하는 것;

2. 75 GHz를 초과하고 110 GHz 미만인  동작주파수 범위에서 출력이 1 mW(0 dBm)을 초과하는 것;

3. 50 GHz를 초과하고 110 GHz 미만인  동작주파수 범위에서 ‘비선형 벡터 측정 기능’이 있는 것;  또는

기술해설

'비선형 벡터 측정 기능'은 대신호가 인가되거나 비선형 왜곡 범위에서 구동되는 소자의 시험결과를 분석할 수 있는 계측기의 능력을 말한다.

4. 최대 동작주파수가 110 GHz를 초과하는 것;

f. 마이크로웨이브용 시험수신기로서 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 최대 동작 주파수가 110 GHz를 초과하고,

2. 진폭(amplitude)과 위상(phase)을 동시에 측정할 수 있는 것

g.  원자 주파수 표준기(atomic frequency standards)로서 다음 특성중 하나를 갖는 것

1. “우주용”

2. 루비듐 주파수 표준기가 아니며, 장기 안정도(에이징)가 1×10-11/month미만(보다 우수)이거나,

3. 비“우주용”이고 다음 특성을 모두 갖는 것

a. 루비듐 주파수 표준기

b. 장기 안정도(에이징)가 1×10-11/month 미만(보다 우수)

c. 총 전력소모가 1 Watt 미만

동작 온도범위내로 전자부품을 유지시키도록 설계된 스프레이 노즐을 사용하여 전자부품위로 유전유체(dielectric fluid)를 분무하는 실드 인클로저(sealed enclosure) 상태의 장비를 조작․재조절하는 폐쇄 유체(closed fluid)를 사용한 스프레이냉각 열관리시스템, 그리고 이를 위해 전용 설계된 부품

3A001에서 규정된 것 이외의 전자장비, 장치 및 부품으로 다음의 것

a. 아날로그/디지털 변환기(Analog-to-digital converter)로서 견고한 장비(ruggedized equipment)를 위한 군사적 규격에 맞게 설계되며 “미사일”에 사용될 수 있는 것

b. 2MeV 이상으로 가속된 전자로부터 제동복사(bremsstrahlung)에 의한 전자기파를 방사시킬 수 있는 가속기, 그리고 그 가속기를 포함하는 시스템

주: 3A101.b에서 의료용으로 전용 설계된 장비는 제외한다.

'미사일‘용으로 설계되거나 개조된 ’열전지(thermal batteries)‘

주:

3A012에서 300 km 이상의 사거리 능력이 없는 로켓 시스템 또는 무인항공기용도로 전용설계된 열전지는 통제하지 않는다.

기술해설:

‘열전지’는 전해질로서 비전도 고체 무기염을 포함하고 있는 일회용 배터리(battery)이다. 이 배터리는 열분해 소재를 사용하며, 점화가 되었을 때 전해질을 녹여 배터리를 작동시킨다.

3A001에서 규정된 것 이외의 전자부품으로서 다음의 것

a. 축전기(capacitors)로서 다음의 특성을 갖는 것:

1. a. 1.4kV를 초과하는 정격전압

b. 10J를 초과하는 에너지 저장

c. 0.5μF를 초과하는 커패시턴스(capacitance)

d. 50nH 미만의 직렬 인덕턴스(inductance), 또는

2. a. 750V를 초과하는 정격전압

b. 0.25μF를 초과하는 커패시턴스

c. 10nH 미만의 직렬 인덕턴스

b. 초전도체 솔레노이드 전자석으로 다음의 특성 모두를 갖는 것:

1. 2T(tesla)를 초과하는 자기장을 생성할 수 있고

2. 내경에 대한 길이의 비율이 2를 초과하며

3. 300㎜를 초과하는 내경, 그리고

4. 내부 체적의 중앙 50%에 1% 미만의 균일한 자기장

주: 3A201.b에서는 의료용 핵자기공명(nuclear magnetic resonance (NMR)) 영상시스템을 위하여 전용 설계되고 '그 부품'으로 수출되는 자성체(magnet)는 포함되지 않는다. 위에서 '부품'이란 뜻은 반드시 같이 선적된 실물만을 뜻하는 것은 아니다. 관련 수출 서류에 영상시스템의 부품으로 선적되는 것이 명시되어 있는 경우 다른 제조원의 것을 분리 선적하여도 된다.

c. 섬광 X선 발생기 또는 펄스 전자가속기로서 다음 중 어느 하나의 특성을 갖는 것

1. a. 최대(peak) 전자 에너지가 500keV를 이상이고 25MeV 미만인 가속기이고

b. 0.25 이상의 ‘성능지수(figure of merit)'(K)인 것, 또는

2. a. 최대(peak) 전자 에너지가 25MeV 이상인 가속기이고

b. 50MW를 초과하는 '최대출력(peak power)'을 가지는 것

주: 3A201.c.는 전자빔이나 X선(예: 전자현미경 검사)이외의 목적 및 의료목적으로 설계된 장치의 구성부품으로 사용되는 가속기는 통제하지 않는다.

기술해설:

1. ‘성능지수(figure of merit)' K는 다음과 같이 정의된다.

K = 1.7×103V2.65 Q

여기에서 V는 백만 전자 볼트(MeV) 단위로 표시한 최대 전자에너지, Q는 가속기 빔 펄스구간이 1 μs 이하인 경우 쿨-롱(coulomb) 단위로 표시한 총가속부하(total accelerated charge). 만약 가속기 빔 펄스구간이 1 μs을 초과하면, Q는 1 μs 내에서의 최대 가속부하이다.

Q는 i를 t에 대하여 적분한 것인데, (Q=∫idt) 이때 시간은 1 μs와 빔 펄스가 지속되는 시간 중 작은 것이 된다. 여기에서, i는 암페어(ampere) 단위의 전류이고 t는 초(sec)로 표시한 시간을 의미한다.

2. '최대출력' = 볼트 단위의 최대 전위차(전압) × 암페어 단위의 최대 빔 전류

3. 마이크로웨이브 가속 캐비티(cavities) 기반 기기에서 빔 펄스의 시간구간은 1㎲와 한 개의 마이크로웨이브 변조기(modulator) 펄스로부터 나오는 빔패킷 다발(bunched beam packet)이 지속되는 시간 중 작은 것.

4. 마이크로웨이브 가속 캐비티 기반 기기에서 최대 빔 전류는 한 개의 빔패킷 다발이 지속되는 시간 동안의 평균 전류이다.

0B001.b.13에서 명시된 것을 제외한 주파수 변환기 또는 발생기로서 다음의 특성을 모두 갖는 것:

a. 40W 이상의 전력을 제공하는 다상출력 (multiphase output)의 것으로

b. 600~2,000Hz 사이의 변조 범위에서 작동 가능하고

c. 총 고조파 왜곡율(harmonic distortion)이 10% 미만이며,

d. 주파수제어가 0.1% 보다 우수한(미만인) 것

기술해설:

3A225의 주파수 변환기는 컨버터(converter) 또는 인버터(inverter)라고도 함.

0B001.j.6에서 명시된 것을 제외한 고전력(High-power) 직류 전력공급기로 다음의 특성을 모두 갖는 것:

a. 100V 이상의 전압을 500A 이상의 전류로 8시간 동안 지속적으로 공급할 수 있고

b. 전류나 전압의 안정도가 8시간 동안 0.1% 보다 우수한 것

0B001.j.5에서 명시된 것을 제외한 고전압(High-voltage) 직류 전력공급기로 다음의 특성을 모두 갖는 것:

a. 20kV 이상의 전압을 1A 이상의 전류로 8시간 동안 지속적으로 공급할 수 있고

b. 전류나 전압의 안정도가 8시간 동안 0.1% 보다 우수한 것

스위칭 장치로서 다음의 것

a. 냉 음극(Cold-cathode)관으로서, 가스가 채워져 있는 것과 관계없이, 불꽃간극(spark gap)과 비슷하게 작동하는 것으로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

1. 3개 이상의 전극을 구비한 것

2. 2.5kV 이상의 양극최대정격전압

3. 100A 이상의 양극최대정격전류, 그리고

4. 10μs이하의 양극지연시간(anode delay time)

주: 3A228은 기체 크라이트론(krytron)관 및 진공 스프라이트론(sprytron)관을 포함한다.

b. 격발형(Triggered) 불꽃간극(spark-gap)으로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 15μs 이하의 양극지연시간(anode delay time)을 가지며

2. 최대정격전류가 500A 이상의 것

c. 3A001.g에서 통제되는 것 이외의 빠른 스위칭 기능을 갖는 모듈 또는 조립체로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 2kV를 초과하는 양극 최대전압

2. 500A 이상의 양극최대 정격전류(current rating)

3. 1 μs 이하의 도통(turn-on) 시간

고전류 펄스 발생기로서 다음의 것

주의: 군용물자 통제목록 참조

주의: 폭발뇌관 점화세트는 1A007.a.를 참조

a. 삭제

b. 모듈형 전기펄스 발생기(펄서)로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

1. 운반가능하거나 충격에 견딜 수 있는 용도로(ruggedized-use) 설계된 것

2. 먼지밀폐장치(dust-tight enclosure)에 폐쇄된 것

3. 15μs 미만의 시간에 에너지를 전송하는 능력

4. 100A를 초과하는 출력

5. 40 옴(Ω) 미만의 부하(loads)에 대해 10μs 미만의 ‘승압시간(rise time)’을 갖는 것

6. 254㎜를 초과하는 치수가 없고

7. 25kg 미만의 무게, 그리고

8. 223~373K(-50℃~100℃)의 전 온도범위에서 사용하도록 특정화되었거나 우주에서 사용하도록 특정화된 것

주: 3A229.b.는 제논 섬광등 드라이버(xenon flashlamp drivers)를 포함한다.

기술해설:

3A229.b.5.에서 ‘승압시간(rise time)’은 저항성 부하를 구동할 때 전류 진폭(current amplitude)이 10%로부터 90%까지 변화하는 시간간격으로 정의된다.

고속펄스발생기로 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. 55ohm 미만의 저항성 부하에 대해 6V를 초과하는 출력전압

b. 500ps 미만의 ‘펄스변이 시간(transition time)’을 갖는 것

기술해설:

3A230에서 ‘펄스변이 시간’은 10%에서 90%사이의 전압폭(voltage amplitude)에서 시간 간격으로 정의된다.

튜브를 포함한 중성자 발생시스템으로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

a. 외부 진공시스템 없이 작동하도록 설계된 것, 그리고

b. 삼중수소-중수소(tritium-deuterium) 핵반응을 유도하기 위해 정전기적 가속(electrostatic acceleration)을 이용하는 것

다분기점 발화시스템으로서 1A007에서 규정된 것을 제외한 다음의 것

주의: 군용물자 통제목록 참조

주의 : 뇌관은 1A007.b.를 참조

a. 삭제

b. 2.5μs 이내에 표면으로 퍼지는 단일의 폭발신호로부터 5,000㎟ 초과하는 폭발면을 거의 동시에 발화하도록 설계된 단일 또는 다중 뇌관을 사용하는 장치

주: 3A232에서는 납 아지드(lead azide)와 같은 1차 폭발에만 사용하는 뇌관은 통제하지 않는다.

230 원자질량단위 이상의 이온을 측정할 수 있으며, 아래와 같이 2/230보다 우수한 분해능을 보유한 다음 중 하나의 질량분석계와 여기에 사용되는 이온원(ion source) (0B002.g에 명시된 것을 제외)

a. 유도결합 플라스마 질량분석계(inductively coupled plasma) (ICP/MS)

b. 글로우방전(glow discharge) 질량분석계(GDMS)

c. 열이온화(thermal ionization) 질량분석계(TIMS)

d. 전자충격(electron bombardment) 질량분석기로 UF6에 내성이 있는 소재로 만들어지거나 라이닝되거나 판금된 소스 챔버(source chamber)를 구비한 것

e. 분자 빔(molecular beam) 질량분석계로 다음의 특성 중 어느 하나를 가진 것

1. 스테인리스 강 또는 몰리브덴(molybdenum)으로 만들어지거나 라이닝되거나 판금되었으며, 193K(-80℃) 이하로 냉각시킬 수 있는 냉각 트랩(cold trap)을 구비한 소스 챔버, 또는

2. UF6에 내성이 있는 소재로 만들어지거나 라이닝되거나 판금된 소스 챔버 구비한 것

f. 악티늄족(actinides) 또는 악티늄족 불화물( actinide fluorides)을 위해 설계된 미세불소화(microfluorination) 이온원를 장착한 질량분석계

시험, 검사 및 생산 장비

반도체 장치나 재료의 생산 용도로 제작된 장비와 이를 위해 전용 설계된 부품 및 부속품

a. 적층성장(epitaxial growth)을 위해 설계된 장비로서 다음 중 하나인 것

1. 실리콘 이외 물질의 층을 75 ㎜ 이상의 영역에 걸쳐 층 두께 허용오차를 ±2.5%미만으로 유지하며 생성할 수 있는 장비

주: 3B001.a.1.은 원자층 적층(Atomic Layer Epitaxy (ALE))장비를 포함

2. 2. 유기금속화학증착(Metal organic chemical vapour deposition; MOCVD)반응기로서 알루미늄, 갈륨, 인듐, 비소, 인, 안티몬 또는 질소 중 두 개 이상의 물질로 구성된 화합물 반도체의 적층성장을 위해 설계된 것

3. 가스 또는 고체원료를 이용한 분자 빔 적층(molecular beam epitaxial; MBE) 성장 장치

b. 이온주입(ion implantation)장비로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

1. 삭제(Not used since 2012)

2. 수소, 중수소 또는 헬륨 주입을 위해 20 keV 이상의 빔 에너지와 10 mA 이상의 빔 전류에서 동작되도록 설계되고 최적화 된 것;

3. 직접기록 능력(direct write capability)이 있는 것, 또는

4. 가열된 반도체 재료 “기판”(substrate)에 고에너지 산소주입이 가능한 65 keV 이상의 빔 전압(beam voltage)과 45 mA 이상의 빔 전류(beam current); 또는

5. 600 °C 이상에서 가열된 반도체 재료 “기판”에 실리콘을 주입하기 위해 20 keV 이상의 빔 에너지와 10mA이상의 빔 전류에서 동작되도록 설계되고 최적화 된 것;

c. 비등방성 플라스마 건조에칭(anisotropic plasma dry etching) 장비로서 다음과 같은 것

1. 최소선폭(critical dimension)이 65 nm 이하가 되도록 제조하기 위해 설계 또는 최적화되고

2. 2mm 이하의 모서리 부분을 제외하고 3 시그마의 10% 이하 웨이퍼상 불균일도를 갖는 것

d.  <삭  제>

e. 자동로드 멀티-챔버 중앙 웨이퍼처리시스템(automatic loading multi-chamber central wafer handling system)으로서 다음 모든 특징을 가지는 것

1. 웨이퍼 투입과 산출을 위한 접속장치로서 3B001.a, 3B001.b, 또는 3B001.c에서 규정된 기능적으로 구분되는 2개 초과의 ‘반도체 처리 장치’를 연결할 수 있도록 설계되고,

2. ‘연속적 다중 웨이퍼 처리(sequential multiple wafer processing)’를 위해 진공상태에서 통합시스템을 구성하도록 설계된 것

주: 3B001.e.은 병렬 웨이퍼 처리를 위해 전용 설계된 자동로봇(automatic robotic) 웨이퍼처리시스템은 제외

기술해설

1. 3B001.e.에서 ‘반도체 처리 장치’는 적층, 에칭, 주입, 열처리와 같이 반도체 생산을 위해 물리적 공정을 수행하는 모듈화된 장치를 의미한다.

2. 3B001.e.에서 ‘연속적 다중 웨이퍼 처리’란 자동로드 멀티-챔버 중앙 웨이퍼처리시스템을 이용하여 첫 번째 처리에서 두 번째 및 세 번째 처리로 각각의 웨이퍼를 옮기는 것과 같이 서로 다른 ‘반도체 처리장치’내의 웨이퍼를 처리할 수 있는 능력을 의미한다.

f. 석판인쇄(lithography) 장비로서 다음 중 하나인 것

1. 정렬(align)과 노출 스텝-반복(step & repeat)(웨이퍼에 직접 스텝) 또는 스텝-스캔(step & scan)(스캐너) 장비로서 사진광학(photo- optical) 또는 X선(X-ray) 방법을 사용하여 웨이퍼를 가공하기 위한 것으로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 광원의 파장이 245nm 미만인 것; 또는

b. '최소 영상분해 유효선폭'(minimum resolvable feature; MRF)이 95nm 이하인 패턴을 생성할 수 있는 것

기술해설:

'최소 영상분해 유효선폭'(MRF: minimum resolvable feature size)은 다음 공식에 의해 계산된다.

MRF = {(노출광원파장(nm)) × (K factor)} / 개구수(numerical aperture(NA))

(여기에서, K factor = 0.35)

2. 임프린트(imprint) 리소그래피 장비로서 선폭이  95nm 이하의 패턴을 생성할 수 있는 것

주: 3B001.f.2는 다음을 포함한다:

- 마이크로 접합 프린팅 툴(Micro contact printing tools)

- 핫 엠보싱 툴(Hot embossing tools)

- 나노-임프린트 리소그래피 툴(Nano-imprint lithography tools)

- 스텝 및 플래시 임프린트 리소그래피 툴(Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools)

3. 직접기록방식(direct writing methods)을 사용하여 마스크 제조 또는 반도체소자 처리용으로 전용 설계된 것으로서 다음 모든 특성을 갖는 것

a. 편향집중(deflected focussed) 전자빔, 이온빔, 또는 “레이저” 빔을 사용

b. 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

1. 조사면의 직경(초점크기 : spot size)이 0.2㎛ 미만인 것

2. 유효선폭이 1㎛ 미만인 패턴(pattern)을 제작할 수 있는 것,

3. 중합시킨 인쇄면의 정밀도가 ±0.20㎛(3 sigma) 보다 우수한 것

g. 3A001에 해당하는 집적회로를 위해 설계된 마스크 또는 망선(reticles)

h. 3B001.g에 의해 통제되지 않으며 다음 중 하나에 해당하는 위상변이 층(phase shift layer)을 가진 다층 마스크(Multi-layer mask):

1. 7 nm/cm 이하의 복굴절(birefringence) 특성을 갖는 유리에  “기판 블랭크(substrate blank)” 마스크로 만들어 진 것; 또는

2. 245 nm 이하 파장의 광원을 포함하는 석판인쇄(lithography) 장비에 사용되도록 설계되어진 것;

주: 3A001의 통제를 받지 않는 메모리 소자의 제조를 위해 설계된 위상 변이 층을 가진 다층 마스크는 3B001.h.의 통제를 받지 않는다.

i. 임프린트 리소그래피 템플릿(template)으로 3A001.에서 통제되는 집적회로를 위해 설계된 것

완성품 혹은 비완성품 반도체 장치를 시험하기 위해 전용 설계된 시험장비와 그 부분품 및 조립품으로서 다음 중 하나인 것

a. 31.8GHz를 초과하는 주파수에서 트랜지스터 장치의 S-파라미터를 시험하기 위한 것

b. 삭 제

c. 3A001.b.2에서 명시된 마이크로웨이브 집적회로를 시험하기 위한 것

소재

다음 중 하나에 해당하는 소재의 다층막(multiple layer)으로 된 헤테로 적층(hetero-epitaxial) 결정을 가지는 “기판”(substrate)

a. 실리콘 (Si);

b. 게르마늄 (Ge);

c. 실리콘 카바이드 (SiC)

d. 갈륨(gallium) 또는 인듐(indium)의 III/V족 화합물

주 3 : 3C001.d는 물질 요소의 순서와 무관하게 GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP으로 구성된 1층 이상의  P타입 적층 레이어를 갖는 기판은 통제하지 않는다. 단,  N 타입  레이어 사이에 P타입 적층 레이어가 있는 경우는 통제한다.

다음 중 하나의 감광성 수지막 재료(resist materials), 또는 이들 감광성 수지막으로 도포(coating)한 “기판”

a. 반도체 리소그래피를 위해 설계된 감광성 수지막으로써 다음 중 하나의 것:

1. 15nm보다 크거나 같고 245nm보다 작은 파장에서 사용할 수 있도록 최적화된 양성 감광성 수지막;

2. 1nm보다 크고 15nm보다 작은 파장에서 사용할 수 있도록 최적화된 감광성 수지막;

b. 전자빔이나 이온빔과의 사용을 위해 설계된 모든 감광성 수지막으로 0.01µcoulomb/㎟이나 이보다 우수한 감도를 가진 것

c. 삭제(Not used since 2012)

d. 표면 영상기술(surface imaging technology)을 이용할 수 있도록 최적화된 모든 감광성 수지막

e. 3B001.f.2.에서 규정된 임프린트(imprint) 리소그래피 장비와 함께 사용하기 위해 설계되거나 최적화된 모든 감광성 수지막(resist)으로 열경화 또는 광경화 프로세스를 이용하는 것

유기-무기화합물로서 다음 중 하나인 것

a. 99.999% 보다 우수한 순도(금속을 기준)를 갖는 알루미늄, 갈륨이나 인듐의 유기-금속화합물

b. 99.999% 보다 우수한 순도(무기물 기준)를 갖는 유기-비소, 유기-안티몬 및 유기-인 화합물

주: 3C003은 금속, 부분적인 금속 또는 비금속 원소가 분자의 유기물 부분의 탄소에 직접 결합하고 있는 화합물만을 통제한다.

인, 비소 또는 안티몬의 수소화물로서 99.999% 보다 우수한 순도를 갖고 불활성가스(inert gases) 또는 수소로 희석된 것도 포함

주: 3C004는 20% 몰(molar) 이상의 불활성가스(inert gases) 또는 수소를 포함하는 수소화물은 통제하지 않는다.

실리콘 카바이드(SiC), 갈륨 나이트라이드(GaN), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) “기판”, 주괴(ingots), 불(boules) 또는 이러한 재료로 만든 기타 모재(preforms)로서 20℃에서 10,000 ohm-cm보다 큰 저항을 가지는 것

3C005에서 규정된 “기판”으로 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN)로 된 한층 이상의 적층구조를 갖는 것

소프트웨어

"소프트웨어"로서 3A001.b~3A002.g, 혹은 3B 에서 통제되는 장비의 "개발" 또는 “생산” 전용으로 설계된 것

3B001.a.~f 및 3B002에서 규정하는 장비의 “사용”을 위해 전용 설계된 "소프트웨어"

전도체, 절연체 또는 반도체 물질에서 마스크 패턴을 특정 형상으로 옮기기 위한 리소그라피(lithography), 에칭 또는 증착 과정의 "개발"을 위해 전용으로 설계된 물리기반(physics-based) 시뮬레이션 "소프트웨어"

기술해설

3D003의 ‘물리기반’은 물리적 성질(예: 온도, 압력, 확산상수(diffusion constants) 그리고 반도체물질의 성질)에 근거하여 일련의 물리적 원인과 결과 현상을 결정하기 위해 계산(computation)을 이용하는 것을 의미한다.

주: 반도체 장치 혹은 집적회로의 설계를 위한 라이브러리, 설계속성 혹은 관련 데이터는 “기술“로 간주된다.

3A003에 의해 통제되는 장비의 "개발"을 위해 전용으로 설계된 "소프트웨어"

3A101.b.에서 규정된 장비의 “사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

기술

3A, 3B 또는 3C에서 통제되는 장비, 재료의 "개발" 또는 ”생산“을 위한 [일반기술해설]에 따른 ”기술“

주 1: 3A003에 의해 통제되는 장비나 부품의 “생산”에 사용되는 “기술”은 3E001.의 통제를 받지 않는다.

주 2: 3A001.a.3.~12.에서 통제되고 다음의 모든 특성을 갖는 집적회로의 "개발"이나 “생산”에 사용되는 “기술”은 3E001.의 통제를 받지 않는다.

1. 0.130 ㎛ 이상 “기술”을 사용하는 것; 그리고

2. 3층 이하의 금속 층이 있는 다층 구조를 갖지 않는 것

32 bit 이상의 처리 길이(access width)를 가진 논리연산장치(arithmetic logic unit)와 다음 중 하나의 특성을 갖는 “마이크로프로세서 마이크로회로”, “마이크로컴퓨터 마이크로회로” 및 마이크로컨트롤러 마이크로회로의 "개발" 또는 “생산”을 위해 3E001에서 통제되는 것 이외의 [일반기술해설]에 의한 “기술”:

a. 벡터 처리 장치로 2개를 초과하는 부동소수점 벡터(32비트 또는 그 이상의 1차원 배열)에 대한 연산을 동시에 수행하도록 설계된 것;

기술해설

벡터 처리 장치는 하나 이상의 벡터 논리연산장치를 갖고 다수의 부동소수점 벡터(32비트 또는 그 이상의 1차원 배열)에 대한 연산을 동시에 수행하는 내장 명령어를 가지는 처리기 요소

b. 사이클 당 64 bits 이상의 부동소수점 연산을 2개 이상 수행하도록 설계된 것; 또는

c. 사이클 당 16 bits 고정 소수점 곱셈-누산 연산을 4개 이상 수행하도록 설계된 것(예, 디지털 신호 처리라고 하는 디지털로 변환된 아날로그 정보의 디지털 처리)

주: 3E002.c. 는 멀티미디어 기능 확장(multimedia extension)을 위한 기술은 통제하지 않는다.

주 1: 3E002.는 다음 모두에 해당되는 마이크로프로세서의 "개발" 또는 “생산”을 위한 “기술”은 통제하지 않는다.:

a. 0.130 ㎛ 이상의 “기술”을 사용하는 것; 그리고

b. 5층 이하의 금속 층을 가지는 다층 구조를 채용한 것

주 2: 3E002.는 디지털 신호 처리기 및 디지털 배열 처리기를 위한 “기술”을 포함한다.

기타 “기술”로서 다음의 "개발"이나 “생산”용 “기술”

a.  진공 마이크로 전자 소자(vacuum micro electronic device)

b. HEMT(high electron mobility transistor), HBT(hetero-bipolar transistor), 양자우물(quantum well) 또는 초격자 소자(super lattice device)와 같은 헤테로 구조의 반도체 전자 소자

주: 31.8 GHz미만의 주파수에서 작동하는 고전자이동트랜지스터 (HEMT)와 31.8 GHz 미만의 주파수에서 작동하는 이종접합양극성트랜지스터(HBT)에 사용되는 기술은 3E003.b.의 통제를 받지 않는다.

c. “초전도” 전자 소자

d. 전자부품용 다이아몬드막 회로기판(substrate)

e. 절연체가 실리콘 이산화물인 집적회로를 위한 silicon-on- insulator(SOI)의 회로기판

f. 전자부품을 위한 실리콘 카바이드의 회로기판

g. 31.8GHz 이상에서 작동하는 전자진공관(Electronic vacuum tubes)

3A001.a.1. 또는 3A001.a.2., 3A101, 3A102 또는 3D101.에서 규정된 장비 또는 "소프트웨어"의 “사용”을 위한 [일반기술해설]에 의한 “기술”

3D101.에서 규정된 "소프트웨어"의 "개발"을 위한 [일반기술해설]에 의한 “기술”

3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A203, 3A225 ~ 3A233에서 기술된 품목의 “개발”, “생산” 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

CATEGORY 3 - ELECTRONICS

Systems, Equipment and Components

Note 1 : The status of equipment and components described in 3A., other than those described in 3A001.a.3 to 3A001.a.10, 3A001.a.12 or 3A001.a.13., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the status of the other equipment.

Note 2 : The status of integrated circuits described in 3A001.a.3 to 3A001.a.9, 3A001.a.12 or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the status of the other equipment.

N.B. :  When the manufacturer or applicant cannot determine the status of the other equipment, the status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3 to 3A001.a.9, 3A001.a.12 and 3A001.a.13.

Electronic components and specially designed components therefor, as follows:

a. General purpose integrated circuits, as follows:

Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.

Note 2: Integrated circuits include the following types:

"Monolithic integrated circuits";

"Hybrid integrated circuits";

"Multichip integrated circuits";

"Film type integrated circuits", including silicon-on- sapphire integrated circuits;

"Optical integrated circuits".

1. Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:

a. A total dose of 5×103 Gy (silicon) or higher;

b. A dose rate upset of 5×106 Gy (silicon)/s or higher; or

c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5×1013 n/㎠ or higher on silicon, or its equivalent for other materials;

Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).

2. "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:

a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125℃);

b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55℃); or

c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55℃) to 398 K (125℃);

Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.

3. "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;

Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.

4. Not used

5. Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:

a. ADCs having any of the following:

N.B. SEE ALSO 3A101

1. A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;

2. A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;

3. A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;

4. A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or

5. A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;

b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:

1. A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of 3,500 MSPS or greater; or

2. A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of equal to or greater than 1,250 MSPS and having any of the following:

a. A settling time less than 9 ns to 0.024% of full scale from a full scale step; or

b. A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesizing a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.

Technical Notes

1. 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.

2. SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.

3. A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).

4. 'Adjusted update rate' for DACs:

a. For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC. For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.

b. For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor. For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:

• input data rate

• input word rate

• input sample rate

• maximum total input bus rate

• maximum DAC clock rate for DAC clock input.

Technical Notes:

1. A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.

2. The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.

3. The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of architecture or oversampling.

4. For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated  and the output rate is the maximum output rate of any single channel.

5. For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.

6. Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate. It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).

7. For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.

8. 'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.

9. 'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.

6. Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:

a. One or more than one internal "laser" diode;

b. One or more than one internal light detecting element; and

c. Optical waveguides;

7. 'Field programmable logic devices' having any of the following:

a. A maximum number of single-ended digital input/outputs of 500 or greater; or

b. An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 200 Gb/s or greater;

Note: 3A001.a.7. includes:

- Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)

- Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)

- Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)

- Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)

- Field Programmable Interconnects (FPICs)

Technical Note:

1. 'Field programmable logic devices' are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.

2. Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/ outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.

3. 'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the

product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.

8. Not used;

9. Neural network integrated circuits;

10. Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:

a. More than 1,500 terminals;

b. A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0.02 ns; or

c. An operating frequency exceeding 3 GHz

11. Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:

a. An equivalent gate count of more than 3,000 (2 input gates); or

b. A toggle frequency exceeding 1.2 GHz;

12. Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log₂N) /20,480 ms, where N is the number of points;

Technical Note:

When N is equal to 1,024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.

13. Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of

the following:

a. A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of

3.5GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less

than 12 bit; or

b. A DAC clock frequency of 1.25 GHz or more and a DAC

resolution of 12 bit or more;

Technical Note

The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency.

b. Microwave or millimetre wave components, as follows:

1. Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:

Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:

a. Does not exceed 31.8 GHz; and

b. Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.

Note 2: 3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:

a. An average output power equal to or less than 50 W; and

b. Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:

1. Exceeds 31.8 GHz but does not exceed 43.5 GHz; and

2. Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.

a. Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:

1. Tubes operating at frequencies exceeding 31.8 GHz;

2. Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;

3. Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7% or a peak power exceeding 2.5 kW;

4. Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:

a. An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0.5;

b. An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or

c. Being "space-qualified";

b. Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;

c. Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/㎠;

2. Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:

a. Rated for operation at frequencies exceeding 3.2 GHz up to and including 6.8 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15%;

b. Rated for operation at frequencies exceeding 6.8 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

c. Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31.8 GHz and with an average output power greater than 0.8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

d. Rated for operation at frequencies exceeding 31.8 GHz up to and including 37 GHz and with an average output power greater than 0.1 nW (-70 dBm);

e. Rated for operation at frequencies exceeding 37 GHz up to and including 43.5 GHz and with an average output power greater than 1.0 W (30 dBm);

f. Rated for operation at frequencies exceeding 43.5 GHz up to and including 75 GHz and with an average output power greater than 31.62 mW (15 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

g. Rated for operation at frequencies exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz and with an average output power greater than 10 mW (10 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 5%; or

h. Rated for operation at frequencies exceeding 90 GHz and with an average output power greater than 0.1 nW (-70 dBm);

Note 1: Not used

Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.

Note 3: Notes 1 and 2 in 3.A. mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.

3. Discrete microwave transistors having any of the following:

a. Rated for operation at frequencies exceeding 3.2 GHz up to and including 6.8 GHz and having an average output power greater than 60W (47.8 dBm);

b. Rated for operation at frequencies exceeding 6.8 GHz up to and including 31.8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);

c. Rated for operation at frequencies exceeding 31.8 GHz up to and including 37.5 GHz and having an average output power greater than 0.5W (27 dBm);

d. Rated for operation at frequencies exceeding 37.5 GHz up to and including 43.5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or

e. Rated for operation at frequencies exceeding 43.5 GHz and having an average output power greater than 0.1 nW;

Note: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.

4. Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/ modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:

a. Rated for operation at frequencies exceeding 3.2 GHz up to and including 6.8 GHz and with an average output power greater than 60W (47.8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15%;

b. Rated for operation at frequencies exceeding 6.8 GHz up to and including 31.8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

c. Rated for operation at frequencies exceeding 31.8 GHz up to and including 37.5 GHz and with an average output power greater than 0.1 nW;

d. Rated for operation at frequencies exceeding 37.5 GHz up to and including 43.5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

e. Rated for operation at frequencies exceeding 43.5 GHz and with an average output power greater than 0.1 nW; or

f. Rated for operation at frequencies above 3.2 GHz and having all of the following:

1. An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W×GHz²/fGHz²];

2. A "fractional bandwidth" of 5% or greater; and

3. Any two sides perpendicular to one another with either length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm*GHz/ fGHz];

Technical Note:

3.2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm×GHz/3.2 GHz].

N.B.: MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.

Note 1 Not used since 2010

Note 2 The status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3.A.1.b.4.a. through 3.A.1.b.4.e., is determined by the lowest average output power threshold.

Note 3 3A001.b.4 includes transmit/receive modules and transmit modules.

5. Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:

a. A band-pass bandwidth of more than 0.5% of centre frequency; or

b. A band-stop bandwidth of less than 0.5% of centre frequency;

6. Not used;

7. Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;

8. Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:

a. Operating frequencies above 3 GHz;

b. An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg and

c. A volume of less than 400 ㎤;

Note: 3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.

9. Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:

a. A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;

b. A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and

c. An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2fmin,) and having any of the following:

1. For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100W; or

2. A frequency greater than 18 GHz;

Technical Notes:

1. To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 ㎤/W = 200 ㎤.

2. The ‘turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.

10. Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with all of the following:

a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20 log10F-20 log10f) anywhere within the range of 10 Hz <F<10 kHz; and

b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20 log10F-20 log10f) anywhere within the range of 10 kHz ≤ F < 500 kHz;

Technical Note

In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.

11. "Frequency synthesizer" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:

a. Less than 156 ps;

b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1.6 GHz within the synthesized frequency range exceeding 4.8 GHz but not exceeding 10.6 GHz;

c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesized frequency range exceeding 10.6 GHz but not exceeding 31.8 GHz;

d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesized frequency range exceeding 31.8 GHz but not exceeding 43.5 GHz;

e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesized frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 56 GHz;

f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2.2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 75 GHz; or

g. Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 75 GHz;

N.B. For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.

c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:

1. Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices  having any of the following:

a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;

b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz, and having any of the following:

1. A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65dB;

2. A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;

3. A bandwidth greater than 250 MHz; or

4. A dispersive delay of more than 10 μs; or

c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:

1. A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;

2. A dispersive delay of more than 10 μs; or

3. A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65dB and a bandwidth greater than 100 MHz;

Technical Note

'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.

2. Bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6GHz;

Note 3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.

3. Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;

d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:

1. Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or

2. Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10,000;

e. High energy devices as follows:

1. 'Cells' as follows:

a. 'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20℃;

b. 'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20℃;

Technical Notes:

1. For the purpose of 3A001.e.1., 'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms. If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.

2. For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy. It is the basic building block of a battery.

3. For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.

4. For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.

Note: 3A001.e.1. does not control batteries, including single cell batteries.

2. High energy storage capacitors, as follows:

N.B.: SEE ALSO 3A201.a.

a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:

1. A voltage rating equal to or more than 5 kV;

2. An energy density equal to or more than 250 J/kg; and

3. A total energy equal to or more than 25 kJ;

b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:

1. A voltage rating equal to or more than 5 kV;

2. An energy density equal to or more than 50 J/kg;

3. A total energy equal to or more than 100 J; and

4. A charge/discharge cycle life equal to or more than 10,000;

3. "Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:

N.B.: SEE ALSO 3A201.b.

Note: 3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.

a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;

b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 ㎜; and

c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/㎟;

4. Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20% at an operating temperature of 301 K (28℃) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/㎡).

Technical Note:

'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).

f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1.0 second of arc

g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:

1. A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30,000 A/μs and off-state voltage greater than 1,100 V; or

2. A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2,000 A/μs and having all of the following:

a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3,000 V; and

b. A peak (surge) current equal to or greater than 3,000 A.

Note 1: 3A001.g. includes:

- Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)

- Electrical Triggering Thyristors (ETTs)

- Light Triggering Thyristors (LTTs)

- Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)

- Gate Turn-off Thyristors (GTOs)

- MOS Controlled Thyristors (MCTs)

- Solidtrons

Note 2: 3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.

Technical Note:

For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.

h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:

1. Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215oC)

2. Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and

3. Continuous current greater than 1 A.

Note 1: Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.

Note 2: 3A001.h. includes:

- Junction Field Effect Transistors (JFETs)

- Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)

- Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)

- Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)

- Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

- High Electron Mobility Transistors (HEMTs)

- Bipolar Junction Transistors (BJTs)

- Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)

- Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)

- Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)

- PiN Diodes

- Schottky Diodes

Note 3: 3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules' incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway, or "civil aircraft" applications.

Technical Note

For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.

General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:

a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:

1. Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:

a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;

b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or

c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0.1 μs;

Note: Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.

2. Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;

Note: 3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.

3. Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:

a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or

b. Being "space-qualified";

Note: 3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.

4. Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;

5. Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:

a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and

b. A 'continuous throughput' of 2 Gbit/s or more;

Technical Notes:

1. For those instruments with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.

2. 'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.

6. Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:

a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and

b. A 'continuous throughput' of 1 Gbit/s or more;

b. Not used

c. Radio-frequency "signal analysers" as follows:

1. "Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW)

exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31.8 GHz but not exceeding 37.5 GHz;

2. "Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than –150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 75 GHz;

3. "Signal analysers" having a frequency exceeding 75 GHz;

4. "Signal analysers" having all of the following:

a. "Real-time bandwidth" exceeding 85 MHz; and

b. 100% probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less;

Technical Notes

1. Probability of discovery in 3A002.c.4.b is also referred to as

probability of intercept or probability of capture.

2. For the purposes of 3A002.c.4.b, the duration for 100%

probability of discovery is equivalent to the minimum signal

duration necessary for the specified level measurement

uncertainty.

Note 3A002.c.4 does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).

5. "Signal analysers" having a "frequency mask trigger" function with 100% probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;

d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:

1. Specified to generate pulses having all of the following, anywhere within the synthesized frequency range exceeding 31.8 GHz but not exceeding 75 GHz:

a. 'Pulse duration' of less than 100 ns; and

b. On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;

2. An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesized frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 75 GHz:

3. A "frequency switching time" as specified in any of the following:

a. Not used since 2012

b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1.6 GHz within the synthesized frequency range exceeding 4.8 GHz but not exceeding 10.6 GHz;

c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesized frequency range exceeding 10.6 GHz but not exceeding 31.8 GHz;

d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesized frequency range exceeding 31.8 GHz but not exceeding 43.5 GHz;

e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesized frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 56 GHz; or

f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2.2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 75 GHz;

4. Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being all of the following:

a. Less (better) than -(126+20 [eqn: log _{10} F]-20 [eqn: log _{10} f]) anywhere within the

range of 10 Hz <F<10 kHz anywhere within the synthesized frequency range exceeding 3.2 GHz but not exceeding 75 GHz; and

b. Less (better) than -(114+20 [eqn: log _{10} F]-20 [eqn: log _{10} f]) anywhere within the

range of 10 kHz ≤ F < 500 kHz anywhere within the synthesized frequency range exceeding 3.2 GHz but not exceeding 75 GHz; or

Technical Note

In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.

Note 1.: For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.

Note 2: 3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.

Technical Notes:

1. The maximum synthesized frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2.5.

2. For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90% of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10% of the peak.

5. A maximum synthesized frequency exceeding 75 GHz;

e. Network analysers having any of the following:

1. An output power exceeding 31.62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 75 GHz;

2. An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 75 GHz but not exceeding 110 GHz;

3. 'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or

Technical Note

'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument’ ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.

4. A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;

f. Microwave test receivers having all of the following:

1. A maximum operating frequency exceeding  110 GHz;  and

2. Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;

g. Atomic frequency standards being any of the following:

1. "Space-qualified";

2. Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1×10-11/month; or

3. Non-"Space-qualified" and having all of the following:

a. Being a rubidium standard;

b. Long-term stability less (better) than 1×10-11/month; and

c. Total power consumption of less than 1 Watt.

Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their  operating temperature range, and specially designed components therefor.

Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:

a. Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;

b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.

Note: 3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.

'Thermal batteries' designed or modified for 'missiles'.

Note:

3A102 does not control thermal batteries specially designed for rocket systems or unmanned aerial vehicles that are not capable of a "range" equal to or greater than 300 km.

Technical Notes:

Thermal batteries are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte. These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.

Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;

a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:

1. a. Voltage rating greater than 1.4 kV;

b. Energy storage greater than 10 J;

c. Capacitance greater than 0.5 μF; and

d. Series inductance less than 50 nH; or

2. a. Voltage rating greater than 750 V;

b. Capacitance greater than 0.25 μF; and

c. Series inductance less than 10 nH;

b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:

1. Capable of creating magnetic fields greater than 2T;

2. A ratio of length to inner diameter greater than 2;

3. Inner diameter greater than 300 ㎜; and

4. Magnetic field uniform to better than 1% over the central 50% of the inner volume;

Note: 3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems. The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.

c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:

1. a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and

b. With a 'figure of merit' (K) of 0.25 or greater; or

2. a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and

b. A 'peak power' greater than 50 MW.

Note: 3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:

Technical Notes:

1. The 'figure of merit' K is defined as:

K = 1.7×103V2.65Q

V is the peak electron energy in million electron volts.

If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs. If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.

Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.

2. 'Peak power' = (peak potential in volts)×(peak beam current in amperes).

3. In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.

4. In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.

Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:

a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;

b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2,000 Hz;

c. Total harmonic distortion better (less) than 10%; and

d. Frequency control better (less) than 0.1%.

Technical Note:

Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.

High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:

a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and

b. Current or voltage stability better than 0.1% over a time period of 8 hours.

High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:

a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and

b. Current or voltage stability better than 0.1% over a time period of 8 hours.

Switching devices, as follows:

a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:

1. Containing three or more electrodes;

2. Anode peak voltage rating of 2.5 kV or more;

3. Anode peak current rating of 100 A or more; and

4. Anode delay time of 10 μs or less;

Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.

b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:

1. An anode delay time of 15 μs or less; and

2. Rated for a peak current of 500 A or more;

c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:

1. Anode peak voltage rating greater than 2 kV;

2. Anode peak current rating of 500 A or more; and

3. Turn-on time of 1 μs or less.

High-current pulse generators as follows:

N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS.

N.B. See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.

a. Not used;

b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:

1. Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;

2. Enclosed in a dust-tight enclosure;

3. Capable of delivering their energy in less than 15 μs;

4. Having an output greater than 100 A;

5. Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;

6. No dimension greater than 254 ㎜;

7. Weight less than 25 kg; and

8. Specified for use over an extended temperature range 223 K (-50℃) to 373 K (100℃) or specified as suitable for aerospace applications.

Note: 3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.

Technical Note:

In 3A229.b.5. 'rise time' is defined as the time interval from 10% to 90% current amplitude when driving a resistive load.

High-speed pulse generators having both of the following characteristics:

a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and

b. 'Pulse transition time' less than 500 ps.

Technical Note:

In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10% and 90% voltage amplitude.

Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:

a. Designed for operation without an external vacuum system; and

b. Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium- deuterium nuclear reaction.

Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:

N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS.

N.B.: See 1A007.b. for detonators.

a. Not used;

b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 ㎟ from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2.5 μs.

Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.

Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:

a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);

b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);

c. Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);

d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;

e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:

1. A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (-80℃) or less; or

2. A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;

f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.

Test, Inspection and Production Equipment

Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:

a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:

1. Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2.5% across a distance of 75 ㎜ or more;

Note: 3B001.a.1. includes atomic layer epitaxy (ALE) equipment.

2. Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;

3. Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;

b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:

1. Not used since 2012

2. Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;

3. Direct write capability;

4. A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or

5. Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600°C or greater;

c. Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:

1. Designed or optimized to produce critical dimensions of 65 nm or less; and

2. Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10% 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;

d. Not used

e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:

1. Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a, 3B001.b or 3B001.c are designed to be connected; and

2. Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;

Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.

Technical Notes

1. For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.

2. For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.

f. Lithography equipment as follows:

1. Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:

a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or

b. Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable  Feature size' (MRF) of 95 nm or less;

Technical Note:

The ''Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:

MRF = {(an exposure light source wavelength in nm) × (K factor)} / numerical aperture

where the K factor = 0.35

2. Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;

Note: 3B001.f.2. includes:

- Micro contact printing tools

- Hot embossing tools

- Nano-imprint lithography tools

- Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools

3. Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:

a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and

b. Having any of the following:

1. A spot size smaller than 0.2 μm;

2. Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or

3. An overlay accuracy of better than ± 0.20 μm (3 sigma);

g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;

h. Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g and having any of the following:

1. Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or

2. Designed to be used by lithography equipment having a         light source wavelength less than 245 nm;

Note 3B001.h does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.

i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.

Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:

a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31.8 GHz;

b. Not used;

c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.

Materials

Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:

a. Silicon (Si);

b. Germanium (Ge);

c. Silicon carbide (SiC); or

d. "III/V compounds" of gallium or indium.

Note 3 : 3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.

Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:

a. Resists designed for semiconductor lithography as follows:

1. Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;

2. Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;

b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0.01 μcoulomb/mm2 or better;

c. Not used since 2012

d. All resists optimised for surface imaging technologies

e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2 that use either a thermal or photo-curable process.

Organo-inorganic compounds as follows:

a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99.999%;

b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99.999%.

Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.

Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99.999%, even diluted in inert gases or hydrogen.

Note: 3C004 does not control hydrides containing 20% molar or more of inert gases or hydrogen.

Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10,000 ohm-cm at 20℃

"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.

Software

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.

"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.

Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.

Technical Note:

'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).

Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".

"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.

"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.

Technology

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;

Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.

Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:

1. Using "technology" at or above 0.130 µm; and

2. Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.

"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:

a. A vector processor unit designed to perform more than two calculations on floating-point vectors(one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;

Technical Note:

A vector processing unit is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating- point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.

b. Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or

c. Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital signal processing).

Note: 3E002.c. does not control technology for multimedia extensions.

Note 1: 3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of microprocessor cores, having all of the following:

a. Using "technology" at or above 0.130 ㎛; and

b. Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.

Note 2: 3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.

Other "technology" for the "development" or "production" of:

a. Vacuum microelectronic devices;

b. Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), heterobipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31.8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31.8 GHz.

c. "Superconductive" electronic devices;

d. Substrates of films of diamond for electronic components.

e. Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;

f. Substrates of silicon carbide for electronic components;

g. Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31.8 GHz or higher.

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.

"Technology" according to the Technology Controls for the "development", "production", or "use" of items specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A203, 3A225 to 3A233.

4A

4A001

(IL4.A.1.)

4A001.a

(MT13.A.1.)

4A001.a.1

4A001.a.2

4A001.a.2.a

4A001.a.2.b

4A001.a.2.c

4A001.b

4A003

(IL4.A.3.)

4A003.a

4A003.b

4A003.c

4A003.d

4A003.e

(MT14A.1.b.2.)

4A003.f

4A003.g

4A004

(IL4.A.4.)

4A004.a

4A004.b

4A004.c

4A101

(MT13.A.1)

4A102

(MT16.A.1)

4B

4C

4D

4D001.a

(IL4.D.1)

4D001.b

4D001.b.1

4D001.b.2

4D002

(IL4.D.2.)

4D003

(IL4.D.3.)

4E

4E001.a

(IL4.E.1.)

(MT)

4E001.b

4E001.b.1

4E001.b.2

제4부 컴퓨터

주 1: 통신 또는 LAN 기능을 수행하는 컴퓨터, 관련 장비 및 "소프트웨어"는 제5부 제1장(통신) 성능 특성에 의해서도 평가되어야한다.

주 2: CPU(중앙연산처리장치)의 버스 또는 채널에 직접 상호 연결되는 제어장치와 “주기억장치” 또는 디스크제어장치는 제5부 제1장에서 기술하는 통신장비로 간주하지 않는다.

주의: 패킷교환을 위해 전용 설계된 "소프트웨어"의 통제는 5D001을 참조할 것

주 3: 암호화작성(Cryptographic), 암호화해독(Cryptanalytic), 다단계 보안 또는 사용자 격리 기능을 수행하거나 전자기적 호환성(eletromagnetic compatibility)을 제한하는 컴퓨터와 관련 장비 및 "소프트웨어"는 제5부 제2장(“정보보안”)에서의 성능 특성에 따라 통제여부가 결정된다.

시스템, 장비 및 부품

다음과 같은 전자식(Electronic) 컴퓨터, 관련 장비, “전자조립체” 및 전용 설계된 부품

주의: 4A101 참조

a. 다음 특성 중 하나를 갖도록 전용 설계된 것

1. -45℃ 미만 또는 85℃ 초과의 온도에서 사용할 수 있도록 정격화된 것

주: 본 항은 민수용 자동차, 철도용 또는 “민간 항공기”용 전용 설계된 컴퓨터에는 컴퓨터는 통제하지 않는다.

2. 다음 중 하나를 초과하는 방사선에 의한 영향을 방지하도록 된 것(radiation hardened)

a. 전흡수선량(Total Dose)이 실리콘 환산으로 5×103 Gy인 것

b. 흡수선량 비율 상한치(Dose Rate Upset)가 실리콘 환산으로 5×106 Gy/sec인 것

c. 단일 경우의 상한치 : 1×10-8Error/bit/day 인 것

주 : 4A001.a.2는 “민간 항공기”용으로 전용 설계된 컴퓨터는 통제하지 않는다.

b. 삭제

다음과 같은 "디지털 컴퓨터", 조립품, 관련 장비 및 이의 전용 설계된 부품

주 1: 4A003.항에는 다음 장비를 포함한다.

a. 벡터 프로세서(vector processor)

b. 배열 프로세서 (array processor)

c. 디지털 신호프로세서(digital signal processor)

d. 논리 프로세서(logic processor)

e. “화상 개선”(image enhancement)을 위해 설계된 장비

f. “신호처리”(signal processing)을 위해 설계된 장비

주 2: 4A003.항에서 규정된 "디지털 컴퓨터"와 관련 장비의 통제 여부는 다음의 경우, 다른 장비 또는 시스템의 통제 여부에 따라 결정된다.

a. "디지털 컴퓨터" 또는 관련 장비가 다른 장비 또는 시스템의 운용에 필수적인 것

b. "디지털 컴퓨터" 또는 관련 장비가 다른 장비 또는 시스템의 “주요구성요소”(principal element)가 아닌 것

주의 1: 다른 장비에서 요구하는 기능에만 제한되도록 전용 설계된 “신호처리” 또는 “영상개선” 장비의 통제 여부는 비록 "주요한 구성요소"라는 기준을 초과 할지라도 그 다른 장비의 통제 여부에 따라 결정된다.

주의 2: 통신장비와 관련된 "디지털 컴퓨터" 또는 장비에 대한 통제 여부는 제5부 제1장(통신)를 참조한다.

c. "디지털 컴퓨터" 및 그 관련 장비에 대한 “기술”은 4E항을 적용한다.

a. 삭 제

b. "최적수행성능"(Adjusted Peak Performance, APP)이 3.0 Weighted TeraFLOPS(WT)를 초과하는 "디지털 컴퓨터"

c.  프로세서의 결합을 통해 성능이 증대되도록 전용 설계되거나 개조된 “전자조립체”로서 결합된 “APP”가 4A003.b 항의 제한을 초과하는 것

주 1:  결합되지 않은 조립품이 수출될 경우, 4A003.c항은 4A003.b항의 한계를 초과하지 않는 프로그램 상호접속 및 “전자조립체”만 통제한다. 4A003.e항에 의해 통제되는 관련 장비로 사용되도록 원래 설계상 제한된 “전자조립체”의 경우에는 적용하지 아니한다.

주 2:  4A003.c항은 최대 구성(Maximum Configuration)이 4A003.b 항의 한계를 초과하지 않는 제품 및 제품군(family)용으로 전용 설계된 “전자조립체”의 경우에는 통제하지 않는다.

d.  삭 제

e.  아날로그-디지털(A/D) 변환을 수행하는 장치로서 3A001.a.5항의 한계를 초과하는 것

f. 삭 제

g. “디지털 컴퓨터”들의 성능을 통합하기 위한 외부 통신 연결을 지원하는 장치로 단방향 데이터 전송 속도가 링크 당 2.0 Gbyte/s를 초과하는 것

주:  내부연결장비(backplanes, buses 등), 수동형 연결장비, “네트워크 접근제어기”, 또는 “통신채널제어기”는 통제하지 않는다.

다음과 같은 컴퓨터, 전용 설계된 관련 장비, “전자조립체“ 및 관련부품

a. “ 시스톨릭 배열 컴퓨터”(Systolic array computer)

b. “신경 컴퓨터“

c. “광 컴퓨터”

9A004에 명시된 우주발사체 또는 9A104에 명시된 관측용 로켓에 사용하기 위해 내구성이 높은 설계 또는 개조된 아날로그 컴퓨터 및 "디지털 컴퓨터", 디지털 차동분석기 (4A001.a.1에 명시된 것 제외)

9A004에 명시된 우주발사체 또는 9A104에 명시된 관측용 로켓의 모델링, 모의시험 또는 설계통합을 위해 전용 설계된 “하이브리드 컴퓨터”

주: 장비가 7D103 또는 9D103에 명시된 "소프트웨어"를 탑재한 경우에 한하여 적용된다.

시험, 검사 및 생산용 장비

해당사항 없음

소재

해당사항 없음

소프트웨어

주: 다른 장에서 규정된 장비를 위한 "소프트웨어"에 대한 통제 여부는 관련된  장에서 다루어진다.

a. 상기 4A001 또는 4D001에 의해 통제되는 장비 또는 "소프트웨어"의 "개발" 또는 “생산”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

b. 4D001.a.에 의해 통제되는 "소프트웨어" 이외에, 다음 사항의 "개발"이나 생산을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

1. "최적수행성능"(“APP")이 0.25 Weighted TeraFLOPS(WT)를 초과하는 디지털컴퓨터

2. 프로세서의 결합을 통해 성능이 증대되도록 전용 설계되거나 개조된 “전자조립체”로서 결합된 “APP”가 4D001.b.1. 항의 제한을 초과하는 것

4E 항목에 의해 통제되는 “기술”을 지원하기 위해 전용 설계 또는 개조된 "소프트웨어"

삭제

주의: “정보보안” 기능을 수행하거나 포함하는 “소프트웨어”에

대해서는 제5부 제2장 참조

기술

a. 상기 4A 또는 4D에 의해 통제되는 장비 또는 "소프트웨어"의 "개발", “생산” 또는 “사용”을 위한 [일반기술해설]에 따른 기술

b. 4E001.a에 의해 통제되는 “기술” 이외에, 다음 사항의 "개발"이나 “생산”을 위해 전용 설계되거나 개조된 “기술”

1. "최적수행성능"(“APP")이 0.25 Weighted TeraFLOPS(WT)를 초과하는 디지털컴퓨터, 혹은

2. 프로세서의 결합을 통해 성능이 증대되도록 전용 설계되거나 개조된 “전자조립체”로서, 결합된 “APP”가 4E001.b.1. 항의 제한을 초과하는 것

“최적수행성능”에 대한 기술해설

("APP")

"APP"는 64비트 또는 그 이상의 부동소수점 덧셈과 곱셈 연산을 수행하는“디지털컴퓨터”의 "최적수행성능"을 의미한다.

"APP"는 1초당 1012번의 부동소수점 연산을 단위로 하는 Weighted TeraFLOPS(WT)로 표현된다.

APP에 대한 기술해설에 사용되는 약어들

n “디지털컴퓨터”의 프로세서 개수

i 프로세서 번호(i,...n)

ti 프로세서 사이클 타임(ti = 1/Fi)

Fi 프로세서 주파수

Ri 부동소수점 연산비율

Wi 아키텍처 조정 계수

"APP" 계산방법 개요

1. 각 프로세서 i 에 대해, “디지털컴퓨터” 각 프로세서의 한 사이클 당 수행되는 64비트 또는 그 이상의 부동소수점 연산 횟수 FPOi를 결정한다.

주: FPO의 결정은 단지 64비트 또는 그 이상의 부동소수점 덧셈/곱셈 연산만을 포함한다. 모든 부동소수점 연산은 반드시 프로세서한 사이클 당 연산으로 표현되어야 한다. 다수 사이클에 필요한 연산은 한 사이클 당 연산 결과로 나누어 표현되어야 한다. 64비트 또는 그 이상의 부동소수점 연산을 수행할 수 없는 프로세서의 연산 비율 R은 0으로 간주한다.

2. 각 프로세서의 부동소수점 연산 비율, Ri= FPOi / ti를 계산한다.

3. "APP" = W1×R1 + W2×R2 + ....+ Wn×Rn 으로 "APP"를 계산한다.

4. “벡터프로세서”는 Wi = 0.9, 비 “벡터프로세서”는 Wi = 0.3 으로 간주한다.

주 1: 한 사이클 동안에 덧셈과 곱셈을 혼합하여 연산을 수행하는 프로세서는 각각의 연산을 카운트해야 한다.

주 2: 파이프라인 프로세서의 연산비율 R은 파이프라인이 가득 차게되면 파이프라인 비율 또는 비 파이프라인 비율보다 빠르다.

주 3:  도움을 제공하는 각각의 프로세서의 연산비율 R은 "APP"가 유도되기 전에 이론적으로 가능한 가장 큰 값으로 계산되어야 한다. 동시에 발생하는 연산들에 대해서는 컴퓨터 제조자들이 합의하여 컴퓨터 매뉴얼 또는 브로슈어에 명시한다고 가정한다.

주 4: "APP"를 계산할 때, 디스크 드라이브, 통신, 비디오 디스플레이등과 같이 주변 기능과 입출력 기능에 제한된 프로세서들은 포함되지 않는다.

주 5:  LAN, WAN, 입출력장치, 입출력제어, 그리고 "소프트웨어"에 의해 구현되는 어떠한 상호연결 통신 등에 의해 연결되는 프로세서 조합들은 "APP" 계산 시 포함되지 않는다.

주 6 :  "APP"에는 1) 결합, 동시 운영 및 메모리 공유를 통해 수행능력을 증강시키기 위해 전용 설계된 프로세서를 포함하는 프로세서 조합들이 반드시 포함되어 야 하며, 2) 전용 설계된 하드웨어를 동시에 작동시키는 다중 메모리/프로세서 조합들도 반드시 포함되어야 한다.

기술해설

동시에 작동하고 동일한 다이(die)에 위치한 모든 프로세서 및 가속기를 결합

주 7: “벡터프로세서”는 적어도 2개의 벡터 유닛과 적어도 각각 64개의 소자를 가지는8개의 벡터 레지스터를 포함하는 부동소수점 벡터(64비트 또는 그 이상의 1차원 배열)를 동시에 다중 연산하도록 명령어를 심어놓은 프로세서로 정의된다.

CATEGORY 4 - COMPUTERS

Note 1: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).

Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).

N.B.: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.

Note 3: Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").

Systems, Equipment and Components

Electronic computers and related equipment, as follows, and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:

N.B.: SEE ALSO 4A101.

a. Specially designed to have any of the following characteristics:

1. Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (-45℃) or above 358 K (85℃);

Note: 4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft”  applications.

2. Radiation hardened to exceed any of the following specifications:

a. Total Dose 5×103 Gy (silicon);

b. Dose Rate Upset 5×106 Gy (silicon)/s; or

c. Single Event Upset 1 x 10-8 Error/bit/day;

Note: 4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.

b. Not used

"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:

Note 1: 4A003 includes the following:

a. Vector processors;

b. Array processors;

c. Digital signal processors;

d. Logic processors;

e. Equipment designed for "image enhancement";

f. Equipment designed for "signal processing".

Note 2: The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:

a. The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;

b. The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and

N.B. 1: The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.

N.B. 2: For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).

c. The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.

a.  Not used

b. "Digital computers" having an 'Adjusted Peak Performance' ('APP') exceeding 3.0 Weighted TeraFLOPS (WT);

c. "Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4A003.b.;

Note 1: 4A003.c. control only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies". It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.

Note 2: 4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit of 4A003.b.

d. Not used;

e. Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits in 3A001.a.5.;

f. Not used;

g. Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allow communications at unidirectional data rates exceeding 2.0 Gbyte/s per link.

Note: 4A003.g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".

Computers, as follows, and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:

a. "Systolic array computers";

b. "Neural computers";

c. "Optical computers".

Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Note: This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.

Test, Inspection and Production Equipment

None.

Materials

None.

Software

Note: The status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.

a. "Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 or 4D001.

b. "Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of:

1. "Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0.25 Weighted TeraFLOPS (WT); or

2. "Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.;

"Software" specially designed or modified to support "technology" specified in 4E.

Not uesd

N.B. See Category 5.Part 2 for "software" performing or incorporating "information security" functions.

Technology

a. "Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.

b. "Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of:

1. "Digital computers" having an 'Adjusted Peak Performance' ('APP') exceeding 0.25 Weighted TeraFLOPS (WT);); or

2. "Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.

TECHNICAL NOTE ON "ADJUSTED PEAK PERFORMANCE" ("APP")

"APP" is an adjusted peak rate at which "digital computers" perform 64-bit or larger floating point additions and multiplications.

"APP" is expressed in Weighted TeraFLOPS (WT), in units of 1012 adjusted floating point operations per second

Abbreviations used in this Technical Note

n number of processors in the "digital computer"

i processor number (i,...n)

ti processor cycle time (ti = 1/Fi)

Fi processor frequency

Ri peak floating point calculating rate

Wi architecture adjustment factor

Outline of "APP " calculation method

1. For each processor i, determine the peak number of 64-bit or larger floating point operations, FPOi, performed per cycle for each processor in the "digital computer".

Note In determining FPO, include only 64-bit or larger floating point additions and/or multiplications. All floating point operations must be expressed in operations per processor cycle; operations requiring multiple cycles may be expressed in fractional results per cycle. For processors not capable of performing calculations on floating point operands of 64-bits or more, the effective calculating rate R is zero.

2. Calculate the floating point rate R for each processor Ri = FPOi/ti.

3. Calculate "APP" as "APP" = W1×R1 + W2×R2 + … + Wn×Rn.

4. For "vector processors", Wi = 0.9. For non-"vector processors", Wi = 0.3.

Note 1 For processors that perform compound operations in a cycle, such as addition and multiplication, each operation is counted.

Note 2 For a pipelined processor the effective calculating rate R is the faster of the pipelined rate, once the pipeline is full, or the non-pipelined rate.

Note 3 The calculating rate R of each contributing processor is to be calculated at its maximum value theoretically possible before the "APP" of the combination is derived. Simultaneous operations are assumed to exist when the computer manufacturer claims concurrent, parallel, or simultaneous operation or execution in a manual or brochure for the computer.

Note 4 Do not include processors that are limited to input/ output and peripheral functions (e.g., disk drive, communication and video display) when calculating "APP".

Note 5 "APP" values are not to be calculated for processor combinations (inter)connected by "Local Area Networks", Wide Area Networks, I/O shared connections/ devices, I/O controllers and any communication interconnection implemented by "software".

Note 6 "APP" values must be calculated for:

1. Processor combinations containing processors specially designed to enhance performance by aggregation, operating simultaneously and sharing memory; or

2. Multiple memory/processor combinations operating simultaneously utilizing specially designed hardware.

Technical Note

Aggregate all processors and accelerators operating simultaneously and located on the same die.

Note 7 A "vector processor" is defined as a processor with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 64-bit or larger numbers) simultaneously, having at least 2 vector functional units and at least 8 vector registers of at least 64 elements each.

5A001

(IL5.A.1.)

5A001.a

5A001.a.1

5A001.a.2

5A001.a.3

5A001.b

5A001.b.1

5A001.b.1.a

5A001.b.1.b

5A001.b.1.c

5A001.b.1.d

5A001.b.2

5A001.b.2.a

5A001.b.2.b

5A001.b.3

5A001.b.3.a

5A001.b.3.b

5A001.b.4

5A001.b.4.a

5A001.b.4.b

5A001.b.5

5A001.b.5.a

5A001.b.5.b

5A001.b.5.c

5A001.b.5.d

5A001.b.6

5A001.c

5A001.d

5A001.e

5A001.e.1

5A001.e.2

5A001.f

5A001.f.1

5A001.f.2

5A001.f.3

5A001.f.4

5A001.g

5A001.h

5A001.i

5A101

(MT12.A.4)

5B001

(IL5.B.1.)

5B001.a

5B001.b

5B001.b.1

5B001.b.2

5B001.b.2.a

5B001.b.2.b

5B001.b.2.c

5B001.b.2.d

5B001.b.3

5B001.b.4

5B001.b.5

5C001

5D001

(IL5.D.1.)

5D001.a

5D001.b

5D001.c

5D001.d

5D001.d.1

5D001.d.2

5D001.d.2.a

5D001.d.2.b

5D001.d.3

5D001.d.4

5D101

(MT12.D.3.)

5E001

(IL5.E.1.)

5E001.a

5E001.b

5E001.b.1

5E001.b.2

5E001.b.3

5E001.b.4

5E001.c

5E001.c.1

5E001.c.2

5E001.c.2.a

5E001.c.2.b

5E001.c.2.c

5E001.c.2.d

5E001.c.2.e

5E001.c.3

5E001.c.4

5E001.c.4.a

5E001.c.4.b

5E001.c.4.c

5E001.c.5

5E001.c.6

5E001.d

5E001.d.1

5E001.d.2

5E001.d.3

5E001.d.4

5E001.d.5

5E001.d.6

5E001.d.7

5E001.d.8

5E001.e

5E001.e.1

5E001.e.2

5E101

(MT12.E.1)

5A002

(IL5.A.2.)

5A002.a

5A002.a.1

5A002.a.1.a

5A002.a.1.b

5A002.a.1.b.1

5A002.a.1.b.2

5A002.a.1.b.3

5A002.a.2

5A002.a.3

5A002.a.4

5A002.a.5

5A002.a.6

5A002.a.7

5A002.a.8

5A002.a.9

5A002.b

5B002

(IL5.B.2.)

5B002.a

5B002.b

5C002

5D002

(IL5.D.2.)

5D002.a

5D002.b

5D002.c

5D002.c.1

5D002.c.2

5D002.d.

5E002

(IL5.E.2.)

제5부 정보통신 및 정보보안

제1장 정보통신

주 1:  전기통신 장비나 시스템 전용으로 설계된 부품(components) 시험 및 “생산” 장비, "소프트웨어"의 통제여부는 제5부제1장에 의해 결정된다.

주의1 : 정보통신 장비 또는 시스템을 위해 전용

설계된 “레이저”에 대해서는 6A005참조

주의2 : “정보보안” 기능을 수행하거나 포함하는 장비, 부품 및 “소프트웨어”에 대해서는 제5부 제2장도 참조

주 2:  "디지털 컴퓨터", 관련 장비 혹은 "소프트웨어"가 이 장에서 설명되는 전기통신 장비의 운영과 지원에 필수적이고, 제조업자가 일상적으로 제공하는 표준형 모델이면 전용 설계된 부품으로 간주된다. 여기에는 교환용, 관리용, 유지용, 엔지니어링 또는 금융용 컴퓨터시스템이 포함된다.

시스템, 장비 및 관련부품

a. 전기통신장비로서 다음의 기능이나 특성 중 하나를 갖는 것

1. 핵폭발로 인하여 생기는 일시적인 전자효과(transitory electronic effects)나 전자기 펄스효과에 견딜 수 있도록 전용 설계된 장비

2. 감마선, 중성자선 또는 이온방사선의 영향에 견딜 수 있도록 특별히 강화된 것

3. 124℃보다 높은 온도 또는 -55℃ 보다 낮은 온도에서 사용할 수 있도록 전용 설계된 것

주: 5A001.a.3.은 전자장비에만 적용된다.

주:  5A001.a.2~3항은 인공위성에 탑재할 수 있도록 설계되거나 개조된 것은 통제하지 않는다.

b. 전기통신용 시스템 및 장비, 그리고 전용 설계된 부품 및 부속품으로서 다음의 특성 또는 기능 중 하나를 갖는 것

1. 선으로 직접 연결되지 않은 수중 통신시스템으로서 다음 중 하나의 것

a. 20~60kHz 이외의 음향 반송주파수 범위를 사용하는 것

b. 30kHz 미만의 전자기 반송주파수를 사용하는 것

c. 전자적으로 빔을 조작하는 기능을 갖는 것

d. 근거리통신망("local area network")에서 출력 파장이 400nm 초과 및 700nm 미만인 "레이저“ 또는 발광 다이오드(LED)를 사용하는 것;

2. 주파수대역이 1.5~87.5MHz에서 작동하는 무선장비로서 다음과 같은 모든 특성을 갖는 것

a. 전송을 최적화하기 위하여 송신주파수 및 1채널당 “총 디지털 전송속도”를 자동적으로 예측 및 선택할 수 있는 것

b. 동시다중신호를 지원하는 능력을 가지고 있는 선형전력증폭기 구성을 통합하고, 1.5~30MHz 주파수범위에서 1kW이상의 출력, 30~87.5MHz 주파수 범위에 있어서는 250W 이상의 출력특성을 가지며, 1옥타브 이상의 “순간대역폭”과 신호파에 대한 출력 고조파(output harmonic)와 왜곡 성분이 -80dB 보다 좋은 것

3.  5A001.b.4.에서 통제되지 않는 무선장비로서 “주파수 호핑”(frequency hopping)기법을 포함하는 “분산스펙트럼”(spread spectrum) 기술을 채택하고, 다음 중 하나의 특성을 갖는 것

a. 사용자가 프로그램 할 수 있는 확장코드(spreading code)기능을 갖고 있거나,

b. 총송신대역폭(total transmitted bandwidth)이 임의의 단일 정보채널의 대역폭보다 100배 이상이고 50kHz를 초과하는 것

주 :  5A001.b.3.은 다음 중 하나를 사용하기 위해 전용 설계된 무선장비는 통제대상에서 제외

a.  민간 셀룰러무선통신 시스템; 또는

b.  상업용 민간 통신을 위한 고정용 또는 이동용 위성 지구국

주: 5A001.b.3항에서 1.0W 이하의 출력에서 작동하도록 설계된 장비는 제외

4. 사용자가 프로그램이 가능한 채널코드, 스크램블링 코드 또는 네트워크 식별코드를 갖는 초광대역변조 (ultra- wideband modulation) 기법을 채택한 무선장비로서, 다음 중 하나의 특성을 갖는 것:

a. 500MHz를 초과하는 대역폭; 또는

b. 20% 또는 이상의 “비대역폭”

5. 디지털 방식으로 제어되는 무선 수신기로서 다음 모든 기능을 가진 것

a. 채널수가 1,000회선을 초과하는 것

b. “주파수 변환소요시간”(switching time)이 1ms 미만인 것

c.  전자기(전자파) 스펙트럼(electromagnetic spectrum)의 일부분을 자동적으로 주사 또는 탐색하는 것

d. 수신된 신호 또는 송신파의 종류를 구별할 수 있는 것, 혹은

주: 본 항에서 민간 셀룰러 무선통신 시스템용으로 전용 설계된 무선장비는 제외

6.  ‘음성부호화’ 출력속도가 2,400bit/s 미만인 디지털 “신호처리” 기능을 갖는 것

기술해설

1. 가변적인 음성부호화속도의 경우 5A001.b.6. 항이 연속적인 스피치의 음성부호화 출력에 적용된다.

2. 5A001.b.6.에서 ‘음성부호화’란 인간목소리의 표본을 추출하여 인간 음성의 고유한 특성을 갖도록 디지털신호로 바꾸는 기술을 의미한다.

c. 광섬유로서 길이가 500m를 초과하고, 인증시험을 거친 인장강도 2×109 N/㎡ 이상을 견뎌낼 수 있다고 제작자에 의해 명시된 것

주의: 수중용 도관 케이블에 대해서는 8A002.a.3 참조

기술해설

인증시험(Proof test) : 규정 인장강도를 0.5~3m 길이의 섬유에 동력학적으로 적용시키는 온라인 또는 오프라인 생산 스크린 시험으로서, 이때 평균 직경 150 ㎜인 캡스턴(Capstan) 통과 시 진행속도가 초당 2~5 m/s인 것. 주위 온도는 20℃(293K)이며, 상대습도는 40% 이다. 이와 상응한 국가표준 항목도 인증시험의 실행에 적용될 수 있다.

d. 31.8 GHz 초과에서 작동하는 “전자조정 위상배열 안테나” (electronically steerable phased array antennae)

주: ICAO의 MLS(Microwave Landing System) 표준을 충족시키는 착륙시스템용 “전자조정 위상배열안테나”는 제외

e. 무선방향탐지 장비로 30MHz 이상의 주파수에서 작동하고 다음의 모든 특성을 갖는 것과 이의 전용 설계된 부품

1. “순간 대역폭”이 10MHz 또는 그 이상이고

2. 1ms 미만의 지속 신호에서 임의의 무선전송장비의 전파 방향각(LOB)을 탐지할 수 있는 것

f. 다음과 같이 이동통신 전파를 가로채는 장치 또는 전파방해장치, 감시 장치와 이의 전용 설계된 부품

1. 무선으로 전송된 음성 또는 데이터의 추출을 위하여 설계된 전파를 가로채는 장치;

2. 5A001.f.1에 명시되지 않은 장치로, 무선으로 전송된 클라이언트 기기 ID, 가입자 ID(예, IMSI, TIMSI 또는 IMEI), 신호 또는 메타 데이터의 추출을 위해 전파를 가로채는 장치;

3. 다음 중 하나의 기능을 수행하여 의도적이고 선택적으로 이동통신서비스에 간섭하여 서비스를 부정하거나 거부, 억제, 저하 및 속이도록 변경되거나 전용 설계된 전파방해장치;

a. 무선접속네트워크(RAN) 장비의 기능을 실험하거나;

b. 사용되는 이동통신 프로토콜(예, GSM)의 특별한 특성을 추적하고 이용하거나; 또는

c. 사용되는 이동통신 프로토콜(예, GSM)의 특별한 특성을 이용하는 것;

4. 5A001.f.1, 5A001.f.2 또는 5A001.f.3에 명시된 품목의 작동을 확인하기 위해 설계되거나 개조된 RF 감시 장치;

주 : 5A001.f는 다음은 통제하지 않는다.

a. 아날로그 개인 이동 모바일(PMR)이나 IEEE 802.11 무선랜 신호의 전파를 가로채기 위해 전용 설계된 장치;

b. 이동 통신 네트워크의 운영을 위해 설계된 장치;

c. 이동 통신 장치나 시스템의 “개발”이나 “생산”을 위해 설계된 장치.

주의1. 군용물자 통제목록 참조.

주의2. 무선 수신기는 5A001.b.5 참조.

g. 비-레이더 송신기 주위에서 방출되는 무선 주파수의 반사정도를 측정하여 이동하는 물체를 탐지하거나 추적하기 위해 전용 설계된 수동 간섭 위치 시스템 또는 장비

기술해설

비-레이더 송신기는 상업용 라디오, 텔레비전 또는 이동전화 기지국 등이 포함될 수 있다.

주: 5A001.g.에서 다음은 통제하지 않는다.

1. 무선 천문 장비

2. 목표물로부터 전파전송이 필요한 시스템 또는 장비

h. 급조 폭발물 방지 장비와 관련 장비로 다음의 것;

1. 5A001.f에 명시되지 않은 무선 주파수 전송 장비로, 급조 폭발물의 점화를 신속히 활성화시키거나 방지하기 위해 설계되거나 개조된 무선 주파수 전송 장비;

2. 5A001.h.1에 명시된 장치와 함께 있으면서 그 장치의 송신 주파수 채널과 동일한 주파수 채널에서의 무선 통신을 가능하게 하도록 설계된 기술을 사용하는 장치

주의. 군용물자 통제목록 참조.

삭제(Not used since 2012)

주의 : 5A001.i에서 이전에 명시된 품목은 5A001.f를 참조.

지상 장비를 포함한 원격측정(Telemetry)과 원격제어장비(telecontrol)로서 ‘미사일’용으로 설계되거나 개조된 것

기술해설

5A101에서 ‘미사일’은 300km초과의 사거리 능력을 갖는 완성체 로켓시스템이나 무인항공기시스템을 의미한다.

주: 5A101는 다음은 통제하지 않는다.

a. 유인비행체 또는 위성용으로 설계되거나 개조된 장비

b. 지상 또는 해양용으로 설계되거나 개조된 지상기반장비(ground based equipment)

c. 상업용, 민간용 또는 생명의 안전(데이터 보존, 비행안전)을 위한 전역항법위성시스템 서비스 장비

시험, 검사 및 생산용 장비

a. 5A001에 의해서 통제되는 장비, 기능 또는 특성의 "개발" 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 장비와 이를 위해 전용 설계된 부품 및 부속품

주:  광섬유 특성화 장비는 적용하지 않는다.

b. 다음 중 하나의 원격통신 전송장비 또는 교환기의 "개발"을 위하여 전용 설계된 장비와 이를 위해 전용 설계된 부품 및 부속품

1. 삭제

2. “레이저”를 채용하고 있는 장비로서 다음 중 하나의 것

a. 전송 파장이 1,750 nm을 초과하는 것

b. PDFFA (Praseodymium-Doped Fluoride Fiber Amplifier)을 이용하여 “광학 증폭”기능을 수행하는 것

c. 간섭성 광전송 또는 간섭성 광검파기법을 사용하는 것; 또는

주 : 5B001.b.2.c는 반송파 “레이저와”의 동기를 위해 수신측에 광학 국부 발진기를 사용하는 시스템의 “개발”을 위해 전용 설계된 장비에 적용된다.

기술해설

5B001.b.2.c에 대해, 광학 헤테로다인, 호모다인 또는 인트라다인 기술이 이러한 기술에 포함된다.

d. 아날로그 기술을 채용하고 주파수대역폭이 2.5 GHz 를 초과하는 것

주: 상업용 TV 시스템의 "개발"을 위하여 전용 설계된 장비는 제외

3. 삭제

4. 256 레벨을 초과하는 직교진폭변조(Quadrature-amplitude- modulation, QAM) 기술을 채택한 무선 장비

5.  <삭  제>

소재

해당사항 없음

소프트웨어

a. 5A001에서 통제되는 장비나 기능, 특성의 "개발", “생산” 또는 “사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

b. 다음의 5E001에서 통제하는 “기술”을 지원하기 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

c. 5A001 이나 5B001에서 규제되는 장비의 특성, 기능 또는 특징을 제공하기 위해 전용 설계되거나 개조된 특정(specific) "소프트웨어"

d. 다음 중 하나의 원격통신 전송장비 또는 교환기의 "개발"을 위하여 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

1. 삭제

2. “레이저”를 채용하고 있는 장비로서 다음 중 하나의 것

a. 전송 파장이 1,750 nm을 초과하는 것

b. 아날로그 기술을 채용하고 주파수대역폭이 2.5GHz를 초과하는 것

주: 상업용 TV 시스템의 "개발"을 위하여 전용 설계된 "소프트웨어"는 제외

3. 삭제

4. 256 레벨을 초과하는 직교진폭변조(Quadrature-amplitude-

modulation, QAM) 기술을 채택한 무선 장비

5A101에서 규정된 장비의 “사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

기술

a. 5A001에서 통제되는 장비, 기능 및 특성 또는 5D001.a에서 통제되는 "소프트웨어"의 "개발", “생산” 또는 “사용”(운영 제외)을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술””

b. 다음의 특정 “기술”

1. 인공위성체(board satellite)에 사용되도록 전용 설계된 원격통신 장비의 "개발"이나 “생산”에 “필요한” “기술”

2. “레이저” 통신기술의 "개발"이나 “사용”을 위한 “기술”로서 대기권 밖이나 지표면 아래(수중) 매체를 통해 자동적으로 신호를 포착, 추적하고 통신을 유지‧보수하는 기능이 있는 것

3. "소프트웨어"의 변경을 통하여 개조 가능한 다중대역, 다중채널, 다중모드, 다중부호화 알고리즘 또는 다중 프로토콜 작동 등의 수용능력이 있는 디지털 셀룰러 무선기지국 수신 장치의 "개발"을 위한 “기술”

4.  “주파수도약(호핑)”(hopping)기술을 포함하는 “확산 스펙트럼”의 "개발"을 위한 “기술”

주 : 5E001.b.4는 다음 중 하나의  “개발”을 위한 “기술”은 통제하지 않는다.

a.  민간 셀룰러무선통신 시스템; 또는

b.  상업용 민간 통신을 위한 고정용 또는 이동용 위성 지구국

c. 다음 중 하나의 원격통신 전송장비 또는 교환기의 "개발"이나 “생산”을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”

1. “총 디지털 전송속도”가 120Gbit/s를 초과하도록 설계된 디지털기술을 이용한 장비

기술해설

정보통신 교환 장비에 대해, “총 디지털 전송속도”는 단일 접속의 단방향 속도로 가장 높은 속도의 포트나 라인에서 측정한다.

2.  “레이저”를 채용하고 있는 장비로서 다음 중 하나의 것

a. 전송 파장이 1,750 nm을 초과하는 것

b.  PDFFA(praseodymium- doped fluoride fibre amplifiers)를 사용하여 “광학 증폭”을 수행하는 것

c. 간섭성 광 전송 또는 간섭성 광검파기법을 사용하는 것;

주 : 5E001.c.2.c는 반송파 “레이저”와 동기 되는 수신측에서 광학 국부 발진기를 사용하는 시스템의 “개발”을 위해 전용 설계된 장비에 적용된다.

기술해설

5E001.c.2.c를 위해, 이러한 기술은 광학 헤테로다인, 호모다인 또는 인트라다인 기술을 포함한다.

d. 100GHz 스페이싱(Spacing) 미만에서 광 캐리어에 대한 파장 분할 다중화 기법을 채용한 것; 또는

e. 아날로그 기술을 채용하고 주파수대역폭이 2.5GHz를 초과하는 것

주: 5E001.c.2.e항은 상업용 TV 시스템의 "개발" 또는 “생산”을 위한 “기술”은 통제하지 않는다.

주의 "레이저"를 이용하여 통신장비가 아닌 장비의 "개발" 또는 "생산"하기 위한 기술은 6E 참조

3. “광 스위칭”을 채용하고 스위칭 시간이 1ms 미만인 것;

4. 다음 중 하나의 이상의 것을 가지는 무선장비

a.  256레벨을 초과하는 직교진폭변조(Quadrature-amplitude-    modulation, QAM) 기술

b. 31.8GHz를 초과하는 입출력 주파수에서 작동하는 것

주: 5E001.c.4.b.항은 무선 측위가 아닌 무선통신 서비스용으로 ITU에 의해 할당된 주파수 대역에서 작동하도록 설계되거나 개조된 장비의 "개발"이나 “생산”을 위한 “기술”은 통제하지 않는다.

c. 주파수대역이 1.5~87.5MHz에서 작동하고 간섭 신호 억압능력이 15dB 이상을 제공하도록 적응적 기술을 채택하고 있는 것

5. 삭  제

6. 아래의 모든 특성을 가진 이동 장비;

a. 200 nm 이상 및 400 nm 이하의 광학 파장에서 작동하는 것; 그리고

b. "근거리 통신망“으로 작동하는 것

d. 정보통신을 위해 전용 설계된 마이크로웨이브 단일칩 집적회로(MMIC) 전력 증폭기의 “개발” 또는 “생산”을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것:

1. 동작주파수가 3.2GHz 초과부터 6.8GHz까지이고 "비대역폭”이 15%를 초과하고 평균출력이 4W(36dBm)를 초과하는 것;

2. 동작주파수가 6.8GHz 초과부터 16GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 1W(30dBm)를 초과하는 것;

3. 동작주파수가 16GHz 초과부터 31.8GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 0.8W(29dBm)를 초과하는 것;

4. 동작주파수가 31.8GHz 초과부터 37GHz까지이고 평균출력이 0.1nW(-70dBm)를 초과하는 것;

5. 동작주파수가 37GHz 초과부터 43.5GHz까지이고 평균출력이 1.0W(30dBm)를 초과하는 것;

6. 동작주파수가 43.5GHz 초과부터 75GHz까지이고 "비대역폭”이 10%를 초과하고 평균출력이 31.62mW(15dBm)를 초과하는 것;

7. 동작주파수가 75GHz 초과부터 90GHz까지이고 "비대역폭”이 5%를 초과하고 평균출력이 10mW(10dBm)를 초과하는 것; 또는

8. 동작주파수가 90GHz를 초과하고 평균출력이 0.1nW(-70dBm)를 초과하는 것;

e. 정보통신을 위해 전용 설계되고 “초전도” 재료로 제작된 부품을 포함하고 있는 전자 장치 및 회로 및 “초전도” 재료 중 최소 하나의 “임계 온도”보다 낮은 온도에서 작동되도록 전용 설계된 전자 장치 및 회로의 “개발” 또는 “생산”을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것:

1. “초전도” 게이트를 가진 디지털회로의 전류스위치 기능을 가진 것으로 게이트당 지연시간(초 단위)과 게이트당 소비전력(와트 단위)의 곱이 10-14J 미만인 것; 또는

2. 모든 주파수에서의 주파수 선택이 가능하고, Q값이 10,000을 초과하는 공진회로를 사용하는 것

5A101에 명시된 장비의 "개발", "생산", "사용"을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”

제2장 “정보 보안”

주 1:  “정보보안” 장비, "소프트웨어", 시스템, 특정한 응용 “전자조립체”, 모듈, 집적회로, 부품 또는 기능에 대한 통제여부는 비록 다른 장비의 부품 또는 “전자조립체”라 하더라도 5부 제2장 정보보안 부분에 의해 결정된다.

주 2:  제2장(정보보안)은 사용자의 개인적인 목적을 위하여 사용될 경우는 통제하지 않는다.

주 3: 암호화기술해설(Cryptography Note)

5A002와 5D002는 다음 사항의 품목에 대해서는 적용하지 않는다.

a. 다음 사항을 모두 만족하는 물품:

1. 다음의 방법에 의해서 규제 없이 대중적으로 소매판매처에서 구입 가능한 것

a. 판매처에서 소비자가 직접 구입할 수 있는 거래

b. 우편 주문 거래

c. 전자 상거래

d. 전화 주문 거래

2. 암호화기능들이 사용자에 의해 쉽게 변경될 수 없는 것

3. 사용자가 제품공급자의 추가 도움 없이 설치하도록 설계된 것

4. 2000년 이래 삭제

5. 상기 1~3에 서술된 조건의 충족을 증명하기 위해서 요청이 있는 경우 물품에 대한 상세정보를 수출국 해당기관이 입수할 수 있고 구체적 자료를 제출받을 수 있는 것

b. a에 기술된 품목의 하드웨어 부품으로 해당 품목을 위해 설계되었고 다음 사항을 모두 만족하는 부품:

1. 해당 부품의 주기능이나 기능들이 “정보보안”이 아니고;

2. 해당 부품이 품목의 암호화 기능을 변경하지 않거나 새로운 암호화 기능을 추가하지 않고;

3. 해당 부품의 기능이 고정되어 있고 고객의 특성에 따라 설계되거나 변경되지 않고;

4. 상기 서술된 조건의 충족을 증명하기 위해서 요청이 있는 경우 해당 부품과 이와 관련된 품목에 대한 상세정보를 수출국 해당기관이 입수할 수 있고 구체적 자료를 제출받을 수 있는 것

암호화 기술 해설에 대한 주:

1. 주 3의 a항을 만족하기 위하여 다음의 모든 사항이 적용되어야 한다.

a. 해당 품목이 넓은 범위의 개인 및 기업에 잠재적인 흥미가 있고;

b. 해당 품목을 구입하기 전에 공급자 및 판매자와 상담할 필요 없이 가격 및 주 기능군에 대한 정보가 이용 가능해야 한다.

2. 주 3의 a의 충족 여부를 판단하는데 있어서 해당 기관은 수량, 가격, 필요한 기술 수준, 기존 유통망, 주 대상 고객, 주  사용 대상, 판매자의 예외적인 관행 등과 같은 관련 요인을 고려할 수 있다.

주 4: 제5장 제2부는 암호 기술을 포함 또는 사용하는 품목 중 다음의 모든 조건을 만족시키는 것은 통제하지 않는다.

a. 주요 기능 및 기능군이 다음에 해당되지 않는 것

1. 정보 보안

2. 운영체제를 포함한 컴퓨터의 부품 및 부속품

3. 정보를 송수신하고, 저장하는 것 (엔터테인먼트의 제공, 대중 상업 방송, 디지털 저작권 관리, 의료 기록 관리 용도는 제외)

4. 네트워킹 (수행, 관리, 운영 및 프로비져닝 포함)

b. 암호 기능이 품목의 주요 기능 혹은 기능군을 지원하기 위한 용도로만 한정되는 것

c. 제품이 상기 a, b에 서술된 조건의 만족 여부를 증명하기 위해 요청이 있는 경우 물품에 대한 상세정보를 수출국 해당기관이 입수할 수 있고 구체적 자료를 제출받을 수 있는 것

기술해설

제5부 제2장에서 오류검출부호(parity bit)는 키 길이(key length)에 포함하지 않는다.

시스템, 장비 및 부품

a. “정보보안”을 위한 시스템, 장비, 특정응용 “전자조립체”, 모듈과 집적회로(IC)서 다음의 것, 그리고 부품으로서 “정보보안”을 위해 전용 설계된 것

주의: 해독기능을 포함하거나 채용하는 글로벌 위성 위치측정시스템(GNSS) 수신 장비는 7A005를 참조

1. 다음의 어느 하나에 해당하는 암호화기능을 수행하는 디지털기술이 적용된 “암호화”를 이용하기 위하여 설계 또는 개조된 것으로서 인증, 전자서명 또는 복사 방지 "소프트웨어"의 실행을 제외한 것

기술해설

1. 인증, 전자서명과 복사 방지 “소프트웨어”의 실행을 위한 기능에는 키관리 기능을 포함

2. 인증이라 함은 패스워드, 개인식별번호(PIN), 유사 데이터를 비인증 접근으로부터 보호하기 위하여 직접 적용된 것을 제외한, 파일(file)이나 문서(text)의 암호화가 없는 상태에서의 모든 접근제어를 포함

3. “고정된” 데이터 압축이나 코딩기술은 “암호화”(Crypto graphy)에 포함되지 않는다.

주: 5A002.a.1.은 디지털 기술로 구현된 아날로그 원리를 적용한 “암호화”를 사용하기 위하여 설계되거나 개조된 장비를 포함한다.

a. “대칭 암호알고리즘”으로서 키 길이(key length)가 56 비트를 초과하는 것

b. “비대칭 암호알고리즘”으로서 안전성이 다음 중 하나의 사항에 기초하는 것

1. 512 비트를 초과하는 정수의 인수분해 (예, RSA)

2. 이산(discrete)의 곱셈군(Multiplicative group)에서 이산로그의 계산이 512bit(예, Diffie-Hellman over Z/pZ)를 초과하는 것, 또는

3. 5A002.a.1.b.2. 에서 언급되지 않은 군(Group)의 이산로그가 112비트를 초과하는 것(예, Diffie-Hellman over an elliptic curve)

2. 암호분석 기능을 수행하기 위해 설계되거나 개조된 것

주 : 5A002.a.2는 역공학을 통해 암호분석 기능을 수행하기 위하여 설계되거나 개조된 시스템 또는 장비를 포함한다.

3. 삭제

4. 전자파 차폐장치로서 건강 또는 안전을 목적으로 전용 설계되거나 개조된 것

5. “주파수 호핑”(frequency hopping)시스템을 포함하여    5A002.a.6.에서 통제되지 않는 "확산 스펙트럼" 시스템을 위한 스프레딩 부호를 생성하기 위한 암호화기술을 사용하고자 설계되거나 개조된 것

6. 초광대역(ultra-wideband) 변조기술 시스템을 위한 채널코드, 스크램블링코드 , 또는 네트워크식별코드를 생성하는 암호화기법을 사용하고자 설계되거나 개조된 것으로 다음 중 하나의 특성을 갖는 것.

a. 500MHz를 초과하는 주파수대역폭, 또는

b. "비대역폭"이 20% 또는 그 이상의 것

7. 국가 기관에 의하여 평가되고 공인된 EAL-6(evaluation assurance level, 평가보장수준) 이상의 공통평가 기준(Common Criteria, CC) 등급을 획득한 비(非)암호 정보 및 통신 기술(ICT) 보안 시스템 및 장치

8. 부정한 침입을 탐지하기 위해 기계적, 전기적 혹은 전자적인 방법으로 설계되거나 개조된 통신케이블 시스템

주 : 5A002.a.8은 물리계층 보안에만 적용된다.

9.  “양자암호화”를 사용하기 위해 설계되거나 개조된 것

기술해설

“양자암호화”는 양자암호화 키 분배기법으로 알려져 있다.

주: 5A002는 아래에 해당되는 품목을 통제하지 않는다.

a. 다음과 같은 스마트카드 및 스마트카드 리더 및 라이터.

1. 다음 중 하나 이상을 만족시키는 스마트카드나 전자적으로 읽기가 가능한 개인 문서 (예: 토큰 동전, 전자여권)

a. 암호 기능이 제5장 2부의 주 4 또는 주 4의 b에서 i항까지에 의거, 5A002에서 언급되지 않는 장치 및 시스템만을 위한 것이고, 다른 용도로 사용하기 위하여 재 프로그램될 수 없는 것.

b. 다음 모든 항을 만족시키는 것

1. 개인정보의 보호만을 위해 설계되고, 사용이 이에 한정되는 것

2. 공공이나 상업용 거래 혹은 개인 신분 확인 등으로 한정된 것

3. 암호 기능이 사용자 접근이 불가능한 것.

기술 해설

‘개인 정보’는 예금 액수와 인증을 위해 필요한 정보와 같이 개인 혹은 개체에 특화된 모든 정보를 포괄한다.

2. 이 주석의 a.1에 명시된 품목을 위해 특별히 설계되어나 수정 및 제한된 리더/라이터

기술 해설

'리더/라이터(reader/writer)'는 스마트카드 혹은 전자적으로 읽을 수 있는 문서와 네트워크를 통하여 통신을 할 수 있는 장치를 포함한다.

b. 삭제

주의. 5A002의 주 b.에서 이전에 명시된 품목은 제5장 제2부의 주 4를 참고.

c. 삭제

주의. 5A002의 주 c.에서 이전에 명시된 품목은 제5장 제2부의 주 4를 참고.

d. 은행업무와 ‘금전거래’에만 한정되도록 전용 설계된 암호화장비

기술해설

이 항에서 ‘금전거래’란 요금정산 또는 신용거래를 포함한다.

e. 민간 사용목적의 휴대 무선전화나 이동 무선전화(예, 상용 셀룰러 무선통신시스템 등)로서 암호화된 정보를 직접적으로 다른 무선전화 또는 장비(Radio Access Network 이외의 장비)에 전송할 수 없으며 암호화된 정보를 RAN 장비(예, 무선 네트워크 제어기(Radio Network Controller) 또는 기지국 제어기(Base Station Controller)를 통해 전송할 수 없는 것

f. 생산자의 기준에 따라 증폭 없는 무선 통신(unboosted cordless operation)의 최대효과범위(예, 단말기와 댁내 기지국의 직접통신)가 400미터 미만인 종단간의 암호화 기능이 불가능한 무선 전화기

g.  공개되거나 상업용 암호화 표준(공개되지 않은 불법방지 기능은 제외, 즉 통제대상)이 구현된 민간용도의 휴대용 또는 이동용 무선전화기 그리고 이와 유사한 클라이언트 무선 장치로서 암호 해설(제5장, 2부의 주 3)의 a.2. ~ a.5. 단락의 조항을 만족하며 본래 맞춤화(non-customised)되지 않은 장치의 암호화 기능에 영향을 주지 않는 특성을 지닌 특정 민간 산업용도에 적용하기 위해 맞춤화 (customised)된 것

h. 삭제

주의. 5A002의 주 h.에서 이전에 명시된 품목은 제5장 제2부의 주 4를 참고.

i. 공개된, 또는 상업용 암호 기준만을 이행하는 무선 “개인 영역 네트워크” 장비로서 제조자의 규격에 따르면 암호 성능이 30미터를 초과하지 않는 제한된 운영 범위 갖는 것, 또는 제조자의 규격에 따르면 100미터를 초과하지 않는 장비로 7개를 초과하는 기기들을 서로 연결할 수 없는 것; 또는

j.  5A002.a.2, 5A002.a.4, 5A002.a.7 또는 5A002.a.8에서 통제하는 기능을 보유하지 않는 장비로서 5A002.a에서 통제되는 모든 암호 기능이 다음의 모든 조건을 만족하는 것

1. 사용될 수 없는 것; 또는

2. “암호 활성화” 수단으로만 사용될 수 있는 것

주의	: “암호 활성화“ 중인 장비에 대해서는 5A002.a 참조

정의

제5부 2장 “개인 영역 네트워크”

아래의 모든 특성을 가지는 정보통신 시스템

a. 임의의 독립적인 또는 상호 연결된 ‘데이터 장치’들 간에 직접적으로 통신할 수 있도록 함; 그리고

b. 인접한 부근에 있는 개개인 또는 장치 제어기 내부에 위치한 장치 간의 통신에만 한정된 것(예, 싱글 룸, 사무실 또는 자동차)

기술해설

‘데이터 장치’는 일련의 데이터 정보를 송신 또는 수신할 수 있는 장비를 의미한다.

b. 시스템, 장비, 특정응용 “전자조립체”, 모듈과 집적회로(IC)로서, 품목이 5A002.a에서 통제하는 기능을 위해 통제되는 성능의 수준에 도달하거나 초과할 수 있도록 설계되거나 개조된 것으로서 그러한 것들이 없으면 통제되는 성능의 수준에 도달하거나 초과할 수 없는 것

시험, 검사 및 생산용 장비

a. 5A002 또는 5B002.b에 의해 통제되는 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 장비

b. 5A002에 의하여 통제되는 장비 또는 5D002.a 또는 5D002.c에서 통제되는 “소프트웨어”의 “정보보안”기능을 평가 및 확인하기 위하여 전용 설계된 측정 장비

소재

해당사항 없음

소프트웨어

a. 5A002에 의해 통제되는 장비 또는 5D002.c에서 통제되는 "소프트웨어"의 "개발", “생산”, “사용”을 위해 전용 설계 또는 개조된 "소프트웨어"

b. 5E002에 의해 통제되는 “기술”을 지원하기 위해 전용 설계 또는 개조된 "소프트웨어"

c. 다음과 같은 특수한 "소프트웨어"

1. 5A002에 의해 통제되는 장비와 같은 특성, 기능을 수행하는 "소프트웨어"

2. 5D002.c.1에서 통제되는 "소프트웨어"임을 보증하기 위한 "소프트웨어"

주: <삭  제>

d. “소프트웨어”로서, 품목이 5A002.a에서 통제하는 기능을 위해 통제되는 성능의 수준에 도달하거나 초과할 수 있도록 설계되거나 개조된 것으로서 “소프트웨어”가 없으면 통제되는 성능의 수준에 도달하거나 초과할 수 없는 것.

다음과 같은 “기술”

a. 5A002 또는 5B002에서 통제되는 장비 또는 5D002.a 또는 5D002.c에서 통제되는 "소프트웨어"의 "개발", “생산” 또는 “사용” 목적인 [일반기술해설]에 따른 “기술”

b. 품목이 5A002.a에서 통제하는 기능을 위해 통제되는 성능의 수준에 도달하거나 초과할 수 있도록 설계되거나 개조된 “기술”로서, 이 “기술”이 없으면 통제되는 성능의 수준에 도달하거나 초과할 수 없는 것.

주 : 5E002는 제5장 2부에 규정된 기능, 특성 또는 기술의 실행을      평가하고 파악하는 과정으로부터 발생된 정보 보안 기술 데이터도 포함한다.

CATEGORY 5 - TELECOMMUNICATIONS AND
"INFORMATION SECURITY"

Part 1 - TELECOMMUNICATIONS

Note 1: The status of components, test and "production" equipment and "software" therefor which are specially designed for telecommunications equipment or systems is determined in Category 5, Part 1.

N.B.1. For "lasers" specially designed for telecommunications equipment or systems, see 6A005

N.B.2. See also Category 5, Part 2 for equipment, components, and "software" performing or incorporating "information security" functions.

Note 2: "Digital computers", related equipment or "software", when essential for the operation and support of telecommunications equipment described in this Category, are regarded as specially designed components, provided they are the standard models customarily supplied by the manufacturer. This includes operation, administration, maintenance, engineering or billing computer systems.

Systems, Equipment and Components

a. Any type of telecommunications equipment having any of the following characteristics, functions or features:

1. Specially designed to withstand transitory electronic effects or electromagnetic pulse effects, both arising from a nuclear explosion;

2. Specially hardened to withstand gamma, neutron or ion radiation; or

3. Specially designed to operate outside the temperature range from 218 K (-55℃) to 397 K (124℃).

Note: 5A001.a.3. applies only to electronic equipment.

Note: 5A001.a.2. and 5A001.a.3. do not control equipment designed or modified for use on board satellites.

b. Telecommunication systems and equipment, and specially designed components and accessories therefor, having any of the following characteristics, functions or features:

1. Being underwater untethered communications systems having any of the following:

a. An acoustic carrier frequency outside the range from 20 kHz to 60 kHz;

b. Using an electromagnetic carrier frequency below 30 kHz; or

c. Using electronic beam steering techniques;

d. Using "lasers" or light-emitting diodes (LEDs) with an output wavelength greater than 400 nm and less than 700 nm, in a "local area network";

2. Being radio equipment operating in the 1.5 MHz to 87.5 MHz band and having all of the following characteristics:

a. Automatically predicting and selecting frequencies and "total digital transfer rates" per channel to optimise the transmission; and

b. Incorporating a linear power amplifier configuration having a capability to support multiple signals simultaneously at an output power of 1 kW or more in the frequency range of 1.5 MHz or more but less than 30 MHz, or 250 W or more in the frequency range of 30 MHz or more but not exceeding 87.5 MHz, over an "instantaneous bandwidth" of one octave or more and with an output harmonic and distortion content of better than -80 dB;

3. Being radio equipment employing "spread spectrum" techniques, including "frequency hopping" techniques, other than those specified in 5A001.b.4., having any of the following characteristics:

a. User programmable spreading codes; or

b. A total transmitted bandwidth which is 100 or more times the bandwidth of any one information channel and in excess of 50 kHz;

Note: 5A001.b.3.b. does not control radio equipment specially designed for use with any of the following:

a. Civil cellular radio-communications systems; or

b. Fixed or mobile satellite earth stations for commercial civil

telecommunications.

Note: 5A001.b.3 does not control equipment designed to operate at an output power of 1.0 Watt or less.

4. Being radio equipment employing ultra-wideband modulation techniques, having user programmable channelising codes, scrambling codes or network identification codes, having any of the following characteristics:

a. A bandwidth exceeding 500 MHz; or

b. A "fractional bandwidth" of 20% or more;

5. Being digitally controlled radio receivers having all of the following:

a. More than 1,000 channels;

b. A "frequency switching time" of less than 1 ms;

c. Automatic searching or scanning of a part of the electromagnetic spectrum; and

d. Identification of the received signals or the type of transmitter; or

Note: 5A001.b.5. does not control radio equipment specially designed for use with civil cellular radio-communications systems.

6. Employing functions of digital "signal processing" to provide 'voice coding' output at rates of less than 2,400 bit/s.

Technical Notes:

1. For variable rate voice coding, 5A001.b.6. applies to the voice coding output of continuous speech.

2. For the purposes of 5A001.b.6., 'voice coding' is defined as the technique to take samples of human voice and then convert these samples into a digital signal, taking into account specific characteristics of human speech.

c. Optical fibres of more than 500 m in length and specified by the manufacturer as being capable of withstanding a 'proof test' tensile stress of 2 x 109 N/m2 or more;

주의: 수중용 도관 케이블에 대해서는 8A002.a.3 참조

Technical Note:

Proof Test: on-line or off-line production screen testing that dynamically applies a prescribed tensile stress over a 0.5 to 3 m length of fibre at a running rate of 2 to 5 m/s while passing between capstans approximately 150 ㎜ in diameter. The ambient temperature is a nominal 293 K (20℃) and relative humidity 40%. Equivalent national standards may be used for executing the proof test.

d. "Electronically steerable phased array antennae" operating above 31.8 GHz.

Note: 5A001.d. does not control "electronically steerable phased array antennae" for landing systems with instruments meeting ICAO standards covering microwave landing systems(MLS).

e. Radio direction finding equipment operating at frequencies above 30 MHz and having all of the following characteristics, and specially designed components therefor:

1. "Instantaneous bandwidth" of 10 MHz or more; and

2. Capable of finding a line of bearing (LOB) to non- cooperating radio transmitters with a signal duration of less than 1 ms.

f. Mobile telecommunications interception or jamming equipment, and

monitoring equipment therefor, as follows, and specially designed

components therefor:

1. Interception equipment designed for the extraction of voice or data, transmitted over the air interface;

2. Interception equipment not specified in 5A001.f.1, designed for the

extraction of client device or subscriber identifiers (e.g., IMSI, TIMSI or IMEI), signalling, or other metadata transmitted over the air interface;

3. Jamming equipment specially designed or modified to intentionally

and selectively interfere with, deny, inhibit, degrade or seduce mobile telecommunication services and performing any of the following:

a. Simulate the functions of Radio Access Network (RAN)

equipment;

b. Detect and exploit specific characteristics of the mobile

telecommunications protocol employed (e.g., GSM); or

c. Exploit specific characteristics of the mobile telecommunications

protocol employed (e.g., GSM);

4. RF monitoring equipment designed or modified to identify the

operation of items specified in 5A001.f.1, 5A001.f.2 or 5A001.f.3;

Note 5A001.f. and 5A001.f. do not control any of the following:

a. Equipment specially designed for the interception of

analogue Private Mobile Radio (PMR), IEEE 802.11 WLAN;

b. Equipment designed for mobile telecommunications

network operators; or

c. Equipment designed for the "development" or "production"

of mobile telecommunications equipment or systems.

N.B.1. See also the Munitions List.

N.B.2. For radio receivers see 5A001.b.5.

g. Passive Coherent Location systems or equipment specially designed for detecting and tracking moving objects by measuring reflections of ambient radio frequency emissions, supplied by nonradar transmitters.

Technical Note:

Non-radar transmitters may include commercial radio, television or cellular telecommunications base stations.

Note: 5A001.g. does not control:

1. Radio-astronomical equipment;

2. Systems or equipment that require any radio transmission from the target.

h. Counter Improvised Explosive Device (IED) equipment and related

equipment, as follows:

1. Radio Frequency (RF) transmitting equipment, not specified in 5A001.f, designed or modified for prematurely activating or preventing the initiation of Improvised Explosive Devices;

2. Equipment using techniques designed to enable radio communications in the same frequency channels on which co-located equipment specified in 5A001.h.1 is transmitting.

N.B. See also the Munitions List.

Not used since 2012

N.B. See 5A001.f for items previously specified in 5A001.i.

Telemetery and telecontrol equipment, including ground equipment, designed or modified for 'missiles'.

Technical Note:

In 5A101 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Note: 5A101 does not control:

a. Equipment designed or modified for manned aircraft or satellites;

b. Ground based equipment designed or modified for terrestrial or marine applications;

c. Equipment designed for commercial, civil or ‘Safety of Life’ (e.g. data integrity, flight safety) GNSS services;

Test, Inspection and Production Equipment

a. Equipment and specially designed components or accessories therefor, specially designed for the "development" or "production"  of equipment, functions or features, specified in 5A001.;

Note: 5B001.a. does not control optical fibre characterization equipment.

b. Equipment and specially designed components or accessories therefor, specially designed for the "development" of any of the following telecommunication transmission or switching equipment:

1. Not used

2. Equipment employing a "laser" and having any of the following:

a. A transmission wavelength exceeding 1,750 nm;

b. Performing "optical amplification" using praseodymium -doped fluoride fibre amplifiers (PDFFA);

c. Employing coherent optical transmission or coherent optical detection techniques; or

Note : 5B001.b.2.c. applies to equipment specially designed for the "development" of systems using an optical local oscillator in the receiving side to synchronize with a carrier "laser".

Technical Note

For the purpose of 5B001.b.2.c., these techniques include optical heterodyne, homodyne or intradyne techniques.

d. Employing analogue techniques and having a bandwidth exceeding 2.5 GHz;

Note: 5B001.b.2.d. does not control equipment specially designed for the "development" of commercial TV systems.

3. Not used

4. Radio equipment employing quadrature-amplitude- modulation (QAM) techniques above level 256; or

5. Not used

Materials

None

Software

a. "Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment, functions or features, specified in 5A001.;

b. "Software" specially designed or modified to support "technology" specified in 5E001.

c. Specific "software" specially designed or modified to provide characteristics, functions or features of equipment specified in 5A001 or 5B001;

d. "Software" specially designed or modified for the "development" of any of the following telecommunication transmission or switching equipment:

1. Not used

2. Equipment employing a "laser" and having any of the following:

a. A transmission wavelength exceeding 1,750 nm; or

b. Employing analogue techniques and having a bandwidth exceeding 2.5 GHz;

Note: 5D001.d.2.b. does not control "software" specially designed or modified for the "development" of commercial TV systems.

3. Not used

4. Radio equipment employing quadrature-amplitude- modulation (QAM) techniques above level 256.

"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 5A101.

Technology

a. "Technology" according to the General Technology Note for the "development", "production" or "use" (excluding operation) of equipment, functions or features specified in 5A001. or "software" specified in 5D001.a.;

b. Specific "technologies", as follows:

1. "Required" "technology" for the "development" or "production" of telecommunications equipment specially designed to be used on board satellites;

2. "Technology" for the "development" or "use" of "laser" communication techniques with the capability of automatically acquiring and tracking signals and maintaining communications through exoatmosphere or sub-surface (water) media;

3. "Technology" for the "development" of digital cellular radio base station receiving equipment whose reception capabilities that allow multi-band, multi-channel, multi-mode, multi-coding algorithm or multi-protocol operation can be modified by changes in "software";

4. "Technology" for the "development" of "spread spectrum" techniques, including "frequency hopping" techniques;

Note: 5E001.b.4. does not control "technology" for the "development" of any of the following:

a. Civil cellular radio-communications systems; or

b. Fixed or mobile satellite earth stations for commercial civil

telecommunications

c. "Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of any of the following telecommunication transmission or switching equipment, functions or features:

1. Equipment employing digital techniques designed to operate at a "total digital transfer rate" exceeding 120Gbit/s;

Technical Note:

For telecommunication switching equipment the "total digital transfer rate" is the unidirectional speed of a single interface, measured at the highest speed port or line.

2. Equipment employing a "laser" and having any of the following:

a. A transmission wavelength exceeding 1750 nm;

b. Performing "optical amplification" using praseodymium- doped fluoride fibre amplifiers(PDFFA);

c. Employing coherent optical transmission or coherent optical detection techniques;

Note :  5E001.c.2.c. applies to "technology" for the "development" or "production" of systems using an optical local oscillator in the receiving side to synchronize with a carrier "laser".

Technical Note

For the purpose of 5E001.c.2.c., these techniques include optical heterodyne, homodyne or intradyne techniques.

d. Employing wavelength division multiplexing techniques of optical carriers at less than 100 GHz spacing; or

e. Employing analogue techniques and having a bandwidth exceeding 2.5 GHz;

Note: 5E001.c.2.e. does not control "technology" for the "development" or "production" of commercial TV systems.

N.B. For "technology" for the "development" or "production" of non-telecommunications equipment employing a "laser", see 6E.

3. Equipment employing "optical switching" and having a switching time less than 1 ms;

4. Radio equipment having any of the following:

a. Quadrature-amplitude-modulation (QAM) techniques above level 256; or

b. Operating at input or output frequencies exceeding 31.8 GHz; or

Note: 5E001.c.4.b. does not control "technology" for the "development" or "production" of equipment designed or modified for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio- communications services, but not for radio- determination.

c. Operating in the 1.5 MHz to 87.5 MHz band and incorporating adaptive techniques providing more than 15 dB suppression of an interfering signal; or

5. Not used

6. Mobile equipment having all of the following:

a. Operating at an optical wavelength greater than or equal to 200 nm and less than or equal to 400 nm; and

b. Operating as a "local area network";

d. "Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) power amplifiers specially designed for telecommunications and having any of the following:

1. Rated for operation at frequencies exceeding 3.2 GHz up to and including 6.8 GHz and with an average output power greater than 4 W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15%;

2. Rated for operation at frequencies exceeding 6.8 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

3. Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31.8 GHz and with an average output power greater than 0.8 W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

4. Rated for operation at frequencies exceeding 31.8 GHz up to and including 37 GHz and with an average output power greater than 0.1 nW (-70 dBm);

5. Rated for operation at frequencies exceeding 37 GHz up to and including 43.5 GHz and with an average output power greater than 1.0 W (30 dBm);

6. Rated for operation at frequencies exceeding 43.5 GHz up to and including 75 GHz and with an average output power greater than 31.62 mW (15 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10%;

7. Rated for operation at frequencies exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz and with an average output power greater than 10 mW (10 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 5%; or

8. Rated for operation at frequencies exceeding 90 GHz and with an average output power greater than 0.1 nW (-70 dBm);

e. "Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of electronic devices and circuits, specially designed for telecommunications and containing components manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:

1. Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or

2. Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10,000.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 5A101.

Part 2 - "INFORMATION SECURITY"

Note 1: The control status of "information security" equipment, "software", systems, application specific "electronic assemblies", modules, integrated circuits, components or functions is determined in Category 5, Part 2 even if they are components or "electronic assemblies" of other equipment.

Note 2: Category 5 - Part 2 does not control products when accompanying their user for the user's personal use.

Note 3: Cryptography Note

5A002 and 5D002 do not contorl items as follows:

a. Items meeting all of the following:

1. Generally available to the public by being sold, without restriction, from stock at retail selling points by means of any of the following:

a. Over-the-counter transactions;

b. Mail order transactions;

c. Electronic transactions; or

d. Telephone call transactions;

2. The cryptographic functionality cannot easily be changed by the user;

3. Designed for installation by the user without further substantial support by the supplier; and

4. Not used since 2000

5. When necessary, details of the items are accessible and will be provided, upon request, to the appropriate authority in the exporter's country in order to ascertain compliance with conditions described in paragraphs 1.to 3. above;

b. Hardware components of existing items described in paragraph a. of this Note, that have been designed for these existing items, meeting all of the following:

1. "Information security" is not the primary function or set of functions of the component;

2. The component does not change any cryptographic functionality of the existing items, or add new cryptographic functionality to the existing items;

3. The feature set of the component is fixed and is not designed or modified to customer specification; and

4. When necessary as determined by the appropriate authority in the exporter’ country, details of the component and relevant end-items are accessible and will be provided to the authority upon request, in order to ascertain compliance with conditions described above.

Note to the Cryptography Note:

1. To meet paragraph a. of Note 3, all of the following must apply:

a. The item is of potential interest to a wide range of individuals and businesses; and

b. The price and information about the main functionality of the item are available before purchase without the need to consult the vendor or supplier.

2. In determining eligibility of paragraph a. of Note 3, national authorities may take into account relevant factors such as quantity, price, required technical skill, existing sales channels, typical customers, typical use or any exclusionary practices of the supplier.

Note 4: Category 5.Part 2 does not control items incorporating or using "cryptography" and meeting all of the following:

a. The primary function or set of functions is not any of the following:

1. "Information security";

2. A computer, including operating systems, parts and components therefor;

3. Sending, receiving or storing information (except in support of entertainment, mass commercial broadcasts, digital rights management or medical records management); or

4. Networking (includes operation, administration, management and provisioning);

b. The cryptographic functionality is limited to supporting their primary function or set of functions; and

c. When necessary, details of the items are accessible and will be provided, upon request, to the appropriate authority in the exporter’s country in order to ascertain compliance with conditions described in paragraphs a. and b. above.

Technical Note:

In Category 5 - Part 2, parity bits are not included in the key length.

Systems, Equipment and Components

a. Systems, equipment, application specific "electronic assemblies", modules and integrated circuits for "information security", as follows, and components therefor specially designed for "information security":

N.B.: For Global Navigation Satellite Systems (GNSS) receiving equipment containing or employing decryption, see 7A005.

1. Designed or modified to use "cryptography" employing digital techniques performing any cryptographic function other than authentication, digital signature or the execution of copy-protected "software", and having any of the following:

Technical Notes

1. Functions for authentication, digital signature and the execution

of copy-protected "software" include their associated key

management function.

2. Authentication includes all aspects of access control where there

is no encryption of files or text except as directly related to the

protection of passwords, Personal Identification Numbers (PINs)

or similar data to prevent unauthorised access.

3. "Cryptography" does not include "fixed" data compression or

coding techniques.

Note 5A002.a.1 includes equipment designed or modified to use

"cryptography" employing analogue principles when

implemented with digital techniques.

a. A "symmetric algorithm" employing a key length in excess of 56 bits; or

b. An "asymmetric algorithm" where the security of the algorithm is based on any of the following:

1. Factorisation of integers in excess of 512 bits (e.g., RSA);

2. Computation of discrete logarithms in a multiplicative group of a finite field of size greater than 512 bits (e.g., Diffie-Hellman over Z/pZ); or

3. Discrete logarithms in a group other than mentioned in 5A002.a.1.b.2. in excess of 112 bits (e.g., Diffie-Hellman over an elliptic curve);

2. Designed or modified to perform cryptanalytic functions;

Note 5A002.a.2 includes systems or equipment, designed or modified to perform cryptanalysis by means of reverse engineering.

3. Not used;

4. Specially designed or modified to reduce the compromising emanations of information-bearing signals beyond what is necessary for health, safety or electromagnetic interference standards;

5. Designed or modified to use cryptographic techniques to generate the spreading code for "spread spectrum" systems, other than those specified in 5A002.a.6., including the hopping code for "frequency hopping" systems;

6. Designed or modified to use cryptographic techniques to generate channelising codes, scrambling codes or network identification codes, for systems using ultra-wideband modulation techniques, having any of the following characteristics:

a. A bandwidth exceeding 500 MHz; or

b. A "fractional bandwidth" of 20% or more.

7. Non-cryptographic information and communications technology (ICT) security systems and devices that have been evaluated and certified by a national authority to exceed class EAL-6 (evaluation assurance level) of the Common Criteria (CC) or equivalent;

8. Communications cable systems designed or modified using mechanical, electrical or electronic means to detect surreptitious intrusion;

Note : 5A002.a.8. applies only to physical layer security.

9. Designed or modified to use "quantum cryptography".

Technical Note:

"Quantum cryptography" is also known as quantum key distribution (QKD).

Note: 5A002. does not control any of the following:

a. Smart cards and smart card 'readers/writers' as follows:

1. A smart card or an electronically readable personal document (e.g., token coin, e-passport) that meets any of the following:

a. The cryptographic capability is restricted for use in equipment or systems excluded from 5A002. by Note 4 in Category 5.Part 2 or entries b. to i. of this Note, and cannot be reprogrammed for any other use; or

b. Having all of the following:

1. It is specially designed and limited to allow protection of 'personal data' stored within;

2. Has been, or can only be, personalized for public or commercial transactions or individual identification; and

3. Where the cryptographic capability is not user-accessible;

Technical Note

'Personal data' includes any data specific to a particular person or entity, such as the amount of money stored and data necessary for authentication.

2. 'Readers/writers' specially designed or modified, and limited, for items specified by a.1. of this Note.

Technical Note

'Readers/writers' include equipment that communicates with smart cards or electronically readable documents through a network.

b. Not used

N.B. See Note 4 in Category 5-Part 2 for items previously specified in 5A002. Note b.

c. Not used

N.B. See Note 4 in Category 5-Part 2 for items previously specified in 5A002. Note c.

d. Cryptographic equipment specially designed and limited for banking use or 'money transactions';

Technical Note:

'Money transactions' in 5A002 Note d. includes the collection and settlement of fares or credit functions.

e. Portable or mobile radiotelephones for civil use (e.g. for use with commercial civil cellular radiocommunications systems) that are not capable of transmitting encrypted data directly to another radiotelephone or equipment (other than Radio Access Network (RAN) equipment), nor of passing encrypted data through RAN equipment (e.g., Radio Network Controller (RNC) or Base Station Controller (BSC)).

f. Cordless telephone equipment not capable of end-to-end encryption where the maximum effective range of unboosted cordless operation (i.e. a single, unrelayed hop between terminal and home basestation) is less than 400 metres according to the manufacturer's specifications.

g. Portable or mobile radiotelephones and similar client wireless

devices for civil use, that implement only published or commercial

cryptographic standards (except for anti-piracy functions, which

may be non-published) and also meet the provisions of paragraphs

a.2. to a.5. of the Cryptography Note (Note 3 in Category 5, Part 2), that have been customised for a specific civil industry application with features that do not affect the cryptographic functionality of these original non-customised devices;

h. Not used

N.B. See Note 4 in Category 5-Part 2 for items previously specified in 5A002. Note h.

i. Wireless "personal area network" equipment that implement only

published or commercial cryptographic standards and where the

cryptographic capability is limited to a nominal operating range not exceeding 30 metres according to the manufacturer’ specifications, or not exceeding 100 metres according to the manufacturer’ specifications for equipment that cannot interconnect with more than seven devices; or

j. Equipment, having no functionality specified in 5A002.a.2.,      5A002.a.4., 5A002.a.7., or 5A002.a.8., where all cryptographic   capability specified by 5A002.a. meets any of the following:

1. It cannot be used; or

2. It can only be made useable by means of ″cryptographic activation″.

N.B.	See 5A002.a. for equipment that has undergone ″cryptographic activation″.

DEFINITIONS

Cat 5P2	"Personal area network"

A data communication system having all of the following characteristics:

a. Allows an arbitrary number of independent or interconnected 'data devices' to communicate directly with each other; and

b. Is confined to the communication between devices within the immediate vicinity of an individual person or device controller (e.g., single room, office, or automobile).

Technical Note

'Data device' means equipment capable of transmitting or receiving sequences of digital information.

b. Systems, equipment, application specific "electronic assemblies", modules and integrated circuits, designed or modified to enable an item to achieve or exceed the controlled performance levels for functionality specified in 5A002.a. that would not otherwise be enabled.

Test, Inspection and Production Equipment

a. Equipment specially designed for the "development" or "production" of equipment specified by 5A002. or 5B002.b.;

b. Measuring equipment specially designed to evaluate and validate the "information security" functions of equipment specified by 5A002. or "software" specified by 5D002.a. or 5D002.c.

Materials

None.

Software

a. "Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 5A002. or "software" specified in  5D002.c.;

b. "Software" specially designed or modified to support "technology" specified in 5E002;

c. Specific "software" as follows:

1. "Software" having the characteristics, or performing or simulating the functions of the equipment, specified in 5A002;

2. "Software" to certify "software" specified in 5D002.c.1.

Note: Not used

d. "Software" designed or modified to enable an item to achieve or exceed the controlled performance levels for functionality specified in 5A002.a. that would not otherwise be enabled.

"Technology" as follows:

a. "Technology" according to the General Technology Note for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 5A002 or 5B002 or "software" specified in 5D002.a or 5D002.c;

b. "Technology" to enable an item to achieve or exceed the controlled performance levels for functionality specified in 5A002.a that would not otherwise be enabled.

Note 5E002 includes "information security" technical data resulting from procedures carried out to evaluate or determine the implementation of functions, features or techniques specified in Category 5-Part 2.

6A

6A001

(IL6.A.1)

6A001.a

6A001.a.1

6A001.a.1.a

6A001.a.1.b

6A001.a.1.b.1

6A001.a.1.b.2

6A001.a.1.b.3

6A001.a.1.b.4

6A001.a.1.b.5

6A001.a.1.b.6

6A001.a.1.c

6A001.a.1.d

6A001.a.1.e

6A001.a.2

6A001.a.2.a

6A001.a.2.a.1

6A001.a.2.a.2

6A001.a.2.a.3

6A001.a.2.a.3.a

6A001.a.2.a.3.b

6A001.a.2.a.3.c

6A001.a.2.a.4

6A001.a.2.a.5

6A001.a.2.a.6

6A001.a.2.b

6A001.a.2.b.1

6A001.a.2.b.2

6A001.a.2.b.3

6A001.a.2.b.4

6A001.a.2.b.5

6A001.a.2.b.6

6A001.a.2.b.7

6A001.a.2.c

6A001.a.2.d

6A001.a.2.e

6A001.a.2.e.1

6A001.a.2.e.2

6A001.a.2.e.2.a

6A001.a.2.e.2.b

6A001.a.2.f

6A001.b

6A001.b.1

6A001.b.1.a

6A001.b.1.b

6A001.b.2

6A001.c

6A002

(IL6.A.2.)

(MT18A.2)

(MT11A.2)

6A002.a

6A002.a.1

6A002.a.1.a

6A002.a.1.b

6A002.a.1.c

6A002.a.1.d

6A002.a.2

6A002.a.2.a

6A002.a.2.a.1

6A002.a.2.a.2

6A002.a.2.a.2.a

6A002.a.2.a.2.b

6A002.a.2.a.3

6A002.a.2.a.3.a

6A002.a.2.a.3.b

6A002.a.2.a.3.c

6A002.a.2.b

6A002.a.2.b.1

6A002.a.2.b.2

6A002.a.2.b.2.a

6A002.a.2.b.2.b

6A002.a.2.b.3

6A002.a.2.c

6A002.a.2.c.1

6A002.a.2.c.2

6A002.a.2.c.3

6A002.a.3

6A002.a.3.a

6A002.a.3.a.1

6A002.a.3.a.2

6A002.a.3.a.2.a

6A002.a.3.a.2.b

6A002.a.3.b

6A002.a.3.b.1

6A002.a.3.b.2

6A002.a.3.b.2.a

6A002.a.3.b.2.b

6A002.a.3.c

6A002.a.3.d

6A002.a.3.d.1

6A002.a.3.d.2

6A002.a.3.d.2.a

6A002.a.3.d.2.b

6A002.a.3.e

6A002.a.3.f

6A002.a.3.g

6A002.a.3.g.1

6A002.a.3.g.2

6A002.a.3.g.3

6A002.b

6A002.b.1

6A002.b.2

6A002.b.2.a

6A002.b.2.b

6A002.b.2.b.1

6A002.b.2.b.2

6A002.c

6A002.c.1

6A002.c.2

6A002.c.3

6A002.d

6A002.d.1

6A002.d.2

6A002.d.2.a

6A002.d.2.b

6A002.d.3

6A003

(IL6.A.3.)

(NR5.B.3)

(NR5.B.4)

6A003.a

6A003.a.1

6A003.a.2

6A003.a.3

6A003.a.4

6A003.a.5

6A003.a.6

6A003.b

6A003.b.1

6A003.b.1.a

6A003.b.1.a.1

6A003.b.1.a.2

6A003.b.1.a.3

6A003.b.1.b

6A003.b.1.b.1

6A003.b.1.b.2

6A003.b.1.b.3

6A003.b.2

6A003.b.2.a

6A003.b.2.b

6A003.b.2.c

6A003.b.3

6A003.b.4

(NR5.B.4)

6A003.b.4.a

6A003.b.4.b

6A003.b.4.c

6A003.b.5

6A004

(IL6.A.4.)

6A004.a

6A004.a.1

6A004.a.2

6A004.a.3

6A004.a.4

6A004.b

6A004.b.1

6A004.b.2

6A004.c

6A004.c.1

6A004.c.2

6A004.c.3

6A004.c,4

6A004.d

6A004.d.1

6A004.d.2

6A004.d.3

6A004.d.4

6A004.e

6A005

(IL6.A.5.)

6A005.a

6A005.a.1

6A005.a.2

(NR3.A.2.b)

6A005.a.3

6A005.a.3.a

6A005.a.3.b

6A005.a.4

6A005.a.5

6A005.a.5.a

6A005.a.5.b

6A005.a.6

6A005.a.6.a

6A005.a.6.b

6A005.a.6.b.1

6A005.a.6.b.2

6A005.a.7

6A005.a.7.a

6A005.a.7.b

6A005.a.8

6A005.b

6A005.b.1

6A005.b.1.a

6A005.b.1.b

6A005.b.2

(NR3.A.2.a)

(NR3.A.2.b)

6A005.b.2.a

6A005.b.2.b

6A005.b.3

(NR3.A.2.c)

6A005.b.3.a

6A005.b.3.a.1

6A005.b.3.a.2

6A005.b.3.b

6A005.b.3.b.1

6A005.b.3.b.2

6A005.b.4

(NR3.A.2.a)

6A005.b.4.a

6A005.b.4.b

6A005.b.5

6A005.b.5.a

6A005.b.5.a.1

6A005.b.5.a.2

6A005.b.5.a.3

6A005.b.5.b

6A005.b.5.b.1

6A005.b.5.b.2

6A005.b.5.b.3

6A005.b.6

(NR3.A.2.c.)

6A005.b.6.a

6A005.b.6.a.1

6A005.b.6.a.2

6A005.b.6.a.3

6A005.b.6.b

6A005.b.6.b.1

6A005.b.6.b.1.a

6A005.b.6.b.1.b

6A005.b.6.b.1.c

6A005.b.6.b.1.d

6A005.b.6.b.1.e

6A005.b.6.b.2

6A005.b.6.b.2.a

6A005.b.6.b.2.b

6A005.b.6.b.2.c

6A005.b.6.b.2.d

6A005.b.6.c

6A005.b.6.c.1

6A005.b.6.c.1.a

6A005.b.6.c.1.b

6A005.b.6.c.1.c

6A005.b.6.c.2

6A005.b.6.c.2.a

6A005.b.6.c.2.b

6A005.b.6.c.2.c

6A005.b.7

6A005.b.7.a

6A005.b.7.a.1

6A005.b.7.a.2

6A005.b.7.a.3

6A005.b.7.b

6A005.b.7.b.1

6A005.b.7.b.2

6A005.b.7.b.3

6A005.b.8

6A005.b.8.a

6A005.b.8.a

6A005.c

6A005.c.1

6A005.c.1.a

6A005.c.1.b

6A005.c.2

(NR3.A.2.f)

6A005.c.2.a

6A005.c.2.b

6A005.c.3

6A005.c.3.a

6A005.c.3.b

6A005.d

6A005.d.1

6A005.d.1.a

6A005.d.1.a.1

6A005.d.1.a.2

6A005.d.1.b

6A005.d.1.b.1

6A005.d.1.b.2

6A005.d.1.b.3

6A005.d.1.c

6A005.d.1.c.1

6A005.d.1.c.2

6A005.d.1.c.3

6A005.d.1.d

6A005.d.1.e

6A005.d.2

6A005.d.2.a

6A005.d.2.b

6A005.d.3

6A005.d.3.a

6A005.d.3.b

6A005.d.3.b.1

6A005.d.3.b.2

6A005.d.3.c

(NR3.A.2.g.)

6A005.d.3.c.1

6A005.d.3.c.2

6A005.d.4

6A005.d.4.a

6A005.d.4.a.1

6A005.d.4.a.2

6A005.d.4.b

6A005.d.4.b.1

6A005.d.4.b.2

6A005.d.4.c

(NR3.A.2.h.)

6A005.d.4.c.1

6A005.d.4.c.2

6A005.d.4.d

6A005.d.4.d.1

6A005.d.4.d.2

6A005.d.5

6A005.d.5.a

6A005.d.5.b

6A005.d.5.c

6A005.d.5.c.1

6A005.d.5.c.2

6A005.d.6

6A005.d.6.a

6A005.d.6.b

6A005.e

6A005.e.1

6A005.e.2

6A005.f

6A005.f.1

6A005.f.1.a

6A005.f.1.b

6A005.f.2

6A005.f.3

6A005.f.4

6A005.g

6A006

(IL6.A.6.)

6A006.a

6A006.a.1

6A006.a.1.a

6A006.a.1.b

6A006.a.2

6A006.a.3

6A006.a.4

6A006.a.5

6A006.b

6A006.c

6A006.c.1

6A006.c.1

6A006.c.3

6A006.d

6A006.e

6A007

(IL6.A.7.)

6A007.a

6A007.b

(MT12.A.3)

6A007.b.1

6A007.b.2

6A007.c

(MT12.A.3)

6A008

(IL6.A.8.)

(MT11A.1)

(MT12A.5.b.)

6A008.a

6A008.a.1

6A008.a.2

6A008.b

6A008.c

6A008.d

6A008.e

6A008.f

6A008.g

6A008.h

6A008.i

6A008.j

6A008.j.1

6A008.j.2

6A008.j.3

6A008.k

6A008.k.1

6A008.k.2

6A008.l

6A008.l.1

6A008.l.2

6A008.l.3

6A008.l.4

6A102

(MT18A.2)

6A107

(MT12A.3)

6A107.a

6A107.b

6A108

6A108.a

(MT11A.1)

6A108.b

(MT12A.5)

6A108.b.1

6A108.b.2

6A108.b.2.a

6A108.b.2.b

6A108.b.2.c

6A202

(NR5.A.1)

6A203

6A203.a

(NR5.B.3.)

6A203.a.1

6A203.a.2

6A203.b

(NR5.B.4.)

6A203.b.1

6A203.b.2

6A203.b.3

6A203.b.4

6A203.b.4.a

6A203.b.4.b

6A203.b.4.c

6A203.b.4.d

6A203.c

(NR1.A.2.)

6A205

6A205.a

(NR3.A.2.b)

6A205.b

(NR3.A.2.d)

6A205.c

(NR3.A.2.e.)

6A205.d

(NR3.A.2.g.)

6A205.e

(NR3.A.2.i)

6A205.f

(NR3.A.2.c.)

6A205.f.1

6A205.f.1.a

6A205.f.1.b

6A205.f.2

6A225

(NR5.B.5.a.)

6A226

6A226.a

(NR5.B.5.b.)

6A226.b

(NR5.B.5.c.)

6B

6B001

6B002

6B003

6B004

(IL6.B.4.)

6B004.a

6B004.b

6B005

6B006

6B007

(IL6.B.7.)

6B008

(IL6.B.8.)

(MT17B.1)

6B108

(MT17B.1)

6C

6C001

6C002

(IL6.C.2.)

6C002.a

6C002.b

6C002.b.1

6C002..b.2

6C002..b.3

6C003

6C004

(IL6.C.4.)

6C004.a

6C004.a.1

6C004.a.2

6C004.b

6C004.b.1

6C004.b.2

6C004.b.3

6C004.b.4

6C004.b.5

6C004.c

6C004.c.1

6C004.c.2

6C004.d

6C004.e

6C004.e.1

6C004.e.2

6C004.e.3

6C004.f

6C005

(IL6.C.5.)

6C005.a

6C005.b

6C006

6C007

6C008

6D

6D001

(IL6.D.1.)

6D002

(IL6.D.2.)

(MT)

6D003

6D003.a

6D003.a.1

6D003.a.2

6D003.a.3

6D003.a.4

6D003.a.5

6D003.b

6D003.c

6D003.d

6D003.e

6D003.f

(IL6.D.3.f)

6D003.f.1

6D003.f.2

6D003.f.3

6D003.f.4

6D003.g

(IL6.D.3.g)

6D003.h

(IL6.D.3.h)

6D003.h.1

6D003.h.2

6D003.h.2.a

6D003.h.2.b

6D102

(MT11D.1.)

(MT12D.3.)

6D103

(MT12D.2.)

6E

6E001

(IL6.E.1.)

(MT)

(NR)

6E002

(IL6.E.2.)

(MT)

(NR)

6E003

(IL6.E.3.d)

6E003.a.1

6E003.a.2

6E003.b

(IL6.E.3.e)

6E101

(MT)

6E201

(NR)

제6부  센서  및 레이저

시스템, 장비 및 부품

음향장치류(acoustics)

a. 해양 음향 시스템, 장비 또는 이의 전용 부품으로서 다음의 것

1. 능동형(송신 또는 송신-수신)시스템, 장비 또는 이의 전용부품으로서 다음의 것

주 6A001.a.1항에서 다음은 통제하지 않는다.

a. 수중탐지장치(Depth Sounder)로서 수직방향으로만 작동하고, ±20°를 초과하는 탐색기능을 갖지 않으며, 수심측정, 수중에 있는 물체, 해저에 매설된 물체까지의 거리측정 또는 어군탐지만을 하는 것

b. 음향 수로 표시기(BEACONS)로서

1. 비상 음향 수로 표시기

2. 수중에서 특정 위치로 이동하거나 되돌아오기 위해 전용 설계된 음향 발생기

a. 음향 해저탐사 장비로 다음의 것;

1. 해저 지형탐사를 목적으로 하는 수표면 선박 시스템중 다음의 모두를 포함하는 것;

a. 수직방향에서 20°를 초과하는 각도에서 측정하도록 설계된 것;

b. 깊이 600 m 이상의 해저표면을 측정하도록 설계된 것;

c. 수심측정 분해능 (sounding resolution)이

2 이하인 것;

d. 다음의 모든 것들에 대한 보상을 통한 깊이 정확도를 증강시킨 것;

1. 음향센서의 움직임;

2. 센서로부터 해저까지 혹은 그 반대 방향의 수중 진행상태;

3. 센서에서의 음향속도;

기술해설

1. “수심측정 분해능“(sounding resolution)은 주사 너비 (각도)를 단위 주사당 최대 음향임

2. 증강(enhancement)은 외부적인 수단에 의한 보상능력을 포함한다.

2. 해저 지형탐사를 목적으로 하는 수중 선박 시스템중 다음의 어떤 것이라도 포함하는 것;

기술해설

음향센서 압력율은 6A001.a.1.a.2에 의해 정해진 장비의 깊이율(depth rating)을 결정한다.

a. 다음 모두의 특징을 갖는 것:

1. 300m를 초과하는 깊이에서 동작하도록 설계되거나 혹은 수정된 것;

2. 음향율 (sounding rate)이 3,800을 초과하는 것: 혹은

기술해설

음향율(sounding rate)은 센서가 동작할 수 있는 곳에서 100% 탐색율을 가정할 때  최대 속도와 단위 주사당 최대 음향수를 곱한 것임

b. 6A001.a.1.a.2에 의해 정해지지 않는 탐사장비 중, 다음의 모든 특성을 갖는 것:

1. 깊이 100m를 초과하여 운용되도록 설계되거나 개조된 것;

2. 수직방향으로부터 20°를 초과하여 측정을 수행하도록 설계된 것;

3. 다음의 어느 특성이라도 갖는 것;

a. 350 kHz이하의 동작 주파수; 혹은

b. 음향센서로부터 200m를 초과하는 범위에서 해저지형을 탐사하도록 설계된 것;

4. 다음과 같은 보정을 통해 깊이 정확도를 향상기술:

a. 음향센서의 움직임;

b. 수중에서 음향센서로부터 해저까지 혹은 그 반대의 진행;

c. 센서에서의 음향속도.

3. 해저 이미징을 위한 측면 조사 소나 (side Scan sonar, SSS) 혹은 종합 개구 소나 (Synthetic aperture sonar, SAS)중 다음의 모든 것을 갖는 것;

a. 500m를 초과하는 깊이에서 동작하도록 설계되거나 수정된 것;

b. 동작할 수 있는 최대 범위에서, 직선 추적 분해능이 15 cm 이하인 상태에서 동작하는 동안에도 표면 탐색율 (area coverage rate)이 570 m2/s를 초과하는 것

c. 교차 추적 분해능이 15cm 이하인 것

기술해설

1. 표면탐색율 (area coverage rate)은 소나범위 (m) 와 센서가 동작할 수 있는 영역에서의 최대 속도(m/s)와의 곱의 2배이다.

2. 직선 추적 분해능 (along track resolution) (cm)는 측면조사 소나 (SSS) 만을 위한 것으로 방위각 (수평) 빔너비(각도)와  소나 범위 (m)와 0.893의 곱이다.

3. 교차 추적 분해능 (Across track resolution) (cm) 는 75 나누기 신호 대역폭 (kHz) 이다.

b. 물체 또는 위치 탐지를 위해 설계된 시스템 혹은 송수신 어레이로서 다음 중 하나의 것

1. 송신주파수가 10 kHz 미만의 것

2. 동작주파수범위가 10kHz～24kHz인 장비로서 음압레벨이 224dB (1m에서 1μPa 기준)를 초과하는 것

3. 동작주파수범위가 24kHz～30kHz인 장비로서 음압레벨이 235dB (1m에서 1μPa 기준)를 초과하는 것

4. 동작주파수가 100kHz 미만으로 임의의 축에서 빔 폭이 1°미만의 음향 빔을 형성하는 것

5. 5,120m를 초과하는 거리에 있는 물체의 선명한 영상을 제공하도록 설계된 것

6. 1,000m를 초과하는 수심에서 정상 동작 시 수압에 견딜 수 있도록 설계한 것으로, 아래의 특성 중 한 가지 이상의 특성을 가진 송수신기(음향송파기)를 갖는 것

a. 수압을 동적으로 보정할 수 있거나

b. 티탄산지르콘산연(lead zirconate titante)으로 된 송수신용소자(transduction)이외의 송수신용 소자를 내장 한 것

c. 음향송수신기(압전기, 자기변형기, 전기역학 또는 수력소자가 개별적 또는 조합으로 동작하는 것을 내장한 송수신기(transducers)포함)로서 다음 특성중 하나를 지닌 것

주1  타 장비를 위해 전용으로 설계된 변환기(transducers)를 포함하는 음향 송신기의 통제여부는 타 장비의 통제 여부에 따른다.

주2 6A001.a.1.c는 수직방향으로만 음향을 향하게 하는 전자 발생원이나 기계적(예: 공기 총(air gun) 또는 기포 충격 총) 또는 화학적 (예: 폭발)인 발생원은 통제하지 않는다.

1. 순간적인 송신 음향 출력밀도(acoustic power density)가 10kHz 미만의 동작주파수에서 0.01mW/㎟/Hz를 초과 하는 것

2. 연속적인 송신 음향 출력밀도가 10kHz 미만의 동작주파수에서 0.001mW/㎟/Hz를 초과하는 것

기술해설

음향 출력밀도(acoustic power density)는 음향출력을 방사 표면적과 동작주파수의 곱의 값으로 나눈 값이다

3. 부엽 억제(side lobe suppression)가 22dB를 초과하는 것

d. 선박 또는 수중용 운반수단의 위치를 결정하기 위해 설계된 음향 시스템 및 장비로써 다음 모두를 갖는 것, 그리고 전용 설계된 부품:

1. 1,000m를 초과하는 검출범위를 갖는 것; 그리고

2. 1,000m 범위에서 측정했을 때, 10m rms 보다 작은 위치정밀도를 갖는 것;

주 6A001.a.1.d.는 다음을 포함한다.

a. 2대 이상의 음향표시장치(beacon)와 수면 혹은 수중 선박에 의해 운반되는 수중 청음장치 간 동기식 “신호처리”를 이용하는 장비

b. 위치 계산을 위해 음속 전파오차를 자동적으로 정정할 수 있는 장비

e. 수영하는 사람 또는 다이버를 자동적으로 분류하고 위치를 탐지하기 위해 개조되거나 전용 설계된 능동 개별 소나(수중 음파 탐지기)로써 다음의 모두를 갖는 것:

1. 530m를 초과하는 탐지 범위를 갖는 것;

2. 530m의 범위에서 측정했을 때, 15m rms 보다 작은 위치 정밀도를 갖는 것; 그리고

3. 전송된 펄스 신호의 대역폭이 3KHz를 초과하는 것;

주의: 군사용으로 개조되거나 전용 설계된 다이버 탐지 시스템은 군용물자 목록 참조

주 6A001.a.1.e에서 다양한 환경에 특화된 다중 탐지 범위를 갖는 능동 개별 수중 음파 탐지기의 경우에는 가장 큰 탐지 범위가 사용됨.

2. 수동형 시스템, 장비 또는 전용 설계된 그 부품으로서 다음의 것

주: 타 장비를 위해 전용으로 설계된 수중청음기의 통제여부는 타 장비의 통제여부에 따른다

기술해설

수중청음기는 싱글 음파 출력 채널을 생산하는 1개 혹은 그 이상의 센서 소자로 구성된다. 멀티 소자를 포함하는 것들은 수중청음기 그룹이라 말한다.

a. 수중 청음기로 다음 중 하나 이상의 특성을 갖는 것

주 타 장비를 위해 전용으로 설계된 수중청음기의 통제여부는 타 장비의 통제여부에 따른다.

1. 연속적인 유연한 검출 소자를 내장한 것

2. 직경이나 길이 둘 중 하나가 20mm미만이고 소자 간 간격이 20mm미만인 개별적인 검출 소자의 유연한 조립체를 내장한

3. 다음 중 어느 하나의 검출소자를 갖는 것

a. 광섬유

b. 폴리비닐 불소화합물(polyvinylidene-fluoride (PVDF))과 그 공중합체{P(VDF-TrFE)) 및, P(VDF-TFE)}를 제외한 압전성 중합체 막; 또는

c. 유연성 압전 복합재료;

4. 어느 깊이에서나 가속보정기능이 없이 수중청음기 감도가 -180dB 보다 우수한 것

5. 가속보정 기능이 있는 것으로 35m를 초과하는 수심에서 작동하도록 설계된 것

6. 1,000m를 초과하는 수심에서 작동할 수 있도록 설계된 것

기술해설

1. ‘압전성 중합체(고분자)막’ 검출소자는 지지대 또는 스풀(맨드릴굴대)에 펼친 상태로 부착된 편광 중합체막으로 구성된다.

2. ‘유연성 압전 복합재료’ 검출소자는 전기절연성과 음향투과성을 가진 고무, 중합체 또는 에폭시 복합물(이때 복합물은 검출소자의 필수요소여야 함)과 결합된 압전 세라믹 입자나 섬유로 구성된다.

3. 수중청음기의 감도는 전치증폭기(pre- amplifier)가 없는 청음기 센서가  1μPa rms 음압을 갖는 평면 음장(acoustic field)에 놓였을 때의 rms 출력 전압을 1 V rms 기준값에 대한 비율을 구한 뒤 밑수 10인 상용로그를 취하고 다시 20을 곱한 값으로 정의한다.  예를 들어 -160dB (1 V/μPa기준)의 수중청음기는 10-8V의 출력을 나타내고, -180dB을 갖는 수중청음기는 10-9V의 출력을 나타내므로 -160dB가 -180dB보다 우수하다.

b. 견인 수중청음기 어레이(Towed acoustic hydro phone arrays)로서 다음 중 하나의 것

기술해설

수중청음기 어레이는 멀티 음파 출력 채널을 생산하는 수많은 수중청음기 소자들로 구성된다

1. 수중 청음기군의 간격이 12.5m 미만이거나 12.5m 미만으로 개조되어질 수 있는 것

2. 35m초과 수심에서 사용할 수 있도록 설계되거나 개조되어질 수 있는 것

기술해설

6A001.a.2.b.항의 ‘개조되어 질 수 있다’의 의미는 수중 청음기군의 간격이나 작동수심 한계의 변경을 허용하는 조항을 갖는다는 것이다. 이 조항은 배선수의 10%를 초과하는 예비배선, 수중청음기군의 간격을 조정하기 위한 블록 또는 수심을 제한하는 내장장치로 조정 가능한 것 또는 하나 이상의 수중 청음기군을 제어하는 것을 말함

3. 6A001.a.2.d에 의해 통제되는 선수 방위 센서(heading sensors)

4. 어레이 호스(array hoses)가 길이방향(장축방향)으로 강화된 것

5. 조립된 어레이의 직경이 40mm 미만인 것

6. 삭제

7. 6A001.a.2.a에 설명된 특성을 가지는 수중청음기

c.  견인(towed) 음파 수중청음기 어레이용으로 전용 설계된 신호처리장비로서 “사용자에 의해 프로그램변경이 가능”하고 시간영역 또는 주파수 영역 처리 및 상관(correlation)을 가지는 것. 여기에는 고속 푸리에 변환 또는 다른 변환이나 처리를 이용한 스펙트럼 분석, 디지털 필터링과 빔 형성을 포함한다.

d. 선수 방위 센서(heading sensors)로서 다음 모두에 해당되는 것

1. 정밀도가 ± 0.5°보다 우수한 것

2. 35m를 초과하는 수심에서 작동하도록 설계되거나 수심 35m를 초과하는 깊이에서 작동되도록 하기 위하여 수심 감지기를 조절하거나 탈착할 수 있는 것

e. 해저 또는 베이(bay)케이블 수중청음기 어레이 장치로서 다음 중 하나의 것

1. 6A001.a.2.a의 수중청음기를 내장한 것

2. 다중화된 수중청음기군 신호 모듈이 내장된 것으로 다음의 특성을 모두 지닌 것

a. 35m를 초과하는 수심에서 작동되도록 설계되거나 수심 35m를 초과하는 깊이에서 작동되도록 하기 위하여 조절  또는 탈착할 수 있는 것, 그리고

b.  견인 음파 수중청음기 어레이 모듈과 기능적으로 교환 가능한 것

f. 해저 또는 베이(bay)케이블 시스템으로 전용 설계된 신호처리 장비로서 “사용자에 의해 프로그램변경이 가능”하고 시간영역 또는 주파수 영역 처리 및 상관(correlation)을 가지는 것. 여기에는 고속 푸리에 변환 또는 다른 변환이나 처리를 이용한 스펙트럼 분석, 디지털 필터링과 빔 형성을 포함한다.

b. 해저에 대한 장비 이동체의 수평적 속도를 측정하기 위해 설계된 상대속도와 도플러속도 수중음파 측정장비로서 다음의 것;

1. 다음과 같은 특성을 갖는 상대속도 수중음파 측정장비

a. 이동체와 해저 사이의 거리가 500m를 초과하는 상태에서 동작되도록 설계된 경우; 또는

b. 속도의 1% 보다 우수한 속도 정확도를 갖는 경우

2. 속도의 1% 보다 우수한 속도 정확도를 갖는 도플러속도 수중음파 측정장비

주1 6A001.b는 다음과 같이 수심을 측정하기 위해 제한적으로 사용되는 초음파 장비에 대해서는 적용하지 않는다.

a. 수심을 측정하는 경우;

b. 물속에 가라앉은 물체 또는 매장된 물체의 거리를 측정하는 경우; 또는

c. 어군을 탐지하는 경우

주2 6A001.b는 수표면 상의 선박 설비를 위해 특별히 설계된 장비에는 적용하지 않는다.

c. 삭제

주의 : 잠수부 제지 음향시스템은 8A002.r. 참조

광센서류(optical sensors)

주의 : 6A102 또한 참조 할 것

a. 광 검출기로서 다음의 것

1. “우주용” 반도체 검출기로서 다음과 같은 것

a. “우주용” 반도체 검출기로서 다음 모두에 해당되는 것

1. 10nm초과~300nm이하의 파장범위에서 최대응답

(peak response)을 갖고

2. 400nm를 초과하는 파장의 응답이 최대응답

(peak response)과 비교할 때 0.1% 미만인 것

b. “우주용” 반도체 검출기로서 다음 모두에 해당되는 것

1. 900nm초과～1,200nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖고

2. 응답 “시상수”가 95ns 이하인 것

c. “우주용” 반도체 검출기로서 1,200nm초과～30,000nm이하의 파장에서 최대응답을 갖는 것

d. "우주용“ ”초점면배열“로써 배열당 2,048개를 초과하는 소자로 구성되고 300nm 초과 ~ 900nm 이하의 파장에서 최대응답을 갖는 것

주 6A002.a.1에서 반도체 검출기는 “초점면배열”을 포함한다.

2. 영상증배관((image intensifier tubes)과 이것의 전용 설계된 부품으로서 다음의 것

주 6A002.a.2는 다음과 같이 제한적으로 진공상태에서 전자 센싱 장치를 갖는 비영상 광전자증배관에는 적용하지 않는다.

a. 단일 금속 양극; 또는

b. 중심과 중심사이의 간격이 500㎛를 초과하는 금속 양극

기술해설

‘전하(電荷) 증폭’은 전자 이미지 증폭의 형태를 갖고 이온화 이득 공정의 영향으로 전하 캐리어를 생성하는 것으로 정의된다. 전하 증폭 센서는 영상증배관, 반도체 검출기 또는 초점면 배열의 형태를 지닌다.

a. 영상증배관으로서 다음 특성을 모두 지닌 것

1. 400nm초과~1,050nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖는 것

2. 다음 중 하나를 사용하여 전자영상증폭을 하는 경우

a. 홀 피치(hole pitch)가 12㎛ 이하인 마이크로 채널 전극을 갖는 것; 또는

b. 마이크로 채널 전극이 아닌 것에 의해 ‘전하 증폭’을 달성하도록 개조된 것 또는 특별히 설계된 것으로서, 저장되지 않는 픽셀 피치(pixel pitch)가 500㎛이하인 전자센싱장치; 그리고

3. 다음의 광음극(Photocathodes) 중 하나의 것

a. 감광도가 350㎂/ℓm을 초과하는 멀티알카리 광음극 (예를 들어 S-20과 S-25)

b. GaAs 또는 GaInAs 광음극

c. 최대복사감도가 10mA/W를 초과하는 기타 “Ⅲ/Ⅴ 화합물” 반도체 광음극

주 6A002.a.2.a.3.c는 최대복사도가 10mA/W 이하인 화합물반도체 광음극에는 적용되지 않는다.

b. 영상증배관으로서 다음 모두의 특성을 갖는 것

1. 1,050nm초과~1,800nm이하의 파장범위에서 최대 응답을 갖는 경우;

2. 다음 중 하나를 사용하여 전자영상증폭을 수행하는 경우

a. 홀 피치(hole pitch)(중심 간의 간격)가 12㎛이하인 마이크로 채널 전극을 갖는 것; 또는

b. 마이크로 채널 전극이 아닌 것에 의해 ‘전하 증폭’을 달성하도록 개조된 것 또는 특별히 설계된 것으로서, 저장되지 않는 픽셀 피치(pixel pitch)가 500㎛이하인 전자센싱장치; 그리고

3. 최대복사감도가 15mA/W 를 초과하는 Ⅲ/Ⅴ 화합물 반도체(GaAs 또는 GaInAs) 광음극 및 전이된 전자 광음극

주 6A002.a.2.b.3은 최대복사감도가 15mA/W 미만인 화합물 반도체 광음극에는 적용하지 않는다.

c. 특별히 설계된 부품으로서 다음의 것

1. 홀 피치(hole pitch)(중심 간의 간격)가 12㎛이하인 마이크로 채널 전극; 또는

2. 마이크로 채널 전극이 아닌 것에 의해 ‘전하 증폭’을 달성하도록 개조된 것 또는 특별히 설계된 것으로서, 저장되지 않는 픽셀 피치(pixel pitch)가 500㎛이하인 전자센싱장치; 그리고

3. Ⅲ/Ⅴ 화합물 반도체(GaAs 또는 GaInAs) 광음극 및 전이된 전자 광음극

주 6A002.a.2.c.3은 다음 중 하나에 해당하는 최대복사감도를 달성하기 위해 설계된 화합물 반도체 광음극에는 적용하지 않는다.

a. 400nm초과~1,050nm이하의 파장범위에서 최대응답이 10mA/W 미만인 경우; 또는

b. 1,050nm초과~1,800nm이하의 파장범위에서 최대응답이 15mA/W 미만인 경우

3. 비 “우주용” “초점면 배열(focal plane arrays)”로서 다음의 것

주의 마이크로볼로미터(microbolometer) 비 “우주용” “초점면 배열”은 6A002.a.3.f.에서만 규정된다

기술해설

선형 또는 2차원 다소자 검출기 배열(multi- element detector arrays)은 “초점면배열(focal plane arrays)”이란 용어를 사용한다.

주1  광전도 (photoconductive) 배열, 광전지(photovoltaic) 배열도 본 항에 포함된다.

주2 6A002.a.3은 다음 항에는 적용하지 않는다.

a. 납황화물(lead sulphide) 또는 납셀렌염(lead selenide)을 사용한 광전도 셀로 캡슐화된 다중소자(16개 소자를 초과하지 않는 것)

b. 다음 중 하나 이상을 사용한 초전기 (피로전기) 탐지기

1. 3가 글리신 황산염(Triglycine sulphate)과 그 변형물

2. 납-란탄-지르코늄 티탄산염(Lead-lanthanum-zirconium titanate)과 그 변형물

3. 리듐 타닌산염(Lithium tantalate)

4. 폴리비닐 불소 화합물(Polyvinylidene fluoride)과 그 변형물; 또는

5. 스트론튬 바륨 니오브(Strontium barium niobate)와 그 변형물

c. 760nm를 초과하는 파장에서 최대복사감도가 10mA/W 미만이 되도록 제한적으로 설계되었고 ‘전하 증폭’을 달성하도록 특별히 설계되었거나 개조되었으며, 다음의 모든 항을 만족하는 초점면배열의 경우

1. 제거되거나 개조되지 않도록 설계된 응답제한 장치를 내장한 경우

2. 다음 중 하나의 것

a. 응답제한 장치가 검출기 구성요소에 필수적이거나 결합되어 있는 경우; 또는

b. 오직 응답제한 장치와 함께 사용할 수 있는 초점면배열의 경우

기술해설

검출기 소자에 필수적인 응답제한장치는 검출기를 사용할 수 없도록 제거되거나 개조되지 않도록 설계된다.

a. 비 “우주용” “초점면 배열”로서 다음의 모든 것

1. 900nm초과~1,050nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖는 개별소자

2. 다음 중 하나의 것

a. 응답 “시상수”가 0.5ns 미만인 것; 또는

b. '전하 증폭‘과 10mA/W를 초과하는 최대복사감도를 갖도록 특별히 설계되었거나 개조된 경우

b. 비 “우주용” “초점면 배열”로서 다음의 모든 것

1. 1,050nm초과~1,200nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖는 개별소자

2. 다음 중 하나의 것

a. 응답 “시상수”가 95ns 미만인 것; 또는

b. '전하 증폭‘과 10mA/W를 초과하는 최대복사감도를 갖도록 특별히 설계되었거나 개조된 경우

c. 비 “우주용” 비선형(2차원) “초점면 배열”로서 1,200nm초과~30,000nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖는 개별소자

주의 실리콘 및 기타 물질에 기초한 마이크로 볼로미터(microbolometer) 비 “우주용” “초점면 배열”은 6A002.a.3.f.에서만 규정된다.

d. 비 “우주용” 선형(1차원) “초점면 배열”로서 다음의 모든 것

1. 1,200nm초과~3,000nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖는 개별소자

2. 다음 중 하나의 것

a. 탐지기 소자의 교차탐색 방향 범위에 대한 탐지기 소자의 탐색 방향 범위의 비율이 3.8미만인 것

b. 검출소자 내 신호처리

주 6A002.a.3.d.는 오직 게르마늄 재료에 제한된 검출기 소자를 갖는 “초점면배열”(32 소자를 초과하지 않는)에는 적용하지 않는다.

기술해설

6A002.a.3.d.에서의 ‘교차탐색 방향’은 검출기 소자의 선형배열에 평행인 축으로서 정의되고 ‘탐색방향’은 검출기 소자의 선형배열에 수직인 축으로 정의된다.

e. 비 “우주용” 선형(1차원) “초점면 배열”로서 각 구성 소자가 3,000nm초과~30,000nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖는 것

f. 파장범위 8,000 nm이상 14,000 nm이하에서 차단되지 않고 응답이 있는 개별소자를 가지는 마이크로 볼로미터(micro-bolometer)소재에 기반한, 비 “우주용” 비선형적 (2차원적) 적외선 “초점면 배열”

기술해설

6A002.a.3.f.의 ‘마이크로 볼로미터(micro-bolometer)’는 적외선 흡수에 의한 탐지기내 온도변화를 어떤 형태로든지 사용가능한 신호로 나타내는 열 영상 탐지기를 의미한다.

g. 다음의 모든 특성을 갖는 비우주용 “초점면배열”

1. 400nm초과~900nm이하의 파장범위에서 최대응답을 갖는 개별 검출기 소자;

2. 760nm를 초과하는 파장에서 10mA/W를 초과하는 최대복사감도를 갖는 경우 및 ‘전하 증폭’을 달성하도록 특별히 설계되었거나 개조된 경우; 그리고

3. 32 소자를 초과하는 경우;

b. “단일 스펙트럼 이미지센서” 및 “다중 스펙트럼 이미지센서”로서 원격감지용으로 설계되고 다음 중 하나를 지닌 것

1. 순간시야(Instantaneous-Field-Of-View(IFOV))가 200μrad 미만의 것

주: 6A002.b.1.에서 300nm를 초과하고 900nm를 넘지 않는 파장범위 안에서 최대 응답을 갖는 단일 스펙트럼 이미지 센서는 적용하지 않으며, 비“우주용” 검출기 또는 비“우주용” “초점판 배열”로 이루어진 다음중의 하나로 이루어진 것

1. ‘전하 증배’를 이루기 위해 설계되거나 개조되지 않은 전하결합소자(CCD) 또는

2. ‘전하 증배‘를 이루기 위해 설계되거나 개조되지 않은 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) 소자

2. 400nm초과~30,000nm이하의 파장범위에서 사용할 수 있도록 지정되고 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 디지털 형식으로 출력영상 데이터를 제공하는 것

b.  다음의 어느 하나의 것

1. “우주용”이거나

2. 항공기 탑재용으로 설계된 것으로서 실리콘 탐지기 이외의 것을 사용하고 IFOV가 2.5mrad (milliradians) 미만의 것

c. ‘직시’형 영상 장비로서 다음 중 하나를 내장한 것

1. 6A002.a.2.a항 또는 6A002.a.2.b 항에서 열거한 특성을 갖는 영상증배관

2. 6A002.a.3에 나열된 특성을 갖는 “초점면 배열”

3. 6A002.a.1에 명시한 반도체 검출기;

기술해설

‘직시(direct view)’는 영상을 텔레비전 디스플레이용 전자신호로 변환하지 않고 관람하는 사람에게 시각영상을 제공하는 방식을 말하며, 사진이나 전자적 또는 기타의 방법으로 영상을 기록하거나 저장할 수 없는 장비를 뜻한다.

주  6A002.c.는 GaAs 또는 GaInAs 광음극 이외의 것을 내장한 다음의 장비에는 적용하지 않는다.

a.  산업용이나 민간용의 방범경보, 교통이나 산업용의 이동통제 또는 집계 시스템

b. 의료장비

c.  물질의 성질을 검사, 분류 또는 분석하기 위해 사용되는 산업장비

d. 산업용 용광로의 화염 감지기

e. 연구실 사용을 목적으로 전용 설계된 장비

d. 광센서의 전용보조부품

1. “우주용” 저온 냉각기(cryocoolers)

2. 비 “우주용” 저온 냉각기로 -55℃(218 K) 미만의 냉각발생원온도(cooling source temperature)를 가진 것으로 다음의 것

a. 폐쇄 사이클(closed cycle)형으로 평균고장수명 또는 평균고장간격이 2,500 시간을 초과 하는 것

b.  줄-톰슨(Joule-Thomson(JT)) 자기제어 소형냉각기로 외경의 직경이 8mm 미만인 것

3. 광검출섬유(optical sensing fibers)로서 성분적 또는 구조적으로 특별히 제조되거나 코팅을 통해서 개조되어 음향, 열, 관성, 전자기파 또는 핵 방사선 등을 감지(측정)하도록 한 것;

주: 6A002.d.3은 시추공 센싱 시스템용 밀봉된 센싱용 광섬유는 통제하지 않는다.

카메라류

주의  6A203 또한 참조 할 것

주의: 수중용으로 개조되거나 전용 설계된 TV 및 필름 기반 사진용 정지영상 카메라의 경우에는 8A002.d.1 및 8A002.e를 참조할 것

a. 산업용카메라와 이의 전용 설계된 부품으로서 다음 특성중 하나를 지닌 것

주 6A003.a.3~6A003.a.5로 통제되고 모듈러 구조를 갖춘 인스트루먼트카메라는 카메라 제조업체의 규격에 따라 플러그인을 사용해서 최대능력을 기준으로 평가되어야만 한다.

1.  고속영화촬영카메라(필름이 기록하는 동안 연속진행 되는 것)로서 8mm~16mm 필름을 사용하고, 촬영속도가 초당 13,150컷(frame/sec)을 초과하는 것

주 일반 민간용의 영화촬영 카메라는 통제하지 않는다.

2.  기계식 고속카메라(필름이 움직이지 않는 것)로 35mm 필름의 풀 프레임 높이(full framing height)로 촬영속도가 초당 1,000,000컷(frame/sec)을 초과하거나, 풀 프레임 높이가 낮아지는 경우 이에 비례하여 높은 속도로, 또는 프레임의 높이가 높아지는 경우 이에 비례하여 낮은 속도로 촬영이 가능한 것

3. 기계식 또는 전자식 스트리크(streak) 카메라로 촬영속도가 10mm/μsec을 초과하는 것

4. 전자식 프레임 카메라로서 촬영속도가 1,000,000 frame/sec를 초과하는 것

5. 전자식 카메라로 다음 특성을 모두 지닌 것

a. 전자셔터속도(게이트 능력)가 1 μs/full frame 미만이고,

b. 125 full frame/sec의 프레임 속도를 허용하는 판독시간을 가지는 것

6. 플러그인으로서 다음 특성을 모두 갖는 것

a. 모듈식 구조를 가지고 6A003.a에 의해 통제되는 인스트루먼트 카메라를 위해 전용 설계된 것

b. 제조업체의 사양에 따라 6A003.a.3, 4, 혹은 5항에 기술된 특성을 만족시키는 것.

b. 영상 카메라로서 다음의 것

주 TV 방송용으로 전용 설계된 텔레비전이나 비디오카메라는 제외

1.  고체촬상소자(solid state sensor)를 내장한 비디오카메라로서, 10nm초과~30,000nm이하의 파장 범위에서 최대 응답을 가지고, 다음의 모두에 해당되는 것

a. 다음의 어느 하나에 속하는 것

1. 흑백촬영용 카메라로 고체촬상소자(solid state array)당 “능동픽셀(active pixels)”의 수가 4×106를 초과하는 것,

2. 칼라촬영용 카메라로 3개의 고체촬상소자를 내장하고, 고체촬상소자당 “능동픽셀“의 수가 4×106를 초과하는 것, 혹은

3. 칼라촬영용 카메라로 1개의 고체촬상소자를 내장하고, 고체촬상소자당 “능동픽셀”의 수가 12×106을 초과하는 것, 그리고

b. 다음의 어느 하나에 해당하는 것

1. 6A004.a에 의해 통제되는 광학 거울(optical mirrors)

2. 6A004.d에 의해 통제되는 광학 조절 장비(optical control equipment)

3. 내부적으로 발생된 카메라 추적 데이터에 주석을 만드는 능력

기술해설

1. 본 항에 적용되는 디지털 비디오카메라는 움직이는 형상을 포착하기 위해 사용되어지는 최대 “능동픽셀”의 수에 의해 평가되어져야 한다.

2. 본 항에 적용되는 카메라 추적 데이터는 지구에 대한 카메라의 조준선을 정의하는 데 필요한 정보를 의미한다. 여기에는 다음의 사항에 포함된다. 1) 지구의 자기장 방향(the earth's magnetic field direction)에 대한 카메라의 조준선의 수평각, 그리고 2) 카메라의 조준선과  지구의 수평선(the earth's horizon) 사이의 수직각

2. 스캐닝 카메라와 스캐닝 카메라 시스템으로서 다음 모두를 가지는 것

a. 10초과~30,000nm이하의 주파수 범위에서 최대 응답을 가지는 것

b. 배열 당 8,192소자 이상의 선형 탐지기 배열

c. 한 방향으로 기계적인 스캐닝을 하는 것

주 6A003.b.2는 다음과 같이 전용 설계된 스캐닝 카메라 및 스캐닝 카메라 시스템은 통제하지 않는다.

a. 산업용 또는 민간용 사진 복사기

b. 민간용, 정지용, 근접 스캐닝 응용( e.g. 이미지 또는 문서에 포함된 인쇄물, 삽화, 사진 등의 재현)을 위해 전용 설계된 이미지 스캐너; 또는

c. 의료용 장비

3. 6A002.a.2.a 또는 6A002.a.2.b에 규정된 영상증배관를 내장한 영상 카메라

4. “초점면배열”을 내장한 영상카메라로서 다음 중 하나의 것

a. 6A002.a.3.a에서부터 6A002.a.3.e까지 규정한 “초점면배열”을 내장한 경우

b. 6A002.a.3.f에 규정한 “초점면배열”을 내장한 경우

c. 6A002.a.3.g에 규정한 “초점면배열”을 내장한 경우; 또는

주1 6A03.b.4에서 규정하는 ‘영상 카메라’는 판독 집적회로 수준을 넘어서 전원이 들어올 때 언제든지 최소의 아날로그 또는 디지털 신호 출력이 가능토록 하기에 충분한 “신호처리” 장치를 결합한 “초점면 배열”을 포함한다.

주2 6A003.b.4.a항은 소자내에 시간지연통합(time-delay-and-integration)을 채용하지 않고 12개 이하의 소자를 가진 선형 “초점면 배열"을 내장한 영상카메라와 다음 중 하나를 위해서 설계된 영상 카메라에는 적용하지 않는다.

a. 산업용이나 민간용의 방범경보, 교통이나 산업용의 이동통제 또는 집계 시스템

b. 건물, 장비, 혹은 산업 공정에서의 열 흐름을 검사하거나 감시하는 데 사용되는 산업장비

c. 물질의 성질을 검사, 분류 또는 분석하기 위해 사용되는 산업장비

d. 연구실 전용으로 설계된 장비

e. 의료장비

주3 6A003.b.4.b.는 다음과 같은 영상카메라에는 적용하지 않는다.

a. 최대 프레임률이 9Hz 또는 그 이하인 경우

b. 다음 모두를 포함하는 것

1. 적어도 10 mrad/pixel 의 최소 수직 또는 수평 순시 시야를 가지는 것;

2. 제거되도록 설계되지 않은 고정 초점렌즈를 내장한 것 ;

3. ‘직시’ 표시장치를 내장하지 않은 것 ; 그리고

4. 다음 중 하나의 것 :

a. 탐색 시야범위의 볼 수 있는 영상을 얻기 위한 시설이 없는 것; 또는

b. 카메라는 한가지 종류의 적용을 위해 설계되고, 사용자가 변경할 수 없도록 설계된 것; 또는

c. 카메라가 (총 차량무게)3톤 미만의 민간인용 지상차량에 설치하기 위해 전용 설계되었고 다음의 모든 조건을 충족할 때:

1.  다음 중 하나의 것에 설치되었을 때만 적용할 수 있음

a. 의도된 민간인용 지상차량; 또는

b. 전용 설계되고, 공인된 유지 검사 시설물; 그리고

2. 의도된 차량으로부터 제거되었을 때, 카메라가 작동하지 않도록 하는 능동적인 기계장치를 장착 시킨 것

기술해설

직시(Direct view)는 적외선 파장대에서 작동하는

영상 카메라로서 이것은 광 보안기기를 장착시킨 눈에 근접한 초소형 표시장치를 사용하는 인간 관찰자에게 시각적인 영상을 제공한다.

주4 6A003.b.4.c는 다음의 특성을 만족하는 ‘영상 카메라’에는 적용하지 않는다.

a. 다음 모두를 가지는 것:

1. 다음과 같이 한 분야의 응용을 위해 제한적으로 설계된 실내 및 전기플러그가 연결된 장소에서 동작하는 시스템 또는 장비내에 통합된 구성요소로서 설치하기 위해 특별히 설계된 카메라

a. 산업공정 모니터링, 특성 제어, 또는 재료의 특성을 분석하는 경우;

b. 과학적인 연구를 위해 특별히 설계된 실험장비

c. 의료장비

d. 금융사기 검출장비; 그리고

2. 다음 중 하나에 설치되었을 때만 동작하는 경우:

a.의도되거나 계획적인 목적을 위한 시스템 또는 장비;

또는

b.인증된 유지보수 시설물을 위해 전용 설계된 것; 그리고

3. 의도되거나 계획적인 목적을 위해 시스템 또는 장비로부터 제거되었을 때, 카메라가 작동하지 않도록 하는 능동적인 기계장치를 장착 시킨 것

b. 카메라가 (총 차량무게)3톤 미만의 민간인용 지상차량이나 65m 또는 이보다 큰 선체의 길이를 갖는 여객용 선박에 설치하기 위해 전용 설계되었고 다음의 모든 조건을 충족하는 경우:

1. 다음 중 하나에 설치되었을 때만 동작하는 경우:

a. 의도되거나 계획적인 목적을 위한 여객용 선박 또는 민간인용 지상차량; 또는

b. 인증된 유지보수 시험 시설물을 위해 전용 설계된 것; 그리고

2. 의도되거나 계획적인 목적을 위해 운송수단으로부터 제거되었을 때, 카메라가 작동하지 않도록 하는 능동적인 기계장치를 장착 시킨 것

c. 760nm를 초과하는 파장에서 10mA/W 미만의 최대복사감도를 갖도록 제한적으로 설계된 경우와 다음의 모든 것

1. 제거되거나 개조되지 않도록 설계된 응답제한장치를 장착한 경우; 그리고

2. 응답제한장치를 제거했을 때, 카메라가 작동하지 않도록 하는 능동적인 기계장치를 장착 시킨 것; 그리고

3. 수중용으로 개조되거나 전용 설계되지 않은 경우; 또는

d. 다음 모두를 충족시키는 것:

1. ‘직시’ 또는 전자영상 디스플레이를 장착하지 않은 경우;

2. 검출된 시야(field of view)의 이미지를 볼수 있도록 출력하기 위한 설비가 없는 것;

3. 의도된 목적을 위한 카메라에 설치되었을 때에만 동작하는 “초점면배열”

4. 의도된 목적을 위한 카메라로부터 제거되었을 때, 영원히 작동하지 않도록 하는 능동적인 기계장치를 장착 시킨 “초점면배열”

5. 6A002.a.1에 규정된 반도체 검출기를 장착한 영상카메라

광학기구류

a. 광학거울(반사경)로서 다음의 것

주의 : 리소그라피(석판인쇄)장비를 위해 전용 설계된 광학거울은 3B001을 참고 할 것

1. 연속 혹은 다 소자표면을 가진 “변형 가능 거울”과 이를 위해 전용 설계된 구성 부품으로서, 100Hz 초과의 속도로 거울 표면의 일부를 동적으로 변위시킬 수 있는 것

2. 경량의 단층 거울로 평균 “등가밀도(equivalent density)”가 30kg/㎡ 미만이고, 총질량이 10kg을 초과하는 것

3. 경량의 복합 또는 발포 거울 구조로 “등가밀도”가 30kg/㎡ 미만이고, 총 질량이 2kg을 초과하는 것

4. 빔 조정용 거울로 거울면의 직경 또는 주축 길이가 100mm를 초과하고, λ/2(λ= 633nm)이상의 평탄도(flatness)를 유지하고, 제어대역폭이 100Hz를 초과하는 것

주의  석판인쇄 장비를 위해 전용 설계된 광학 거울은 3.B.1을 참조 (삭제)

b.  셀렌화아연(ZnSe) 또는 황화아연(ZnS)으로 제조된 광학부품으로서 3,000nm초과～25,000nm 이하인 파장의 빛을 투과하는 것으로서 다음 중 하나의 것

1. 체적이 100㎤를 초과하는 것

2. 직경 또는 주축길이가 80mm를 초과하고 두께(깊이)가 20mm를 초과하는 것

c. “우주용” 광학시스템 부품으로 다음 특성을 갖는 것

1. 동일한 구경과 두께의 solid blank에 비해서 “등가밀도”가 20%미만인 경량의 부품

2. 원료 기판(substrate), 표면을 코팅(단층 혹은 다층, 금속체 혹은 유전체, 전도체 혹은 반도체 혹은 절연체)하거나 보호막을 갖는 기판

3. 우주공간에서 집속구경(collecting aperture)이 직경 1 m이상인 광학 시스템으로 조립되도록 설계된 반사경의 일부분 혹은 조립부품

4. 모든 방향에 대해서 선형 열팽창계수가 5×10-6이하인 “복합재료"로 제조된 부품

d. 광학 제어장비로서 다음의 것

1. 6A004.c.1. 또는 3.에 의해서 통제되는 “우주용” 부품의 표면형상 또는 방향을 유지하도록 전용 설계된 장비

2. 조정, 추적, 안정화할 수 있거나 또는 공진기 조정대역폭이 100Hz 이상이며 그 정확도가 10μRad (microradians) 이하인 장비

3. 광학 짐벌(gimbal)로서 다음의 모든 것

a. 최대 회전각(편각)이 5°를 초과

b. 대역폭이 100Hz 이상

c. 각위치 오차(정밀도)가 200μrad이하

d. 다음 중 하나를 가지는 것

1. 직경 또는 주축거리가 0.15m 초과～1m 이하이고, 각가속도가 2rad/s²을 초과

2. 직경 또는 주축거리가 1m를 초과하는 것으로서 각가속도가 0.5rad/s²를 초과

4. 세그먼트의 직경 또는 주축의 길이가 1m 이상인 반사경으로 구성된 위상 배열 혹은 위상 세그먼트 반사경의 정렬을 유지하도록 전용 설계된 것

e. 비구면 광학요소로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 광학구경의 최대치가 400㎜보다 클 것

2. 1㎜ 이상의 표본길이에 대한 표면 조도(roughness)가 1nm(rms) 미만일 것

3. 25℃에서의 선형 열팽창계수의 절대치가 3×10-6/K 미만일 것

기술해설

1. ‘비구면 광학요소’는 광학시스템에서 사용되는 요소로서 화상 표면이 이상적인 구의 형태와 다르도록 설계된 것

2. 광학소요소가 통제변수를 만족하거나 초과할 의도로 설계되거나 제조되지 않았다면 제조자는 6A004.e.2에 명기된 표면 조도(roughness)를 측정할 필요가 없다.

주 6A004.e.는 다음의 한 항에 해당하는 비구면 광학요소를 통제하지 않는다.

a. 최대 광학구경이 1m 미만이고, 구경 대 초점거리의 비가 4.5:1이상인 것

b. 최대 광학구경이 1m 이상이고, 구경 대 초점거리의 비가 7:1이상인 것

c. 프레넬(Fresnel, OHP용 렌즈), flyeye(조명용 렌즈), stripe(줄무늬형 렌즈), 프리즘 또는 굴절 광학요소로 설계된 것

d. 25℃에서의 선형 열팽창계수가 2.5×10-6 /K를 초과하는 규산화 붕소유리(borosilicate glass)로 제조된 것

e. 내부 거울 능력을 갖는(예, 튜브타입 거울) X-ray 광학요소인 것

주의 석판인쇄장비로 전용 설계된 비구면 광학요소에 대해서는 IL3.B.1을 참조

“레이저”류, 관련 광학장비 및 부품, 0B001.g.5. 또는 0B001.h.6.에서 지정하는 것 이외의 것

주의 : 6A205.또한 참조 할 것

주 1  펄스 “레이저”는 중첩펄스 연속파(continuous wave (CW))방식으로 작동하는 “레이저”를 포함한다.

주 2 엑시머 “레이저”, 반도체 “레이저”, 화학 “레이저”, 일산화탄소 “레이저”, 이산화탄소 “레이저”, 비반복성 펄스형 Nd:유리 “레이저”는 단지 6A005.d.에서만 기술된다.

주 3  6A005.는 광섬유 “레이저”를 포함한다.

주 4  또 다른 “레이저”를 여기시키는 “레이저” 이외의 수단으로 주파수 변조(즉; 파장 변화)를 동반하는 “레이저”의 통제는 “레이저”소스의 출력과 주파수 변환된 광출력 모두의 통제 파라미터 적용에 달려있다.

주 5  6A005.는 다음의 “레이저”를 통제하지 않는다.

a. 출력에너지가 20J 이하인 루비 “레이저”

b. 질소 “레이저”

c. 크립톤 “레이저”

기술해설

‘콘센트(Wall-plug) 효율’은 전원 공급/조절과 열 조절/열 교환을 포함하여 “레이저” 작동에 필요한 전체 전기적 입력전압 대비 출력전압(“평균 출력전압”) 비율로 정의된다.

a. 비 “파장가변(tunable)" "레이저“이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

1. 출력이 1W를 초과하고  출력파장이 150 nm 이하의 것

2. 출력이 30W를 초과하고  출력파장이 150 nm이상 510 nm 이하의 것

주 6A005.a.2.는 출력이 50W이거나 그 이하의 아르곤 “레이저”를 통제하지 않는다.

3. 출력파장이 510 nm를 초과하지만 540 nm를 초과하지 않으면서 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 단일 횡모드 출력이 50W를 초과하는 것

b. 다중 횡모드 출력이 150W를 초과하는 것

4. 출력이 30W를 초과하고  출력파장이 540 nm이상 800 nm 이하의 것

5. 출력파장이 800 nm이상 975 nm 이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 단일 횡모드 출력이 50W를 초과하는 것

b. 다중 횡모드 출력이 80W를 초과하는 것

6. 출력파장이 975 nm이상 1,150 nm 이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 단일 횡모드로 동작하고 출력 200W를 초과하는 것; 혹은

b. 다중 횡모드 출력이 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

1. 콘센트(wall-plug) 효율이 18%를 초과하고 출력이 500W를 초과하는 것

2. 출력이 2kW를 초과하는 것

주 6A005.a.6.b.에서는 출력 2kW를 초과하고 6kW이하이면서 총 무게가 1,200kg 이상인  다중 횡모드 산업용 “레이저”를 통제하지 않는다. 이 주석의 목적에 맞게 총 무게는 “레이저” 작동에 필요한 모든 부품 예를 들면 “레이저” 전원장치, 열교환기 등을 포함한다. 하지만 빔을 조절 혹은 전달하기 위한 외부광학 장비들은 제외된다.

7. 출력파장이 1,150 nm이상 1,555nm 이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 단일 횡모드 출력이 50W를 초과하는 것

b. 다중 횡모드 출력이 80W를 초과하는 것

8. 출력파장이 1,555 nm이상이고 출력이 1W를 초과하는 것

b. 비-“파장가변” “펄스 레이저“이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

1. 출력파장이 150 nm이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 출력 에너지가 펄스 당 50 mJ를 초과하고 1W를 초과하는 “피크전력”을 갖는 것

b. "평균 출력"이 1W를 초과하는 것

2. 출력파장이 150 nm이상 510 nm 이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 출력 에너지가 펄스 당 1.5 J를 초과하고 30W를 초과하는 “피크전력”을 갖는 것

b. "평균 출력"이 30W를 초과하는 것

주 6A005.b.2.b.는 "평균 출력"이 50W 보다 작거나 같은 아르곤 “레이저”는 통제하지 않는다.

3. 출력파장이 510 nm이상 540 nm 이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 단일 횡모드 출력이 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

1. 출력 에너지가 펄스 당 1.5 J를 초과하고 50W를 초과하는 “피크전력”을 갖는 것

2. "평균 출력"이 50W를 초과하는 것

b. 다중 횡모드 출력이 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

1. 출력 에너지가 펄스 당 1.5 J를 초과하고 150W를 초과하는 “피크전력”을 갖는 것

2. "평균 출력"이 150W를 초과하는 것

4. 출력파장이 540 nm이상 800 nm 이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. 출력 에너지가 펄스 당 1.5 J를 초과하고 30W를 초과하는 “피크전력”을 갖는 것

b. "평균 출력"이 30W를 초과하는 것

5. 출력파장이 800 nm이상 975 nm 이하이고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

a. “펄스지속시간”이 1㎲를 초과하지 않고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

1. 출력 에너지가 펄스 당 0.5 J를 초과하고 50W를 초과하는 “피크전력”을 갖는 것

2. 20W를 초과하는 “평균 출력”을 지는 단일 횡모드 출력

3. 50W를 초과하는 “평균 출력”을 가지는 다중 횡모드 출력

b. “펄스지속시간”이 1㎲를 초과하고 다음 중 하나의 특성을 가지는 것

1. 출력 에너지가 펄스 당 2 J를 초과하고 50W를 초과하는 “피크전력”을 갖는 것

2. 50W를 초과하는 “평균 출력”을 가지는 단일 횡모드 출력

3. 80W를 초과하는 “평균 출력”을 가지는 다중 횡모드 출력

6. 출력 파장이 975nm를 초과하지만 1,150nm 이하이며 다음 중 어느 하나에 해당되는 것:

a. “펄스지속시간”이 1ns이하이고 다음 중 어느 하나에 해당되는 것

1. 펄스당 “최대출력”이 5 GW를 초과하는 것

2. “평균출력”이 10W를 초과하는 것, 또는

3. 출력 에너지가 펄스당 0.1J을 초과하는 것

b. “펄스지속시간”이 1ns이거나 이를 초과하지만 1 μs를 초과하지 않으며 다음 중 하나에 해당하는 것

1. 다음 중 하나에 해당하는 단일 횡 모드 출력

a. “최대출력”이 100 MW을 초과하는 것

b. 1kHz와 동일하거나 그 이하인 최대 펄스 반복 주파수 설계에 제한되는 “평균출력”이 20W를 초과하는 것

c. 콘센트(wall-plug) 효율이 12%를 초과하고 “평균출력”이 100W를 초과하며 1kHz 이상의 펄스 반복 주파수에서 작동할 수 있는 것

d. “평균출력”이 150W를 초과하고 1kHz 이상의 펄스 반복 주파수에서 작동할 수 있는 것; 또는

e. 출력 에너지가 펄스당 2J을 초과하거나

2. 다음 중 하나에 해당하는 다중 횡모드 출력

a. “최대출력”이 400MW를 초과하는 것

b. 콘센트(wall-plug) 효율이 18%를 초과하고 “평균출력”이 500W를 초과하는 것

c. “평균출력”이 2kW를 초과하거나

d. 출력 에너지가 펄스당 4J을 초과하거나

c. “펄스지속시간”이 1 μs를 초과하고 다음 중 하나에 해당하는 것

1. 다음 중 하나에 해당하는 단일 횡모드 출력

a. “최대출력”이 500kW를 초과하는 것

b. 콘센트(wall-plug) 효율이 12%를 초과하고 “평균출력”이 100W를 초과하거나

c. “평균출력”이 150W를 초과하거나

2. 다음 중 하나에 해당하는 다중 횡모드 출력

a. “최대출력”이 1MW를 초과하는 것

b. 콘센트(wall-plug) 효율이 18%를 초과하고 “평균출력”이 500W를 초과하거나

c. “평균출력”이 2 kW를 초과하는 것

7. 출력 파장이 1,150nm를 초과하지만 1,555nm미만이며 다음 중 하나에 해당하는 것

a. “펄스지속시간”이 1 μs를 초과하지 않고 다음 중 하나에 해당하는 것

1. 출력 에너지가 펄스 당 0.5J을 초과하지 않고 “최대출력”이 50W를 초과하는 것

2. “평균출력”이 20W를 초과하는 단일 횡모드 출력이거나

3. “평균출력”이 50W를 초과하는 다중 횡모드 출력이거나

b. “펄스지속시간”이 1 μs 초과하지 않고 다음 중 하나에 해당하는 것

1. 출력 에너지가 펄스당 2J을 초과하고 “최대출력”이 50W를 초과하는 것

2. “평균출력”이 50W를 초과하는 단일 횡모드 출력이거나

3. “평균출력”이 80W를 초과하는 다중 횡모드 출력이거나

8. 출력 파장이 1,555nm를 초과하고 다음 중 하나에 해당하는 것

a. 출력 에너지가 펄스당 100mJ을 초과하고 “최대출력”이   1W를 초과하는 것; 또는

b. “평균출력”이 1W를 초과하는 것;

c. “파장가변(Tunable)” “레이저”로서 다음 중 하나에 해당하는 것;

Note “파장가변(Tunable)” “레이저”에는 티타늄-사파이어(Ti:Al2O3), Thulium-YAG(Tm:YAG), Thulium-YSGG(Tm:YSGG) 알렉산더라이트(Cr: BeAl2O4) 및 칼라센터 “레이저”, 색소 “레이저” 및 액체 “레이저”가 포함된다.

1. 출력 파장이 600nm이하이고 다음 중 하나에 해당하는 것:

a. 펄스당 출력이 50mJ을 초과하고 “최대출력”이 1W를 초과하는 것; 또는

b. 평균 또는 CW 출력이 1W를 초과하는 것;

주: 6A005.c.1는 다중모드 출력을 갖고 파장이 150 nm 와 같거나 크고 600 nm 이하인 색소 레이저나 혹은 다른 액체 레이저 중 다음 모두의 것을 갖는 경우는 통제하지 않는다.;

1. 출력 에너지가 펄스당 1.5 J 보다 작거나 혹은 피크 파워가 20 W 보다 작고, 그리고

2. 평균 혹은 연속 출력이 20 W 보다 작은 경우

2. 출력 파장이 600nm이상이지만 1,400nm를 초과하지 않고 다음 중 하나에 해당하는 것:

a. 출력 에너지가 펄스당 1J을 초과하고 “최대출력”이 20W를 초과하는 것; 또는

b. 평균 또는 CW 출력이 20W를 초과하는 것; 또는

3. 출력 파장이 1,400nm를 초과하고 다음 중 하나에 해당하는 것:

a. 출력 에너지가 펄스당 50mJ을 초과하고 “최대출력”이 1W를 초과하는 것; 또는

b. 평균 또는 CW 출력이 1W를 초과하는 것;

d. 기타 “레이저”, 6A005.a., 6A005.b. 또는 6A005.c.에서 통제되지 않는 레이저로 다음과 같은 것

1. 반도체 “레이저”로 다음과 같은 것

주1. 6A005.d.1.에는 광출력 접속기가 있는 반도체 “레이저”가 포함된다.(예. 광섬유 접속용 전선)

주2. 다른 장비를 위해 특수하게 설계된 반도체 “레이저”의 통제 상태는 다른 기타 장비의 통제 상태에 따라 결정된다.

a. 개별 단일 횡모드 반도체 “레이저”로서 다음 중 하나에 해당하는 것:

1. 파장이 1,510nm이하이며 평균 또는 CW 출력이 1.5W를 초과하는 것; 또는

2. 파장이 1,510 nm이상이고 평균 또는 CW 출력이 500mW를 초과하는 것;

b. 개별 다중 횡모드 반도체 “레이저”로서 다음 중 하나에 해당하는 것:

1. 파장이 1400 nm 이하이고 평균 CW 출력이 15W를 초과하는 것

2. 파장이 1,400nm이상이고 1,900nm이하이며 평균 또는 CW 출력이 2.5W를 초과하는 것; 또는

3. 파장이 1,900nm이상이고 평균 또는 CW 출력이 1W를 초과하는 것

c. 막대 형태의 개별 반도체 레이저(혹은 반도체 레이저 바)로서 다음중 하나에 해당하는 것

1. 파장이 1,400 nm이하이고 평균 또는 CW 출력이 80W를 초과하는 것;

2. 파장이 1,400nm이상이고 1,900nm이하이며 평균 또는 CW 출력이 25W를 가지는 것; 또는

3. 파장이 1,900nm이상이고 평균 또는 CW 출력이 10W를 가지는 것

d. 반도체 레이저 적층 배열 (2차원 배열)로서 다음중 하나에 해당하는 것;

1. 파장이 1400nm 미만이고 다음중 하나인 것:

a. 평균 혹은 CW 출력이 3 kW 미만이고 평균 혹은 CW 출력밀도가 500 W/cm2 보다 큰 것;

b. 평균 혹은 CW 출력이 3 kW 이상 5 kW 이하이며 평균 혹은 CW 출력밀도가 350W/cm2 보다 큰 것;

c. 평균 혹은 CW 출력이 5 kW를 초과하는 것;

d. 피크 펄스의 출력밀도가 2,500 W/cm2 를 초과하거나; 혹은

e. 공간적으로 코히어런트한 평균 혹은 CW 총출력이 150 W보다 큰 것;

2. 파장이 1400nm 이상 1900nm 미만이며, 다음의 어느 하나인 것:

a. 평균 혹은 CW 출력이 250 W 미만이고 평균 혹은 CW 출력밀도가 150 W/cm2 보다 큰 것;

b. 평균 혹은 CW 출력이 250 W 이상 500 W 이하이며 평균 혹은 CW 출력밀도가 50W/cm2 보다 큰 것;

c. 평균 혹은 CW 출력이 500 W를 초과하는 것;

d. 피크 펄스의 출력밀도가 500 W/cm2 를 초과하거나; 혹은

e. 공간적으로 코히어런트한 평균 혹은 CW 총출력이 15 W보다 큰 것;

3. 파장이 1900 nm 이상이며, 다음의 어느 하나인 것:

a. 평균 혹은 CW 출력밀도가 50 W/cm2를 초과하는 것;

b. 평균 혹은 CW 출력이 10 W를 초과하거나;

혹은

c. 공간적으로 코히어런트한 평균 혹은 CW 출력이 1.5 W보다 크거나; 혹은

4. 적어도 하나의 레이저 바가 6A005.d.1.c.에서 통제 되는 것;

기술해설

6A005.d.1.d의 통제에 대하여., 출력밀도는 총 레이저 출력을 적층 배열의 발광면의 면적으로 나눈 것을 의미한다.

e. 6A005.d.1.d에 기술된 것 이외의 반도체 레이저 적층배열로서 다음의 모든 것:

1. 보다 큰 적층배열을 만들기 위해 다른 적층배열과 결합시킬 수 있도록 특별히 설계되거나 혹은 개조된 것;

2. 전기회로와 냉각장치를 위한 집적화된 연결이나 공통의 것;

주 1

6A005.d.1.e.에서 규정된 반도체 레이저 적층 배열을 결합하여 제작된  적층배열이 추후 결합되거나 수정될 수 있도록 설계도지 않은 경우 6A005.d.1de.에서 규정된다.

주 2

6A005.d.1.e.에서 규정된 반도체 레이저 적층 배열을 결합하여 제작된  적층배열이 추후 결합되거나 수정될 수 있도록 설계된 경우 6A005.d.1.e.에서 규정된다.

주3

6A005.d.1.e.는 레이저의 끝에서 끝으로 이어지도록 제작되는 적층 선형배열을 위한 단일 바의 모듈 어셈블리는 통제하지 않는다.

기술해설

1. 반도체 레이저는 일반적으로 레이저 다이오드라 칭한다.

2. 바 (혹은 반도체 레이저 바, 레이저 다이오드 바나 다이오드 바라 칭해지는 것)는 반도체 레이저의 다중 일차원 배열이다.

3. 적층 배열은 다중 바로 이루어져 이차원 반도체 레이저 배열을 이룬 것을 의미한다.

2.  일산화탄소 “레이저”로서 다음 중 하나의 특성을 지닌 것

a. 출력에너지가 펄스당 2J을 초과하고, 펄스의 “최대출력”이 5kW를 초과하는 것

b. 평균출력 또는 CW(연속)출력이 5kW를 초과하는 것

3. 이산화탄소 “레이저”로서 다음 중 하나 이상의 특성을 지닌 것

a. CW출력이 15kW를 초과하는 것

b. “펄스지속시간”이 10㎲를 초과하는 펄스출력으로서 다음 중 하나의 것

1. 평균 출력이 10kW를 초과하거나,

2. 펄스 “최대출력”이 100 kW를 초과하는 것

c. “펄스지속시간”이 10㎲이하인 펄스출력으로서 다음 중 하나의 것

1. 펄스당 5 J을 초과하는 펄스 에너지,

2. 평균출력이 2.5kw를 초과하는 것

4. 엑시머(Excimer) “레이저”로서 다음 중 하나의 것

a 출력 파장이 150nm 이하이고 다음 중 하나의 것,

1. 출력에너지가 펄스 당 50mJ을 초과하거나,

2.  평균출력이 1W를 초과하는 것

b.  출력 파장이 150nm초과～190nm이하이고 다음 중 하나의 것

1. 출력에너지가 펄스 당 1.5J을 초과하거나,

2. 평균출력이 120W를 초과하는 것

c. 출력파장이 190nm초과~360nm이하이고 다음 중 하나의 것

1. 출력에너지가 펄스 당 10J을 초과하거나,

2. 평균출력이 500W를 초과하는 것

d. 출력파장이 360nm를 초과하고 다음 중 하나의 것

1. 출력에너지가 펄스 당 1.5J을 초과하거나

2. 평균출력이 30W를 초과하는 것

주의 석판인쇄장비를 위해 전용 설계된 엑시머 “레이저”에 대해서는 3B001을 참조

5. “화학 레이저”로서 다음 중 하나의 것

a. 불화수소(HF) “레이저”

b. 불화중수소(DF) “레이저”

c. “트렌스퍼(transfer) 레이저”로서 다음의 것

1. 요오드화-산소(O2-I) “레이저”

2. 불화중수소-이산화탄소(DF-CO2) “레이저”

6. 비반복성 펄스형 Nd:유리 “레이저”로서 다음 중 하나를 갖는 것:

a. "펄스 지속시간“이 1 ㎲를 넘지 않고

펄스당 출력 에너지가 50 J을 넘는 것; 또는

b. "펄스 지속시간“이 1 ㎲를 초과하고

펄스당 출력 에너지가 100 J을 넘는 것;

주 비반복성 펄스형 “레이저”는 단일 출력 펄스나 펄스 간 시간간격이 1분을 초과하는 펄스를 출력하는 “레이저”를 의미한다.

e. 부품으로서 다음의 것

1. 능동냉각 또는 열파이프에 의해 냉각되는 거울

기술해설

능동냉각은 광학부품으로부터 열을 제거하기 위하여 광학부품의 내부 표면(보통 광표면 아래 1mm 미만) 안에 유동액체를 이용하여 냉각시키는 기술을 의미한다.

2. 광학 거울, 투과성 또는 부분 투과성 광학 또는 전자-광학 부품으로서 통제되는 “레이저”와 같이 사용되도록 전용 설계된 것

f. 광학장비로서 다음의 것

주의 “초고출력 레이저(Super-High Power Laser(SHPL)”에 적용가능한 공용 구경 광학 장비에 대해서는 ML19 의 주 2.d항 참조

1. “레이저”의 동적 파두(위상) 측정 장비로서, 빔파두(beam wavefront) 상에 최소 50곳의 위치를 측정할 수 있고, 다음 특성중 하나를 지닌 것

a. 프레임 속도가 100Hz이상이며, 위상판별도가 빔 파장의 최소 5%인 것

b. 프레임 속도가 1,000Hz이상이며, 위상판별도가 빔 파장의 최소 20%인 것

2. 레이저 진단장비로서 “초고출력 레이저”시스템의 각도빔 조정오차를 10μrad 이하로 측정할 수 있는 것

3. 위상어레이(array)형 “초고출력 레이저”의 전용 광학장비 및 부품으로서 설계파장(λ)의 1/10 또는 0.1μm 이하 중 더 작은 치수의 정밀도로 간섭광을 합성하기 위한 것

4. 투사 망원경으로 “초고출력 레이저”시스템에 사용하기 위하여 설계된 것;

g. 다음 모두를 갖는 레이저 음향 측정장치;

1. 레이저의 출력이 20 mW보다 같거나 큰 경우;

2. 레이저 주파수 안정도가 10 MHz와 같거나 좋은

(작은) 것;

3. 레이저 파장이 1000 nm 이상 2000 nm 이하인 것;

4. 광시스템의 분해능이 1 nm 보다 좋은 (작은) 것;

5. 광신호대 잡음비가 103과 같거나 큰 것.

기술해설:

레이저 음향 측정 시스템은 때로 레이저 마이크로폰 혹은 음향 유속 측정 마이크로폰이라 칭한다.

“자기계”, “자기경도계”, “진성 자기경도계”, 수중전기장센서와 "보상시스템" 및 전용 설계된 관련 부품으로 다음의 것

주 6A006은 의료 진단용 생체자기측정 장치 또는 어업 용도로 전용 설계된 기구는 통제하지 않는다.

a. 다음과 같은 “자기계” 및 부시스템:

1. “초전도체”“기술”을 사용하고 다음 중 하나 이상의 성질을 가지는 자기계

a. 고정된 운용을 위해 고안된 초전도 양자 간섭장치(SQUID) 시스템이며 동작중 소음을 줄이기 위해 전용 설계된 하위 시스템이 없고, 1 Hz의 주파수에서 감도가 50fT(rms)/[eqn: rm root{Hz}]이하(보다 우수한)일 때; 또는

b. 동작중 자기계 감도가 1 Hz의 주파수에서 20pT (rms) / [eqn: rm root{Hz}] 미만(보다 우수한) 이고 동작중 소음을 줄이기 위해 전용 설계된 초전도 양자 간섭장치(SQUID) 시스템;

2. 광학적 펌프 또는 핵자기 공명(proton/Overhauser)“기술”을 사용하고 감도가 20pT (rms) /[eqn: rm root{Hz}] 미만(보다 우수한)인 자기계

3. 플럭스게이트(fluxgate) “기술”을 이용하고 감도가 1 Hz의 주파수에서 10 pT (rms)/[eqn: rm root{Hz}]이하(보다 우수한)인 자기계

4.유도 코일형 “자기계”로서 감도가 다음 기준 중 하나 미만인(보다 우수한) 것

a. 1Hz 미만의 주파수에서 0.05nT rms /[eqn: rm root{Hz}]

b. 1Hz～10Hz 주파수에서 1×10-3 nT rms /[eqn: rm root{Hz}]

c. 10Hz 초과의 주파수에서 1×10-4 nT rms /[eqn: rm root{Hz}]

5.  광섬유 “자기계”로서 감도가 1nT rms /[eqn: rm root{Hz}] 미만인(보다 우수한) 것

b. 수중전기장 센서로서 감도가 1H에서 측정했을때 8 nanovolt /[eqn: rm root{Hz}] 미만(보다 우수한)일 때

c. “자기경도측정기”로서 다음의 것

1. 6A006.a.에 의해 수출통제가 되는 복합“자기계”를 사용하는 “자기경도측정기”

2. 광섬유 “고유 자기경도측정기”로서 자기경도가 있는 자계에서의 감도가 0.3nT/m rms /[eqn: rm root{Hz}] 미만인(보다 우수한) 것

3. 광섬유“기술” 이외의 기타 “기술”을 이용한 고유 자기경도측정기로서 경도가 있는 자계에서의 감도가 0.015nT/m rms /[eqn: rm root{Hz}] 미만인(보다 우수한)것

d. 통제 파라미터인 6A006.a., 6A006.b., 또는 6A006.c.의 통제 이상의 성능을 산출하는 자성센서 또는 수중전기장센서의 "보상시스템"

기술해설

6A006을 목적으로, 감도(잡음레벨)는 측정할 수 있는 가장 낮은

신호로서 디바이스에 의해 제한된 기저잡음의 제곱평균(rms)이다.

e. 6A006.a에서 규정된 자기장 센서나 혹은 6A006.b에서 규정된 전기장 센서를 채용한 수중 전자기장 수신기

중력계 및 중력경도계로 다음의 것

주의 : 6A107또한 참조 할 것

a. 지상용으로 설계되거나 수정된 중력계로서 정지상태에서 10μgal 미만의(보다 우수한) 정확도를 가진 것

주 6A007.a는 수정소자(Worden)형의 중력계(ground gravity meters)는 통제하지 않는다.

b. 이동할 수 있도록 설계된 중력계로서, 다음 특성을 모두 가진 것

1. 정지상태에서 0.7mgal 미만의(보다 우수한) 정확도를 갖고

2. 부수적인 교정 보상과 움직임 영향을 함께 고려한 임의의 상태 하에서 사용 중(작동 중) 정확도가 0.7milligal 미만(보다 우수한)이고 정상상태등록시간 (time-to-steady-state registration)가 2분 미만인 것

c. 중력 경도계

레이더 시스템, 장비 및 조립품으로서 다음 중 하나의 특징을 갖는 것, 그리고 이를 위해 전용 설계된 부품

주의 : 6A108또한 참조 할 것

주  6A008은 다음을 통제하지 않는다.

a. 2차 감시 레이더(SSR)

b. 민간용 자동차 레이더

c. 항공교통통제용(ATC)으로 쓰이는 디스플레이나 모니터

d. 기상용 레이더

e. 국제민간항공기구(ICAO) 규격에 일치하는 정밀진입레이다 (PAR)와 전자적으로 조장되는 선형 배열이나 혹은 기계적으로 위치된 수동 안테나

a. 동작 주파수가 40GHz～230GHz이고, 평균 출력이 다음 특성 중 하나에 해당하는 것

1. 평균 출력이 100mW를 초과하는 것; 또는

2. 위치 정확도 범위가 1m이거나 그 이상으로 정확하고 방위각이 0.2도거나 그이상으로 정확한 것

b. 동조 가능한 대역이 중심 동작주파수의 ±6.25% 를 초과하는 것

기술해설

중심 동작주파수는 특정 동작주파수의 최대치와 최저치 합의 절반이다.

c. 2개 이상의 반송주파수로 동시 작동 가능한 것

d. 합성개구면(SAR), 역합성개구면(ISAR) 레이더 모드 또는 측면감시 항공용 레이더(SLAR) 모드로 작동 가능한 것

e. 전자적으로 조종되는 배열 안테나를 부착한 것

f. 비동조표적의 고도 판별이 가능한 것

g. 공중 작동용(풍선 또는 기체)으로 전용 설계되고 이동표적 탐지를 위해 도플러 “신호처리”를 하는 것

h. 다음 중 하나의 기술을 사용하여 레이더 신호처리를 하는 것[민감]

1. “레이더 확산 스펙트럼” 기술

2. “레이더 주파수 민첩성” 기술

i. 지상 작동용으로 최대 “계측 범위(instrumented range)”가 185km를 초과하는 것

주 6A008.i는 다음을 통제하지 않는다.

a. 어군 탐지 레이더

b. 정규(enroute) 항공교통 관제를 위해 전용 설계된 지상레이더 장비로서 다음의 조건 모두를 만족하는 것

1. 최대 ”계측 범위”가 500km 이하

2. 레이더 표적 자료가 레이더 설치장소에서 1개 이상의 민간 ATC센타로 단지 1개의 통로(WAY)로만 전송되어질 수 있도록  배치된 것

3. ATC센타(Enroute ATC)에서 레이더 탐색 속도(Scan rate)의 원격조정을 하기 위한 설비가 없을 것

4. 영구적으로 설치되어진 것

c. 기상기구 추적 레이더

j. “레이저” 레이더 또는 빛 탐지 레이더(Light Detection and Ranging (LIDAR)) 장비로서 다음 중 하나의 것

1. “우주용”

2.  헤테로다인(heterodyne) 탐지(detection) 또는 호모다인(homodyne) 탐지기술을 사용하고, 20μrad 미만의(보다 우수한) 각도분해능을 가진 것 또는

주 6A008.j는 기상관측용 혹은 관찰용으로 전용 설계된 LIDAR 장비는 통제하지 않는다.

3. 국제수로기구(IHO)에서 수로측량용으로 규정(2008년 2월 5판)한 1a등급 또는 그 이상의 성능으로 항공기에 탑재하여 등심선 해안측량을 위해 설계된, 그리고 400nm 초과 600nm 이하의 파장을 갖는 레이저를 하나 이상 이용하기 위해 설계된 (LIDAR)

주1 측량용으로 전용 설계된 LIDAR 장비는 오직 6.A.8.j.3에 의해서 통제된다.

주2 6A008.j는 기상관측용으로 전용 설계된 LIDAR 장비는 통제하지 않는다.

주3 2008년 2월 국제수로기구 규정(5판) 1등급의 파라미터를 정리하면 다음과 같다:

▪수평 정확도 (95% 신뢰도) = 5m + 깊이의 5%

▪깊이 정확도 (95% 신뢰도) = ±√(a2+(b*d)2) 여기서

a = 0.5 m = 깊이 오차(상수), 즉 모든 상수 깊이 오차의 합

b = 0.013 = 깊이-종속 오차 요소

b*d = 깊이-종속 오차, 즉 깊이-종속 오차의 합

d = 깊이

▪지형 검출

= 2m 초과 입방지형 (40m 깊이까지); 40m 이상의 깊이에서는 깊이의 10% 초과 입방지형

k. “펄스압축”을 이용한 “신호처리” 서브시스템으로서 다음 중 하나의 것

1. “펄스압축” 비율이 150을 초과하는 것

2. 펄스의 폭이 200ns 미만인 것

l. 데이터처리 서브시스템(sub system)으로서 다음 중 하나의 것

1. “자동표적추적” 기술로, 안테나 회전 중에 다음 안테나 빔 통과시간보다 먼저 표적 위치를 예견하는 것; 혹은

주  6A008.l.1은 ATC 시스템에서의 충돌경보기능이나, 해상용 혹은 항만용 레이더는 통제하지 않는다.

2. 삭 제

3. 삭 제

4. 6A008.f 나 혹은 6A008.i에서 규정된 단위 센서의 특성 이상으로 종합적인 성능을 향상할 목적으로 6초안에 2개 이상의 “지리적으로 분산”되고 “상호 연결된 레이더 센서”로부터의 표적 데이터를 표적강화와 식별을 목적으로 중첩(superposition)하고 상호 관련(correlation)시키는 것 혹은  융합(fusion) 시키도록 구성된 것.

주의: ML5.b 참조

핵폭발의 영향(전자기파 펄스(EMP), X선, 열폭풍 등)으로부터 보호하기 위해 전용 설계 또는 개조되었으며, “미사일”로 사용될 수 있으며, 총 방사량 5x105 rads (Si) 이상의 방사선에 견딜 수 있도록 설계 또는 정격화 된 내방사선(radiation hardened) 탐지기(detector)  (6A002해당품목 제외)

기술해설:

6A102에서 ‘감지기(Detector)’는 환경변화(압력 또는 온도변화, 전기적 또는 전자기적 신호의 변화, 방사선 소재로부터 방사되는 방사선량의 변화)와 같은 자극(stimulus)을 자동적으로 인식하고 기록하며, 이들 자료를 보관하는 기계, 전기, 광학 또는 화학 장치로 정의된다. 이는 1회 작동 또는 실패에 의해 탐지되는 장치를 포함한다.

중력측정계(gravimeters) 및 관련 부품, 중력경사계(gravity gradio meter)로서 다음의 것

a. 항공 또는 해양용으로 설계되거나 개조된 중력측정계로서 정지 또는 작동시의 정확도가 7×10-6 m/sec² (0.7milligal) 이하(보다 우수한)이고 정상상태 도달시간이 2분 이내의 특성을 갖는 것(6A007.b에 명시된 것은 제외)

b. 6A007.b 또는 6A107.a에서 명시된 중력측정계와 6A007.c.에서 명시된 중력경사계를 위해 전용 설계된 부품

레이더 시스템과 추적시스템으로서 다음의 것 (6A008해당품목 제외)

a. 9A004에 명시된 우주 발사체 또는 9A104에 명시된 관측용 로켓 사용을 위해 설계되거나 개조된  레이더 및 레이져 레이더 시스템

주 : 6A108.a.은 다음을 포함한다.

a. 지형윤곽 대조장비(TERCOM 장비)

b. 영상감지기

c. 영상대조장비(디지털 및 아날로그 장비 모두 포함)

d. 도플러 항법 레이더 장비

b. ‘미사일용’으로 사용될 수 있는 정밀추적시스템으로서 다음의  것

1. 비행위치 및 속도를 실시간으로 측정하여 제공하기 위해 지상 혹은 공중 좌표계, 또는 위성 항법시스템과 연계한 부호 중계기를 사용하는 추적시스템

2. 광학/적외선 추적장치를 장착하고 아래의 모든 성능을 보유하고 있는 거리측정 레이더

a. 각 해상도가 1.5 mili-radian이거나 이보다 우수한 것

b. 10m rms보다 우수한 거리 해상도를 유지하면서 30km이상인 것;

c. 3m/sec 보다 우수한 속도 해상도

기술해설:

6A108.b.에서 ‘미사일(missile)’이란 300km이상을 이동할 수 있는 완성 로켓 시스템이나 무인 항공기 시스템을 의미한다.

광전자증배관(Photomultiplier tube)으로서 다음의 두 가지 특성을 모두 갖는 것

a. 20㎠를 초과하는 광전 음극 면적을 갖는 것, 그리고

b. 1 ns 미만의 양극 펄스 상승 시간( rise time)을 갖는 것

카메라 및 부품으로서 다음의 것 (6A003해당품목 제외)

a. 기계식 회전거울카메라 및 이를 위해 전용 설계된 부품 중 다음의 것

1. 프레이밍(framing) 카메라로 촬영속도가 초당 225,000 frame을 초과하는 것

2. 스트릭(streak) 카메라로 촬영속도가 0.5mm/μs를 초과하는 것

주: 6A203.a에서 이들 카메라의 부품에는 동기 전자 유닛트와 터빈, 거울, 및 베어링으로 구성된 로터 집합체가 포함된다.

b. 전자스트릭(Electronic streak) 및 전자프레이밍(electric framing) 카메라, 관(tube) 및 장치로서 다음의 것

1. 50ns 이하의 시간분해(time resolution) 능력을 가진 전자  스트릭 카메라

2. 6A203.b.1.에 명시된 카메라를 위한 스트릭 관(streak tube)

3. 전자(또는 전자적으로 셔터되는) framing 카메라로 50 ns 이하의 frame노출 시간 능력이 되는 것

4. 6A203.b.3.에 명시된 카메라와 함께 사용되는 framing 튜브 및 고체촬상소자(solid-state imaging devices)로 다음의 것

a. 근거리 초점의 영상증배관(proximity focused image intensifier tubes)으로서 광음극판저항(photocathode sheet resistance)을 줄이기 위하여 코팅한 광전도막(transparent conductive)위에 광전음극(photocathode) 증착한 것

b. 광전자가 실리콘 강화 타깃(silicon intensifier target, SIT)에 도달하기 전에 광전음극으로부터 광전자의 게이팅을 허용하는 고속시스템인 경우, 게이트 실리콘 강화타깃(SIT)의 촬상관(vidicon tubes)

c. 커셀 또는 포커셀(Kerr or pockels cell)을 사용한 전기광 셔터링(electro-optical shuttering)

d. 6A203.b.3.에서 명시한 카메라를 위하여 전용 설계된 50ns 미만의 고속영상 케이팅시간을 갖는 기타의 프레임튜브 및 고체촬상소자

c. 방사선에 견디는 TV 카메라 또는 이를 위한 렌즈로서, 작동저하 없이 5×104Gy(silicon)(5 x 106 rad (silicon))을 초과하는 총방사선량을 견딜 수 있도록 전용 설계되거나 방사선경화 (radiation hardened)등급을 받은 것

기술해설 :

Gy(silicon)란 이온화된 방사능에 노출되었을 때 차폐되지 않은  실리콘 샘플이 흡수한 kg당 Joules의 에너지를 의미한다.

“레이저”와 “레이저” 증폭기와 발진기 (0B001.g.5, 0B001.h.6 그리고 6A005 해당품목 제외)로서 다음의 것

a. 이온 “레이저”(아르곤이온레이저)로서 다음 두 가지 특성을 지닌 것

1. 400nm~515nm 사이의 파장으로 작동하며

2. 40W 이상의 평균출력의 것

b. 동조가능 펄스 단일모드 색소 (single-mode dye) 레이저 발진기로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 300nm~800nm 사이의 파장으로 작동하며

2. 평균출력이 1W를 초과하고

3. 반복률이 1kHz를 초과하는, 그리고

4. 펄스폭이 100ns 미만인 것

c. 동조가능 색소(dye) 레이저증폭기와 발진기로 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 300~800nm 사이의 파장으로 작동하며

2. 평균출력 30W 초과하고

3. 반복률이 1 kHz를 초과하는, 그리고

4. 펄스폭이 100 ns 미만의 것

주: 6A205.c.는 단일모드(single-mode) 발진기는 통제하지 않는다.

d. 펄스 이산화탄소 “레이저”로서 다음의 특성을 모두 갖는 것

1. 9000~11000nm사이의 파장으로 작동하며

2. 반복률이 250Hz를 초과하고

3. 평균출력이 500W를 초과하는, 그리고

4. 펄스폭이 200 ns 미만의 것

e. Para-hydrogen Raman shifter로 16㎛ 출력파장에서 작동되며 반복률이 250Hz를 초과하는 것.

f. 출력파장이 1000nm초과 ~ 1,100nm이하인 네이디뮴이 도핑된(유리 제외) “레이저”로 다음 중 하나의 특징을  가진 것

1. 1ns 이상의 펄스기간을 갖고, 펄스여기식이며 Q-스위치식으로서 다음 중 하나의 특징을 갖는 것

a. 평균출력이 40W 이상인 단일 횡모드출력 이나

b. 평균출력이 50W 이상인 다중 횡모드출력

2. 평균출력이 40W 이상이고 주파수 증배를 통하여 출력파장을 500 ~ 550 nm로 제공하는 것

10μs 미만의 시간간격 동안에 초당 1km를 초과하는 속도를 측정하는 속도간섭계 (velocity interferometer)

주: 6A225는 어떠한 반사체에 대한 속도간섭계 시스템(VISARs: Velocity interferometer systems for any reflector) 및 도플러 레이저 간섭계(DLIs : Doppler Laser interferometers)와 같은 속도 간섭계를 포함한다.

압력 센서로서 다음의 것

a. 10 GPa를 초과하는 압력을 위한 망간 게이지

b. 10 GPa를 초과하는 압력을 위한 수정(Quartz)압력 변환기

시험, 검사 및 생산용 장비

음향기기 (해당 없음)

광센서 (해당 없음)

카메라 (해당 없음)

광학기구

광학기기로서 다음과 같은 것

a. 반사율의 절대값을 반사값의 ±0.1%의 정밀도로 측정하는 장비

b. 광표면 산란측정장비 이외의 장비로서 10cm를 초과하는 명료한 구경을 갖고, 요구되는 형상을 2nm 이하의 “정밀도”로 비평면 광표면형상의 비접촉 광학측정을 위해 전용 설계된 것

주 6B004는 현미경을 통제하지 아니한다.

레이저 (해당 없음)

자기장 및 전기장 센서류 (해당 없음)

중력계류

지상용 중력계의 제조 및 조절장치로서 정지상태의 정확도가 0.1mgal 보다 우수한 것

레이더

펄스레이더 단면측정시스템으로서 송신 펄스폭이 100ns 이하이고 전용 설계된 부품

주의 : 6B108 참조

미사일과 미사일 하부시스템에 사용될 수 있고 레이더 피사면적(RCS) 측정용으로 전용 설계된 시스템(6b008 제외)

기술해설:

6A108.b.에서 ‘미사일(missile)’이란 300km이상을 이동할 수 있는 완성 로켓 시스템이나 무인 항공기 시스템을 의미한다.

소재

음향기기 (해당 없음)

광센서

광센서 소재로서 다음과 같은 것

a. 텔루륨(Te) 원소(elemental tellurium)로서 그 순도가 99.9995% 이상인 것

b. 단결정(에피텍시얼 웨이퍼 포함)으로 다음 중 하나의 것

1. 아연 함량이 몰비 (mole fraction) 6% 미만인 텔루르화아연카드뮴(CdZnTe),

2. 순도 수준과 관계없이 모든 텔루르화카드뮴(CdTe) 또는

3. 순도 수준과 관계없이 모든 텔루르화수은카드뮴(HgCdTe)

기술해설

몰비는 결정체에 있는 CdTe와 ZnTe의 몰의 합에 대한 ZnTe의 몰의 비율로 정의된다.

카메라 (해당 없음)

광학기구

광학 소재

a.  화학기체증착 공정(CVD)에 의해 제조된 셀렌화아연(Zinc selenide (ZnSe)) 및 황화아연(zinc sulphide (ZnS)) “블랭크 기판(substrate blanks)”으로서 다음 중 하나의 것

1. 체적이 100 ㎤을 초과하는 것

2. 두께가 20mm이상이고 직경 80mm를 초과하는 것

b. 전자광학 및 비선형 광물질로서 다음의 것

1. 비소산티탄닐칼륨 (Potassium titanyl arsenate,KTA) (CAS 59400-80-5);

2. 셀렌화칼륨은 (Silver gallium selenide, AgGaSe2 ) (CAS 12002-67-4); 혹은

3. 셀렌화탈륨비소 (Thallium arsenic selenide, Tl3AsSe3/TAS) (CAS 16142-89-5);

4. 인화아연게르마늄 ( ZGP, 또는 이중인화아연게르마늄로 알려진, ZnGeP2); 혹은

5. 센렌화갈륨 (GaSe) (CAS 12024-11-2);

c. 6C004.b에 의해 정해진 것이 아닌 비선형 광학 재료로서 다음 중 하나의 것

1. 다음 모두의 특성을 갖는 것:

a. 능동 (비정지 상태로 알려진) 제3차 자화율(□(3), x3)이 10-6m2/V2 이상인 것;

b. 응답시간이 1ms 미만인 것; 또는

2. 이차 비선형 자화율 (□(2), x2 )이 3.3x10-11m/V 이상인 것;

d.  탄화실리콘 또는 베릴륨-베릴륨(Be/Be)으로 만든 “블랭크 기판”으로 장축 또는 지름이 300mm를 초과하는 것

e. 광학유리(용융 실리카, 인산유리, 형광인산유리, 플루오르화지르코늄(ZrF4)(CAS 7783-64-4), 플루오르화하프늄(HfF4)(CAS 13709-52-9) 포함)로서 다음 모두의 것

1. 5ppm미만의 수산화 이온(OH-) 농도

2. 융합된 금속 순도 수준이 1ppm 미만인 것

3. 5×10-6 미만의 높은 동질성 (굴절율 변위)

f. 인조 다이아몬드 재료로 200nm초과～14,000nm이하의 파장범위에서 흡수계수가 10-5cm-1 미만인 것

레이저

미완성 형태의 합성된 결정성 “레이저” 주 재료로서 다음의 것

a. 티타늄이 도핑된 사파이어

b. 삭제(Not used since 2012)

자기장 및 전기장 센서류 (해당 없음)

중력계류(해당 없음)

레이더(해당 없음)

소프트웨어

6A004, 6A005, 6A008, 또는 6B008 에 의해 통제되는 장비의

“개발” 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

6A002.b, 6A008, 또는 6B008에 의해 통제되는 설비의 “사용”을

위해 전용 설계된 “소프트웨어”

기타 “소프트웨어”로서 다음의 것

음향기기류

a. “소프트웨어”로서 다음의 것

1. 예인수중청음기 배열을 사용하는 수동수신용 음향데이터를 “실시간 처리”하기 위한 음향빔의 형성을 위해 전용 설계된 “소프트웨어“

2. 예인수중청음기 배열을 사용하는 수동수신용 음향데이터의 “실시간 처리”를 위한 “소스코드”

3. 해저 또는 항만케이블 시스템을 사용하는 수동수신용 음향데이터를 “실시간 처리”하기 위한 음향빔의 생성을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

4. 해저 또는 항만케이블 시스템을 사용하는 수동수신용 음향데이터를 “실시간 처리”하기 위한 “소스코드”

5. 다음의 모든 것을 위한 소프트웨어나 소스코드

a. 6A001.a.1.e.에 규정된 소나 시스템으로부터의 음향데이터를 실시간 처리하는 것

b. 다이버나 수영자의 위치를 자동적으로 감지하고 분류하고 정하는 것

주의: 군사용으로 특별히 설계되거나 수정된 다이버 검지용 소프트웨어나 소스코드에 대해서는 군수품 목록 참조

b. 삭제

c. 6A002.a.3.f.에서 통제하는 “초점면배열”에 내장된 카메라와 6A003.b.4. Note 3.a의 프레이속도 한계를 극복한 카메라 및 카메라의 프레임속도가 그 한계를 초과하도록 설계되거나 개조된 소프트웨어

d. 삭제

e. 삭제

f. 다음과 같은 소프트웨어

1. 이동대 (platform)의 작동을 위해 설계된 자기센서를 사용하는 자기보상 시스템용으로 전용 설계된 소프트웨어

2. 이동대에서 자기적 이상 검출을 위해 전용 설계된 소프트웨어

3. 6A006.e에 규정된 수중 전자기장 수신기를 사용한 전자기장 데이터의 실시간 처리를 위해 특별히 설계된 소프트웨어;

4. 6A006.e에 규정된 수중 전자기장 수신기를 사용한 전자기장 데이터의 실시간 처리를 위한 소스 코드

g. 중력계 또는 중력 경도계의 움직임 영향을 보정하기 위해 전용 설계된 소프트웨어

h. 다음과 같은 소프트웨어

1. 4개 이상의 주 레이다로 부터 포적 레이다 데이터를 수용할 수 있고 항공교통통제센터에 위치한 범용 컴퓨터에 탑재되도록 설계된 항공교통통제 (ATC) 소프트웨어 응용 프로그램.

2. 레이돔(Radome)의 생산 또는 설계를 위한 소프트웨어로서 다음의 것

a. 6A008.e에 명시되는 전자조정 위상배열 안테나를 보호하기 위해 전용 설계된 것, 그리고

b. 주(main) 빔의 피크치보다 40dB 이상의 “평균측면로브레벨(Average side-lobe level)”의 안테나 패턴을 갖는

기술해설:

6D003.h.2.b.에서 평균측면로브레벨은 주된 빔과 주된 빔의 처음 양쪽 2개 측면로브의 각범위를 제외한 전체 어레이에서 측정된다.

6A108에 명시된 물품의 사용을 위하여 전용 설계되거나 개조된 소프트웨어

비행후 기록된 데이터를 분석해서, 전 비행 구간에서 비행체의 위치를 알아낼 수 있는 분석 소프트웨어로서 미사일용으로 전용 설계되거나 개조된 것

기술해설:

6D103에서 미사일(missile)이란 비거리가 300km를 초과하는 완전한 로켓 시스템이나 무인 항공기 시스템을 의미한다.

기 술

상기 6A, 6B, 6C, 또는 6D에 의해 통제되는 장비, 재료 또는 “소프트웨어”의 “개발”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

상기 6A, 6B, 또는 6C 에 의해 통제되는 장비 또는 재료의 “생산”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

기타 “기술”로서 다음의 것

a. 다음과 같은 기술;

1. 직경 또는 주축거리가 500mm 이상이고, 광학 두께의 99.5%이상의(보다 우수한) 균질성을 가지면서 전체손실(흡수 및 산발)이 5×10-3미만으로 유지하는데 필요한 광학 표면코팅 및 처리 기술

Technical Note

광학두께는 굴절률의 산술적 수치와 코팅의 물리적 두계를 의미한다.

2.  0.5㎡을 초과하는 비평면 표면에서 10nm rms 보다 우수한 표면 마무리 정확도를 나타내는 단일점 다이아몬드 세공기술(turning techniques)을 사용한 광학적 제조기술

b. 레이저류(SHPL 빔에 의해 조사된 소재의 시험, 평가 또는 SHPL 시험을 위해 전용 설계된 진단 장비 또는 시험설비에서의 표적의 개발, 생산, 또는 사용에 필요한 기술)

6A002, 6A007.b, 6A007.c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 또는 6D103  항목에 명시되는 장비 또는 소프트웨어의 사용을 위한 일반기술해설에 따른 기술

주: 6E101에서 공중용으로 설계되고 미사일에 사용할 수 있는 6A008에 명시된 장비를 위한 기술에만 적용된다.

6A003, 6A005.a.2., 6A005.b.2., 6A005.b.3., 6A005.b.4., 6A005.b.6., 6A005.c.2., 6A005.d.3.c., 6A005.d.4.c., 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 또는 6A226. 항목에 기술된 품목의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”을 위한 기술제어에 적용되는 “기술”

CATEGORY 6 - SENSORS AND LASERS

Systems, Equipment and Components

Acoustics:

a. Marine acoustic systems, equipment and specially designed components therefor, as follows:

1. Active (transmitting or transmitting-and-receiving) systems, equipment and specially designed components therefor, as follows:

Note : 6A001.a.1. does not control:

a. Depth sounders operating vertically below the apparatus, not including a scanning function exceeding ± 20°, and limited to measuring the depth of water, the distance of submerged or buried objects or fish finding;

b. Acoustic beacons, as follows:

1. Acoustic emergency beacons;

2. Pingers specially designed for relocating or returning to an underwater position.

a. Acoustic seabed survey equipment as follows:

1. Surface vessel survey equipment designed for seabed topographic mapping and having all of the following:

a. Designed to take measurements at an angle exceeding 20° from the vertical;

b. Designed to measure seabed topography at seabed depths exceeding 600 m;

c. 'Sounding resolution' less than 2; and

d. 'Enhancement' of the depth accuracy through compensation for all the following:

1. Motion of the acoustic sensor;

2. In-water propagation from sensor to the seabed and back; and

3. Sound speed at the sensor;

Technical Notes

1. 'Sounding resolution' is the swath width (degrees) divided by the maximum number of soundings per swath.

2. 'Enhancement' includes the ability to compensate by external means.

2. Underwater survey equipment designed for seabed topographic mapping and having any of the following:

Technical Note

The acoustic sensor pressure rating determines the depth

rating of the equipment specified in 6A001.a.1.a.2.

a. Having all of the following:

1. Designed or modified to operate at depths

exceeding 300 m; and

2. 'Sounding rate' greater than 3,800; or

Technical Note

'Sounding rate' is the product of the maximum speed

(m/s) at which the sensor can operate and the maximum

number of soundings per swath assuming 100%

coverage.

b. Survey equipment, not specified in 6A001.a.1.a.2.a.,

having all of the following:

1. Designed or modified to operate at depths exceeding 100 m;

2. Designed to take measurements at an angle exceeding 20° from the vertical;

3. Having any of the following:

a. Operating frequency below 350 kHz; or

b. Designed to measure seabed topography at a range exceeding 200 m from the acoustic sensor; and

4. 'Enhancement' of the depth accuracy through compensation of all of the following:

a. Motion of the acoustic sensor;

b. In-water propagation from sensor to the seabed and back; and

c. Sound speed at the sensor.

3. Side Scan Sonar (SSS) or Synthetic Aperture Sonar (SAS),designed for seabed imaging and having all of the following:

a. Designed or modified to operate at depths exceeding

500 m;

b. An 'area coverage rate' of greater than 570 m2/s while operating at the maximum range that it can operate with an 'along track resolution' of less than 15 cm; and

c. An 'across track resolution' of less than 15 cm;

Technical Notes

1. 'Area coverage rate' (m2/s) is twice the product of

the sonar range (m) and the maximum speed (m/s) at which the sensor can operate at that range.

2. 'Along track resolution' (cm), for SSS only, is the

product of azimuth (horizontal) beamwidth

(degrees) and sonar range (m) and 0.873.

3. 'Across track resolution' (cm) is 75 divided by the

signal bandwidth (kHz).

b. Systems or transmitting and receiving arrays, designed for object detection or location, having any of the following:

1. A transmitting frequency below 10 kHz;

2. Sound pressure level exceeding 224 dB (reference 1 μPa at 1 m) for equipment with an operating frequency in the band from 10 kHz to 24 kHz inclusive;

3. Sound pressure level exceeding 235 dB (reference 1 μPa at 1 m) for equipment with an operating frequency in the band between 24 kHz and 30 kHz;

4. Forming beams of less than 1° on any axis and having an operating frequency of less than 100 kHz;

5. Designed to operate with an unambiguous display range exceeding 5,120 m; or

6. Designed to withstand pressure during normal operation at depths exceeding 1,000 m and having transducers with any of the following:

a. Dynamic compensation for pressure; or

b. Incorporating other than lead zirconate titanate as the transduction element;

c. Acoustic projectors, including transducers, incorporating piezoelectric, magnetostrictive, electrostrictive, electrodynamic or hydraulic elements operating individually or in a designed combination, having any of the following:

Note 1: The control status of acoustic projectors, including transducers, specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.

Note 2: 6A001.a.1.c. does not control electronic sources which direct the sound vertically only, or mechanical (e.g., air gun or vapour- shock gun) or chemical (e.g., explosive) sources.

1. An instantaneous radiated 'acoustic power density' exceeding 0.01 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz;

2. A continuously radiated 'acoustic power density' exceeding 0.001 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz; or

Technical Note:

'Acoustic power density' is obtained by dividing the output acoustic power by the product of the area of the radiating surface and the frequency of operation.

3. Side-lobe suppression exceeding 22 dB;

d. Acoustic systems and equipment, designed to determine the position of surface vessels or underwater vehicles and having all of the following, and specially designed components therefor:

1. Detection range exceeding 1,000 m; and

2. Positioning accuracy of less than 10 m rms (root mean square) when measured at a range of 1,000 m;

Note: 6A001.a.1.d. includes:

a. Equipment using coherent "signal processing" between two or more beacons and the hydrophone unit carried by the surface vessel or underwater vehicle;

b. Equipment capable of automatically correcting speed-of-sound propagation errors for calculation of a point.

e. Active individual sonars, specially designed or modified to detect, locate and automatically classify swimmers or divers, having all of the following:

1. Detection range exceeding 530 m;

2. Positioning accuracy of less than 15 m rms (root mean square) when measured at a range of 530 m; and

3. Transmitted pulse signal bandwidth exceeding 3 kHz;

N.B. For diver detection systems specially designed or modified for military use, see the Munitions List.

Note For 6A001.a.1.e., where multiple detection ranges are specified for various environments, the greatest detection range is used.

2. Passive systems, equipment and specially designed components therefor, as follows:

Note : The status of hydrophones specially designed for other equipment is determined by the status of the other equipment.

Technical Note

Hydrophones consist of one or more sensing elements producing a single acoustic output channel. Those that contain multiple elements can be referred to as a hydrophone group.

a.	Hydrophones having any of the following:

1. Incorporating continuous flexible sensing elements;

2. Incorporating flexible assemblies of discrete sensing elements with either a diameter or length less than 20 mm and with a separation between elements of less than 20 mm;

3. Having any of the following sensing elements:

a. Optical fibres;

b. 'Piezoelectric polymer films' other than polyvinylidene- fluoride (PVDF) and its co-polymers {P(VDF-TrFE) and P(VDF-TFE)}; or

c. 'Flexible piezoelectric composites';

4. A 'hydrophone sensitivity' better than -180 dB at any depth with no acceleration compensation;

5. When designed to operate at depths exceeding 35 m with acceleration compensation; or

6. Designed for operation at depths exceeding 1,000 m;

Technical Notes:

1. 'Piezoelectric polymer film' sensing elements consist of polarised polymer film that is stretched over and attached to a supporting frame or spool (mandrel).

2. 'Flexible piezoelectric composite' sensing elements consist of piezoelectric ceramic particles or fibres combined with an electrically insulating, acoustically transparent rubber, polymer or epoxy compound, where the compound is an integral part of the sensing elements.

3. 'Hydrophone sensitivity' is defined as twenty times the logarithm to the base 10 of the ratio of rms output voltage to a 1 V rms reference, when the hydrophone sensor, without a pre-amplifier, is placed in a plane wave acoustic field with an rms pressure of 1 μPa. For example, a hydrophone of -160 dB (reference 1 V per μPa) would yield an output voltage of 10-8 V in such a field, while one of -180 dB sensitivity would yield only 10-9 V output. Thus, -160 dB is better than -180 dB.

b. Towed acoustic hydrophone arrays having any of the following:

Technical Note

Hydrophone arrays consist of a number of hydrophones providing multiple acoustic output channels.

1. Hydrophone group spacing of less than 12.5 m or 'able to be modified' to have hydrophone group spacing of less than 12.5 m;

2. Designed or 'able to be modified' to operate at depths exceeding 35 m;

Technical Note:

'Able to be modified' in 6A001.a.2.b.1. and 2. means having provisions to allow a change of the wiring or interconnections to alter hydrophone group spacing or operating depth limits. These provisions are: spare wiring exceeding 10% of the number of wires, hydrophone group spacing adjustment blocks or internal depth limiting devices that are adjustable or that control more than one hydrophone group.

3. Heading sensors specified in 6A001.a.2.d.;

4. Longitudinally reinforced array hoses;

5. An assembled array of less than 40 mm in diameter;

6. Not used;

7. Hydrophone characteristics specified in 6A001.a.2.a.;

c. Processing equipment, specially designed for towed acoustic hydrophone arrays, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;

d. Heading sensors having all of the following:

1. An accuracy of better than ± 0.5°; and

2. Designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m;

e. Bottom or bay-cable hydrophone arrays having any of the following:

1. Incorporating hydrophones specified in 6A001.a.2.a.; or

2. Incorporating multiplexed hydrophone group signal modules having all of the following characteristics:

a. Designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m; and

b. Capable of being operationally interchanged with towed acoustic hydrophone array modules;

f. Processing equipment, specially designed for bottom or bay cable systems, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;

b. Correlation-velocity and Doppler-velocity sonar log equipment, designed to measure the horizontal speed of the equipment carrier relative to the sea bed, as follows:

1. Correlation-velocity sonar log equipment having any of the following characteristics:

a. Designed to operate at distances between the carrier and the sea bed exceeding 500 m; or

b. Having speed accuracy better than 1% of speed;

2. Doppler-velocity sonar log equipment having speed accuracy better than 1% of speed.

Note 1 6A001.b. does not apply to depth sounders limited to any of the following:

a. Measuring the depth of water;

b. Measuring the distance of submerged or buried objects; or

c. Fish finding.

Note 2 6A001.b. does not apply to equipment specially designed for installation on surface vessels.

c. Not used

N.B.: For diver deterrent acoustic systems, see 8A002.r.

Optical sensors

N.B.: SEE ALSO 6A102.

a. Optical detectors, as follows:

1. "Space-qualified" solid-state detectors as follows:

a. "Space-qualified" solid-state detectors, having all of the following:

1. A peak response in the wavelength range exceeding 10 nm but not exceeding 300 nm; and

2. A response of less than 0.1% relative to the peak response at a wavelength exceeding 400 nm;

b. "Space-qualified" solid-state detectors, having all of the following:

1. A peak response in the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1,200 nm; and

2. A response "time constant" of 95 ns or less;

c. "Space-qualified" solid-state detectors having a peak response in the wavelength range exceeding 1,200 nm but not exceeding 30,000 nm;

d. "Space-qualified" "focal plane arrays" having more than 2,048 elements per array and having a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900

Note	For the purpose of 6A002.a.1., solid-state detectors include "focal plane arrays".

2. Image intensifier tubes and specially designed components therefor, as follows:

Note 6A002.a.2. does not apply to non-imaging photomultiplier tubes having an electron sensing device in the vacuum space limited solely to any of the following:

a. A single metal anode; or

b. Metal anodes with a centre to centre spacing greater than 500 μm.

Technical Note

'Charge multiplication' is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionization gain process. 'Charge multiplication' sensors may take the form of an image intensifier tube, solid state detector or "focal plane array".

a. Image intensifier tubes having all of the following:

1. A peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1,050 nm;

2. Electron image amplification using any of the following:

a. A microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less; or

b. An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' other than by a microchannel plate; and

3. Any of the following photocathodes:

a. multialkali photocathodes(e.g., S-20 and S-25) having a luminous sensitivity exceeding 350 μA/lm;

b. GaAs or GaInAs photocathodes; or

c. Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W

Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.

b. Image intensifier tubes having all of the following:

1. A peak response in the wavelength range exceeding 1,050 nm but not exceeding 1,800 nm;

2. Electron image amplification using any of the following:

a. A microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less; or

b. An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' other than by a microchannel plate; and

3. "III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W

Note 6A002.a.2.b.3. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.

c. Specially designed components as follows:

1. Microchannel plates having a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less;

2. An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' other than by a microchannel plate;

3. "III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;

Note 6A002.a.2.c.3. does not apply to compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:

a. 10 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1,050 nm; or

b. 15 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 1,050 nm but not exceeding 1,800 nm.

3. Non-"space-qualified" "focal plane arrays", as follows:

N.B. 'Microbolometer' non-"space-qualified" "focal plane arrays" are only specified by 6A002.a.3.f.

Technical Notes:

Linear or two-dimensional multi-element detector arrays are referred to as "focal plane arrays";

Note 1: 6A002.a.3. includes photoconductive arrays and photovoltaic arrays.

Note 2 6A002.a.3. does not apply to:

a. Multi-element (not to exceed 16 elements) encapsulated photoconductive cells using either lead sulphide or lead selenide;

b. Pyroelectric detectors using any of the following:

1. Triglycine sulphate and variants;

2. Lead-lanthanum-zirconium titanate and variants;

3. Lithium tantalate;

4. Polyvinylidene fluoride and variants; or

5. Strontium barium niobate and variants.

c. "Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:

1. Incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and

2. Any of the following:

a. The response limiting mechanism is integral to or combined with the detector element; or

b. The "focal plane array" is only operable with the response limiting mechanism in place.

Technical Note

A response limiting mechanism integral to the detector element is designed not to be removed or modified without rendering the detector inoperable.

a. Non-"space-qualified" "focal plane arrays", having all of the following:

1. Individual elements with a peak response within the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1,050 nm; and

2. Any of the following:

a. A response "time constant" of less than 0.5 ns; or

b. Specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W.

b. Non-"space-qualified" "focal plane arrays", having all of the following:

1. Individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1,050 nm but not exceeding 1,200 nm; and

2. Any of the following:

a. A response "time constant" of 95 ns or less; or

b. Specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W.

c. Non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) "focal plane arrays", having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1,200 nm but not exceeding 30,000 nm;

N.B.: Silicon and other material based microbolometer non "space-qualified" "focal plane arrays" are only specified in 6A.002.a.3.f.

d. Non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays", having all of the following:

1. Individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1,200 nm but not exceeding 3,000 nm; and

2. Any of the following:

a. A ratio of scan direction dimension of the detector element to the cross-scan direction dimension of the detector element of less than 3.8; or

b. Signal processing in the detector element;

Note 6A002.a.3.d. does not apply to "focal plane arrays" (not to exceed 32 elements) having detector elements limited solely to germanium material.

Technical Note

For the purposes of 6A002.a.3.d., 'cross-scan direction' is defined as the axis parallel to the linear array of detector elements and the 'scan direction' is defined as the axis perpendicular to the linear array of detector elements.

e. Non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays", having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 3,000 nm but not exceeding 30,000 nm.

f. Non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) infrared "focal plane arrays" based on 'micro-bolometer' material having individual elements with an unfiltered response in the wavelength range equal to or exceeding 8,000 nm but not exceeding 14,000 nm.

Technical Note:

For the purposes of 6A002.a.3.f. 'micro-bolometer' is defined as a thermal imaging detector that, as a result of a temperature change in the detector caused by the absorption of infrared radiation, is used to generate any usable signal.

g. Non-"space-qualified" "focal plane arrays" having all of the following:

1. Individual detector elements with a peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 900 nm;

2. Specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and

3. Greater than 32 elements;

b. "Monospectral imaging sensors" and "multispectral imaging sensors" designed for remote sensing applications, having any of the following:

1. An Instantaneous-Field-Of-View (IFOV) of less than 200 μrad (microradians); or

Note	6A002.b.1. does not control "monospectral imaging sensors" with a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900 nm and only incorporating any of the following non –"space-qualified" detectors or non –"space-qualified" "focal plane arrays":

1.	Charge Coupled Devices (CCD) not designed or modified to

achieve 'charge multiplication'; or

2. Complimentary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) devices not designed or modified to achieve 'charge multiplication'.

2. Being specified for operation in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 30,000 nm and having all the following;

a. Providing output imaging data in digital format; and

b. Being any of the following:

1. "Space-qualified"; or

2. Designed for airborne operation, using other than silicon detectors, and having an IFOV of less than 2.5 mrad (milliradians).

c. 'Direct view' imaging equipment incorporating any of the following:

1. Image intensifier tubes having the characteristics listed in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b.;

2. "Focal plane arrays" having the characteristics listed in 6A002.a.3.; or

3. Solid state detectors specified by 6A002.a.1;

Technical Note

'Direct view' refers to imaging equipment that presents a visual image to a human observer without converting the image into an electronic signal for television display, and that cannot record or store the image photographically, electronically or by any other means.

Note 6A002.c. does not apply to equipment as follows, when incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes:

a. Industrial or civilian intrusion alarm, traffic or industrial movement control or counting systems;

b. Medical equipment;

c. Industrial equipment used for inspection, sorting or analysis of the properties of materials;

d. Flame detectors for industrial furnaces;

e. Equipment specially designed for laboratory use.

d. Special support components for optical sensors, as follows:

1. "Space-qualified" cryocoolers;

2. Non-"space-qualified" cryocoolers, having a cooling source temperature below 218 K (-55℃), as follows:

a. Closed cycle type with a specified Mean-Time-To-Failure (MTTF), or Mean-Time-Between-Failures (MTBF), exceeding 2,500 hours;

b. Joule-Thomson (JT) self-regulating minicoolers having bore (outside) diameters of less than 8 mm;

3. Optical sensing fibres specially fabricated either compositionally or structurally, or modified by coating, to be acoustically, thermally, inertially, electromagnetically or nuclear radiation sensitive;

Note: 6A002.d.3. does not control encapsulated optical sensing fibres specially designed for bore hole sensing applications.

Cameras

N.B.: SEE ALSO 6A203.

N.B.: For television and film-based photographic still cameras specially designed or modified for underwater use, see 8A00.2.d.1. and 8A002.e.

a. Instrumentation cameras and specially designed components therefor, as follows:

Note: Instrumentation cameras, specified in 6A003.a.3. to 6A003.a.5., with modular structures should be evaluated by their maximum capability, using plug-ins available according to the camera manufacturer's specifications.

1. High-speed cinema recording cameras using any film format from 8 mm to 16 mm inclusive, in which the film is  continuously advanced throughout the recording period, and that are capable of recording at framing rates exceeding 13,150 frames/s;

Note: 6A003.a.1. does not control cinema recording cameras designed for civil purposes.

2. Mechanical high speed cameras, in which the film does not move, capable of recording at rates exceeding 1,000,000 frames/s for the full framing height of 35 mm film, or at proportionately higher rates for lesser frame heights, or at proportionately lower rates for greater frame heights;

3. Mechanical or electronic streak cameras having writing speeds exceeding 10mm/μs;

4. Electronic framing cameras having a speed exceeding 1,000,000 frames/s;

5. Electronic cameras, having all of the following:

a. An electronic shutter speed (gating capability) of less than 1 μs per full frame; and

b. A read out time allowing a framing rate of more than 125 full frames per second.

6. Plug-ins, having all of the following characteristics:

a. Specially designed for instrumentation cameras which have modular structures and which are specified in 6A003.a.; and

b. Enabling these cameras to meet the characteristics specified in 6A003.a.3., 6A003.a.4., or 6A003.a.5., according to the manufacturer's specifications.

b. Imaging cameras, as follows:

Note: 6A003.b. does not control television or video cameras specially designed for television broadcasting.

1. Video cameras incorporating solid state sensors, having a peak response in the wavelength range exceeding 10 nm, but not exceeding 30,000 nm and having all of the following:

a. Having any of the following:

1. More than 4 x 106 "active pixels" per solid state array for monochrome (black and white) cameras;

2. More than 4 x 106 "active pixels" per solid state array for colour cameras incorporating three solid state arrays; or

3. More than 12 x 106 "active pixels" for solid state array colour cameras incorporating one solid state array; and

b. Having any of the following:

1. Optical mirrors controlled by 6A004.a.;

2. Optical control equipment controlled by 6A004.d.; or

3. The capability for annotating internally generated camera tracking data.

Technical Note:

1. For the purpose of this entry, digital video cameras should be evaluated by the maximum number of "active pixels" used for capturing moving images.

2. For the purpose of this entry, camera tracking data is the information necessary to define camera line of sight orientation with respect to the earth. This includes: 1) the horizontal angle the camera line of sight makes with respect to the earth's magnetic field direction and; 2) the vertical angle between the camera line of sight and the earth's horizon.

2. Scanning cameras and scanning camera systems, having all of the following:

a. A peak response in the wavelength range exceeding 10 nm, but not exceeding 30,000 nm;

b. Linear detector arrays with more than 8,192 elements per array; and

c. Mechanical scanning in one direction;

Note 6A003.b.2. does not control scanning cameras and scanning camera systems, specially designed for any of the following:

a. Industrial or civilian photocopiers;

b. Image scanners specially designed for civil, stationary, close proximity scanning applications (e.g., reproduction of images or print contained in documents, artwork or photographs); or

c. Medical equipment.

3. Imaging cameras incorporating image intensifier tubes specified in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b.;

4. Imaging cameras incorporating "focal plane arrays" having any of the following:

a. Incorporating "focal plane arrays" specified by 6A002.a.3.a. to 6A002.a.3.e.;

b. Incorporating "focal plane arrays" specified by 6A002.a.3.f.;

c. Incorporating "focal plane arrays" specified by 6A002.a.3.g.; or

Note 1 Imaging cameras specified by 6A003.b.4. include "focal plane arrays" combined with sufficient "signal processing" electronics, beyond the read out integrated circuit, to enable as a minimum the output of an analogue or digital signal once power is supplied.

Note 2 6A003.b.4.a. does not apply to imaging cameras incorporating linear "focal plane arrays" with 12 elements or fewer, not employing time-delay-and-integration within the element and designed for any of the following:

a. Industrial or civilian intrusion alarm, traffic or industrial movement control or counting systems;

b. Industrial equipment used for inspection or monitoring of heat flows in buildings, equipment or industrial processes;

c. Industrial equipment used for inspection, sorting or analysis of the properties of materials;

d. Equipment specially designed for laboratory use; or

e. Medical equipment.

Note 3 6A003.b.4.b. does not apply to imaging cameras having any of the following:

a. A maximum frame rate equal to or less than 9 Hz;

b. Having all of the following:

1. Having a minimum horizontal or vertical 'Instantaneous-Field-of-View (IFOV)' of at least 10 mrad/pixel (milliradians/pixel);

2. Incorporating a fixed focal-length lens that is not designed to be removed;

3. Not incorporating a 'direct view' display; and

4. Having any of the following:

a. No facility to obtain a viewable image of the detected field-of-view; or

b. The camera is designed for a single kind of application and designed not to be user modified; or

c. The camera is specially designed for installation into a civilian passenger land vehicle of less than 3 tonnes (gross vehicle weight) and having all of the following:

1. Is only operable when installed in any of the following:

a. The civilian passenger land vehicle for which it was intended; or

b. A specially designed, authorized maintenance test facility; and

2. Incorporates an active mechanism that forces the camera not to function when it is removed from the vehicle for which it was intended.

Technical Note

'Direct view' refers to an imaging camera operating in the infrared

spectrum that presents a visual image to a human observer using a

near-to-eye micro display incorporating any light-security mechanism.

Note 4 6A003.b.4.c. does not apply to 'imaging cameras' having any of the following characteristics:

a. Having all of the following:

1. Where the camera is specially designed for installation as an integrated component into indoor and wall-plug-operated systems or equipment, limited by design for a single kind of application, as follows:

a. Industrial process monitoring, quality control, or analysis of the properties of materials;

b. Laboratory equipment specially designed for scientific research;

c. Medical equipment;

d. Financial fraud detection equipment; and

2. Is only operable when installed in any of the following:

a. The system(s) or equipment for which it was intended; or

b. A specially designed, authorised maintenance facility; and

3. Incorporates an active mechanism that forces the camera not to function when it is removed from the system(s) or equipment for which it was intended;

b. Where the camera is specially designed for installation into a civilian passenger land vehicle of less than three tonnes (gross vehicle weight), or passenger and vehicle ferries having a length overall (LOA) 65 m or greater, and having all of the following:

1. Is only operable when installed in any of the following:

a. The civilian passenger land vehicle or passenger and vehicle ferry for which it was intended; or

b. A specially designed, authorised maintenance test facility; and

2. Incorporates an active mechanism that forces the camera not to function when it is removed from the vehicle for which it was intended;

c. Limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:

1. Incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and

2. Incorporates an active mechanism that forces the camera not to function when the response limiting mechanism is removed; and

3. Not specially designed or modified for underwater use; or

d. Having all of the following:

1. Not incorporating a 'direct view' or electronic image display;

2. Has no facility to output a viewable image of the detected field of view;

3. The "focal plane array" is only operable when installed in the camera for which it was intended; and

4. The "focal plane array" incorporates an active mechanism that forces it to be permanently inoperable when removed from the camera for which it was intended.

5. Imaging cameras incorporating solid-state detectors specified by 6A002.a.1.

Optics

a. Optical mirrors (reflectors), as follows:

N.B.: For optical mirrors specially designed for lithography equipment, see 3B001.

1. "Deformable mirrors" having either continuous or multi-element surfaces, and specially designed components therefor, capable of dynamically repositioning portions of the surface of the mirror at rates exceeding 100 Hz;

2. Lightweight monolithic mirrors having an average "equivalent density" of less than 30 kg/m2 and a total mass exceeding 10 kg;

3. Lightweight "composite" or foam mirror structures having an average "equivalent density" of less than 30 kg/m2 and a total mass exceeding 2 kg;

4. Beam steering mirrors more than 100 mm in diameter or length of major axis, which maintain a flatness of lambda/2 or better (lambda is equal to 633 nm) having a control bandwidth exceeding 100 Hz.

b. Optical components made from zinc selenide (ZnSe) or zinc sulphide (ZnS) with transmission in the wavelength range exceeding 3,000 nm but not exceeding 25,000 nm and having any of the following:

1. Exceeding 100 cm3 in volume; or

2. Exceeding 80 mm in diameter or length of major axis and 20 mm in thickness (depth).

c. "Space-qualified" components for optical systems, as follows:

1. Components Lightweighted to less than 20% "equivalent density" compared with a solid blank of the same aperture and thickness;

2. Raw substrates, processed substrates having surface coatings (single-layer or multi-layer, metallic or dielectric, conducting, semiconducting or insulating) or having protective films;

3. Segments or assemblies of mirrors designed to be assembled in space into an optical system with a collecting aperture equivalent to or larger than a single optic 1 m in diameter;

4. Components Manufactured from "composite" materials having a coefficient of linear thermal expansion equal to or less than 5 x 10-6 in any coordinate direction.

d. Optical control equipment, as follows:

1. Equipment specially designed to maintain the surface figure or orientation of the "space-qualified" components specified in 6A004.c.1. or 6A004.c.3.;

2. Equipment having steering, tracking, stabilisation or resonator alignment bandwidths equal to or more than 100 Hz and an accuracy of 10 μrad (microradians) or less;

3. Gimbals having all of the following:

a. A maximum slew exceeding 5°;

b. A bandwidth of 100 Hz or more;

c. Angular pointing errors of 200 μrad (microradians) or less; and

d. Having any of the following:

1. Exceeding 0.15 m but not exceeding 1 m in diameter or major axis length and capable of angular accelerations exceeding 2 rad (radians)/s2 or

2. Exceeding 1 m in diameter or major axis length and capable of angular accelerations exceeding 0.5 rad (radians)/s2

4. Specially designed to maintain the alignment of phased array or phased segment mirror systems consisting of mirrors with a segment diameter or major axis length of 1 m or more.

e. 'Aspheric optical elements' having all of the following characteristics:

1. The largest dimension of the optical-aperture is greater than 400 mm;

2. The surface roughness is less than 1 nm (rms) for sampling lengths equal to or greater than 1 mm; and

3. The coefficient of linear thermal expansion's absolute magnitude is less than 3x10-6/K at 25℃.

Technical Notes:

1. An 'aspheric optical element' is any element used in an optical system whose imaging surface or surfaces are designed to depart from the shape of an ideal sphere.

2. Manufacturers are not required to measure the surface roughness listed in 6A004.e.2. unless the optical element was designed or manufactured with the intent to meet, or exceed, the control parameter.

Note 6A004.e. does not control aspheric optical elements having any of the following:

a. A largest optical-aperture dimension less than 1 m and a focal length to aperture ratio equal to or greater than 4.5:1;

b. A largest optical-aperture dimension equal to or greater than 1 m and a focal length to aperture ratio equal to or greater than 7:1;

c. Being designed as Fresnel, flyeye, stripe, prism or diffractive optical elements;

d. Being fabricated from borosilicate glass having a coefficient of linear thermal expansion greater than 2.5x10-6 /K at 25℃; or

e. Being an x-ray optical element having inner mirror capabilities (e.g. tube-type mirrors).

N.B. For aspheric optical elements specially designed for lithography equipment, see 3B001.

"Lasers", other than those specified in 0B001.g.5. or 0B001.h.6., components and optical equipment, as follows:

N.B.: SEE ALSO 6A205.

Note 1: Pulsed "lasers" include those that run in a continuous wave (CW) mode with pulses superimposed.

Note 2: Excimer, semiconductor, chemical, CO, CO2, and non-repetitive pulsed Nd:glass "lasers" are only specified in 6A005.d.

Note 3: 6A005 includes fibre "lasers".

Note 4: The control status of "lasers" incorporating frequency conversion (i.e., wavelength change) by means other than one "laser" pumping another "laser" is determined by applying the control parameters for both the output of the source "laser" and the frequency-converted optical output.

Note 5: 6A005 does not control the following "lasers":

a. Ruby with output energy below 20 J;

b. Nitrogen;

c. Krypton.

Technical Note:

In 6A005 'Wall-plug efficiency' is defined as the ratio of "laser" output power (or "average output power") to total electrical input power required to operate the "laser", including the power supply/conditioning and thermal conditioning/heat exchanger.

a. Non-"tunable" continuous wave "(CW) lasers", having any of the following:

1. An output wavelength less than 150 nm with an output power exceeding 1 W;

2. An output wavelength of 150 nm or more but not exceeding 510 nm and having an output power exceeding 30 W;

Note: 6A005.a.2. does not control Argon "lasers" having an output power equal to or less than 50 W.

3. An output wavelength exceeding 510 nm but not exceeding 540 nm and having any of the following:

a. A single transverse mode output having an output power exceeding 50 W; or

b. A multiple transverse mode output having an output power exceeding 150 W;

4. An output wavelength exceeding 540 nm but not exceeding 800 nm and having an output power exceeding 30 W;

5. An output wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 975 nm and having any of the following:

a. A single transverse mode output having an output power exceeding 50 W; or

b. A multiple transverse mode output having an output power exceeding 80 W;

6. An output wavelength exceeding 975 nm but not exceeding 1,150 nm and having any of the following:

a. Single transverse mode and output power exceeding 200 W; or

b. A multiple transverse mode output having any of the following:

1. A 'wall-plug efficiency' exceeding 18% and an output power exceeding 500 W; or

2. An output power exceeding 2 kW;

Note: 6A005.a.6.b. does not control multiple transverse mode, industrial "lasers" with output power exceeding 2 kW and not exceeding 6 kW with a total mass greater than 1,200 kg. For the purpose of this note, total mass includes all components required to operate the "laser", e.g., "laser", power supply, heat exchanger, but excludes external optics for beam conditioning and/or delivery.

7. An output wavelength exceeding 1,150 nm but not exceeding 1,555 nm and having any of the following:

a. A single transverse mode having an output power exceeding 50 W; or

b. A multiple transverse mode having an output power exceeding 80 W; or

8. An output wavelength exceeding 1,555 nm and having an output power exceeding 1 W.

b. Non-"tunable" "pulsed lasers", having any of the following:

1. An output wavelength less than 150 nm and having any of the following:

a. An output energy exceeding 50 mJ per pulse and a "peak power" exceeding 1 W; or

b. An "average output power" exceeding 1 W;

2. An output wavelength of 150 nm or more but not exceeding 510 nm and having any of the following:

a. An output energy exceeding 1.5 J per pulse and a "peak power" exceeding 30 W; or

b. An "average output power" exceeding 30 W;

Note: 6A005.b.2.b. does not control Argon "lasers" having an "average output power" equal to or less than 50 W.

3. An output wavelength exceeding 510 nm but not exceeding 540 nm and having any of the following:

a. A single transverse mode output having any of the following:

1. An output energy exceeding 1.5 J per pulse and a "peak power" exceeding 50 W; or

2. An "average output power" exceeding 50 W; or

b. A multiple transverse mode output having any of the following:

1. An output energy exceeding 1.5 J per pulse and a "peak power" exceeding 150 W; or

2. An "average output power" exceeding 150 W;

4. An output wavelength exceeding 540 nm but not exceeding 800 nm and having any of the following:

a. An output energy exceeding 1.5 J per pulse and a "peak power" exceeding 30 W; or

b. An "average output power" exceeding 30 W;

5. An output wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 975 nm and having any of the following:

a. A "pulse duration" not exceeding 1 μs and having any of the following:

1. An output energy exceeding 0.5 J per pulse and a "peak power" exceeding 50 W;

2. A single transverse mode output having an "average output power" exceeding 20 W; or

3. A multiple transverse mode output having an "average output power" exceeding 50 W; or

b. A "pulse duration" exceeding 1 μs and having any of the following:

1. An output energy exceeding 2 J per pulse and a "peak power" exceeding 50 W;

2. A single transverse mode output having an "average output power" exceeding 50 W; or

3. A multiple transverse mode output having an "average output power" exceeding 80 W;

6. An output wavelength exceeding 975 nm but not exceeding 1,150 nm and having any of the following:

a. A "pulse duration" of less than 1 ns and having any of the following:

1. An output "peak power" exceeding 5 GW per pulse;

2. An "average output power" exceeding 10 W; or

3. An output energy exceeding 0.1 J per pulse;

b. A "pulse duration" equal to or exceeding 1 ns but not exceeding 1 μs, and having any of the following:

1. A single transverse mode output having any of the following:

a. A "peak power" exceeding 100 MW;

b. An "average output power" exceeding 20 W limited by design to a maximum pulse repetition frequency less than or equal to 1 kHz;

c. A 'wall-plug efficiency' exceeding 12% and an "average output power" exceeding 100 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1 kHz;

d. An "average output power" exceeding 150 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1 kHz; or

e. An output energy exceeding 2 J per pulse; or

2. A multiple transverse mode output having any of the following:

a. A "peak power" exceeding 400 MW;

b. A 'wall-plug efficiency' exceeding 18% and an "average output power" exceeding 500 W;

c. An "average output power" exceeding 2 kW; or

d. An output energy exceeding 4 J per pulse; or

c. A "pulse duration" exceeding 1 μs and having any of the following:

1. A single transverse mode output having any of the following:

a. A "peak power" exceeding 500 kW;

b. A 'wall-plug efficiency' exceeding 12% and an "average output power" exceeding 100 W; or

c. An "average output power" exceeding 150 W; or

2. A multiple transverse mode output having any of the following:

a. A "peak power" exceeding 1 MW;

b. A 'wall-plug efficiency' exceeding 18% and an "average output power" exceeding 500 W; or

c. An "average output power" exceeding 2 kW;

7. An output wavelength exceeding 1,150 nm but not exceeding 1,555 nm and having any of the following:

a. A "pulse duration" not exceeding 1 μs and having any of the following:

1. An output energy exceeding 0.5 J per pulse and a "peak power" exceeding 50 W;

2. A single transverse mode output having an "average output power" exceeding 20 W; or

3. A multiple transverse mode output having an "average output power" exceeding 50 W; or

b. A "pulse duration" exceeding 1 μs and having any of the following:

1. An output energy exceeding 2 J per pulse and a "peak power" exceeding 50 W;

2. A single transverse mode output having an "average output power" exceeding 50 W; or

3. A multiple transverse mode output having an "average output power" exceeding 80 W; or

8. An output wavelength exceeding 1,555 nm and having any of the following:

a. An output energy exceeding 100 mJ per pulse and a "peak power" exceeding 1 W; or

b. An "average output power" exceeding 1 W;

c. "Tunable" "lasers", having any of the following:

Note: 6A005.c. includes titanium-sapphire (Ti: Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "lasers", dye "lasers", and liquid "lasers".

1. An output wavelength less than 600 nm and having any of the following:

a. An output energy exceeding 50 mJ per pulse and a "peak power" exceeding 1 W; or

b. An average or CW output power exceeding 1 W;

Note: 6A005.c.1. does not control dye lasers or other liquid lasers, having a multimode output and a wavelength of 150 nm or more but not exceeding 600 nm and all of the following:

1. Output energy less than 1.5 J per pulse or a "peak power" less than 20 W; and

2. Average or CW output power less than 20 W.

2. An output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1,400 nm and having any of the following:

a. An output energy exceeding 1 J per pulse and a "peak power" exceeding 20 W; or

b. An average or CW output power exceeding 20 W; or

3. An output wavelength exceeding 1,400 nm and having any of the following:

a. An output energy exceeding 50 mJ per pulse and a "peak power" exceeding 1 W; or

b. An average or CW output power exceeding 1 W;

d. Other "lasers", not specified in 6A005.a., 6A005.b. or 6A005.c. as follows:

1. Semiconductor "lasers", as follows:

Note 1: 6A005.d.1. includes semiconductor "lasers" having optical output connectors (e.g., fibre optic pigtails).

Note 2: The control status of semiconductor "lasers" specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.

a. Individual single-transverse mode semiconductor "lasers", having any of the following:

1. A wavelength equal to or less than 1,510 nm and having an average or CW output power exceeding 1.5 W; or

2. A wavelength greater than 1,510 nm, and having an average or CW output power exceeding 500 mW;

b. Individual, multiple-transverse mode semiconductor "lasers", having any of the following:

1. Wavelength of less than 1,400 nm and average or CW output power, exceeding 15 W;

2. A wavelength equal to or greater than 1,400 nm and less than 1,900 nm, and having an average or CW output power exceeding 2.5 W; or

3. A wavelength equal to or greater than 1,900 nm and having an average or CW output power exceeding 1 W;

c. Individual semiconductor "laser" 'bars' having any of the following:

1. A wavelength of less than 1,400 nm and having an average or CW output power exceeding 80 W;

2. A wavelength equal to or greater than 1,400 nm and less than 1,900 nm and having an average or CW output power exceeding 25 W; or

3. A wavelength equal to or greater than 1,900 nm and having an average or CW output power exceeding 10 W;

d. Semiconductor "laser" 'stacked arrays' (two-dimensional arrays) having any of the following:

1. Wavelength less than 1,400 nm and having any of the following:

a. Average or CW total output power less than 3 kW and having average or CW output 'power density' greater than 500 W/cm2;

b. Average or CW total output power equal to or exceeding 3 kW but less than or equal to 5 kW, and having average or CW output 'power density' greater than 350W/cm2;

c. Average or CW total output power exceeding 5 kW;

d. Peak pulsed 'power density' exceeding 2,500 W/cm2; or

e. Spatially coherent average or CW total output power, greater than 150 W;

2. Wavelength greater than or equal to 1,400 nm but less than 1,900 nm, and having any of the following:

a. Average or CW total output power less than 250 W and average or CW output 'power density' greater than 150 W/cm2;

b. Average or CW total output power equal to or exceeding 250 W but less than or equal to 500 W, and having average or CW output 'power density' greater than 50W/cm2;

c. Average or CW total output power exceeding 500 W;

d. Peak pulsed 'power density' exceeding 500 W/cm2; or

e. Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 15 W;

3. Wavelength greater than or equal to 1,900 nm and having any of the following:

a. Average or CW output 'power density' greater than 50 W/cm2;

b. Average or CW output power greater than 10 W; or

c. Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 1.5 W; or

4. At least one "laser" 'bar' specified in 6A005.d.1.c.;

Technical Note

For the purposes of 6A005.d.1.d., 'power density' means the total "laser" output power divided by the emitter surface area of the 'stacked array'.

e. Semiconductor "laser" 'stacked arrays', other than those specified in 6A005.d.1.d., having all of the following:

1. Specially designed or modified to be combined with other 'stacked arrays' to form a larger 'stacked array'; and

2. Integrated connections, common for both electronics and cooling;

Note 1

'Stacked arrays', formed by combining semiconductor "laser" 'stacked arrays' specified in 6A005.d.1.e., that are not designed to be further combined or modified are specified in 6A005.d.1.d.

Note 2

'Stacked arrays', formed by combining semiconductor "laser" 'stacked arrays' specified in 6A005.d.1.e., that are designed to be further combined or modified are specified in 6A005.d.1.e.

Note 3

6A005.d.1.e. does not control modular assemblies of single 'bars' designed to be fabricated into end-to-end stacked linear arrays.

Technical Notes

1. Semiconductor "lasers" are commonly called "laser" diodes.

2. A 'bar' (also called a semiconductor "laser" 'bar', a "laser" diode 'bar' or diode 'bar') consists of multiple semiconductor "lasers" in a one-dimensional array.

3. A 'stacked array' consists of multiple 'bars'

2. Carbon monoxide (CO) "lasers" having any of the following:

a. An output energy exceeding 2 J per pulse and a "peak power" exceeding 5 kW; or

b. An average or CW output power exceeding 5 kW;

3. Carbon dioxide (CO2) "lasers" having any of the following:

a. A CW output power exceeding 15 kW;

b. A pulsed output having a "pulse duration" exceeding 10 μs and having any of the following:

1. An "average output power" exceeding 10 kW; or

2. A "peak power" exceeding 100 kW; or

c. A pulsed output having a "pulse duration" equal to or less than 10 μs and having any of the following:

1. A pulse energy exceeding 5 J per pulse; or

2. An "average output power" exceeding 2.5 kW;

4. Excimer "lasers", having any of the following:

a. An output wavelength not exceeding 150 nm and having any of the following:

1. An output energy exceeding 50 mJ per pulse; or

2. An "average output power" exceeding 1 W;

b. An output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and having any of the following:

1. An output energy exceeding 1.5 J per pulse; or

2. An "average output power" exceeding 120 W;

c. An output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and having any of the following:

1. An output energy exceeding 10 J per pulse; or

2. An "average output power" exceeding 500 W; or

d. An output wavelength exceeding 360 nm and having any of the following:

1. An output energy exceeding 1.5 J per pulse; or

2. An "average output power" exceeding 30 W;

N.B.: For excimer "lasers" specially designed for lithography equipment, see 3B001.

5. "Chemical lasers", as follows:

a. Hydrogen Fluoride (HF) "lasers";

b. Deuterium Fluoride (DF) "lasers";

c. "Transfer lasers", as follows:

1. Oxygen Iodine (O2-I) "lasers";

2. Deuterium Fluoride-Carbon dioxide (DF-CO2) "lasers";

6. 'Non-repetitive pulsed' Nd: glass "lasers" having any of the following:

a. A "pulse duration" not exceeding 1 μs and an output energy exceeding 50 J per pulse; or

b. A "pulse duration" exceeding 1 μs and an output energy exceeding 100 J per pulse;

Note: 'Non-repetitive pulsed' refers to "lasers" that produce either a single output pulse or that have a time interval between pulses exceeding one minute.

e. Components, as follows:

1. Mirrors cooled either by 'active cooling' or by heat pipe cooling;

Technical Note:

'Active cooling' is a cooling technique for optical components using flowing fluids within the subsurface (nominally less than 1 mm below the optical surface) of the optical component to remove heat from the optic.

2. Optical mirrors or transmissive or partially transmissive optical or electro-optical components specially designed for use with controlled "lasers"

f. Optical equipment, as follows:

N.B.: For shared aperture optical elements, capable of operating in "Super-High Power Laser" ("SHPL") applications, see the Military Goods Lists.

1. Dynamic wavefront (phase) measuring equipment capable of mapping at least 50 positions on a beam wavefront having any of the following:

a. Frame rates equal to or more than 100 Hz and phase discrimination of at least 5% of the beam's wavelength; or

b. Frame rates equal to or more than 1,000 Hz and phase discrimination of at least 20% of the beam's wavelength;

2. "Laser" diagnostic equipment capable of measuring "SHPL" system angular beam steering errors of equal to or less than 10 μrad;

3. Optical equipment and components specially designed for a phased-array "SHPL" system for coherent beam combination to an accuracy of lambda/10 at the designed wavelength, or 0.1 μm, whichever is the smaller;

4. Projection telescopes specially designed for use with "SHPL" systems;

g. 'Laser acoustic detection equipment' having all of the following:

1. CW laser output power equal to or exceeding 20 mW;

2. Laser frequency stability equal to or better (less) than 10 MHz;

3. Laser wavelengths equal to or exceeding 1,000 nm but not  exceeding 2,000 nm;

4. Optical system resolution better (less) than 1 nm; and

5. Optical Signal to Noise ratio equal to or exceeding 103.

Technical Note

'Laser acoustic detection equipment' is sometimes referred to as a Laser Microphone or Particle Flow Detection Microphone.

"Magnetometers", "magnetic gradiometers", "intrinsic magnetic gradiometers", underwater electric field sensors and "compensation systems", and specially designed components therefor, as follows:

Note: 6A006 does not control instruments specially designed for fishery applications or biomagnetic measurements for medical diagnostics.

a. "Magnetometers" and subsystems as follows:

1. "Magnetometers" using "superconductive" (SQUID) "technology" and having any of the following characteristics:

a. SQUID systems designed for stationary operation, without specially designed subsystems designed to reduce in-motion noise, and having a sensitivity equal to or lower (better) than 50 fT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz; or

b. SQUID systems having an in-motion-magntometer sensitivity lower (better) than 20 pT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz and specially designed to reduce in-motion noise;

2. "Magnetometers" using optically pumped or nuclear precession (proton/Overhauser) "technology" having a 'sensitivity' lower (better) than 20(rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz

3. "Magnetometers" using fluxgate "technology" having a 'sensitivity' equal to or lower (better) than 10 pT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz;

4. Induction coil "magnetometers" having a 'sensitivity' lower (better) than any of the following:

a. 0.05 nT (rms) per square root Hz at frequencies of less than 1 Hz;

b. 1 x 10-3 nT (rms) per square root Hz at frequencies of 1 Hz or more but not exceeding 10 Hz; or

c. 1 x 10-4 nT (rms) per square root Hz at frequencies exceeding 10 Hz;

5. Fibre optic "magnetometers" having a 'sensitivity' lower (better) than 1 nT (rms) per square root Hz;

b. Underwater electric field sensors having a 'sensitivity' lower (better) than 8 nanovolt per metre per square root Hz when measured at 1 Hz;

c. "Magnetic gradiometers", as follows:

1. "Magnetic gradiometers" using multiple "magnetometers" specified in 6A006.a.;

2. Fibre optic "intrinsic magnetic gradiometers" having a magnetic gradient field 'sensitivity' lower (better) than 0.3 nT/m rms per square root Hz;

3. "Intrinsic magnetic gradiometers", using "technology" other than fibre-optic "technology", having a magnetic gradient field 'sensitivity' lower (better) than 0.015 nT/m rms per square root Hz;

d. "Compensation systems" for magnetic or underwater electric field sensors resulting in a performance equal to or better than the control parameters of 6A006.a., 6A006.b. or 6A006.c.

Technical Note

For the purposes of 6A006., 'sensitivity' (noise level) is the root mean square of the device-limited noise floor which is the lowest signal that can be measured

e. Underwater electromagnetic receivers incorporating magnetic field sensors specified in 6A006.a. or underwater electric field sensors specified in 6A006.b.

Gravity meters (gravimeters) and gravity gradiometers, as follows:

N.B.: SEE ALSO 6A107.

a. Gravity meters designed or modified for ground use having a static accuracy of less (better) than 10 μgal;

Note: 6A007.a. does not control ground gravity meters of the quartz element (Worden) type.

b. Gravity meters designed for mobile platforms, having all of the following:

1. A static accuracy of less (better) than 0.7 mgal; and

2. An in-service (operational) accuracy of less (better) than 0.7 mgal having a time-to-steadystate registration of less than 2 minutes under any combination of attendant corrective compensations and motional influences;

c. Gravity gradiometers.

Radar systems, equipment and assemblies having any of the following characteristics, and specially designed components therefor:

N.B.: SEE ALSO 6A108.

Note: 6A008 does not control:

a. Secondary Surveillance Radar (SSR);

b. Civil Automotive Radar;

c. Displays or monitors used for Air Traffic Control (ATC);

d. Meteorological (weather) Radar;

e. Precision Approach Radar (PAR) equipment conforming to ICAO standards and employing electronically steerable linear (1-dimensional) arrays or mechanically positioned passive antennae.

a. Operating at frequencies from 40 GHz to 230 GHz and having any of the following:

1. An average output power exceeding 100 mW; or

2. Locating accuracy of 1 m or less (better) in range and 0.2 degree or less (better) in azimuth;

b. Having a tunable bandwidth exceeding ±6.25% of the 'centre operating frequency';

Technical Note:

The 'centre operating frequency' equals one half of the sum of the highest plus the lowest specified operating frequencies.

c. Capable of operating simultaneously on more than two carrier frequencies;

d. Capable of operating in synthetic aperture (SAR), inverse synthetic aperture (ISAR) radar mode, or sidelooking airborne (SLAR) radar mode;

e. Incorporating electronically steerable array antennae;

f. Capable of heightfinding non-cooperative targets;

g. Specially designed for airborne (balloon or airframe mounted) operation and having Doppler "signal processing" for the detection of moving targets;

h. Employing processing of radar signals using any of the following:

1. "Radar spread spectrum" techniques; or

2. "Radar frequency agility" techniques;

i. Providing ground-based operation with a maximum "instrumented range" exceeding 185 km;

Note: 6A008.i. does not control:

a. Fishing ground surveillance radar;

b. Ground radar equipment specially designed for enroute air traffic control, provided that all the following conditions are met:

1. It has a maximum "instrumented range" of 500 km or less;

2. It is configured so that radar target data can be transmitted only one way from the radar site to one or more civil ATC centres;

3. It contains no provisions for remote control of the radar scan rate from the enroute ATC centre; and

4. It is to be permanently installed;

c. Weather balloon tracking radars.

j. Being "laser" radar or Light Detection and Ranging (LIDAR) equipment, having any of the following:

1. "Space-qualified";

2. Employing coherent heterodyne or homodyne detection techniques and having an angular resolution of less (better) than 20 μrad (microradians) or;

Note: 6A008.j. does not control LIDAR equipment specially designed for surveying or for meteorological observation.

3. Designed for carrying out airborne bathymetric littoral surveys to International Hydrographic Organization (IHO) Order 1a Standard (5th Edition February 2008) for Hydrographic Surveys or better, and using one or more lasers with a wavelength exceeding 400 nm but not exceeding 600nm

Note 1 LIDAR equipment specially designed for surveying is only specified in 6A008.j.3.

Note 2 6A008.j. does not control LIDAR equipment specially designed for meteorological observation.

Note 3	Parameters in the IHO Order 1a Standard 5th Edition February 2008 are summarized as follows:

Horizontal Accuracy (95% Confidence Level) = 5 m + 5% of depth.

Depth Accuracy for Reduced Depths (95% confidence level)

= ±√(a2+(b*d)2) where:

a = 0.5 m = constant depth error, i.e. the sum of all constant depth errors

b = 0.013 = factor of depth dependant error

b*d = depth dependant error, i.e. the sum of all depth dependant errors

d = depth

Feature Detection

= Cubic features > 2 m in depths up to 40 m;

10% of depth beyond 40 m.

k. Having "signal processing" sub-systems using "pulse compression", with any of the following:

1. A "pulse compression" ratio exceeding 150; or

2. A pulse width of less than 200 ns; or

l. Having data processing sub-systems with any of the following:

1. "Automatic target tracking" providing, at any antenna rotation, the predicted target position beyond the time of the next antenna beam passage; or

Note: 6A008.l.1. does not control conflict alert capability in ATC systems, or marine or harbour radar.

2. Not used

3. Not used

4. Configured to provide superposition and correlation, or fusion, of target data within six seconds from two or more "geographically dispersed" radar sensors to improve the aggregate performance beyond that of any single sensor specified in 6A008.f. or 6A008.i.

N.B.: See also ML5.b.

Note: 6A008.l.4. does not control systems, equipment and assemblies used for marine traffic control.

Radiation hardened 'detectors', other than those specified in 6A002, specially designed or modified for protecting against nuclear effects (e.g. electromagnetic pulse (EMP), X-rays, combined blast and thermal effects) and usable for "missiles", designed or rated to withstand radiation levels which meet or exceed a total irradiation dose of 5x105 rads (silicon).

Technical Note:

In 6A102, a 'detector' is defined as a mechanical, electrical, optical or chemical device that automatically identifies and records, or registers a stimulus such as an environmental change in pressure or temperature, an electrical or electromagnetic signal or radiation from a radioactive material. This includes devices that sense by one time operation or failure.

Gravity meters (gravimeters) and components for gravity meters and gravity gradiometers, as follows:

a. Gravity meters, other than those specified in 6A007.b, designed or modified for airborne or marine use, and having a static or operational accuracy of 7×10-6 m/s2 (0.7 milligal) or less (better), and having a time-to-steady-state registration of two minutes or less;

b. Specially designed components for gravity meters specified in 6A007.b or 6A107.a. and gravity gradiometers specified in 6A007.c.

Radar systems and tracking systems, other than those specified in entry 6A008, as follows:

a. Radar and laser radar systems designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;

Note: 6A108.a. includes the following:

a. Terrain contour mapping equipment;

b. Imaging sensor equipment;

c. Scene mapping and correlation (both digital and analogue) equipment;

d. Doppler navigation radar equipment.

b. Precision tracking systems, usable for 'missiles', as follows:

1. Tracking systems which use a code translator in conjunction with either surface or airborne references or navigation satellite systems to provide real-time measurements of in-flight position and velocity;

2. Range instrumentation radars including associated optical/ infrared trackers with all of the following capabilities:

a. Angular resolution better than 1.5 milliradians;

b. Range of 30 km or greater with a range resolution better than 10 m rms;

c. Velocity resolution better than 3 m/s.

Technical Note:

In 6A108.b. 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Photomultiplier tubes having both of the following characteristics:

a. Photocathode area of greater than 20 cm2 and

b. Anode pulse rise time of less than 1 ns.

Cameras and components, other than those specified in 6A003, as follows:

a. Mechanical rotating mirror cameras, as follows, and specially designed components therefor:

1. Framing cameras with recording rates greater than 225,000 frames per second;

2. Streak cameras with writing speeds greater than 0.5 mm per microsecond;

Note: In 6A203.a. components of such cameras include their synchronizing electronics units and rotor assemblies consisting of turbines, mirrors and bearings.

b. Electronic streak cameras, electronic framing cameras, tubes and devices, as follows:

1. Electronic streak cameras capable of 50 ns or less time resolution;

2. Streak tubes for cameras specified in 6A203.b.1.;

3. Electronic (or electronically shuttered) framing cameras capable of 50 ns or less frame exposure time;

4. Framing tubes and solid-state imaging devices for use with cameras specified in 6A203.b.3., as follows:

a. Proximity focused image intensifier tubes having the photocathode deposited on a transparent conductive coating to decrease photocathode sheet resistance;

b. Gate silicon intensifier target (SIT) videcon tubes, where a fast system allows gating the photoelectrons from the photocathode before they impinge on the SIT plate;

c. Kerr or Pockels cell electro-optical shuttering;

d. Other framing tubes and solid-state imaging devices having a fast-image gating time of less than 50 ns specially designed for cameras specified in 6A203.b.3.;

c. Radiation-hardened TV cameras, or lenses therefor, specially designed or rated as radiation hardened to withstand a total radiation dose greater than 50 x 103 Gy(silicon) (5 x 106 rad (silicon)) without operational degradation.

Technical Note:

The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.

"Lasers", "laser" amplifiers and oscillators, other than those specified in 0B001.g.5., 0B001.h.6. and 6A005; as follows:

a. Argon ion "lasers" having both of the following characteristics:

1. Operating at wavelengths between 400 nm and 515 nm; and

2. An average output power greater than 40 W;

b. Tunable pulsed single-mode dye laser oscillators having all of the following characteristics:

1. Operating at wavelengths between 300 nm and 800 nm;

2. An average output power greater than 1 W;

3. A repetition rate greater than 1 kHz; and

4. Pulse width less than 100 ns;

c. Tunable pulsed dye laser amplifiers and oscillators, having all of the following characteristics:

1. Operating at wavelengths between 300 nm and 800 nm;

2. An average output power greater than 30 W;

3. A repetition rate greater than 1 kHz; and

4. Pulse width less than 100 ns;

Note: 6A205.c. does not control single mode oscillators;

d. Pulsed carbon dioxide "lasers" having all of the following characteristics:

1. Operating at wavelengths between 9,000 nm and 11,000 nm;

2. A repetition rate greater than 250 Hz;

3. An average output power greater than 500 W; and

4. Pulse width of less than 200 ns;

e. Para-hydrogen Raman shifters designed to operate at 16 micrometre output wavelength and at a repetition rate greater than 250 Hz;

f. Neodymium-doped (other than glass) "lasers" with an output wavelength between 1000 and 1100 nm having either of the following

1. Pulse-excited and Q-switched with a pulse duration equal to or more than 1 ns, and having either of the following:

a. A single-transverse mode output with an average output power greater than 40W; or

b. A multiple-transverse mode output having an average power greater than 50 W; or

2. Incorporating frequency doubling to give an output wavelength between 500 and 550 nm with an average output power of more than 40 W.

Velocity interferometers for measuring velocities exceeding 1 km/s during time intervals of less than 10 microseconds.

Note: 6A225 includes velocity interferometers such as VISARs (Velocity interferometer systems for any reflector) and DLIs (Doppler laser interferometers).

Pressure sensors, as follows:

a. Manganin gauges for pressures greater than 10 GPa;

b. Quartz pressure transducers for pressures greater than 10 GPa.

Test, Inspection and Production Equipment

Optical equipment, as follows:

a. Equipment for measuring absolute reflectance to an accuracy of ±0.1% of the reflectance value;

b. Equipment other than optical surface scattering measurement equipment, having an unobscured aperture of more than 10 cm, specially designed for the non-contact optical measurement of a nonplanar optical surface figure (profile) to an "accuracy" of 2 nm or less (better) against the required profile.

Note: 6B004 does not control microscopes.

Equipment to produce, align and calibrate land-based gravity meters with a static accuracy of better than 0.1 mgal.

Pulse radar cross-section measurement systems having transmit pulse widths of 100 ns or less and specially designed components therefor.

N.B.: SEE ALSO 6B108.

Systems, other than those specified in 6B008, specially designed for radar cross section measurement usable for 'missiles' and their subsystems.

Technical Note:

In 6B108 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Materials

Optical sensor materials, as follows:

a. Elemental tellurium (Te) of purity levels of 99.9995% or more;

b. Single crystals (including epitaxial wafers) of any of the following:

1. Cadmium zinc telluride (CdZnTe), with zinc content of less than 6% by 'mole fraction';

2. Cadmium telluride (CdTe) of any purity level; or

3. Mercury cadmium telluride (HgCdTe) of any purity level.

Technical Note:

'Mole fraction' is defined as the ratio of moles of ZnTe to the sum of moles of CdTe and ZnTe present in the crystal.

Optical materials, as follows:

a. Zinc selenide (ZnSe) and zinc sulphide (ZnS) "substrate blanks" produced by the chemical vapou]r deposition process, having any of the following:

1. A volume greater than 100 cm3 or

2. A diameter greater than 80 mm having a thickness of 20 mm or more;

b. Electro-optic materials and non-linear optical materials, as follows:

1. Potassium titanyl arsenate (KTA) (CAS 59400-80-5);

2. Silver gallium selenide (AgGaSe2, also known as AGSE)

(CAS 12002-67-4);

3. Thallium arsenic selenide (Tl3AsSe3, also known as TAS)

(CAS 16142-89-5);

4. Zinc germanium phosphide (ZnGeP2, also known as ZGP,

zinc germanium biphosphide or zinc germanium diphosphide); or

5. Gallium selenide (GaSe) (CAS 12024-11-2);

c. Non-linear optical materials, other than those specified in 6C004.b, having any of the following:

1. Having all of the following:

a. Dynamic (also known as non-stationary) third order non-linear susceptibility (□(3), chi 3) of 10-6m2/V2 or more; and

b. Response time of less than 1 ms; or

2. Second order non-linear susceptibility (□(2), chi 2) of 3.3□10-11 m/V or more;

d. "Substrate blanks" of silicon carbide or beryllium beryllium (Be/Be) deposited materials exceeding 300 mm in diameter or major axis length;

e. Glass, including fused silica, phosphate glass, fluorophosphate glass, zirconium fluoride (ZrF4 )(CAS 7783-64-4) and hafnium fluoride (HfF4 )(CAS 13709-52-9), having all of the following:

1. A hydroxyl ion (OH-) concentration of less than 5 ppm;

2. Integrated metallic purity levels of less than 1 ppm; and

3. High homogeneity (index of refraction variance) less than 5×10-6

f. Synthetically produced diamond material with an absorption of less than 10-5cm-1 for wavelengths exceeding 200 nm but not exceeding 14,000 nm.

Synthetic crystalline "laser" host material in unfinished form, as follows:

a. Titanium doped sapphire;

b. Not used since 2012

Software

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 6A004, 6A005, 6A008 or 6B008.

"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 6A002.b., 6A008 or 6B008.

Other "software", as follows:

a. 1. "Software" specially designed for acoustic beam forming for the "real time processing" of acoustic data for passive reception using towed hydrophone arrays;

2. "Source code" for the "real time processing" of acoustic data for passive reception using towed hydrophone arrays;

3. "Software" specially designed for acoustic beam forming for "real time processing" of acoustic data for passive reception using bottom or bay cable systems;

4. "Source code" for "real time processing" of acoustic data for passive reception using bottom or bay cable systems;

5. "Software" or "source code", specially designed for all of the following:

a. "Real time processing" of acoustic data from sonar systems specified by 6A001.a.1.e.; and

b. Automatically detecting, classifying and determining the location of divers or swimmers;

N.B. For diver detection "software" or "source code", specially designed or modified for military use, see the Munitions List.

b. Not used;

c. "Software" designed or modified for cameras incorporating "focal plane arrays" specified in 6A002.a.3.f. and designed or modified to remove a frame rate restriction and allow the camera to exceed the frame rate specified in 6A003.b.4. Note 3.a.

d. Not used;

e. Not used;

f. "software", as follows:

1. "Software" specially designed for magnetic and electric field "compensation systems" for magnetic sensors designed to operate on mobile platforms;

2. "Software" specially designed for magnetic and electric field anomaly detection on mobile platforms;

3. "Software" specially designed for "real time processing" of electromagnetic data using underwater electromagnetic eceivers specified in 6A006.e.;

4. "Source code" for "real time processing" of electromagnetic data using underwater electromagnetic receivers specified     in 6A006.e;

g. "Software" specially designed to correct motional influences of   gravity meters or gravity gradiometers;

h. "software", as follows:

1. Air Traffic Control (ATC) "software" application "programmes" designed to be hosted on general purpose computers located at Air Traffic Control centres and capable of accepting radar target data from more than four primary radars;

2. "Software" for the design or "production" of radomes which:

a. Are specially designed to protect the "electronically steerable phased array antennae" specified in 6A008.e.; and

b. Result in an antenna pattern having an 'average side lobe level' more than 40 dB below the peak of the main beam level.

Technical Note:

'Average side lobe level' in 6D003.h.2.b. is measured over the entire array excluding the angular extent of the main beam and the first two side lobes on either side of the main beam.

"Software" specially designed or modified for the "use" of goods specified in 6A108.

"Software" which processes post-flight, recorded data, enabling determination of vehicle position throughout its flight path, specially designed or modified for 'missiles'.

Technical Note:

In 6D103 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Technology

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment, materials or "software" specified in 6A, 6B, 6C or 6D.

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment or materials specified in 6A, 6B or 6C.

Other "technology", as follows:

a. 1. Optical surface coating and treatment "technology" "required" to achieve an 'optical thickness'uniformity of 99.5% or better for optical coatings 500 mm or more in diameter or major axis length and with a total loss (absorption and scatter) of less than 5 x 10-3

N.B.: See also 2E003.f.

Technical Note

'Optical thickness' is the mathematical product of the index of refraction and the physical thickness of the coating.

2. Optical fabrication "technology" using single point diamond turning techniques to produce surface finish accuracies of better than 10 nm rms on non-planar surfaces exceeding 0.5 m2

b. "Technology" "required" for the "development", "production" or "use" of specially designed diagnostic instruments or targets in test facilities for "SHPL" testing or testing or evaluation of materials irradiated by "SHPL" beams;

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 6A002, 6A007.b. and c., 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 or 6D103.

Note: 6E101 only specifies "technology" for equipment specified in 6A008 when it is designed for airborne applications and is usable in "missiles".

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 6A003, 6A005.a.2., 6A005.b.2., 6A005.b.3., 6A005.b.4., 6A005.b.6., 6A005.c.2., 6A005.d.3.c., 6A005.d.4.c., 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 or 6A226.

7A

7A001

(IL7.A.1)

(MT9.A.3)

7A001.a

7A001.a.1

7A001.a.1.a

7A001.a.1.b

7A001.a.2

7A001.a.3

(MT9.A.5)

7A001.b

(MT9.A.5)

7A002

(IL7.A.2)

7A002.a

(MT9.A.4)

7A002.b

7A002.c

7A002.c.1

7A002.c.2

7A002.d

(MT9.A.5)

7A003

(IL7.A.3)

(MT2.A.1.d)

(MT9.A.6)

7A003.a

7A003.a.1

7A003.a.2

7A003.b

7A003.c

(MT9.A.8)

7A003.c.1

7A003.c.2

7A003.d

(MT9.A.6)

7A004

(IL7.A.4)

(MT9.A.2)

7A004.a

7A004.b

7A005

(IL7.A.5)

(MT11.A.3)

7A005.a

7A005.b

7A006

(IL7.A.6)

(MT11.A.1)

7A006.a

7A006.b

7A008

(IL7.A.8)

7A101

(MT9.A.3)

(MT9.A.5)

7A102

(MT9.A.4)

7A103

7A103.a

(MT9.A.6)

7A103.a.1

7A103.a.2

7A103.b

(MT9.A.1)

7A103.c

(MT9.A.7)

7A103.d

(MT9.A.8)

7A104

(MT9.A.2)

7A105

(MT11.A.3)

7A105.a

7A105.b

7A105.b.1

7A105.b.2

7A105.b.3

7A106

(MT11.A.1)

7A115

(MT11.A.2)

7A116

7A116.a

(MT10.A.1)

7A116.b

(MT10.A.2)

7A116.c

(MT10.A.3)

7A117

(MT2.A.1.d)

7A118

(MT11.A.5)

7B

7B001

(IL7.B.1)

(MT2.B.2)

(MT9.B.1)

(MT10.B.1)

7B002

(IL7.B.2)

(MT9.B.1)

7B002.a

7B002.b

7B003

(IL7.B.3)

(MT2.B.2)

(MT9.B.1)

7B102

(MT9.B.1)

7B103

7B103.a

(MT2.B.1)

7B103.b

(MT2.B.2)

(MT9.B.1)

7C

7D

7D001

(IL7.D.1)

7D002

(IL7.D.2)

(MT2.D.3)

(MT9.D.1)

7D003

(IL7.D.3)

7D003.a

7D003.b

7D003.b.1

7D003.b.2

7D003.b.3

7D003.c

7D003.d

7D003.e

7D004

7D101

(MT2.D)

(MT9.D.1)

(MT10.D.1)

(MT11.D.1)

(MT11.D.2)

7D102

7D102.a

(MT9.D.2)

7D102.b

(MT9.D.3)

7D102.c

(MT9.D.4)

7D103

(MT16.D.1)

7E

7E001

(IL7.E.1)

(MT*)

7E002

(IL7.E.2)

(MT*)

7E003

(IL7.E.3)

(MT2.E.1)

(MT9.E.1)

7E004

(IL7.E.4)

7E004.a

7E004.a.1

7E004.a.2

7E004.a.3

7E004.a.5

7E004.a.6

7E004.a.7

7E004.b

7E004.b.1

7E004.b.2

7E004.b.3

7E004.b.4

7E004.b.5

(MT10.E.1)

7E004.b.6

7E004.c

7E004.c.1

7E004.c.2

7E004.c.3

7E101

(MT*)

7E102

(MT11.E.1)

7E102.a

7E102.b

7E102.c

7E104

(MT10.E.2)

제7부 항법 및 항공전자

시스템, 장비 및 부품

주의: 수중용 운송수단을 위한 자동조종장치에 대하여는 제8부 참조. 레이더에 대해서는 제6부 참조

가속도계(Accelerometer)로서 다음의 것과 이를 위해 전용 설계된 부품

주의 : 7A101 참조.

주의 : 각 또는 회전가속도계는 7A001.b.참조

a. 다음 중 하나의 특성을 가진 선형 가속도계(Linear accelerometers)

1. 15g 이하의 선형가속수준에서 제 기능을 발휘하는 것으로서 다음 중 하나를 갖는 것 :

a. “바이어스 안정성(bias stability)”이 고정된 교정 값에 대해 1년의 기간에 걸쳐 130㎍ 미만인(보다 우수한) 것 : 또는

b. “척도계수 안정성(scale factor stability)”이 고정된 교정 값에 대해 1년의 기간에 걸쳐 130ppm 미만인(보다 우수한) 것

2. 15g를 초과하되 100g 이하의 선형가속수준에서 제 기능을 발휘하는 것으로서 다음 모두를 갖는 것:

a. “바이어스 반복도(bias repeatability)”가 1년의 기간에 걸쳐 1,250 micro g 미만인(보다 우수한) 것; 그리고

b. “척도계수 반복도(scale factor repeatability)”가 1년의 기간에 걸쳐 1,250 ppm 미만인(보다 우수한) 것; 또는

3. 관성항법 또는 유도시스템에서의 사용을 위해 설계되고 100g를 초과하는 선형가속수준에서 제 기능을 발휘하는 것.

주 : 7A001.a.1.과 7A001.a.2.는 진동 또는 충격 측정에 국한되는 가속도계는 통제하지 않는다.

b. 100g를 초과하는 선형가속수준에서 제 기능을 발휘하는 각 또는 회전 가속도계

다음 중 하나로서 자이로(gyros) 또는 각속도 센서 및 이를 위해 전용 설계된 부품:

주의 : 7A102 참고

주의 : 각 또는 회전가속도계는  7A001.b. 참고

a. 100 g 이하의 선형가속수준에서 제 기능을 발휘하는 것으로서 다음 중 하나를 갖는 것 :

1. 선회율(rate) 범위가 초당 500° 미만인 다음 중 하나를 갖는 것:

a. “바이어스 안정성(bias stability)”이 1개월의 기간에 걸쳐 1g의 환경에서 측정했을 때 고정된 교정 값에 대해 0.5°/h 미만(보다 우수) 인 것 : 또는

b. "각도 랜덤 워크"(Angle random walk) 가 0.0035°/h2(보다 우수한)이거나 또는,

주 : 7A002.a.1.b는 '회전 질량 자이로(spinning mass gyros)'는 통제하지 않는다.

기술해설 :

회전 질량 자이로는 각운동을 감지하기 위해 계속적으로 질량을 회전시키는 자이로를 말한다.

c. 선회율(rate) 범위가 초당 500° 이상인 다음 중 하나를 갖는 것:

1. 3분에 걸쳐 1g의 환경에서 측정했을 때, 그리고 고정된 교정 값에 대해 시간당 40° 미만(보다 우수)의 "바이어스 안정성(bias stability)"; 또는

2. 각도 랜덤 워크(Angle random walk) 가 0.2° / square root hour 이하(보다 우수한)이거나 또는,

d. 100g를 초과하는 선형가속수준에서 기능하도록 규정된 것.

다음과 같은 관성시스템 및 이의 전용설계부품

주의 : 7A103 참고

a. 항공기, 지상차량, 선박(해상 혹은 수중), 또는 우주비행체의 항법, 자세, 유도 또는 제어의 기능을 위해 설계된 관성항법시스템(짐벌(gimbal)방식 또는 스트랩다운(strapdown)방식)과 관성장비로 다음 중 하나를 만족하는 것과 이의 전용설계부품

1. 정상적 정렬이 된 후 매시간당 0.8해리(nm/hr) 이하의 원형공산오차(CEP; Circular Error Probability) 항법오차(순수관성항법)를 갖거나, 또는

2. 10g를 초과하는 선형가속수준에서 기능하도록 규정된 것.

b. 항법, 자세, 유도 또는 제어의 기능을 위해 위성항법시스템(GNSS) 또는 데이터베이스 기반의 항법시스템(DBRN)을 장착한 혼성(Hybrid) 관성항법장치로서, 정상적 정렬이 된 후 최대 4분간에 걸쳐 GNSS 또는 DBRN의 미작동의 조건에서도 원형공산오차(CEP) 10m 미만의 관성항법장치(INS; Inertial Navigation System) 항행위치정밀도를 갖는 것

c. 기수 방위, 또는 진북 결정을 위한 관성측정장비로서 다음 중 하나의 특성을 갖는 것, 그리고 이의 전용설계부품

1. 기수 방위, 또는 진북 결정을 위한 정밀도가 (위도 45도에서 6분(원호상)rms와 동등한) 0.07deg sec(경위도)이하인(우수한) 것으로 설계된 것, 또는

2. 미작동 상태에서 1 msec(또는 그 이상) 시간에 900 g (또는 그 이상)의 충격수준으로 설계된 것

d. 7A001 또는 7A002에서 명시된 가속도계나 자이로를 사용하는 관성측정장치(IMU)와 관성기준장치(IRS)를 포함한 관성측정장비

주 1. 7A003.a.와 7A003.b항의 값은 다음 중 하나의 환경조건에서 적용된다.

a. 랜덤진동이 아래의 모든 조건을 충족시킬 때 3개 직교측의 각축에 대해 처음 30분과 총 1시간 30분의 시험시간 중에 전체 진폭이 7.7g rms인 랜덤진동을 가한다.

1.  일정 파워스펙트럼밀도(Power Spectral Density; PSD) 값이15～1000Hz 주파수 범위에 걸쳐 0.04g²/Hz인 것

2. 파워스펙트럼밀도(PSD)가 1000～2000Hz 주파수 범위에 걸쳐 0.04g²/Hz 부터 0.01g²/Hz까지 감쇠하는 것

b.  하나 또는 그 이상의 축에 대해 각속도 성능이 +2.62rad/s (150 deg/s) 이상인 것, 또는

c. 위 a항과 b항에 상응하는 국가표준에 따르는 것.

주 2. 7A003은 민간 항공기의 사용을 위해 바세나르체제 회원국의 민간 항공 감항당국에 의해 허가를 받은 관성항법장치는 통제하지 않는다.

주 3. 7A003.c.1은 민간의 측량 목적으로 전용 설계된 관성장비를 사용하는 데오도라이트(theodolite) 시스템은 통제하지 않는다.

기술해설

1. 7A003.b.는 성능향상을 위해 관성항법장치와 기타 독립적인 항법지원 등을 개별단위로 갖춘 시스템을 말한다.

2. 원형공산오차(CEP, Circular Error Probability)란 원형의 정규분포에서, 개별측정이 행해진 것들의 50%를 포함하는 원의 반경이나, 위치할 확률이 50%가 되는 원의 반경을 말한다.

‘별 추적기’ 및 이의 부품으로서 다음의 것 :

a. 장비의 수명기간동안 방위각의 정밀도가 20초(원호상)이하인(보다 우수한) ‘별 추적기’

b. 7A004.a에 명시된 장비를 위해 전용 설계된 부품으로서 다음의 것:

1. 광학 헤드 또는 배플

2. 데이터 처리장치

기술해설 :

‘별 추적기’는 별 고도 센서 또는 자이로 천축 나침반으로도 불린다.

위성항법시스템(GNSS) 수신장치로 다음 중 하나의 것과 전용 설계된 부품 :

주의 : 7A105 참조

주의 : 군용으로 전용 설계된 장비에 대해서는 ML 11 참조

a. 암호해독 알고리즘 기능을 가진 것으로서, 위치 및 시간 정보를 알 수 있는 레인징 코드(ranging code)에 접근할 수 있는 정부사용을 위해 전용 설계되거나 개조된 것; 또는

b. '적응형 안테나 시스템'(adaptive antenna systems)을 갖는 것

주 : 7A005.b.는 적응형 안테나 기술을 사용하지 않는 다중 전 방향 안테나로부터의 신호를 걸러내고, 변환하거나 또는 결합하기 위해 설계된 부품만을 사용하는 GNSS 수신장치는 통제하지 않는다.

기술해설

7A005.b의 '적응형 안테나 시스템'은 시간영역 또는 주파수 영역 내의 신호처리에 의한 안테나 배열 패턴에서 하나 또는 그 이상의 공간 계열(spatial nulls)을 동적으로(dynamically) 생성한다.

4.2-4.4GHz 이외의 주파수에서 작동되는 항공용 탑재고도계로서, 다음 중 하나를 만족하는 것

주의 : 7A106 참조

a. 전력 관리(Power Management) ; 또는

b. 위상 변위 키 변조방식을 사용하는 것

방향소스가 통합된 도플러 속도 측정기 또는 상대속도 측정기를 사용하고, 이동된 원형공산오차('Circular Error Probability', 'CEP') 거리의 3%이하의 위치정밀도를 갖는 수중음파탐지 항법시스템, 그리고 이를 위해 전용 설계된 부품

주 : 7A008은 위치 데이터를 제공하는 음향비이컨이나 부표를 필요로 하는 수상 선박이나 시스템에의 설치를 위해 전용 설계된 시스템은 통제하지 않는다.

주의 : 음향 시스템은 6A001.a.를, 상대속도 및 도플러 속도 수중음파탐지 측정장비는 6A001.b.를, 그 외의 해양시스템은 8A002를 참고

선형 가속도계로서 관성항법장치 또는 모든 형태의 유도장치에 사용가능하게 설계된 것으로, ‘미사일‘에 사용 가능하고 다음의 모든 특성을 갖는 것, 그리고 이를 위해 전용 설계된 부품 ; (7A001에 명시된 것 제외)

a. 1250 micro g 미만(보다 우수한) “편차” “반복도”; 그리고

b. 1250 ppm 미만(보다 우수한) “척도계수” “반복도“

주: 7A101은 심저드릴작업을 위한 Measurement While Drilling(MWD)센서로 개발되고 설계된 가속도계를 포함하지 않는다.

기술해설:

1. 7A101에서 ‘미사일’은 사거리 300km를 초과하는 완성로켓 시스템과 무인 항공기 시스템을 말한다.

2. 7A101에서 “편차” 및 “척도 계수”의 측정은 1년의 기간에 걸쳐 고정된 교정 값에 대해 1(one)시그마 표준 편차를 기준으로 한다.

“미사일”에 사용가능한 모든 형태의 자이로스코프 및 이를 위해 전용 설계된 부품으로서(7A002에 명시된 것 제외) 1g 조건 하에 정격 편차율 안정도(Drift rate stability)가 0.5°/hr (1 시그마 또는 rms) 미만인 것.

기술해설:

1. 7A102에서 ‘미사일’은 사거리 300km를 초과하는 완성 로켓시스템과 무인 항공기 시스템을 말한다.

2. 7A102에서 ‘안정도’는 고정된 운영환경에 연속적으로 노출되었을 때 변치 않는 특정 메커니즘이나 성능계수( performance coefficient)의 능력 인자로서 정의된다. (IEEESTD 528-2001 paragraph 2.247).

계기, 항법 장비 및 시스템(7A003에 명시된 것을 제외)으로서 다음의 것 및 이를 위해 전용 설계된 부품

a.다음의 가속도계 또는 자이로를 사용하는 관성 또는 기타 장비

그리고 이들 장비를 결합한 시스템:

1. 7A001.a.3., 7A001.b. 또는 7A101에 명시된 가속도계 또는

7A002나 7A102에 명시된 자이로; 또는

2. 7A001.a.1. 또는 7A001.a.2.에 명시된 가속도계로서 다음의

모든 특성을 갖는 것

a. 관성항법시스템 또는 모든 형태의 유도시스템에 사용가능

하게 설계된 것으로서 미사일에 사용 가능한 것

b. 1250 micro g 미만(보다 우수한) “편차” “반복도”; 그리고

c. 1250 ppm 미만(보다 우수한) “척도계수” “반복도“

주: 7A103.a.는 7A001에 명시된 심저드릴작업을 위한 MWD(Measurement While Drilling)센서로 전용 설계되고 개발된 가속도계를 포함한 장비는 제외한다.

b. “미사일”에 사용하기 위해 설계 또는 개조된 것으로서, 자이로안정화장치(gyrostabilisers) 또는 자동조종 비행장치를 포함하고 있는 통합비행계기시스템

c. ‘미사일’에 사용되기 위해 설계 또는 개조된 통합항법시스템으로서 원형공산오차(CEP) 200m 이하의 항법 정밀도를 제공할 수 있는 것

기술해설:

통합항법시스템은 일반적으로 다음의 부품을 포함한다.

1. 관성측정장비(예, 자세 및 방위각기준 좌표시스템, 관성기준장치, 또는 관성항법시스템)

2. 비행 중 주기적으로 또는 계속적으로 위치와/또는 속도를 업데이트하는데 사용되는 1개 이상의 외부 센서(예, 위성항법수신기, 레이더 고도계, 도플러 레이더); 그리고

3. 통합 하드웨어 및 소프트웨어

d. 비행제어 및 항법시스템에 통합 사용되기 위하여 설계되거나 개조된 3축 자기방위센서(magnetic heading sensors)로서 다음의 모든 특성을 갖는 것과 이를 위해 전용 설계된 부품

1. 피치(+/-90도)와 롤(+/-180도)축으로 내부 기울기 보정이 있는 것

2. 국지 자기장과 기준으로 +/-80도 상의 위도에서 0.5 degree rms미만의 방위각 정밀도를 제공할 수 있는 것

주 : 7A103.d.의 비행제어 및 항법시스템은 자이로안정화장치, 자동조종 비행장치 및 관성항법시스템을 포함한다.

기술해설 :

7A103에서 ‘미사일’은 사거리 300km를 초과하는 완성 로켓시스템과 무인 항공기 시스템을 말한다.

7A004에 명시된 것을 제외한 자이로-천축 나침반(Gyro-astro compass) 및 천체나 인공위성의 자동적인 추적 수단에 의해 그 위치나 방향을 알아낼 수 있는 기타 장치 및 그 전용 설계된 부품

위성항법시스템(GNSS, 예: GPS, GLONASS 또는 Galileo)의 수신장치로서 다음 중 하나 이상의 특성을 가진 것과 이를 위해 전용 설계된 부품

a. 9A004에 명시된 우주발사체, 9A012에 명시된 무인항공기, 또는 9A104에 명시된 관측로켓으로의 사용을 위해 설계되거나 개조된 것; 또는

b. 항공용으로 설계 또는 개조된 것으로 다음 중 하나 이상의 특성을 가진 것

1. 600 m/s를 초과하는 속도에서 항법정보를 제공할 수 있는 것

2. 위성항법시스템의 보안 신호/자료를 접근하기 위해 암호해독 기능이 있는 것으로 군사 또는 정부용으로 설계되거나 개조된 것; 또는

3. 능동적 또는 수동적 대응상황(countermeasure environment)에서 작동하는 반 전파방해 장치 [널 조정 안테나(null steering antenna) 또는 전자가동 안테나(Electronically steerable antenna)]를 위해 전용 설계된 것

주: 7A105.b.2. 및 7A105.b.3.은 상업용, 민간용 또는 생명의 안전(예: 데이터 보존, 비행안전)을 위한 위성항법시스템 서비스 제어장비는 통제하지 않는다.

7A006에 명시된 것을 제외한 9A004에 명시된 우주발사체나 9A104에 명시된 관측로켓에의 사용을 위해 설계되거나 개조된 레이더 또는 레이저 레이더 형태의 고도계

9A004에 명시된 우주발사체나 9A104에 명시된 관측로켓에의 사용을 위해 설계되거나 개조된 수동센서로서, 특정 전자기파의 발원지 추적(방향탐지기) 또는 지형의 특성을 파악할 수 있는 것

주: 7A115는 다음의 장비를 위한 센서를 포함한다.

a. TERCOM 장비(지형윤곽 대조장비)

b. 영상감지기(수동, 능동장비 모두 포함)

c. 수동 간섭계 장비

비행제어시스템과 서보밸브로서, 9A004에 명시된 우주발사체나 9A104에 명시된 관측로켓에의 사용을 위해 설계되거나 개조된 것으로 다음의 것

a. 유압식, 기계식, 전자광학식 또는 전자기계식 비행제어시스템(fly-by-wire 시스템 포함)

b. 자세제어장비

c. 비행제어 서보밸브로 7A116.a. 또는 7A116.b.에 명시된 시스템용으로 설계 및 개조된 것과 20Hz~2kHz의 주파수 범위에서 10g rms를 초과하는 진동환경에서 작동하도록 설계 또는 개조된 것

“미사일”에 사용가능한 “유도장치”로 시스템 정밀도가 사거리의 3.33% 이하인 것[예를 들면, 사거리 300km경우 10km 이하의 원형공산오차(CEP, Circular Error Probability)]

미사일을 위해 전용설계된 Umbilical 과 단간 전기 연결단자

기술해설:

7A118에 언급된 단간 연결단자는 미사일과 탑재체 사이에 설치된 전기 연결단자를 포함한다.

시험, 검사 및 생산장비

7A에 명시된 장비를 위해 전용 설계된 시험, 교정 또는 정렬장비

주: 7B001은 '정비수준 I' 또는 '정비수준 II'를 위해 사용되는 시험, 교정 또는 정렬 장비는 통제하지 않는다.

기술해설:

1. '정비수준'

관성항법장비의 고장이 제어표시기(CDU)의 지시 또는 그에 상응하는 하위 시스템의 상태 메시지에 의하여 항공기내에서 탐지된다. 제조업체의 교범에 따르면 고장원인은 라인교체가능유닛(LRU, Line Replaceable Unit)의 오기능 수준에 국한될 수 있다. 동 경우에 정비요원은 고장난 라인교체가능유닛을 제거하고 예비품으로 교체한다.

2. '정비수준 Ⅱ'

고장난 라인교체가능유닛(LRU)은 정비공장(제조업체의 공장 또는 수준Ⅱ의 정비 담당요원의 공장)에 보내진다. 고장난 장치는 그 정비공장에서 고장원인이 되는 창 교체가능 결합체(SRA, Shop Replaceable Assembly) 모듈을 확인, 발견하기 위하여 여러 가지 적절한 수단에 의해 시험을 받는다. 동 경우에 고장난 창 교체가능 결합체는 제거되고, 작동 가능한 예비품으로 교체, 설치된다. 고장난 창 교체가능 결합체(라인 교체가능 유닛(LRU) 전체일 수도 있음)는 제조업체로 보내진다. '정비수준 Ⅱ'는 특정 가속도계나 자이로 센서의 분해 또는 수리를 포함하지 않는다.

주의: '정비수준 Ⅱ'는 통제되는 가속도계 또는 자이로 감지기를 창 교체 가능 결합체(SRA)에서 제거하는 작업을 포함하지 아니한다.

링 “레이저” 자이로용 거울의 특성을 갖추게 하기 위하여 전용 설계된 아래와 같은 장비

주의: 7B102 참조

a. 10ppm 이하인(보다 우수한) 측정 정밀도를 가진 산란측정계(scatterometer);

b. 0.5nm(5Å) 이하인(보다 우수한) 측정 정밀도를 가진 프로필러미터(profilometer)

7A에 명시된 장비의 “생산”을 위해 전용 설계된 장비

주: 7B003은 다음 장비를 포함한다.

a. 자이로 동조시험 장치

b. 자이로 동적 힘측정 장치

c. 자이로 시운전/모터 시험 장치

d. 자이로의 진공배기(evacuation) 및 충진(fill) 장치

e. 자이로 베어링용 원심고정구

f. 가속도계 축 정렬 장치

g. 광섬유 자이로 코일 와인딩 장치

거울의 특성화를 위해 전용 설계된 반사측정기로서, “레이저” 자이로용이며, 측정 정밀도가 50 ppm 이하인(보다 우수한) 것

“생산설비” 및 “생산장비”로서 다음의 것

a. 7A117에 규정된 장비를 위해 전용 설계된 생산설비

b. 7B001부터 7B003에서 규정된 것 외에 생산장비 및 기타 시험, 교정 및 정렬장비로서, 7A에 명시된 장비용으로 사용하기 위해 설계되거나 개조된 것.

소재

해당 없음

소프트웨어

7A 또는 7B에 명시된 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위하여 전용 설계되거나 개조된  "소프트웨어"

7A003 또는 7A004에 명시되지 않는 관성 장비를 포함하는 관성항법장치(INS) 또는 비행자세 방위측정 표시장치('AHRS')의 운용 또는 정비를 위한 “소스코드(source code)” (수평장치가 있는 'AHRS'는 제외)[민감]

주 : 7D002는 짐벌(gimbal) 방식 비행자세 방위측정 표시장치('AHRS')의 운용 또는 정비를 위한  “소스코드(Source Code)”는 통제하지 않음

기술해설:

'AHRS'는 비행자세와 방위정보를 제공하고, 통상적으로 INS와 연관된 가속도, 속도, 위치정보를 제공하지 않는다는 점에서 관성항법장치(INS)와 일반적으로 구별된다.

기타의 "소프트웨어"로서 다음의 것

a. 7A003, 7A004 또는 7A008에서 규정된 수준으로 시스템의 항법오차를 감소시키거나 동작성능을 개선하기 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

b. 다음 항법데이터 중 하나와 방위각 데이터를 연속적으로 결합함으로써 7A003 또는 7A008에서 규정한 수준으로 시스템의 항법오차를 감소시키거나 동작성능을 개선하기 위한 하이브리드 통합시스템용 "소스코드"

1. 도플러 레이더 또는 수중음파 속도 데이터

2. 위성항법시스템(GNSS) 기준 데이터; 또는

3. DBRN(데이터 기반의 기준 항법시스템, Data-Based Referenced Navigation) 시스템의 데이터;

c. 센서 데이터를 조합하고 “전문가 시스템”을 채용한 통합된 항공전자장비 또는 임무 시스템을 위한 “소스코드(Source Code)”

d. 삭제(Not used since 2012)

주의 : 비행제어 “소스코드”는 7D004 참조

e.  7E00.4.b, 7E004.c.1, 또는 7E004.c.2에 명시된 기술인 “능동비행제어 시스템”, 헬리콥터의 다축 전기신호식 비행조종제어기(Fly-by-wire), 또는 광신호 (Fly-by-light) 비행조종제어기” 또는 “헬리콥터의 순환 제어  반 토크 시스템 또는 순환 제어 방식 방향제어 시스템”의 개발을 위해 전용 설계된 CAD 소프트웨어

7E004.a 또는 7E004.b에 명시된 “개발” “기술”을 사용하는 “소스코드”로서 다음중 하나의 것

a. 통합비행제어용 디지털 비행관리시스템

b. 통합 추진/비행 제어시스템

c. 전기신호식 비행조종제어(Fly-by-wire) 또는 광신호비행조종제어(fly-by-light) 시스템

d. 고장허용 또는 자체 재구성 "능동 비행제어시스템"

e. 삭제

f. 지상의 정적데이터에 기초한 항공데이터 시스템; 또는

g. 3차원 디스플레이

주 : 7D004는 특정 비행제어시스템 기능에 적용되지 않는 일반적인 컴퓨터 요소와 유틸리티(예 : 입력신호 획득, 출력신호 전송, 컴퓨터 프로그램 및 데이터 loading, 자체고장진단, task scheduling mechanisms)와 연관된 “소스코드”는 통제하지 않는다.

7A001~7A006, 7A101~7A106, 7A115, 7A116.a., 7A116.b., 7B001, 7B002, 7B003, 7B102 또는 7B103의 장비 “운용”을 위해 전용설계 또는 개조된 “소프트웨어”

다음과 같은 통합“소프트웨어”

a. 7A103.b.에 명시된 장비용 통합“소프트웨어”

b. 7A003 또는 7A103.a.에 명시된 장비용으로 전용 설계된 통합“소프트웨어”

c. 7A103.c.에 명시된 장비용으로 전용설계 또는 개조된 통합“소프트웨어”

주: 일반적인 통합“소프트웨어”는 칼맨(Kalman) 필터링을 사용한다.

7A117상에 명시된 “유도장치”의 모델링, 모의시험(시뮬레이션)을 위해, 또는 9A004에 명시된 우주발사체나 9A104에 명시된 관측로켓과의 설계통합을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

주: 7D103의 “소프트웨어”는 4A102의 전용 설계된 하드웨어가 내장될 때에도 수출이 통제된다.

기술

7A, 7B, 7D001, 7D002, 또는 7D003.에 의해 수출 통제되는 장비 또는 “소프트웨어”의 “개발”을 위한 일반기술해설에 의거한 “기술”

7A, 또는 7B에 의해 수출 통제되는 장비의 “생산”을 위한 일반기술해설에 의거한 “기술”

7A001～7A004에 의해 수출 통제되는 장비의 수리, 개조 또는 분해 조립검사를 위한 일반기술해설에 의거한 “기술”

주: '정비수준 I' 또는 '정비수준 Ⅱ'에서 기술된 바와 같이 “민간항공기”의 손상되었거나 작동되지 않는 라인교체가능유닛(LRU) 및 창 교체가능 결합체의 교정, 제거 또는 교체와 직접적으로 관련 있는 정비 “기술”은 제외함

주의: 7B001의 기술해설 참조

그 밖의 “기술”로서 다음의 것

a. 다음 중 하나의 “개발” 또는 “생산”을 위한 “기술”

1. <삭  제>

2. 지상의 정적 데이터에만 기초한 항공데이터 시스템, 즉 재래식 항공데이터 탐침(probe) 없이 운용되는 항공데이터 시스템

3. “항공기”용의 3차원 디스플레이

4. 삭제

5. “주 비행제어” 전용으로 설계된 전기구동장치(예: 전기기계식, 전기유압식, 통합된 구동장치 패키지)

6. “능동 비행제어 시스템” 구현을 위해 전용 설계된 “비행제어 광학센서어레이(optical sensor array)” 또는

7. 0.4해리(nautical mile) 이하(우수한)의 위치 정밀도를 제공하는 음파탐지 또는 중력 데이터베이스를 사용하며 수중에서 항행하기 위해 설계된 “DBRN" 시스템

b. 다음의 "능동 비행제어시스템"을 위한 “개발” “기술” (전기신호(Fly-by-wire), 또는 광신호(Fly-by-light) 방식 포함)

1. 광신호비행조종제어(fly-by-light) “능동비행제어시스템”에 요구되어지는 항공기 또는 비행제어 부품상태 감지, 비행제어 데이터 전송 또는 액추에이터 이동명령을 위한 광학기반의 “기술”

2. 삭제(Not used since 2012)

3. “능동비행제어시스템” 내에서 부품의 임박한 악화 및 고장을 예측하고 예방적으로 완화하기 위한 부품센서 정보를 분석하기위한 실시간 알고리즘

주 : 7E004.b.3는 오프라인 정비를 목적으로 하는 알고리즘은 포함하지 않는다.

4. “능동비행제어시스템”의 악화 및 고장을 완화하기 위해 부품의 고장을 인식하고 힘과 모멘트 제어를 변경하기 위한 실시간 알고리즘

주 : 7E004.b.4는 중복된 데이터 소스의 비교를 통한 고장효과의 제거 또는 예측된 고장에 있어 사전계획된 오프라인 정비를 위한 알고리즘은 포함하지 않는다.

5. 종합비행제어를 위해 디지털 비행제어, 항법 그리고 추진제어 데이터를 디지털 비행관리시스템으로 통합하는 기술.

주: 7E004.b.5.는 다음과 같은 것은 통제하지 않는다.

a. “비행경로 최적화”를 위한 디지털 비행제어, 항법 그리고 추진제어 데이터를 디지털 비행관리시스템으로 통합하기 위한 “개발” “기술”

b. VOR, DME, ILS 또는 MLS 항법 또는 접근용으로만 통합되는 “항공기” 비행기기 시스템용 “개발”
“기술”

주 : 7E004.b.는 특정 비행제어시스템 기능에 적용되지 않는 일반적인 컴퓨터 요소와 유틸리티(예 : 입력신호 획득, 출력신호 전송, 컴퓨터 프로그램 및 데이터 loading, 자체고장진단, task scheduling mechanisms)와 연관된 기술에는 적용하지 않는다.

6.  “전문가 시스템”을 채용하는 통합(full authority) 디지털 비행제어 또는 다중감지기 임무관리 시스템

주의: 통합 디지털 엔진제어 시스템(“FADEC 시스템“)“기술”에 대하여는 9E003.h. 참조

c. 헬리콥터 시스템의 "개발"을 위한 “기술”로서 다음의 것

1. 다음 중 두개 이상의 기능을 하나의 제어요소를 가진 기능으로 결합한 전기신호식 비행조종제어(fly-by-wire) 또는 광신호식 비행조종제어(fly-by-light) 시스템

a. 모음식(collective) 조종 장치

b. 주기(cyclic) 조정 장치

c. 요(yaw) 조정 장치

2.  “순환 제어 방식의 반 토크 시스템 또는 순환 제어 방식의 방향 제어시스템”

3. 개별날개제어를 사용한 시스템에 사용하기 위한 “가변의 기하학적 익형”을 채용한 회전익(rotor blade)

7A001~7A006, 7A101~7A106, 7A115~7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101~7D103에서 명시된 장비의 “사용”에 관하여 일반기술해설에 규정되어 있는 “기술”

외부 전자기 충격(EMP)과 전자기 간섭(EMI)의 위험으로부터 항공전자장비와 전기장치를 보호하기 위한 다음의 “기술”

a. 차폐 시스템 설계“기술”

b. 강화된 전자회로 및 서브시스템의 형상용 설계“기술”

c. 7E102.a~b의 강화된 상한선을 결정하기 위한 설계“기술”

비행제어, 유도 및 추진 데이터를 비행관리체계에 통합하기 위한 “기술”로서 로켓 시스템의 비행궤도를 최적화하기 위한 것

CATEGORY 7 - NAVIGATION AND AVIONICS

Systems, Equipment and Components

N.B.: For automatic pilots for underwater vehicles, see Category 8. For radar, see Category 6.

Accelerometers, as follows, and specially designed components therefor:

N.B.: SEE ALSO 7A101.

N.B.: For angular or rotational accelerometers, see 7A001.b.

a. Linear accelerometers having any of the following:

1. Specified to function at linear acceleration levels less than or equal to 15 g, and having any of the following:

a. A "bias" "stability" of less (better) than 130 micro g with respect to a fixed calibration value over a period of one year; or

b. A "scale factor" "stability" of less (better) than 130 ppm with respect to a fixed calibration value over a period of one year;

2. Specified to function at linear acceleration levels exceeding 15 g but less than or equal to 100 g and having all of the following:

a. A "bias" "repeatability" of less (better) than 1,250 micro g over a period of one year; and

b. A "scale factor" "repeatability" of less (better) than 1,250 ppm over a period of one year; or

3. Designed for use in inertial navigation or guidance systems and specified to function at linear acceleration levels exceeding 100 g;

Note: 7A001.a.1. and 7A001.a.2. do not control accelerometers limited to measurement of only vibration or shock.

b. Angular or rotational accelerometers specified to function at linear acceleration levels exceeding 100 g.

Gyros or angular rate sensors, having any of the following and specially designed components therefor:

N.B 1 : See also 7A102

N.B 2 : For angular or rotational accelerometers, see 7A001.b.

a. Specified to function at linear acceleration levels less than or equal to 100 g and having any of the following:

1. A rate range of less than 500 degrees per second and having any of the following:

a.	A "bias" "stability" of less (better) than 0.5 degree per hour, when measured in a 1 g environment over a period of one onth, and with respect to a fixed calibration value; or

b. An "angle random walk" of less (better) than or equal to  0.0035 degree per square root hour; or

Note: 7A002.a.1.b does not control 'spinning mass gyros'.

Technical Note :

‘Spinning mass gyros’ are gyros which use a continually rotating mass to sense angular motion.

c. A rate range greater than or equal to 500 degrees per second and having any of the following:

1. A "bias" "stability", when measured in a 1 g environment over a period of three minutes, and with respect to a fixed calibration value of less (better) than 40 degrees per hour; or

2. An "angle random walk" of less (better) than or equal to 0.2 degree per square root hour; or

d. Specified to function at linear acceleration levels exceeding 100 g.

Inertial Systems and specially designed components, as follows:

N.B.: SEE ALSO 7A103.

a. Inertial navigation systems (INS) (gimballed or strapdown) and inertial equipment designed for "aircraft", land vehicle, vessels (surface or underwater) or "spacecraft" for navigation, attitude, guidance or control and having any of the following and specially designed components therefor:

1. Navigation error (free inertial) subsequent to normal alignment of 0.8 nautical mile per hour(nm/hr) 'Circular Error Probable' (CEP) or less (better); or

2. Specified to function at linear acceleration levels exceeding 10 g;

b. Hybrid Inertial Navigation Systems embedded with Global Navigation Satellite Systems(s) (GNSS) or with "Data-Based Referenced Navigation" ("DBRN") System(s) for navigation, attitude, guidance or control, subsequent to normal alignment and having an INS navigation position accuracy, after loss of GNSS or "DBRN" for a period of up to four minutes, of less (better) than 10 metres 'Circular Error Probable'(CEP).

c. Inertial Measurement equipment for heading, or True North

determination and having any of the following and specially

designed components therefor:

1. Designed to have heading, or True North determination

accuracy equal to or less (better) than 0.07 deg sec (Lat)

(equivalent to 6 arc minutes rms at 45-degrees latitude); or

2. Designed to have a non-operating shock level of 900 g or

greater at a duration of 1 msec or greater;

d. Inertial measurement equipment including Inertial Measurement Units (IMU) and Inertial Reference Systems (IRS), incorporating accelerometers or gyros specified in 7A001 or 7A002.

Note 1: The parameters of 7A003.a. and 7A003.b. are applicable with any of the following environmental conditions:

a. Input random vibration with an overall magnitude of 7.7 g rms in the first 0.5 hour and a total test duration of 1.5 hour per axis in each of the 3 perpendicular axes, when the random vibration meets all the following:

1. A constant Power Spectral Density (PSD) value of  0.04g²/Hz over a frequency interval of 15 to 1,000 Hz; and

2. The PSD attenuates with frequency from 0.04g²/Hz to  0.01g²/Hz over a frequency interval from 1,000 to 2,000 Hz;

b. An angular rate capability about one or more axes of equal to or more than +2.62 rad/s (150 deg/s); or

c. According to national standards equivalent to a. or b. above.

Note 2: 7A003 does not control inertial navigation systems which are certified for use on "civil aircraft" by civil authorities of a Wassenaar Arrangement Participating State.

Note 3: 7A003.c.1. does not control theodolite systems incorporating inertial equipment specially designed for civil surveying purposes.

Technical Notes:

1. 7A003.b. refers to systems in which an INS and other independent navigation aids are built into a single unit (embedded) in order to achieve improved performance.

2. 'Circular Error Probable' (CEP) - In a circular normal distribution, the radius of the circle containing 50% of the individual measurements being made, or the radius of the circle within which there is a 50% probability of being located.

'Star trackers' and components therefor, as follows:

a. 'Star trackers' with a specified azimuth accuracy of equal to or less (better) than 20 seconds of arc throughout the specified lifetime of the equipment;

b. Components specially designed for equipment specified in 7A004.a as follows:

1. Optical heads or baffles;

2. Data processing units.

Technical Note

'Star trackers' are also referred to as stellar attitude sensors or gyro-astro compasses.

Global navigation satellite systems (GNSS) receiving equipment having any of the following and specially designed components therefor:

N.B.: SEE ALSO 7A105.

N.B. For equipment specially designed for military use, see ML11.

a. Employing a decryption algorithm specially designed or modified for government use to access the ranging code for position and time; or

b. Employing 'adaptive antenna systems'.

Note 7A005.b. does not control GNSS receiving equipment that only uses components designed to filter, switch, or combine signals from multiple omni-directional antennae that do not implement adaptive antenna techniques.

Technical Note

For the purposes of 7A005.b 'adaptive antenna systems' dynamically generate one or more spatial nulls in an antenna array pattern by signal processing in the time domain or frequency domain.

Airborne altimeters operating at frequencies other than 4.2 to 4.4 GHz inclusive and having any of the following :

N.B.: SEE ALSO 7A106.

a. "Power management"; or

b. Using phase shift key modulation.

Underwater sonar navigation systems, using doppler velocity or correlation velocity logs integrated with a heading source and having a positioning accuracy of equal to or less (better) than 3% of distance travelled 'Circular Error Probable' ('CEP'), and specially designed components therefor.

Note: 7A008 does not control systems specially designed for installation on surface vessels or systems requiring acoustic beacons or buoys to provide positioning data.

N.B.: See 6A001.a. for acoustic systems, and 6A001.b. for correlation-velocity and Doppler-velocity sonar log equipment. See 8A002 for other marine systems.

Linear accelerometers, other than those specified in 7A001, designed for use in inertial navigation systems or in guidance systems of all types, usable in 'missiles', having all the following characteristics, and specially designed components therefor:

a. A "bias" "repeatability" of less (better) than 1250 micro g; and

b. A "scale factor" "repeatability" of less (better) than 1250 ppm;

Note: 7A101 does not specify accelerometers which are specially designed and developed as MWD (Measurement While Drilling) Sensors for use in downhole well service operations.

Technical Notes:

1. In 7A101 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km;

2. In 7A101 the measurement of "bias" and "scale factor" refers to a one sigma standard deviation with respect to a fixed calibration over a period of one year;

All types of gyros, other than those specified in 7A002, usable in 'missiles', with a rated "drift rate" 'stability' of less than 0.5° (1 sigma or rms) per hour in a 1 g environment and specially designed components therefor.

Technical Notes:

1. In 7A102 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

2. In 7A102'stability' is defined as a measure of the ability of a specific mechanism or performance coefficient to remain invariant when continuously exposed to a fixed operating condition (IEEESTD 528-2001 paragraph 2.247).

Instrumentation, navigation equipment and systems, other than those specified in 7A003, as follows; and specially designed components therefor:

a. Inertial or other equipment, using accelerometers or gyros as

follows, and systems incorporating such equipment:

1. Accelerometers specified in 7A001.a.3., 7A001.b. or 7A101

or gyros specified in 7A002 or 7A102; or

2. Accelerometers specified in 7A001.a.1. or 7A001.a.2. and

having all of the following:

a. Designed for use in inertial navigation systems or in

guidance systems of all types and usable in 'missiles';

b. A "bias" "repeatability" of less (better) than 1250 micro g; and

c. A "scale factor" "repeatability" of less (better) than 1250 ppm;

Note: 7A103.a. does not specify equipment containing accelerometers specified in 7A001 where such accelerometers are specially designed and developed as MWD (Measurement While Drilling) sensors for use in down-hole well services operations.

b. Integrated flight instrument systems which include gyrostabilisers or automatic pilots, designed or modified for use in 'missiles';

c. 'Integrated navigation systems', designed or modified for 'missiles' and capable of providing a navigational accuracy of 200m Circle of Equal Probability (CEP) or less.

Technical Notes:

An 'integrated navigation system' typically incorporates the following components:

1. An inertial measurement device (e.g., an attitude and heading reference system, inertial reference unit, or inertial navigation system);

2. One or more external sensors used to update the position and/or velocity, either periodically or continuously throughout the flight (e.g., satellite navigation receiver, radar altimeter, and/or Doppler radar); and

3. Integration hardware and software;

d. Three axis magnetic heading sensors, designed or modified to be integrated with flight control and navigation systems, having all the following characteristics, and specially designed components therefor;

1. Internal tilt compensation in pitch (± 90 degrees) and roll (± 180 degrees) axes;

2. Capable of providing azimuthal accuracy better (less) than 0.5 degrees rms at latitude of ± 80 degrees, reference to local magnetic field.

Note: Flight control and navigation systems in 7A103.d. include gyrostabilizers, automatic pilots and inertial navigation systems.

Technical Note:

In 7A103 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Gyro-astro compasses and other devices, other than those specified in 7A004, which derive position or orientation by means of automatically tracking celestial bodies or satellites and specially designed components therefor.

Receiving equipment for Global Navigation Satellite Systems (GNSS; e.g. GPS, GLONASS, or Galileo), having any of the following characteristics, and specially designed components therefor:

a. Designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004, unmanned aerial vehicles specified in 9A012 or sounding rockets specified in 9A104; or

b. Designed or modified for airborne applications and having any of the following:

1. Capable of providing navigation information at speeds in excess of 600 m/s;

2. Employing decryption, designed or modified for military or governmental services, to gain access to GNSS secured signal/data; or

3. Being specially designed to employ anti-jam features (e.g. null steering antenna or electronically steerable antenna) to function in an environment of active or passive countermeasures.

Note: 7A105.b.2. and 7A105.b.3. do not control equipment designed for commercial, civil or 'Safety of Life' (e.g., data integrity, flight safety) GNSS services.

Altimeters, other than those specified in 7A006, of radar or laser radar type, designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Passive sensors for determining bearing to specific electromagnetic source (direction finding equipment) or terrain characteristics, designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Note: 7A115 includes sensors for the following equipment:

a. Terrain contour mapping equipment;

b. Imaging sensor equipment (both active and passive);

c. Passive interferometer equipment.

Flight control systems and servo valves, as follows; designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

a. Hydraulic, mechanical, electro-optical, or electro-mechanical flight control systems (including fly-by-wire types);

b. Attitude control equipment;

c. Flight control servo valves designed or modified for the systems specified in 7A116.a. or 7A116.b., and designed or modified to operate in a vibration environment greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz.

"Guidance sets", usable in "missiles" capable of achieving system accuracy of 3.33% or less of the range (e.g., a "CEP" of 10 km or less at a range of 300 km).

Umbilical and interstage electrical connectors specially designed for systems specified in “missiles”.

Technical note:

Interstage connectors referred to in 7A118 also include electrical connectors installed between systems specified in “missiles” and their “payload”.

Test, Inspection and Production Equipment

Test, calibration or alignment equipment specially designed for equipment specified in 7A.

Note: 7B001 does not control test, calibration or alignment equipment for 'Maintenance Level I' or 'Maintenance Level II'.

Technical Notes:

1. 'Maintenance Level I'

The failure of an inertial navigation unit is detected on the aircraft by indications from the Control and Display Unit (CDU) or by the status message from the corresponding sub-system. By following the manufacturer's manual, the cause of the failure may be localised at the level of the malfunctioning Line Replaceable Unit (LRU). The operator then removes the LRU and replaces it with a spare.

2. 'Maintenance Level II'

The defective LRU is sent to the maintenance workshop (the manufacturer's or that of the operator responsible for level II maintenance). At the maintenance workshop, the malfunctioning LRU is tested by various appropriate means to verify and localise the defective Shop Replaceable Assembly (SRA) module responsible for the failure. This SRA is removed and replaced by an operative spare. The defective SRA (or possibly the complete LRU) is then shipped to the manufacturer. ‘Maintenance Level II’ does not include the disassembly or repair of specified accelerometers or gyro sensors.

N.B. 'Maintenance Level II' does not include the removal of controlled accelerometers or gyro sensors from the SRA.

Equipment specially designed to characterize mirrors for ring "laser" gyros, as follows:

N.B.: SEE ALSO 7B102.

a. Scatterometers having a measurement accuracy of 10 ppm or less (better);

b. Profilometers having a measurement accuracy of 0.5 nm (5 angstrom) or less (better).

Equipment specially designed for the "production" of equipment specified in 7A.

Note: 7B003 includes:

a. Gyro tuning test stations;

b. Gyro dynamic balance stations;

c. Gyro run-in/motor test stations;

d. Gyro evacuation and fill stations;

e. Centrifuge fixtures for gyro bearings;

f. Accelerometer axis align stations;

g. Fibre optic gyro coil winding machines.

Reflectometers specially designed to characterise mirrors, for "laser" gyros, having a measurement accuracy of 50 ppm or less (better).

"Production facilities" and "production equipment" as follows:

a. "Production facilities" specially designed for equipment specified in 7A117;

b. "Production equipment", and other test, calibration and alignment equipment, other than that specified in 7B001 to 7B003, designed or modified to be used with equipment specified in 7A.

Materials

None.

Software

"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 7A. or 7B.

"Source code" for the operation or maintenance of any inertial navigation equipment, including inertial equipment not specified by  7A003 or 7A004, or Attitude and Heading Reference Systems ('AHRS').

Note: 7D002 does not control "source code" for the operation or maintenance of gimballed 'AHRS’

Technical Note:

'AHRS' generally differ from Inertial Navigation Systems (INS) in that an 'AHRS' provides attitude and heading information and normally does not provide the acceleration, velocity and position information associated with an INS.

Other "software", as follows:

a. "Software" specially designed or modified to improve the operational performance or reduce the navigational error of systems to the levels specified in 7A003, 7A004 or 7A008;

b. "Source code" for hybrid integrated systems which improves the operational performance or reduces the navigational error of systems to the level specified in 7A003 or 7A008 by continuously combining heading data with any of the following:

1. Doppler radar or sonar velocity data;

2. Global Navigation Satellite Systems (GNSS) reference data; or

3. Data from "Data-Based Referenced Navigation" ("DBRN") systems;

c. "Source code" for integrated avionics or mission systems which combine sensor data and employ "expert systems";

d. Not used since 2012

N.B. For flight control "source code", see 7D004.

e. Computer-aided-design (CAD) "software" specially designed for the "development" of "active flight control systems", helicopter multi-axis fly-by-wire or fly-by-light controllers or helicopter "circulation controlled anti-torque or circulation-controlled direction control systems", whose "technology" is specified in 7E004.b., 7E004.c.1. or 7E004.c.2.

"Source code" incorporating "development" "technology" specified in 7E004.a or 7E004.b, for any of the following:

a. Digital flight management systems for "total control of flight";

b. Integrated propulsion and flight control systems;

c. Fly-by-wire or fly-by-light control systems;

d. Fault-tolerant or self-reconfiguring "active flight control systems";

e. Not used since 2012

f. Air data systems based on surface static data; or

g. Three dimensional displays.

Note 7D004 does not control "source code" associated with common computer elements and utilities (e.g., input signal acquisition, output signal transmission, computer program and data loading, built-in test, task scheduling mechanisms) not providing a specific flight control system function.

"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 7A001 to 7A006, 7A101 to 7A106, 7A115, 7A116.a., 7A116.b., 7B001, 7B002, 7B003, 7B102 or 7B103.

Integration "software" as follows:

a. Integration "software" for the equipment specified in 7A103.b.;

b. Integration "software" specially designed for the equipment specified in 7A003 or 7A103.a.

c. Integration "software" designed or modified for the equipment specified in 7A103.c.

Note: A common form of integration "software" employs Kalman filtering.

"Software" specially designed for modelling or simulation of the "guidance sets" specified in 7A117 or for their design integration with the space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Note: "Software" specified in 7D103 remains controlled when combined with specially designed hardware specified in 4A102.

Technology

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software", specified in 7A, 7B, 7D001, 7D002, or 7D003.

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 7A or 7B.

"Technology" according to the General Technology Note for the repair, refurbishing or overhaul of equipment specified in 7A001 to 7A004.

Note: 7E003 does not control maintenance "technology" directly associated with calibration, removal or replacement of damaged or unserviceable LRUs and SRAs of a "civil aircraft" as described in 'Maintenance Level I' or 'Maintenance Level II'.

N.B.: See Technical Notes to 7B001.

Other "technology", as follows:

a. "Technology" for the "development" or "production" of any of the following:

1. Not used

2. Air data systems based on surface static data only, i.e., which dispense with conventional air data probes

;

3. Three dimensional displays for "aircraft";

4. Not used

5. Electric actuators (i.e., electromechanical, electrohydrostatic and integrated actuator package) specially designed for "primary flight control";

6. "Flight control optical sensor array" specially designed for implementing "active flight control systems"; or

7. "DBRN" systems designed to navigate underwater using sonar or gravity databases, that provide a positioning accuracy equal to or less (better) than 0.4 nautical miles;

b. "Development" "technology", as follows, for "active flight control systems" (including fly-by-wire or fly-by-light):

1. Photonic-based "technology" for sensing aircraft or flight control

component state, transferring flight control data, or commanding

actuator movement, "required" for fly-by-light "active flight control

systems";

2. Not used since 2012

3. Real-time algorithms to analyze component sensor information to predict and preemptively mitigate impending degradation and failures of components within an "active flight control system";

Note 7E004.b.3 does not include algorithms for the purpose of offline maintenance.

4. Real-time algorithms to identify component failures and reconfigure force and moment controls to mitigate "active flight control system" degradations and failures

Note 7E004.b.4 does not include algorithms for the elimination of

fault effects through comparison of redundant data sources,

or off-line pre-planned responses to anticipated failures.

5. Integration of digital flight control, navigation and propulsion control data into a digital flight management system for "total control of flight";

Note: 7E004.b.5. does not control:

a. "Development" "technology" for integration of digital flight control, navigation and propulsion control data, into a digital flight management system for "flight path optimisation";

b. "Development" "technology" for "aircraft" flight instrument systems integrated solely for VOR, DME, ILS or MLS navigation or approaches.

Note 7E004.b does not control technology associated with common

computer elements and utilities (e.g., input signal acquisition,

output signal transmission, computer program and data loading,

built-in test, task scheduling mechanisms) not providing a specific flight control system function.

6. Full authority digital flight control or multisensor mission management systems employing "expert systems";

N.B.: For "technology" for Full Authority Digital Engine Control Systems ("FADEC Systems"), see 9E003.h.

c. "Technology" for the "development" of helicopter systems, as follows:

1. Multi-axis fly-by-wire or fly-by-light controllers, which combine the functions of at least two of the following into one controlling element:

a. Collective controls;

b. Cyclic controls;

c. Yaw controls;

2. "Circulation-controlled anti-torque or circulation-controlled directional control systems";

3. Rotor blades incorporating "variable geometry airfoils" for use in systems using individual blade control.

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 7A001 to 7A006, 7A101 to 7A106, 7A115 to 7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101 to 7D103.

"Technology" for protection of avionics and electrical subsystems against electromagnetic pulse (EMP) and electromagnetic interference (EMI) hazards, from external sources, as follows:

a.  Design "technology" for shielding systems;

b. Design "technology" for the configuration of hardened electrical circuits and subsystems;

c. Design "technology" for the determination of hardening criteria of 7E102.a. and 7E102.b.

"Technology" for the integration of the flight control, guidance, and propulsion data into a flight management system for optimization of rocket system trajectory.

8A

8A001

(IL8.A.1)

8A001.a

8A001.b

8A001.b.1

8A001.b.2

8A001.b.3

8A001.c

8A001.c.1

8A001.c.1

8A001.d

8A001.d.1

8A001.d.2

8A001.d.3

8A001.e

8A001.e.1

8A001.e.2

8A001.f

8A001.g

8A001.h

8A001.i

8A001.i.1

8A001.i.2

8A002

(IL8.A.2)

8A002.a

8A002.a.1

8A002.a.2

8A002.a.3

8A002.a.4

8A002.b

8A002.b.1

8A002.b.2

8A002.b.3

8A002.c

8A002.d

8A002.d.1

8A002.d.1.a

8A002.d.1.b

8A002.d.1.c

8A002.d.1.c.1

8A002.d.1.c.2

8A002.d.2

8A002.e

8A002.e.1

8A002.e.2

8A002.e.3

8A002.f

8A002.f.1

8A002.f.2

8A002.g

8A002.g.1

8A002.g.2

8A002.h

8A002.h.1

8A002.h.2

8A002.i

8A002.i.1

8A002.i.2

8A002.j

8A002.j.1

8A002.j.1.a

8A002.j.1.b

8A002.j.1.c

8A002.j.1.d

8A002.j.2

8A002.j.3

8A002.j.3.a

8A002.j.3.b

8A002.k

8A002.k.1

8A002.k.2

8A002.l

8A002.m

8A002.n

8A002.o

8A002.o.1

8A002.o.1.a

8A002.o.1.b

8A002.o.1.c

8A002.o.1.d

8A002.o.1.e

8A002.o.2

8A002.o.2.a

8A002.o.2.b

8A002.o.2.c

8A002.o.2.d

8A002.o.2.e

8A002.o.3

8A002.o.2.a

8A002.o.2.b

8A002.p

8A002.q

8A002.r

8B

8B001

(IL8.B.1)

8C

8C001

(IL8.C.1)

8D

8D001

(IL8.D.1)

8D002

(IL8.D.2)

8E

8E001

(IL8.E.1)

8E002

(IL8.E.2)

8E002.a

8E002.b

제8부 - 해양

시스템, 장비 및 부품

잠수정 및 수상선으로서 다음의 것

주의  잠수정에 사용되는 장비의 수출통제 현황분석을 위하여

암호화 통신장비에 대해서는 제5부 2장,

센서는 제6부,

항해장비는 제7부, 제8부,

수중장비에 대해서는 제8부의 8A를 참조

a. 수심 1,000m를 초과하는 깊이에서 작동하도록 설계된 유인, 밧줄이 달린 잠수정

b. 유인, 밧줄이 없는 잠수정으로서 다음 중 하나의 성능을 가진 것

1. 자체적으로 작동하게 설계되고

a. 자체무게(대기에서 측정 시)의 10% 이상인 것과 동시에

b. 인양능력이 15kN 이상

2. 1,000m를 초과하는 깊이에서 작동할 수 있도록 설계된 것

3. 다음의 모든 것

a. 10시간 이상 연속적으로 "자체 작동"할 수 있고,

b. 25해리 이상의 "항해거리"

기술해설

1. "자체적으로 작동" - 완전히 잠수됨, 스노클(공기관) 없음.

모든 장치는 최소속력으로 작동하며 항해할 때 깊이 조정익만을 사용하여 깊이를 안정하게 조정할 수 있는 잠수정으로서 지원 선박이나 해상, 해저 또는 해안의 지원기지가 불필요하며 수중이나 수상 항해용의 추진 장치를 갖춘 것

2. "항해거리" - 한대의 잠수정이 "자체적으로 작동"할 수 있는 최대 거리의 반

c. 1,000m를 초과하는 깊이에서 작동할 수 있도록 설계되었고 무인, 밧줄이 달린 잠수정으로서 다음 중 하나의 것

1. 8A002.a.2항에서 통제되는 추진 모터 및 스러스터(thruster)를 사용하여 자체 추진력으로 기동할 수 있도록 설계된 것

2. 광섬유 데이터를 송수신할 수 있는 것

d. 무인, 밧줄이 없는 잠수정으로서 다음 중 하나의 것

1. 실시간으로 사람의 도움 없이 어떤 지리적 참조물에 대하여도 항로를 결정할 수 있도록 설계된 것

2. 음향 데이터 또는 지령을 송수신할 수 있는 것

3. 1,000m를 초과하는 깊이에서 광학 데이터 또는 지령을 송수신할 수 있는 것

e. 수심 250m를 초과하는 깊이에서 5MN을 초과하는 용량을 들어 올릴 수 있는 해양구조 시스템으로 다음 중 하나의 특성을 갖춘 것

1. 항해시스템에 의해서 주어진 한 지점으로부터 20m 내에서 자기 위치를 유지시킬 수 있는 자동위치유지장치(DPS)

2. 미리 정해진 지점에서 10m 이내의 위치정밀도를 가지며 수심 1,000m를 초과하는 깊이에서 사용가능한 해저항해 및 통합항해시스템

f. 표면효과선(surface-effect vehicle, (유연한 고무덮개인 스커트로 완전히 둘러싸인 것))으로 다음 모든 것

1. 1.25m(해상상태 3)이상의 유의파고에서 만재 시 최고설계속도가 30노트를 초과하며

2. 쿠션압력이 3,830Pa을 초과하고

3. 0.70 미만의 적재비 (선박의 경하 상태 대 최대 적재상태)를 갖는 것

g. 3.25m(해상상태 5)이상의 유의파고에서 만재 시 최고설계속도가 40노트를 초과하는 표면효과선(강성 측벽을 가진 것)

h. 3.25m(해상상태 5)이상의 유의파고에서 만재 시 최고설계속도가 40노트 이상이며, 자동제어 foil 시스템용 능동시스템을 갖는 수중익선

i. 다음 중 하나의 것으로 된 최소수선면적선박

1. 3.25m(해상상태 5)이상의 유의파고에서 만재 시 최고설계속도가 35노트를 초과하고 만재 배수량이 500톤을 초과하는 것

2. 4m(해상상태 6)이상의 유의파고에서 만재 시 최고설계속도가 25노트를 초과하고 만재 배수량이 1,500톤을 초과하는 것

기술해설

최소수선면적선박은 다음 공식에 의해 정의 된다 :

설계운항 홀수에서의 수선 면적이 2×(설계운항 홀수에서의 배수용적)2/3 미만인 것

시스템, 장비 및 부품으로서 다음과 같은 것:

주의 수중용 통신장비에 대하여는 제5부 제1장을 참조

a. 1,000m를 초과하는 깊이에서 작동하도록 설계되고 잠수정을 위해 전용 설계․개조된 시스템, 장비 및 부품으로서 다음의 것:

1. 격납실 최대 내경이 1.5m를 초과하는 압력격납고 또는 내압선각

2. 직류 추진 모터 또는 스러스터(thruster)

3. 합성보강재를 갖고 광섬유를 사용하는 생명줄(umbilical cable)과 커넥터(connector)

4. 8C001.에 명기된 소재로 제조된 부품

기술해설

syntactic foam이 중간 제조단계를 지나고 최종제품의 형상을 갖고 있지 않을 때 8C001에서 통제되던 것이 수출된다고 이 통제의 목적을 무시해서는 안된다.

b. 8A001에 의해 수출 통제되는 잠수정용 장비의 동작을 자동제어하기 위해 전용 설계․개조된 시스템으로서 항해 자료를 사용하고 폐회로(closed loop) 보조제어(servo-control)장치를 갖는 것으로 다음 중 하나의 성능을 가진 것

1. 수두(Water column) 기준으로 미리 정해진 지점의 10m 이내까지 잠수정을 움직일 수 있는 것

2. 수두 기준으로 미리 정해진 지점의 10m 이내에서 잠수정의 위치를 유지시킬 수 있는 것

3. 해상이나 해저의 케이블을 뒤따르는 동안 10m 이내에서 잠수정의 위치를 유지시킬 수 있는 것

c. 광섬유 압력 선체 관통구(fibre optic pressure hull penetrators)

d. 수중관측 시스템으로서 다음의 것

1. TV시스템과 TV카메라로서 다음의 것

a. 대기에서 측정할 때 주사선 800을 초과하는 한계 분해능을 갖고 잠수정에서 원격으로 작동하기 위해 전용 설계․개조된 TV시스템 (이는 카메라, 모니터 및 신호전송 장비들로 구성됨)

b. 대기에서 측정할 때 주사선 1100을 초과하는 한계 분해능을  가진 수중 TV 카메라

c. 수중용으로 사용하기 위해 전용 설계 또는 개조된 저광도용 TV 카메라로 다음의 모든 특성을 포함하는 것

1. 6A002.a.2.a항에서 통제되는 영상강화튜브

2.  반도체(solid state) 면적 배열 당 150,000을 초과하는 "능동픽셀"

기술해설

TV에서 한계 분해능은 IEEE 표준규격 208/1960 또는 이와 동 등급의 표준규격을 이용하여 시험 챠트에 구분된 화면 높이 당 주사선의 최대 숫자로 표기되는 수평 분해능을  말한다.

2. 후방산란(back-scatter) 효과를 최소화하는 기술을 채용한 시스템으로서 잠수정과 함께 원격 조정되도록 전용 설계․개조된 시스템(범위가 제한된 조명장치나 레이저시스템 포함)

e. 35mm 이상의 필름을 사용하며 150m 이상 깊이의 수중용으로 전용 설계․개조된 사진용 스틸 카메라로서 다음 중 하나의 것

1. 외부에서 카메라로 제공된 데이터를 필름에 입력시키는 것

2. 자동 후방 초점 거리 보정기능을 가진 것

3. 수중카메라 하우징이 1,000m를 초과하는 깊이에서 사용할 수 있도록 전용 설계되었으며 자동보상 조종기능을 가진 것

f. 삭제

1. 삭제

주의 : 수중용으로 전용 설계․개조된 6A002.a.2.a. 또는 6A002.a.2.b.항에서 규정된 영상증배관을 내장한 전자영상 시스템, 6A003.b.3.참고

2. 삭제

주의 : 수중용으로 전용 설계․개조된 6A002.a.3.g항에서 규정된 "초점면배열"을 내장한 전자영상 시스템, 6A003.b.4.c.참고

g. 수중용으로 전용 설계․개조된 조명장치로서 다음의 것

1. Flash당 300J을 초과하는 광 에너지를 방출시킬 수 있으며  초당 5회 초과 발광시킬 수 있는 스트로보스코픽(Stroboscopic) 조명시스템

2. 1,000m를 넘는 수중에서 사용하기 위해 전용 설계된 아르곤 아크 조명 시스템

h. 컴퓨터에 의해 제어되며 수중용으로 전용 설계된 "로봇"으로서 다음 중 하나의 것

1. 로봇과 외부물체간의 촉각, 외부물체로부터의 거리 및 외부물체에 가해지는 힘, 토크를 측정하는 센서로부터 받은 정보를 이용하여 "로봇"을 제어하는 시스템을 가진 것

2. 250N 이상의 힘 또는 250Nm 이상의 토크를 낼 수 있고 그 구조 부재에 티타늄 합금이나 "섬유 및 필라멘트" 복합재료를 사용한 것

i. 잠수정용으로 전용 설계․개조된 원격조종 관절형 머니퓰레이터(manipulator)로서 다음 중 하나의 특성을 가진 것

1. 다음의 하나의 것을 측정하는 센서로부터 받은 정보를 이용하여 제어하는 시스템

a. 외부물체에 가해지는 힘 또는 토크

b. 머니퓰레이터와 외부물체간의 촉각 감지

2. 주종기법(master-slave techniques) 또는 전용컴퓨터에 의해 제어되며 동작자유도가 5 이상인 것

주 동작자유도를 결정할 때에는 위치귀환제어나 전용컴퓨터에 의한 비례제어기능 만이 포함된다.

j. 공기불요동력장치로, 수중용으로 전용 설계된 다음 중 하나의 것

1. 브레이톤(Brayton), 랭킨(Rankine) 사이클엔진 공기불요동력장치로 다음 하나의 특성을 갖는 것

a. 재순환되는 엔진배기로부터 일산화탄소, 이산화탄소, 미립자를 제거하기 위해 전용 설계된 화학적 세정. 흡수 시스템

b. 단원자가스를 사용하기 위해 전용 설계된 시스템

c. 충격완화를 위해 특별히 설치되었거나 혹은 주파수 10kHz 미만의 수중 소음을 감소시키기 위해 전용 설계된 장치, 밀폐함

d. 전용 설계된 시스템으로 다음 모두에 해당하는 것

1. 연료의 변형 또는 반응생성물의 가압장치용

2. 반응생성물의 저장을 위한 것

3. 100 kPa 이상의 압력에 대응하여 반응물질을 방출시킬 수 있는 것

2. 디젤 사이클 엔진공기불요장치로, 다음의 모든 특성을 가진 것

a. 재순환되는 엔진배기로부터 일산화탄소, 이산화탄소, 미립자를 제거하기 위해 전용 설계된 화학적 세정․흡수시스템

b. 단원자가스를 사용하기 위해 전용 설계된 시스템

c. 충격완화를 위해 특별히 설치되었거나 혹은 주파수 10kHz 미만의 수중소음을 감소시키기 위해 전용 설계된 장치, 밀폐함

d. 연소배출물질을 연속적으로 배기시키지 않도록 전용 설계된 배기장치

3. 출력 2kW 초과의 공기불요동력장치으로 다음의 것

a. 주파수 10KHz 미만의 수중소음을 감소시키기 위해 전용 설계된 장치, 밀폐함 또는 충격완화를 위해 특수 설치된 장치

b. 전용 설계된 시스템으로 다음 모두에 해당하는 것

1. 연료의 변형 또는 반응생성물의 가압장치용

2. 반응생성물의 저장을 위한 것

3. 100 kPa 이상의 압력에 대응하여 반응물질을 방출시킬 수 있는 것

4. 스터링 사이클 엔진 공기불요동력장치로, 다음의 모든 특성을 가진 것

a. 주파수 10KHz 미만의 수중소음을 감소시키기 위해 전용 설계된 장치, 밀폐함 또는 충격완화를 위해 특수 설치된 장치

b. 100kPa 이상의 압력에 대응하여 연소물을 방출할 수 있도록 전용 설계된 배기시스템

k. 스커트(Skirt), 실(seal) 및 핑거(finger)로서 다음 중 하나의 것

1. 부양압력이 3,830Pa 이상으로서, 유의파고 1.25m(해상상태 3) 이상에서 운항하도록 설계되고 8A001.f에서 통제하는 표면효과선으로 전용설계된 것, 또는

2. 부양압력이 6,224Pa 이상으로서, 유의파고 3.25m(해상상태 5) 이상에서 운항하도록 설계되고 8A001.g에서 통제하는 표면효과선(강성 측벽)으로 전용설계된 것

l. 8A001.f. 또는 8A001.g에 의해 수출 통제되는 표면효과선용으로 전용 설계되었으며 출력이 400 kW를 초과하는 부양용 송풍기

m. 8A001.h에 의해 수출통제되는 배를 위해 전용 설계된 완전 침수형 Subcavitating 또는 Supercavitating hydrofoil(수중익)

n. 8A001.f, g, h, i에 의해 수출 통제되는 선박의 해수로 인해 유기된 운동을 자동제어하기 위해 전용 설계. 개조된 능동시스템

o. 프로펠러, 동력전달장치 및 소음감소 장치로서 다음의 것

1. 8A001.f, g, h, i에서 통제되는 표면효과선, 수중익, 최소수선면적 선박을 위해 전용 설계된 물나사 프로펠러 또는 동력전달장치로서 다음의 것

a. 정격출력이 7.5MW를 초과하는 Supercavitating, 완전공기공급, 부분 몰수형 또는 수표면 관통형 프로펠러

b. 정격출력 15MW 초과의 이중회전 프로펠러 시스템

c. 프로펠러에서의 물 흐름을 순조롭게 하기 위해 전방흐름과 후방흐름을 이용하는 시스템

d. 경량, 대용량(K 계수가 300을 초과하는 것) 감속장치(reduction gearing)

e. 1MW를 초과하는 동력을 전달할 수 있는 복합재료 부품을 내장한 동력전달 축계장치

2. 선박에 사용하기 위한 물나사 프로펠러와 동력발생장치 또는 동력전달장치로서 다음의 것

a. 정격출력이 30MW를 초과하는 가변피치 프로펠러와 허브 조립품

b. 2.5MW를 초과하는 출력을 가진 내부 액체냉각 전기추진 엔진

c. 0.1MW를 초과하는 출력을 가진 "초전도체" 추진 엔진 또는 영구자석을 이용한 전자 추진 엔진

d. 2MW 초과의 동력을 전달할 수 있는 복합재료 부품으로 된 동력전달 축계장치

e. 정격출력이 2.5MW를 초과하는 공기공급 또는 저변공기공급 프로펠러 시스템

3. 배수량 1,000톤급 이상의 선박에 이용되는 소음감소장치로서 다음의 것

a. 500Hz 미만에서 수중소음을 약화시킬 수 있는 소음감소 시스템으로서, 디젤엔진의 음향차단용 장치, 디젤발전기 세트, 가스터빈, 가스터빈 발전기 세트, 추진 모터 또는 추진 감속장치의 음향차단을 위하여 복합음향차단 마운트로 구성되고 소리나 진동의 차단을 위하여 설계되고 차단물질의 중량이 설치되는 장비 중량의 30%를 초과하는 것

b. ‘능동 소음 감소․제거 장치’ 또는 마그네틱 베어링으로서, 동력전달 장치용으로 전용 설계된 것

기술해설

‘능동 소음 감소․제거 장치’는 음원에 직접 반 소음, 반 진동을 발생시켜 능동적으로 장비의 진동을 감소시킬 수 있는 전자제어장치를 포함한다.

p. 펌프제트 (pumpjet) 추진 시스템으로 다음 모두에 해당하는 것

1. 출력이 2.5MW를 초과

2. 추진효율을 향상시키거나 추진으로 인한 방출소음을 줄이기 위해 발산식 노즐과 분사노즐 흐름을 조절하는 기술을 이용

q. 수중유영 및 잠수 장비로써 다음의 것

1. 폐쇄식 재호흡방식

2. 반폐쇄회로식 재호흡방식

주 8A002.q는 대인용으로 그 사용자가 휴대하는 개별 장비는 통제하지 않는다.

r. 잠수부를 교란하기 위해 특별히 설계되거나 개조되고 200Hz이하의 주파수에서 190dB(1m에서 1μPa 기준)를 초과하는 음압 레벨을 갖는 잠수부 제지(制止) 음향시스템

주 1 8A002.r.는 수중용 폭발 장치, 공기총 또는 가연성 발생원기반 잠수부 제지 시스템에는 적용하지 않는다.

주 2 8A002.r.는 플라즈마 음향 발생원으로 알려진 불꽃간극 발생원을 사용하는 잠수부 제지 음향시스템을 포함한다.

시험, 검사 및 생산 장비

수관(water tunnel)으로서 추진 장치 주위의 유체흐름에 의해 발생되는 음향장을 측정하기 위해 설계되었으며 주파수범위 0～500Hz에서 100dB (1μPa, 1Hz 기준) 미만의 배경소음을 가진 것

소재

수중용의 Syntactic foam으로 다음의 특성을 모두 가진 것

참조 : 8A002.a.4

a. 수심이 1,000m를 초과하는 곳에서 사용하기 위해 설계된 것

b. 밀도가 561kg/㎥ 미만의 것

기술해설

Syntactic foam은 수지(resin)의 기지(matrix)내에 플라스틱이나 유리로 제조된 중공구(Hollow sphere)가 박힌 형태를 말한다.

소프트웨어

8A, 8B 및 8C에 의해 수출이 통제되는 장비 또는 재료의 개발, 생산, 사용을 위해 전용 설계․개조된 "소프트웨어"

수중소음 감소용으로 전용 설계된 프로펠러의 개발, 생산, 수리, 재생 (re-machining) 또는 분해정비를 위해 전용 설계․개조된 특정 "소프트웨어"

기술

상기 8A, 8B, 8C에 의해 수출 통제되는 장비 또는 재료의 개발, 생산을 위한 [일반기술해설]에 의한 기술

기타의 기술로서 다음의 것

a. 수중소음 감소를 위해 전용 설계된 프로펠러의 개발, 생산, 수리, 분해정비 또는 재생을 위한 기술

b. 8A001, 8A002.b, 8A002.j, 8A002.o 또는 8A002.p에 의해 수출 통제되는 장비의 수리, 재생을 위한 기술

CATEGORY 8 - MARINE

Systems, Equipment and Components

Submersible vehicles and surface vessels, as follows:

Note: For the control status of equipment for submersible vehicles, see:

Category 5, Part 2 "Information Security" for encrypted communication equipment;

Category 6 for sensors;

Categories 7 and 8 for navigation equipment;

Category 8A for underwater equipment.

a. Manned, tethered submersible vehicles designed to operate at depths exceeding 1,000 m;

b. Manned, untethered submersible vehicles having any of the following:

1. Designed to 'operate autonomously' and having a lifting capacity of all the following:

a. 10% or more of their weight in air; and

b. 15 kN or more;

2. Designed to operate at depths exceeding 1,000 m; or

3. Having all of the following:

a. Designed to continuously 'operate autonomously' for 10hours or more; and

b. 'Range' of 25 nautical miles or more

Technical Notes

1. For the purposes of 8A001.b., 'operate autonomously' means fully submerged, without snorkel, all systems working and cruising at minimum speed at which the submersible can safely control its depth dynamically by using its depth planes only, with no need for a support vessel or support base on the surface, sea-bed or shore, and containing a propulsion system for submerged or surface use.

2. For the purposes of 8A001.b., 'range' means half the maximum distance a submersible vehicle can 'operate autonomously'.

c. Unmanned, tethered submersible vehicles designed to operate at depths exceeding 1,000 m, having any of the following:

1. Designed for self-propelled manoeuvre using propulsion motors or thrusters specified in 8A002.a.2.; or

2. Having a fibre optic data link;

d. Unmanned, untethered submersible vehicles, having any of the following:

1. Designed for deciding a course relative to any geographical reference without real-time human assistance;

2. Having an acoustic data or command link; or

3. Optical data or command link exceeding 1,000 m;

e. Ocean salvage systems with a lifting capacity exceeding 5 MN for salvaging objects from depths exceeding 250 m and having any of the following:

1. Dynamic positioning systems capable of position keeping within 20 m of a given point provided by the navigation system; or

2. Seafloor navigation and navigation integration systems for depths exceeding 1,000 m with positioning accuracies to within 10 m of a predetermined point;

f. Surface-effect vehicles (fully skirted variety) having all of the following characteristics:

1. A maximum design speed, fully loaded, exceeding 30 knots in a significant wave height of 1.25 m (Sea State 3) or more;

2. A cushion pressure exceeding 3,830 Pa; and

3. A light-ship-to-full-load displacement ratio of less than 0.70;

g. Surface-effect vehicles (rigid sidewalls) with a maximum design speed, fully loaded, exceeding 40 knots in a significant wave height of 3.25 m (Sea State 5) or more;

h. Hydrofoil vessels with active systems for automatically controlling foil systems, with a maximum design speed, fully loaded, of 40 knots or more in a significant wave height of 3.25 m (Sea State 5) or more;

i. 'Small waterplane area vessels' having any of the following:

1. A full load displacement exceeding 500 tonnes with a maximum design speed, fully loaded, exceeding 35 knots in a significant wave height of 3.25 m (Sea State 5) or more; or

2. A full load displacement exceeding 1,500 tonnes with a maximum design speed, fully loaded, exceeding 25 knots in a significant wave height of 4 m (Sea State 6) or more.

Technical Note:

A 'small waterplane area vessel' is defined by the following formula: waterplane area at an operational design draught less than 2 x (displaced volume at the operational design draught)2/3.

Systems, equipment and components, as follows:

Note: For underwater communications systems, see Category 5, Part 1 - Telecommunications.

a. Systems, equipment and components, specially designed or modified for submersible vehicles, designed to operate at depths exceeding 1,000 m, as follows:

1. Pressure housings or pressure hulls with a maximum inside chamber diameter exceeding 1.5 m;

2. Direct current propulsion motors or thrusters;

3. Umbilical cables, and connectors therefor, using optical fibre and having synthetic strength members;

4. Components manufactured from material specified in 8C001;

Technical Note:

The object of this control should not be defeated by the export of syntactic foam specified by 8C001 when an intermediate stage of manufacture has been performed and it is not yet in the final component form.

b. Systems specially designed or modified for the automated control of the motion of submersible vehicles specified in 8A001 using navigation data and having closed loop servo-controls:

1. Enabling a vehicle to move within 10 m of a predetermined point in the water column;

2. Maintaining the position of the vehicle within 10 m of a predetermined point in the water column; or

3. Maintaining the position of the vehicle within 10 m while following a cable on or under the seabed;

c. Fibre optic pressure hull penetrators;

d. Underwater vision systems, as follows:

1. Television systems and television cameras, as follows:

a. Television systems (comprising camera, monitoring and signal transmission equipment) having a limiting resolution when measured in air of more than 800 lines and specially designed or modified for remote operation with a submersible vehicle;

b. Underwater television cameras having a limiting resolution when measured in air of more than 1,100 lines;

c. Low light level television cameras specially designed or modified for underwater use containing all of the following:

1. Image intensifier tubes specified in 6A002.a.2.a.; and

2. More than 150,000 "active pixels" per solid state area array;

Technical Note:

Limiting resolution in television is a measure of horizontal resolution usually expressed in terms of the maximum number of lines per picture height discriminated on a test chart, using IEEE Standard 208/1960 or any equivalent standard.

2. Systems, specially designed or modified for remote operation with an underwater vehicle, employing techniques to minimise the effects of back scatter, including range-gated illuminators or "laser" systems;

e. Photographic still cameras specially designed or modified for underwater use below 150 m having a film format of 35 mm or larger, and having any of the following:

1. Annotation of the film with data provided by a source external to the camera;

2. Automatic back focal distance correction; or

3. Automatic compensation control specially designed to permit an underwater camera housing to be usable at depths exceeding 1,000 m;

f.  Not used

1. Not used

N.B. For electronic imaging systems specially designed or modified for underwater use incorporating image intensifier tubes specified in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b., see 6A003.b.3.

2. Not used

N.B. For electronic imaging systems specially designed or modified for underwater use incorporating "focal plane arrays" specified in 6A002.a.3.g., see 6A003.b.4.c.

g. Light systems, as follows, specially designed or modified for underwater use:

1. Stroboscopic light systems capable of a light output energy of more than 300 J per flash and a flash rate of more than 5 flashes per second;

2. Argon arc light systems specially designed for use below 1,000 m;

h. "Robots" specially designed for underwater use, controlled by using a dedicated computer, having any of the following:

1. Systems which control the manipulator using information from sensors which measure any of the following:

a. Torque or force applied to an external object; or

b. Tactile sense between the manipulator and an external object; or

2. The ability to exert a force of 250 N or more or a torque of 250 Nm or more and using titanium based alloys or "fibrous or filamentary" "composite" materials in their structural members;

i. Remotely controlled articulated manipulators specially designed or modified for use with submersible vehicles, having any of the following:

1. Systems which control the manipulator using information from sensors which measure any of the following:

a. Torque or force applied to an external object; or

b. Tactile sense between the manipulator and an external object; or

2. Controlled by proportional master-slave techniques or by using a dedicated computer, and having 5 degrees of freedom of movement or more;

Note: Only functions having proportional control using positional feedback or by using a dedicated computer are counted when determining the number of degrees of freedom of movement.

j. Air independent power systems, specially designed for underwater use, as follows:

1. Brayton or Rankine cycle engine air independent power systems having any of the following:

a. Chemical scrubber or absorber systems specially designed to remove carbon dioxide, carbon monoxide and particulates from recirculated engine exhaust;

b. Systems specially designed to use a monoatomic gas;

c. Devices or enclosures specially designed for underwater noise reduction in frequencies below 10 kHz, or special mounting devices for shock mitigation; or

d. Systems specially designed:

1. To pressurise the products of reaction or for fuel reformation;

2. To store the products of the reaction; and

3. To discharge the products of the reaction against a pressure of 100 kPa or more;

2. Diesel cycle engine air independent systems, having all of the following:

a. Chemical scrubber or absorber systems specially designed to remove carbon dioxide, carbon monoxide and particulates from recirculated engine exhaust;

b. Systems specially designed to use a monoatomic gas;

c. Devices or enclosures specially designed for underwater noise reduction in frequencies below 10 kHz or special mounting devices for shock mitigation; and

d. Specially designed exhaust systems that do not exhaust continuously the products of combustion;

3. Fuel cell air independent power systems with an output exceeding 2 kW having any of the following:

a. Devices or enclosures specially designed for underwater noise reduction in frequencies below 10 kHz or special mounting devices for shock mitigation; or

b. Systems specially designed:

1. To pressurise the products of reaction or for fuel reformation;

2. To store the products of the reaction; and

3. To discharge the products of the reaction against a pressure of 100 kPa or more;

4. Stirling cycle engine air independent power systems, having all of the following:

a. Devices or enclosures specially designed for underwater noise reduction in frequencies below 10 kHz or special mounting devices for shock mitigation; and

b. Specially designed exhaust systems which discharge the products of combustion against a pressure of 100 kPa or more;

k. Skirts, seals and fingers, having any of the following:

1. Designed for cushion pressures of 3,830 Pa or more, operating in a significant wave height of 1.25 m (Sea State 3) or more and specially designed for surface effect vehicles (fully skirted variety) specified in 8A001.f.; or

2. Designed for cushion pressures of 6,224 Pa or more, operating in a significant wave height of 3.25 m (Sea State 5) or more and specially designed for surface effect vehicles (rigid sidewalls) specified in 8A001.g.;

l. Lift fans rated at more than 400 kW specially designed for surface effect vehicles specified in 8A001.f. or 8A001.g.;

m. Fully submerged subcavitating or supercavitating hydrofoils specially designed for vessels specified in 8A001.h.;

n. Active systems specially designed or modified to control automatically the sea-induced motion of vehicles or vessels specified in 8A001.f., 8A001.g., 8A001.h. or 8A001.i.;

o. Propellers, power transmission systems, power generation systems and noise reduction systems, as follows:

1. Water-screw propeller or power transmission systems, as follows, specially designed for surface effect vehicles (fully skirted or rigid sidewall variety), hydrofoils or small waterplane area vessels specified in 8A001.f., 8A001.g., 8A001.h. or 8A001.i.:

a. Supercavitating, super-ventilated, partially-submerged or surface piercing propellers rated at more than 7.5 MW;

b. Contrarotating propeller systems rated at more than 15 MW;

c. Systems employing pre-swirl or post-swirl techniques for smoothing the flow into a propeller;

d. Light-weight, high capacity (K factor exceeding 300) reduction gearing;

e. Power transmission shaft systems, incorporating "composite" material components, capable of transmitting more than 1 MW;

2. Water-screw propeller, power generation systems or transmission systems designed for use on vessels, as follows:

a. Controllable-pitch propellers and hub assemblies rated at more than 30 MW;

b. Internally liquid-cooled electric propulsion engines with a power output exceeding 2.5 MW;

c. "Superconductive" propulsion engines, or permanent magnet electric propulsion engines, with a power output exceeding 0.1 MW;

d. Power transmission shaft systems, incorporating "composite" material components, capable of transmitting more than 2 MW;

e. Ventilated or base-ventilated propeller systems rated at more than 2.5 MW;

3. Noise reduction systems designed for use on vessels of 1,000 tonnes displacement or more, as follows:

a. Systems that attenuate underwater noise at frequencies below 500 Hz and consist of compound acoustic mounts for the acoustic isolation of diesel engines, diesel generator sets, gas turbines, gas turbine generator sets, propulsion motors or propulsion reduction gears, specially designed for sound or vibration isolation, having an intermediate mass exceeding 30% of the equipment to be mounted;

b. Active noise reduction or cancellation systems, or magnetic bearings, specially designed for power transmission systems;

Technical Note:

'Active noise reduction or cancellation systems' incorporate electronic control systems capable of actively reducing equipment vibration by the generation of anti-noise or anti-vibration signals directly to the source.

p. Pumpjet propulsion systems having all of the following:

1. Power output exceeding 2.5 MW; and

2. Using divergent nozzle and flow conditioning vane techniques to improve propulsive efficiency or reduce propulsion-generated underwater-radiated noise;

q. Underwater swimming and diving equipment as follows:

1. Closed circuit rebreathers;

2. Semi-closed circuit rebreathers;

Note: 8A002.q. does not control an individual apparatus for personal use when accompanying its user.

r. Diver deterrent acoustic systems specially designed or modified to disrupt divers and having a sound pressure level equal to or exceeding 190 dB (reference 1 µPa at 1 m) at frequencies of 200 Hz and below.

Note 1: 8A002.r. does not apply to diver deterrent systems based on underwater explosive devices, air guns or combustible sources.

Note 2: 8A002.r. includes diver deterrent acoustic systems that usespark gap sources, also known as plasma sound sources.

Test, Inspection and Production Equipment

Water tunnels, having a background noise of less than 100 dB (reference 1 μPa, 1 Hz), in the frequency range from 0 to 500 Hz, designed for measuring acoustic fields generated by a hydro-flow around propulsion system models.

Materials

'Syntactic foam' designed for underwater use, having all of the following:

N.B.: See also 8A002.a.4.

a. Designed for marine depths exceeding 1,000 m; and

b. A density less than 561 kg/m3.

Technical Note:

'Syntactic foam' consists of hollow spheres of plastic or glass embedded in a resin matrix.

Software

"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or"use" of equipment or materials specified in 8A, 8B or 8C.

Specific "software" specially designed or modified for the "development", "production", repair, overhaul or refurbishing (re-machining) of propellers specially designed for underwater noise reduction.

Technology

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 8A, 8B or 8C.

Other "technology", as follows:

a. "Technology" for the "development", "production", repair, overhaul or refurbishing (re-machining) of propellers specially designed for underwater noise reduction;

b. "Technology" for the overhaul or refurbishing of equipment specified in 8A001, 8A002.b., C8A002.j., 8A002.o. or 8A002.p.

9A

9A001

(IL9.A.1)

(MT3.A.1)

9A001.a

9A001.b

9A002

(IL9.A.2)

9A003

(IL9.A.3)

9A003.a

9A003.b

9A004

(IL9.A.4)

(MT1.A.1)

(MT19.A.1)

9A005

(IL9.A.5)

(MT2.A.1.a)

(MT2.A.1.c)

(MT20.A.1)

9A006

(IL9.A.6)

9A006.a

9A006.b

(MT3.A.8)

9A006.c

9A006.d

(MT3.A.5)

9A006.e

(MT3.A.3)

9A006.f

(MT3.A.8)

9A006.g

(MT3.A.5)

9A006.h

9A007

(IL9.A.7)

(MT2.A.1)

(MT2.A.1.c)

9A007.a

9A007.b

9A007.c

9A007.d

9A007.e

9A008

(IL9.A.8)

9A008.a

(MT3.A.3)

(MT3.C.1)

(MT3.C.2)

9A008.b

(MT3.A.3)

9A008.c

(MT3.A.3)

9A008.d

(MT2.A.1.e)

9A008.d.1

9A008.d.2

9A008.d.3

9A009

(IL9.A.9)

(MT3.A.6)

9A009.a

9A009.b

9A010

(IL9.A.10)

9A010.a

(MT6.A.1)

9A010.b

(MT6.A.1)

9A010.c

(MT6.A.1)

9A010.d

(MT3.A.2)

9A011

(IL9.A.11)

(MT3.A.2)

9A012

(IL9.A.12)

(MT1.A.2)

(MT19.A.2)

(MT19.A.3)

9A012.a

9A012.a.1

9A012.a.2

9A012.b

9A012.b.1

9A012.b.2

9A012.b.3

9A012.b.4

9A101

(MT3.A.1)

9A101.a

9A101.b

9A102

(MT3.A.9)

9A104

(MT1.A.1)

(MT19.A.1)

9A105

9A105.a

(MT2.A.1.c)

9A105.b

(MT20.A.1.b)

9A106

9A106.a

(MT3.A.3)

9A106.b

(MT3.A.3)

9A106.c

(MT2.A.1.e)

9A106.d

(MT3.A.5)

9A107

(MT20.A.1.b)

9A108

9A108.a

(MT3.A.3)

(MT3.A.3)

(MT2.A.1.e)

9A108.b

9A108.c

9A109

(MT3.A.6)

9A110

(MT6.A.1)

9A111

(MT3.A.2)

9A115

9A115.a

(MT12.A.1)

9A115.b

(MT12.A.2)

9A116

(MT2.A.1.b)

9A116.a

9A116.b

9A116.c

9A116.d

9A117

(MT3.A.4)

9A118

(MT3.A.2)

9A119

(MT2.A.1.a)

(MT20.A.1.a)

9A120

(MT3.A.8)

9A350

(AG)

9A350.a

9A350.b

9A350.c

9B

9B001

(IL9.B.1)

9B001.a

9B001.b

9B002

(IL9.B.2)

9B003

(IL9.B.3)

9B004

(IL9.B.4)

9B005

(IL9.B.5)

9B005.a

9B005.b

9B005.c

9B006

(IL9.B.6)

(MT15.B.4.b)

9B007

(IL9.B.7)

9B008

(IL9.B.8)

9B009

(IL9.B.9)

9B010

(IL9.B.10)

9B105

(MT15.B.2)

9B106

(MT15.B.4)

9B106.a

9B115

(MT2.B.2)

(MT3.B.2)

(MT20.B.2)

9B116

(MT1.B.1)

(MT2.B.1)

(MT3.B.1)

(MT20.B.1)

9B117

(MT15.B.3)

9B117.a

9B117.b

9C

9C108

(MT3.C.1)

(MT3.C.2)

9C110

(MT6.C.1)

9D

9D001

(IL9.D.1)

(MT3.D.3)

9D002

(IL9.D.2)

9D003

(IL9.D.3)

9D003.a

9D003.b

9D004

(IL9.D.4)

9D004.a

9D004.b

9D004.c

9D004.d

9D004.e

9D004.f

9D004.g

9D101

(MT1.D.1)

(MT2.D.1)

(MT3.D.1)

(MT12.D.1)

(MT15.D.1)

(MT20.D.1)

9D103

(MT16.D.1)

9D104

(MT2.D.2)

(MT2.D.4)

(MT3.D.2)

(MT2.D.5)

(MT20.D.2)

9D105

(MT1.D.2)

(MT19.D.1)

9E

9E001

(IL9.E.1)

(MT*)

(AG)

9E002

(IL9.E.2)

(MT*)

(AG)

9E003

(IL9.E.3)

9E003.a

9E003.a.1

9E003.a.2

9E003.a.3

9E003.a.3.a

9E003.a.3.b

9E003.a.3.c

9E003.a.4

9E003.a.5

9E003.a.6

9E003.a.7

9E003.a.8

9E003.a.9

9E003.a.10

9E003.a.11

9E003.b

9E003.b.1

9E003.b.2

9E003.c

9E003.c.1

9E003.c.2

9E003.d

9E003.e

9E003.f

9E003.f.1

9E003.f.2

9E003.f.3

9E003.g

9E003.h

9E003.i

9E101

(MT*)

9E101.a

9E101.b

9E102

(MT*)

제9부 항공우주 및 추진

시스템, 장비 및 부품

주의: 중성자 또는 순간이온화 방사선에 대비하여 설계된 추진시스템은 군용물자 통제목록(Military Goods controls) 참조

항공가스터빈 엔진으로서 다음 중 하나의 것.

주의:  9A101 참조

a. 9E003.a, 9E003.h, 또는 9E003.i.에 명시된 “기술” 중 하나를 포함한 것; 또는

주: 9A001.a.는 다음의 조건 모두를 만족하는 항공가스터빈엔진에 대해서는 수출 통제를 하지 않는다.

a. 바세나르체제 회원국의 민간항공당국에 의해 승인된 경우, 그리고

b. 바세나르체제 회원국에 의해, 비군사용 유인 항공기에 동력을 공급하기 위한 엔진에 대해 발행된, 다음 중 어느 하나를 만족하는 경우

1. 민간용 인증서; 혹은

2. 국제민간항공기구(ICAO)에 의해 인증된 것과 동등한 문서

b. Mach 1 이상의 운항속도에서 30분 이상을 순항하기 위해서 항공기에 동력을 공급하기 위해 설계된 경우.

ISO 표준 정격연속출력이 24,245kW 이상이고 출력범위 35%～100%에서 비 연료소비량(SFC)이 0.219 kg/kW-hr을 초과하지 않는 ‘선박용 가스터빈엔진’과 이를 위해 전용 설계된 조립품 및 부품

주: ‘선박용 가스터빈엔진’은 선박추진 또는 선박 발전기용으로 개조된 산업용 또는 항공용 가스터빈엔진을 포함한다.

9E003.a., 9E003.h. 또는 9E003.i. 명시된 "기술"에 해당하는 것을 사용하는, 다음 중 하나의 가스터빈엔진 추진시스템용으로 전용 설계된 조립품 및 부품

a. 9A001에 명시된 것; 또는

b. 이들의 설계나 생산기술의 출처가 비회원국이거나 제작자에게 알려져 있지 않는 경우

우주발사체 및 “우주비행체”

주의:  9A104  참조

주 : 9A004는 탑재체(payloads)는 통제하지 않음

주의 : “우주비행체”탑재체에 포함된 물체의 통제는 해당부문을 참조할 것

9A006에 명시된 시스템이나 부품의 어느 하나를 포함하고 있는 액체로켓 추진시스템

주의: 9A105 및 9A119 참조

액체로켓추진시스템을 위하여 전용 설계된 시스템 및 부품으로서 다음의 것

주의: 9A106, 9A108 및 9A120 참조

a. 우주비행체용으로 전용 설계되고 연간 저온냉매의 누설율이 30% 미만으로 제한 가능한 초저온 냉동기, 비행용 듀어(flightweight dewars), 초저온 열 파이프 및 초저온 시스템

b. 마하 3을 초과하여 비행가능한 발사체나 우주비행체로 -173℃(100K) 이하의 온도를 제공할 수 있는 초저온 컨테이너 또는 폐 사이클 냉동시스템

c. 출렁이는 수소(slush hydrogen)의 보관 또는 이송 시스템

d. 고압(17.5MPa 초과) 터보 펌프, 펌프 부품 및 이와 관련된 가스 발생기와 팽창 사이클 터빈구동시스템

e. 고압(10.6 MPa 초과) 추력 챔버(thrust chamber)와 노즐

f. 모세관현상과 능동배제를 이용한 추진제 저장시스템(예.,가변형 블레더)

g. 액체로켓엔진용 액체추진제 분사기로 오리피스 직경이 0.381mm 이하인 것 (단면이 비원형인 경우 1.14×10-3cm2 이하의 면적을 가진 것)

h. 일체형 탄소-탄소 추력 챔버 또는 일체형 탄소-탄소 배기콘(exit cones)으로 밀도가 1.4g/cm3를 초과하고 인장강도가 48MPa을 초과하는 것

다음 중 하나의 것을 가진 고체 로켓 추진시스템

주의: 9A107 및 9A119 참조

a. 총 충격용량이 1.1MNs를 초과;

b. 연소실 압력이 7MPa로 조절된 상태에서 주위 해수면 상태 하에 노즐유동이 분출될 때 비추력이 2.4kNs/kg 이상

c. 단 질량부분(stage mass fraction)이 88%를 초과하고 고체 추진제의 하중이 86%를 초과

d. 9A008에 명시된 부품; 또는

e. ‘강력한 기계적 접합’이나 고체추진제와 케이스 절연소재 사이의 화학적 원자이동에 대한 격벽(barrier)을 제공하기 위해 직접 접합된 모터 설계를 사용한 절연체 및 추진제 접합시스템

기술해설:

‘강력한 기계적 접합’이란 추진제 강도 이상의 접합강도를 말한다.

고체로켓 추진시스템을 위하여 전용 설계된 다음과 같은 부품

주의: 9A108 참조

a. ‘강력한 기계적 접합’이나 고체추진제와 케이스 단열소재사이의 화학적 원자이동을 막기 위한 격벽을 제공하기 위한 라이닝(lining)을 사용한 절연체 및 추진제 접합시스템

기술해설:

‘강력한 기계적 접합’이란 추진제 강도 이상의 접합강도를 말한다.

b. 직경이 0.61m를 초과하거나 구조 효율비(structural efficiency ratio, PV/W)가 25km를 초과하는 필라멘트가 감긴 “복합소재” 모터 케이스

기술해설:

구조 효율비(PV/W)는 폭발압력(P)에 내부용적(V)을 곱하고 압력기의 총중량(W)으로 나눈 값을 말한다.

c. 추력수준이 45kN을 초과하거나 노즐 목의 침식율이 0.075mm/s 미만인 노즐

d. 다음 중 하나가 가능한 유동노즐이나 이차유동분사(secondary fluid injection) 추력 벡터 제어(TVC)시스템

1. 축 방향 총 움직임이 ±5°를 초과

2. 각도벡터의 회전이 20°/s 이상; 또는

3. 각도벡터의 가속이 40°/s² 이상

하이브리드 로켓추진시스템으로서, 다음 중 하나의 것

주의: 9A109 및 9A119 참조

a. 총 충격용량이 1.1MNs을 초과; 또는

b. 진공출구상태에서 추력수준이 220kN을 초과하는 것

발사체, 발사체 추진시스템 또는 “우주비행체“용으로 전용 설계된 다음과 같은 부품, 시스템 그리고 구조물

주의: 1A002 및 9A110 참조

a. 10kg을 초과하는 부품과 구조물로서 금속 “메트릭스”, “복합재”, 유기“복합재”, 세라믹“메트릭스” 또는 1C007이나 1C010에 명시된 금속강화소재를 이용해 제작되는 발사체를 위해 전용설계된 것;

주: 노즈-콘(Nose-Cones)은 중량한도의 적용을 받지 않는다.

b. 9A005～9A009에 명시된 발사체 추진시스템 전용으로 설계된 부품 또는 구조물로서 금속 "메트릭스", "복합재", 유기 "복합재", 세라믹 "메트릭스" 또는 1C007이나 1C010에 명시된 금속강화소재를 이용해 제작된 것;

c. 우주비행체 구조물의 뒤틀림 또는 동적반응을 능동적으로 제어하기 위해 전용 설계된 구조부품과 절연시스템

d. 펄스식 액체로켓 엔진으로 질량에 대한 추력비(Thrust to Weight ratios)가 1kN/kg 이상이고 응답시간(출발에서 전체추력의 90%를 얻는데 요구되는 시간)이 30ms 미만인 것

램제트, 스크램제트, 복합(combined) 사이클 엔진과 이를 위해 전용 설계된 부품

주의 : 9A111 및 9A118 참조

기술해설

‘복합사이클엔진’은 다음 2개 이상의 엔진형태의 사이클을 사용하는 것을 말한다. : 가스터빈엔진(터보제트, 터보프롭, 터보팬 및 터보샤프트), 램제트, 스크램제트, 펄스제트, 펄스 디토네이션 엔진, 로켓 모터(액체/고체 추진체 및 하이브리드)

다음의 “무인항공기”, “무인비행선” 및 이와 관련된 시스템, 장비 및 부품

a. 무인항공기 또는 무인비행선으로서 다음 중 하나의 것

1. 자율적인 비행제어와 항법 능력이 있는 것(예: 관성항법시스템을 갖춘 자동조종장치); 또는

2. 조종사의 육안시계 범위 밖에서 통제된 비행능력을 갖춘 것(예를 들어, 망원 영상을 이용한 원격 조종)

b. 다음의 시스템, 장비 및 부품 :

1. 9A012.a.에 명시된 “무인항공기” 또는 무인“비행선”을 원격 제어하기 위해 전용설계된 장비;

2. 9A012.a.에 명시된 “무인항공기” 또는 무인“비행선”에 자동비행제어 또는 항법능력을 제공하기 위해 전용 설계된 항법, 자세, 유도 또는 제어 시스템(7장에 명시된 것 제외)

3. 유인“항공기” 또는 유인“비행선”에서 9A012.a.에 명시된 “무인항공기” 또는 무인“비행선”으로 변환하기 위해 전용 설계된 장비 또는 부품.

4. 50,000 feet(15,240 미터)보다 높은 고도에서 “무인항공기를 추진하기 위해 전용 설계되거나 개조된 공기흡입형 왕복식 또는 로타리식 내연기관 형태의 엔진

주  : 9A012는 모형항공기나 모형“비행선”은 통제하지 않는다.

9A001에 명시된 것과 다른 터보제트 및 터보팬엔진으로서 다음의 것.

a. 다음의 특징을 모두 갖는 엔진

1. '최대 추력'이 400N(장착 전 무부하시 측정) 이상인 것. 단, '최대 추력'이 8,890N(장착 전 무부하시 측정) 이상인 민수용으로 인증된 엔진은 제외한다. 그리고

2. 비 연료소비량이 0.15kgN-1h-1 이하인 엔진 (해수면 정적 표준 상태에서 최대 연속 출력 시)

기술해설

9A101.a.1에서 최대추력은 설치되지 않은 엔진 타입에 대해 제조자가 증명한 최대값을 말한다. 민수용으로 인증된 추력값은 제조자가 증명한 최대추력값 이하일 것이다.

b. “미사일” 또는 9A012에 명시된 무인항공기에서의 사용을 위해 설계 또는 개조된 엔진

9A012에 명시된 무인항공기를 위해 전용 설계된 최대동력 10kw

이상의 ‘터보프롭 엔진시스템’ 및 이의 전용 부품

주 : 9A012는 민간인증엔진은 통제하지 않는다.

기술해설

1. 9A102에서 터보프롭엔진시스템은 다음을 모두 포함한다.

a.터보샤프트엔진; 그리고

b. 동력을 프로펠러로 전달하는 동력전달시스템

2. 9A102에서 최대동력은 해수면 표준상태에서 장착 전 무부하시

상태에서 측정된다.

사거리가 최소 300km인 관측로켓

주의: 9A004 참조

액체추진제 로켓엔진으로서 다음의 것:

주의: 9A119 참조

a. “미사일”에 사용될 수 있으며, 총 충격용량(total impulse capacity)이 1.1MNs 이상인 액체추진제 로켓엔진으로서 9A005에 명시된 것을 제외한 것

b. 사거리 300km이며 총 충격용량이 0.841MNs 이상인 완성로켓시스템 또는 무인항공기에 사용될 수 있는 액체추진제 로켓엔진으로서 9A005 또는 9A105.a에 명시된 것을 제외한 것

액체로켓 추진시스템을 위해 전용 설계된 시스템 또는 부품으로서 다음의 것(9A006에 명시된 것 제외)

a. 미사일, 9A004에 명시된 우주발사체 또는 9A104에 명시된
관측로켓에 사용 가능한 추력 또는 연소실을 위한 융제(融除) 라이너

b. 미사일, 9A004에 명시된 우주발사체 또는 9A104에 명시된
관측로켓에 사용 가능한 로켓노즐

c. “미사일”에 사용 가능한 추력벡터제어(TVC) 서브시스템

기술해설

9A106.c.에 명시된 추력벡터제어를 위한 방법의 예

1. 가변노즐

2. 유동 또는 2차 가스분사

3. 이동식 엔진 또는 노즐

4. 연소 배출가스 유동의 편향(제트 베인 또는 프로브); 또는

5. 추력탭

d. “미사일“에 사용 가능한 액체 및 슬러리(Slurry) 추진제(산화제 포함) 제어시스템과 이의 전용 부품으로서, 주파수 범위 20Hz-2kHz에서 10g rms를 초과하는 진동환경 하에서 작동하도록 설계 또는 개조된 것

주： 9A106.d 명시된 서보밸브 및 펌프는 다음의 것에 한한다.

a. 절대압력 7MPa 이상에서 분당 24리터 이상의 유동율(flow rate)을 갖고 구동기(actuator)의 응답시간이 100ms 이내의 성능을 가진 서보밸브

b. 액체추진제에 대해 축 회전속도(Shaft Speed)가 8000rpm 이상이거나 분사압력이 7MPa 이상의 성능을 가진 펌프

완성 로켓시스템 또는 무인항공기에 사용할 수 있으며, 사거리 300km, 총 충격용량이 0.841MNs 이상인 고체추진제 로켓엔진(9A007에 명시된 것 제외)

주의: 9A119 참고

고체로켓 추진시스템을 위해 전용 설계된 부품으로서 다음의 것(9A008에 명시된 것 제외)

a. "미사일", 9A004에 명시된 우주발사체 또는 9A104에 명시된
관측로켓에 사용 가능한 로켓 모터 케이스 및 “단열재” 부품;

b. "미사일", 9A004에 명시된 우주발사체 또는 9A104에 명시된
관측로켓에 사용 가능한 로켓노즐;

c. "미사일"'에 사용 가능한 추력벡터제어(TVC) 서브시스템

기술해설:

9A108.c.에 명시된 추력벡터제어를 위한 방법의 예:

1. 가변노즐;

2. 유동 또는 2차 가스분사;

3. 이동식 엔진 또는 노즐;

4. 연소 배출가스 유동의 편향(제트 베인 또는 프로브); 또는

5. 추력탭;

"미사일“에 사용가능한 하이브리드 로켓 모터 를 위해 전용설계된부품으로서 총 충격용량이 8.41 x 105Ns 이상인 것(9A009에 명시된 것 제외)

주의 : 9A119 참고

기술해설:

9A109에서 ‘미사일‘은 사거리 300km를 초과하는 완성 로켓시스템과 무인항공기 시스템을 말한다.

9A005, 9A007, 9A105, 9A106.c., 9A107, 9A108.c., 9A116 또는 9A119에 명시된 '미사일' 또는 서브시스템의 사용을 위해 전용 설계된 복합소재구조물, 적층구조물 및 그 제품(9A010에 명시된 것 제외)

주의: 1A002 참고

기술해설:

9A110에서 '미사일'은 사거리 300km를 초과하는 완성로켓시스템과 무인 항공기 시스템을 말한다.

9A012에 명시된 “미사일”이나 무인항공기에 사용될 수 있는 펄스제트엔진 및 이를 위해 전용 설계된 부품

주의 : 9A011 및 9A118 참조

발사지원장비로서 다음의 것:

a. 취급, 제어, 작동 또는 발사용 기계장치로서 9A004의 우주발사체, 9A012의 무인항공기 또는 9A104의 관측로켓을 위해 설계 또는 개조된 것

b. 9A004의 우주발사체 또는 9A104의 관측로켓을 위해 설계되거나 개조된 수송, 취급, 제어, 작동 또는 발사용 운반체

“미사일”에 사용가능한 재진입 비행체 및 이를 위해 설계 또는 개조된 장비로서 다음의 것

a. 재진입 비행체(Reentry vehicles);

b. 세라믹 또는 융제 소재로 만들어진 열 차폐 및 구성품;

c. 경량이고 높은 열용량 소재로 만들어진 열 싱크(Heat sink) 및 구성품

d. 대기권 재진입 비행체를 위해 전용 설계된 전자장비

“미사일”에 사용가능한 단(Stage)간의 결합, 분리 및 연결 메커니즘

주 : 7A118 참고

“미사일” 또는 9A012에 명시된 무인항공기에 사용가능한 9A011 또는 9A111에 명시된 엔진에 쓰이는 연소조절장치

사거리가 300km인 완성로켓시스템 또는 무인항공기에 사용 가능한 각각의 로켓 단(stage)(9A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 및 9A109에 명시된 것 제외)

탑재중량 500Kg 이상을 사거리 300Km 이상 운반할 수 있는 로켓시스템에 사용되는, 1C111에 명시된 추진제 혹은 ‘기타 액체 추진제’를 위해 전용 설계된 액체 추진제 탱크(9A006에 명시된 것 제외)

비행기, “경비행기(비행선)” 또는 무인항공기에 알맞도록 전용  설계되거나 개조된 분무 또는 연무 시스템 그리고 이를 위해 전용 설계된 부품 중 다음의 것:

a. 운송 가능한 완전한 분무 또는 연무 시스템으로 분당 2 리터를 초과하는 유량으로 50μm 미만의 초기 유적 ‘VMD’를 분산할 수 있는 용량을 지니는 것

b. 운송 가능한 분무용 기중기 팔 또는 에어로졸 발생기 어레이(array)로 분당 2리터를 초과하는 유량으로 50 미크론 미만의 초기 유적 ‘VMD’를 분산할 수 있는 용량을 지니는 것

c. 9A350.a. 및 b.항에 명시된 시스템에 알맞도록 전용 설계된 에어로졸 발생장치

주: 에어로졸 발생장치는 항공기에 알맞도록 설계 또는 개조된 것으로 노즐, 회전 드럼 분무기 및 이와 유사한 장치들이 해당됨

주: 9A350에서 전염성 에어로졸 형태로 생물학적 작용제를 취급할 수 없는 것으로 증명된 분무 또는 연무 시스템 및 부품들은 통제하지 않는다.

기술해설:

1. 항공기, “경비행기(비행선)” 또는 무인항공기(UAV)용으로 전용 설계된 분무 장치 또는 노즐에 대한 유적 크기는 다음 중 하나를 사용해서 측정되어야 함

a. 도플러 레이저 방법;

b. 전방 레이저 회절 방법.

2. 9A350에서 'VMD'(Volume Median Diameter)는 부피 중심 직경을 의미하며, 물 기반의 시스템에서 이는 질량 중심 직경(MMD, Mass Median Diameter)과 동등하다.

시험, 검사 및 생산장비

가스터빈 블레이드, 베인(vanes) 또는 팁 슈라우드(shroud) 주물의 제작을 위해 전용 설계된 장비, 공구 및 고정구로서 다음의 것

a. 방향성 고형화나 단결정화에 의한 주조장비

b. 세라믹 심층부(core) 또는 주형

다음의 모든 특성을 갖는 온라인(실시간) 제어시스템, 계측장치(센서포함), 또는 자동 데이터 획득 및 처리장치

a. 가스터빈엔진, 조립품 또는 부품의 개발을 위해 전용 설계된 것; 그리고

b. 9E003.h. 또는 9E003.i.에 명시된 기술을 사용한 것

335m/s를 초과하는 팁 속도(tip speed)와 773K(500℃)를 초과하는 온도에서 운용되도록 설계된 가스터빈 브러시 밀봉(seal)의 검사 또는 제조를 위해 전용 설계된 장비 및 관련부품과 부속품

9E003.a.3. 또는 9E003.a.6.에서 기술된 가스터빈용 “초합금”, 티타늄, 에어포일-디스크 결합체의 고체상태 접합을 위한 치공구, 다이스 또는 고정구

다음 중 하나에 사용할 목적으로 전용 설계된 실시간 제어시스템, 계측장치(센서포함) 또는 자동화된 데이터 획득․처리장치

주의: 9B105 참조

a. 마하 1.2 이상의 속도가 가능하도록 설계된 풍동

주: 9B005.a.는 교육용으로 설계된 것과 ‘시험단면 크기’가

250mm 미만인 풍동은 통제하지 않는다.

기술해설:

‘시험단면크기’는 원의 직경 또는 정사각형의 일변, 직사각형의 경우 최대시험단면 위치에서 가장 긴 변을 말한다.

b. 핫-셧(hot-shot) 터널, 플라즈마 아크터널, 충격 튜브, 충격 터널, 가스터널 및 경 가스총을 포함하여 마하 5를 초과하는 속도에서 유동환경을 시뮬레이션하는 장치; 또는

c. 레이놀즈수 25×106을 초과하는 유체 흐름을 시뮬레이션 할 수 있는 2차원 단면 이상의 풍동 또는 장치

160dB (20μPa 기준) 이상의 음압을 발생할 수 있는 음향진동 시험장비로서 1,273K(1000℃)를 초과하는 시험실에서 4kW 이상의 정격출력을 갖는 것과 이를 위해 전용 설계된 수정히터(quartz heaters)

주의 : 9B106 참조

평면 X-ray와 기본적인 물리․화학 분석이 아닌 비파괴시험(NDT, Non-Destructive Test)을 이용하여 로켓모터의 완결성을 검사하기 위해 전용 설계된 장비

833K(560℃)를 초과하는 전 온도(정체온도)를 가지는 시험유동에서 작동하기 위해 전용 설계된 표면마찰을 직접 측정하는 표면마찰 변환기

터빈엔진의 분말야금 로터(회전자) 부품제조 공구로서 최대인장강도(UTS)의 60%의 응력 수준 및 금속온도 873K(600℃) 이상에서 동작할 수 있는 터빈엔진의 분말야금 로터 부품을 제조하기 위하여 전용 설계된 것

9A012에 명시된 관련 시스템, 장비 및 부품과 “무인항공기”의 생산을 위해 전용 설계된 장비.

미사일과 그 서브시스템에 사용될 수 있는 ‘공기역학 시험설비’로서 마하 0.9 이상의 속도를 낼 수 있는 것

주의: 9B005 참고

주 : 9B105는 ‘시험단면 크기’가 250mm 이하이면서 마하 3 이하의 풍동은 통제하지 않는다.

기술해설

1. ‘공기역학 시험설비’는 물체 외부 유동를 연구하기 위한 풍동, shock tunnel을 포함한다.

2. ‘시험단면 크기’는 최대 시험면적 위치에서의 원의 지름, 정사각형의 한변, 직사각형의 긴변, 타원의 장축을 의미한다. ‘시험면적’은 흐름 방향에 수직인 면을 말한다.

기술해설:

9B105에서 ‘미사일‘은 사거리 300km를 초과하는 완성 로켓시스템과 무인항공기 시스템을 말한다.

환경시험 챔버(chamber)와 무반향실로 다음의 것;

a. 다음의 모든 비행조건을 모사할 수 있는 환경시험 챔버

1. 다음 중 하나의 것:

a. 15km 이상의 고도; 또는

b. 최소 223K(-50℃)미만, 최대 398K(+125℃)초과의 온도범위

2. 20Hz~2,000Hz의 주파수 범위에서 10g rms 이상이고, 시험대상에 가하는 힘이 5kN 이상인 진동환경을 구현할 수 있는 가진기(shaker unit) 또는 기타 진동시험 장비를 포함하거나 포함하기 위해 설계되거나 개조된 것

기술해설:

1. 9B106.a.2.는 단일 파동(예: 사인파)의 진동환경이 생성 가능한 시스템과 광대역 랜덤 진동(즉, 파워 스펙트럼)을 생성하는  능력을 가진 시스템을 기술한다.

2. 9B106.a.2.의 ‘설계되거나 개조된’ 것의 의미는 2B116에

명시된 가진기(shaker unit)나 기타 진동시험장비를 포함하기

위해 적합한 인터페이스 (예 : 밀봉장치)를 제공하는

환경챔버를 의미한다.

3. 9B106.a.2.의 ‘bare table’은 부착물 또는 내부 부속품이 없는 평면테이블 또는 표면을 의미한다.

b. 다음의 비행조건을 모사할 수 있는 환경시험 챔버

1. 전체적인 출력음압이 140dB (20 μPa 기준) 이상이거나, 4kW 이상의 정격 출력을 낼 수 있는 음향환경; 그리고

2. 15km 이상의 고도; 또는

3. 최소 223K(-50℃)미만, 최대 398K(+125℃)초과의 온도범위

9A005~9A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A105~9A109, 9A111, 9A116~9A120에서 명시된 시스템, 서브시스템 및 구성요소를 위해 전용 설계된 “생산 장비”

9A004에서 명시된 우주발사체 혹은 9A005~9A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A104~9A109, 9A111, 9A116~9A120에서 명시된 시스템, 서브시스템, 그리고 구성요소들, 혹은 ‘미사일’을 위해 전용 설계된 “생산 설비“

기술해설:

9B116에서 '미사일‘은 사거리 300km를 초과하는 완성 로켓시스템과 무인항공기 시스템을 말한다.

고체 또는 액체 추진제 로켓이나 로켓 모터를 위한 추진기관 시험대(test benches and test stands)로서 다음의 특징 중 하나를 갖고 있는 것

a. 68kN 이상의 추력을 운용할 수 있거나

b. 3축 방향의 추력을 동시에 측정할 수 있는 장치

소재

“미사일”에 사용 가능한 로켓 모터 케이스용 또는 ‘미사일’을 위해 전용 설계된 “입상 단열재” 와 “내부 라이닝” (9A008에 명시된 것 제외)

기술해설:

9C108에서 ‘미사일’은 사거리 300km를 초과하는 완성 로켓시스템과 무인항공기 시스템을 말한다.

9A110에 명시된 복합소재구조물, 적층구조물 및 그 제품을 위한 레진 포화 화이버 프리프레그 및 금속도금 화이버 프리폼으로서 “비인장강도” 7.62×104m 초과, 비탄성 계수 3.18×106m를 초과하는 필라멘트 보강기법을 이용한 유기 메트릭스 또는 금속 메트릭스로 만들어진 것

주의 : 1C010과 1C210을 참조

주: 9C110의 레진포화 화이버 프리프레그는 처리 후 ASTM D4065로 측정 시 유리전이온도(Tg)가 418K(145℃)를 초과하는 레진을 사용한 것에 한한다.

소프트웨어

9A001~9A119, 9B 또는 9E003에 명시된 장비 또는 “기술“의 “개발”을 위해 전용 설계 또는 개조된 “소프트웨어”

9A001~9A119 또는 9B에 명시된 장비의 “생산”을 위해 전용 설계 또는 개조된 “소프트웨어”

9E003.h.에 명시된 "기술"을 사용하고, 9A에 명시된 추진시스템 또는 9B에 명시된 장비를 위한 통합 디지털 전자 엔진제어시스템("FADEC Systems" : Full Authority Digital Electronic Engine Controls Systems)에 사용되는 "소프트웨어"

a. 삭제

b. 삭제

기타 "소프트웨어"로서 다음의 것

a. 상세 엔진유동 모델링에 필요한 풍동 또는 비행시험데이터로 검증된 2․3차원 점성 관련 소프트웨어

b. 시험이 진행될 때 시험대상물이나 시험조건을 동적으로 조정할 수 있고 피드백(feedback) 할 수 있으며 실시간 데이터를 수집, 축소 및 분석하기 위하여 전용 설계되었으며 항공용의 가스터빈엔진, 부분품 또는 부품을 시험하는 소프트웨어

c. 방향성 응고 또는 단결정주조 제어를 위해 전용 설계된 “소프트웨어”;

d.삭  제

e. 9A012에 명시된 "무인항공기“ 및 이와 연관된 시스템, 장비 및 부품의 운용을 위해 전용 설계되거나 개조된 ”소프트웨어“.

f. 항공가스터빈 블레이드, 베인(vanes), 팁의 내부 냉각통로를 설계하기 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

g.  다음을 모두 만족하는 “소프트웨어”

1. 항공가스터빈엔진의 공열(aero thermal) 상태, 항공역학적 상태 및 연소상태를 예측하기 위해 전용 설계된 것 ; 그리고

2. 실제 항공가스터빈엔진(실험적 또는 생산된 제품) 성능 데이터로부터 검증된 공열 상태, 항공역학적 상태 및 연소상태의 이론상 모델링 예측을 할 수 있는 것.

9B105, 9B106, 9B116이나 9B117에 명시된 제품의 “사용”을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

9A004에 명시된 우주발사체나 9A104에 명시된 관측로켓 또는 9A005, 9A007, 9A105, 9A106.c., 9A107, 9A108.c., 9A116 또는 9A119에 명시된 서브시스템의 모델링, 시뮬레이션 및 설계통합을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

주: 9D103에서 “소프트웨어”는 4A102에 명시된 전용 설계된 하드웨어와 결합한 경우에 통제된다.

9A001, 9A005, 9A006.d, 9A006.g., 9A007.a., 9A008.d., 9A009.a., 9A010.d.. 9A011, 9A101, 9A102, 9A105, 9A106.c., 9A106.d., 9A107, 9A108.c., 9A109, 9A111, 9A115.a., 9A116.d., 9A117 또는 9A118에 명시된 제품의 사용을 위해 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

하나 이상의 서브시스템의 기능을 조정하는 “소프트웨어”로서 9A004에 명시된 우주발사체나 9A104의 관측로켓의 시스템에 사용하기 위해 전용 설계 또는 개조된 것

기술

주 : 9E001~9E003에 명시된  가스터빈엔진 “개발” 또는 “생산” “기술”이 수리 또는 분해수리에 사용될 때에도 9E001~9E003에 의해 통제된다. 9E001~9E003에서 제외되는 것 :수리불가능한 부품의 교체 장치, 손상된 부품의 교체, 제거, 교정 등 유지보수에 직접 관련된 기술자료, 도면 및 서류. 전체 엔진이나 엔진 모듈의 교체도 포함된다.

9A001.b, 9A004~9A012, 9A350, 9B 혹은 9D에 명시된 장비 또는 “소프트웨어”의 “개발”에 대한 일반기술해설에 따른 “기술”

9A001.b, 9A004~9A011, 9A350 혹은 9B에 명시된 장비의 “생산”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

주의: 통제되는 구조물, 적층구조물 또는 소재의 수리를 위한  “기술”은 1E002.f항을 참조

그 밖의 기술로서 다음의 것

a. 다음의 가스터빈엔진 부품 또는 시스템의 개발 및 생산에 필요한 기술:

1. 1000℃(1273K) 온도와 200MPa의 응력 하에서 400시간 이상의 응력파괴수명 (밀러 지수 지침 001)을 갖는 방향성 응고 또는 단결정 합금으로 만든 가스터빈 블레이드, 베인(vanes) 또는 팁 슈라우드(shroud)

2. 연소기로서 다음의 것 :

a. 1,883K (1,610°C)를 초과하는 ‘연소기 출구 온도’에서 작동하도록 설계된 열충격 흡수(완화) 라이너 ;

b. 비금속 라이너 ;

c. 비금속 셀(shell) ; 또는

d. 1,883K (1,610°C)를 초과하는 ‘연소기 출구 온도’에서 작동하도록 설계되었으며, 9E003.c에 명시된 매개변수(parameters)를 충족하는 구멍(holes)을 가진 라이너

주 : 9E003.a.2의 구멍(holes)을 위해 요구되어지는 기술은 구멍 위치와 형상의 변형에 제한된다.

기술해설

‘연소기 출구 온도’는 엔진이 인증받은 최대 연속 작동온도에서 ‘정상상태’로 작동할 때, 연소기 출구면과 터빈 입구유도베인(SAE ARP 755A에서 정의된 엔진위치 T40에서 측정)사이의 가스통로 부피에서의 평균 정체온도(전온도)를 말한다.

주의 : 냉각홀 제작에 필요한 기술은 9E003.c를 참조

3. 다음 중 하나의 재료로 제조된 부품:

a. 588K(315℃)를 넘는 온도에서 작동되도록 설계된 유기 복합소재

b. 1C007에 의하여 통제되는 금속모재 복합소재, 세라믹모체 복합소재 또는 및 금속간 강화 복합재; 또는

c. 1C010에 명시된 복합소재 그리고 1C008에 명시된 수지로 제조된 복합재료

4. 엔진 운용의 ‘정상상태모드’에서 해수면 정적이륙(ISA : 국제표준대기)일 때 1,050℃(1323K) 이상의 가스통로 총(정체)온도에서 사용되도록 설계된 비 냉각터빈 블레이드, 베인(vanes), 팁 슈라우드(shroud) 및 기타 부품;

5. 1,693 K (1,420°C) 이상의 ‘가스통로온도’에서 운용되기 위해 설계된 냉각터빈 블레이드, 베인(vanes), “팁 슈라우드(shroud)”로서 9E003.a.1에서 기술된 것 이외의 것

기술해설 :

1. ‘가스 통로 온도’는 엔진이 인증받은 최대 연속 작동온도에서 ‘정상상태’로 작동할 때, 터빈부품의 가스 통로 전단면에서의 부피기준 평균 정체온도(전온도)를 말한다.

2. ‘정상상태모드’(steady state mode)란  엔진흡입구의 주변대기온도 및 압력이 일정할 때 추력/동력, rpm 등과 같은 엔진 매개변수에 현저한 불안정 상태가 없는 엔진운용상태를 말한다.

6. 고상접합을 이용한 에어포일-디스크 블레이드 조립품

7. 2E003.b항에 의하여 수출 통제되는 확산접합기술을 사용한 가스터빈 엔진부품

8. 1C002.b항에 의하여 수출 통제되는 분말야금소재를 사용한 가스터빈 엔진의 손상허용 로터 부품; 또는

기술해설

'손상허용' 부품은 균열진전을 예방하고 제한하기 위한 방법론을 실제 적용하여 설계된 부품이다.

9. 삭 제

주의 : "FADEC 시스템"은 9E003.h. 참고

10. 삭제

주 : 조정 가능한 기하학적 유동통로는 9E003.i. 참고

11. 중공(Hollow) 팬 블레이드;

b. 다음 중 하나의 “개발” 또는 “생산”을 위해 필요한 기술

1. 센서에서 데이터 획득시스템까지 데이터전송용 비 관입 센서( non-intrusive sensor)가 설치된 풍동용 모델, 또는

2. 마하 0.55를 초과하는 비행속도에서 2,000kW를 초과하는 동력을 흡수 가능한 복합소재 프로펠러 블레이드 또는 팬

c. 9E003.a.1, 9E003.a.2 or 9E003.a.5에 명시된 기술을 사용하는 가스터빈 엔진 부품에 있는 냉각 홀 가공을 위해 요구되어지는 기술로 다음 중 하나의 것

1. 다음의 모든 것을 가진 것 :

a. 0.45 mm2 미만의 최소 ‘단면적’

b. 4.52 이상의 ‘구멍 형상 비율’ ; 그리고

c. 25° 이하의 ‘경사각’ ; 또는

2. 다음의 모든 것을 가진 것 :

a. 0.12 mm2 미만의 최소 ‘단면적’

b. 5.65 이상의 ‘구멍 형상 비율’ ; 그리고

c. 25°를 초과하는 ‘경사각’ ;

주 : 9E003.c는 부품의 외부표면에 입구와 출구가 수직으로 뚫리는 일정한 반경을 갖는 실린더 구멍의 제작을 위한 기술은 통제하지 않는다.

기술해설

1. 9E003.c의 ‘단면적’은 구멍 축에 수직인 평면에서의 구멍 면적을 말한다.

2. 9E003.c의 ‘구멍형상비율’은 구멍 축의 호칭길이를 최소 ‘단면적’의 제곱근으로 나눈 값이다.

3. 9E003.c의 ‘경사각’은 에어포일 표면으로 들어가는 구멍축 지점에서, 구멍 축과 에어포일 표면의 접선면이 이루는 예각을 말한다.

4. 9E003.c의 구멍가공을 위한 기술에는 “레이저”, 워터젯(water jet), 전해가공(ECM) 또는 방전가공(EDM) 방법이 포함된다.

d. 헬리콥터 동력전달시스템 또는 틸트 로터(tilt rotor)나 틸트 윙(tilt wing) 또는 항공기의 동력전달시스템의 개발 또는 생산을 위한 기술

e. 다음의 모든 성능을 갖는 지상 운반체 추진시스템용 왕복디젤엔진의 개발 또는 생산 기술

1. 외형체적 (Box Volume)이 1.2㎥ 이하

2. 총 출력이 80/1269/EEC, ISO 2534 또는 국가동등규격상 750kW 초과; 그리고

3. 외형체적의 출력밀도가 700kW/㎥를 초과

기술해설:

9E003.e의 외형체적 : 다음 방법으로 측정된 3방향의 직교되는 치수를 곱한 것

길이 : 앞 플랜지에서 플라이휠 면(회전속도조절바퀴)까지의 크랭크축의 길이

폭 : 다음 중 가장 큰 것

a. 밸브커버에서 밸브커버까지의 외측치수

b. 실린더헤드의 외측모서리 사이까지의 치수

c. 플라이휠 하우징의 직경

높이 : 다음 중 가장 큰 것

a. 크랭크축 중심선에서 밸브커버(또는 실린더헤드) 상면의 치수에 행정거리(stroke)의 두 배를 더한 것

b. 플라이휠 하우징의 직경

f. 고출력 디젤엔진용으로 전용 설계된 부품의 "생산""기술"로서 다음의 것

1. 1C007에 명시된 세라믹소재를 사용한 다음의 모든 부품을 갖는 엔진시스템의 "생산"에 "필요한" "기술"

a. 실린더 라이너

b. 피스톤

c. 실린더 헤드; 그리고

d. 하나 이상의 기타 부품 (배기구, 과급기(turbocharger), 밸브가이드, 밸브조립품 및 단열된 연료 분사장치 포함)

2.  다음의 모든 특성을 갖는 단일단(single-stage) 압축기로 구성된 과급기(turbocharger) 시스템의 "생산"에 "필요한" "기술"

a. 압력비 4 : 1 이상으로 동작

b. 질량유동이 30 - 130 kg/min

c. 압축기 또는 터빈 단면 내 유동 면적의 가변 능력

3. 디젤연료 [37.8(310.8 K)℃에서 2.5 cSt]로부터 가솔린연료 [37.8℃(310.8 K)에서 0.5 cSt]까지의 점성범위를 갖도록 전용 설계된 다 연료용(예: 디젤 또는 제트연료) 연료분사 시스템의 생산에 필요한 기술로서 다음의 모든 특성을 갖는 것

a. 분사량이 1회 분사시 실린더 당 230mm3을 초과; 그리고

b. 적절한 센서를 사용하여 사용 연료의 특성에 맞춰 자동적으로 동일한 토크 특성을 갖도록 전용 설계된 전자식 제어장치

g. 고체, 가스 상태, 액상필름(또는 이들의 조합)으로 실린더 벽 온도가 450℃(723K) 이상인 때에도 윤활이 가능한 고출력디젤엔진의 개발 및 생산에 필요한 기술. 단, 온도는 피스톤의 최상위 링이 행정의 최상위 위치에 있을 때 실린더 벽에서 측정함

기술해설:

고출력 디젤엔진은 정격 회전수가 2,300rpm 이상이고, 2,300rpm에서 1.8 MPa이상의 규정된 제동평균유효압력을 갖고 있는 디젤엔진을 말한다.

h. 가스터빈엔진 "FADEC 시스템"을 위한 "기술"로서 다음의 것 :

1. 엔진 추력 또는 축 동력을 조절하기 위한 "FADEC 시스템"에 필요한 부품의 기능적 요구사항을 얻어낼 수 있는 "개발" "기술"(예 : 피드백 센서 시간 상수와 정확도 , 연료밸브 슬루율(slew rate))

2. "FADEC 시스템"에 유일하며 엔진추력 및 축 동력을 조절하는데 사용되는 제어 및 진단기기를 위한 "개발" 또는 "생산" "기술"

3. "FADEC 시스템"에 유일하며 엔진추력 및 축 동력을 조절하는데 사용되는 "소스코드"를 포함하는 law algorithms을 제어하기 위한 "개발" "기술";

주: 9E003.h.는 민간항공인증기관들에 의해 일반적인 항공사 사용(예 : 설치 설명서, 운영지침, 감항성 유지를 위한 지침) 또는 인터페이스 기능(예 : 입출력 처리, 기체 추력 또는 축 동력 소요)을 위해 발행되도록 요구되어지는 엔진 - 항공기 통합(integration)과 관련된 기술적 데이터는 통제하지 않는다.

i. 가스발생기터빈, 팬 또는 파워터빈, 또는 추진노즐을 위한 엔진안정성을 유지하기 위해 설계된 다음과 같은 조정 가능한 유동통로 시스템 "기술"

1. 엔진 안정성을 유지하는 부품에 기능적 요구사항을 얻어낼 수 있는 "개발" "기술"

2. 엔진 안정성을 유지하고 조정 가능한 유동통로 시스템에 유일한 부품을 위한 "개발" 또는 "생산" "기술"

3. 엔진 안정성을 유지하고 조정 가능한 유동통로 시스템에 유일한, "소스코드"를 포함하는 law algorithms 제어 "개발" "기술"

주 : 9E003.i.는 다음의 "개발" 또는 "생산" "기술"은 통제하지 않는다.

a. 흡입 유도베인;

b. 가변 피치 팬 또는 프롭-팬;

c. 가변 압축기 베인;

d. 압축기 블리드 밸브; 또는

e. 역추진을 위한 조정 가능한 기하학적 유동통로

a. 9A101, 9A102, 9A104~9A111, 혹은 9A115~9A119에 명시된 물품의 "개발"을 위한 것으로서, 일반기술해설에 따른 “기술”

b. 9A012에 명시된 '무인항공기' 또는 9A101, 9A102, 9A104~9A111, 혹은 9A115~9A119에 명시된 물품의 "생산"을 위한 것으로서, 일반기술해설에 따른 “기술”

기술해설:

9E101.b.에서 '무인항공기'는 사거리 300km를 초과하는 무인 항공기 시스템을 말한다.

9A004에 명시된 우주발사체, 9A005~9A011에 명시된 물품,  9A012에 명시된 '무인항공기' 또는 9A101, 9A102, 9A104~9A111, 9A115~9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 혹은 9D103에 명시된 물품의 "사용"을 위한 것으로서, 기술일반해설에 따른 “기술”

기술해설:

9E102에서 '무인항공기'는 사거리 300km를 초과하는 무인 항공기 시스템을 말한다.

CATEGORY 9 - AEROSPACE AND PROPULSION

Systems, Equipment and Components

N.B.: For propulsion systems designed or rated against neutron or transient ionizing radiation, see the Military Goods Controls.

Aero gas turbine engines having any of the following:

N.B.: SEE ALSO 9A101.

a. Incorporating any of the technologies specified by 9E003.a, 9E003.h or 9E003.i; or

Note 9A001.a does not control aero gas turbine engines which meet all of the following:

a. Certified by the civil aviation authority in a Wassenaar Arrangement Participating State; and

b. Intended to power non-military manned aircraft for which any

of the following has been issued by a Wassenaar Arrangement

Participating State for the aircraft with this specific engine

type:

1. A civil type certificate; or

2. An equivalent document recognised by the International

Civil Aviation Organisation (ICAO).

b. Designed to power an aircraft to cruise at Mach 1 or higher for more than thirty minutes.

'Marine gas turbine engines' with an ISO standard continuous power rating of 24,245 kW or more and a specific fuel consumption not exceeding 0.219 kg/kWh in the power range from 35 to 100%, and specially designed assemblies and components therefor.

Note: The term 'marine gas turbine engines' includes those industrial, or aero-derivative, gas turbine engines adapted for a ship's electric power generation or propulsion.

Specially designed assemblies and components, incorporating any of the "technologies" specified in 9E003.a., 9E003.h. or 9E003.i., for any of the following gas turbine engine propulsion systems;

a. Specified in 9A001; or;

b. Whose design or production origins are either non-participating states or unknown to the manufacturer.

Space launch vehicles and "spacecraft".

N.B.: SEE ALSO 9A104.

Note: 9A004 does not control payloads.

N.B.: For the control status of products contained in "spacecraft" payloads, see the appropriate Categories.

Liquid rocket propulsion systems containing any of the systems or components specified in 9A006 .

N.B.: SEE ALSO 9A105 AND 9A119.

Systems and components specially designed for liquid rocket propulsion systems, as follows:

N.B.: SEE ALSO 9A106, 9A108 AND 9A120.

a. Cryogenic refrigerators, flightweight dewars, cryogenic heat pipes or cryogenic systems specially designed for use in space vehicles and capable of restricting cryogenic fluid losses to less than 30% per year;

b. Cryogenic containers or closed-cycle refrigeration systems capable of providing temperatures of 100 K (-173°C) or less for "aircraft" capable of sustained flight at speeds exceeding Mach 3, launch vehicles or "spacecraft";

c. Slush hydrogen storage or transfer systems;

d. High pressure (exceeding 17.5 MPa) turbo pumps, pump components or their associated gas generator or expander cycle turbine drive systems;

e. High-pressure (exceeding 10.6 MPa) thrust chambers and nozzles therefor;

f. Propellant storage systems using the principle of capillary containment or positive expulsion (i.e., with flexible bladders);

g. Liquid propellant injectors, with individual orifices of 0.381 mm or smaller in diameter (an area of 1.14 x 10-3 cm2 or smaller for non-circular orifices) and specially designed for liquid rocket engines;

h. One-piece carbon-carbon thrust chambers or one-piece carbon-carbon exit cones with densities exceeding 1.4 g/cm3 and tensile strengths exceeding 48 MPa.

Solid rocket propulsion systems having any of the following:

N.B.: SEE ALSO 9A107 AND 9A119.

a. Total impulse capacity exceeding 1.1 MNs;

b. Specific impulse of 2.4 kNs/kg or more, when the nozzle flow is expanded to ambient sea level conditions for an adjusted chamber pressure of 7 MPa;

c. Stage mass fractions exceeding 88% and propellant solid loadings exceeding 86%;

d. Components specified in 9A008; or

e. Insulation and propellant bonding systems, using direct-bonded motor designs to provide a 'strong mechanical bond' or a barrier to chemical migration between the solid propellant and case insulation material.

Technical Note:

'Strong mechanical bond' means bond strength equal to or more than propellant strength.

Components specially designed for solid rocket propulsion systems, as follows:

N.B.: SEE ALSO 9A108.

a. Insulation and propellant bonding systems, using liners to provide a 'strong mechanical bond' or a barrier to chemical migration between the solid propellant and case insulation material;

Technical Note:

'Strong mechanical bond' means bond strength equal to or more than propellant strength.

b. Filament-wound "composite" motor cases exceeding 0.61 m in diameter or having 'structural efficiency ratios (PV/W)' exceeding 25km;

Technical Note:

'Structural efficiency ratio (PV/W)' is the burst pressure (P) multiplied by the vessel volume (V) divided by the total pressure vessel weight (W).

c. Nozzles with thrust levels exceeding 45kN or nozzle throat erosion rates of less than 0.075 mm/s;

d. Movable nozzle or secondary fluid injection thrust vector control systems, capable of any of the following:

1. Omni-axial movement exceeding ± 5°;

2. Angular vector rotations of 20°/s or more; or

3. Angular vector accelerations of 40°/s² or more.

Hybrid rocket propulsion systems having any of the following:

N.B.: SEE ALSO 9A109 AND 9A119.

a. Total impulse capacity exceeding 1.1 MNs; or

b. Thrust levels exceeding 220kN in vacuum exit conditions.

Specially designed components, systems and structures, for launch vehicles, launch vehicle propulsion systems or "spacecraft", as follows:

N.B.: SEE ALSO 1A002 AND 9A110.

a. Components and structures, each exceeding 10kg, specially designed for launch vehicles manufactured using metal "matrix", "composite", organic "composite", ceramic "matrix" or intermetallic reinforced materials specified in 1C007 or 1C010;

Note: The weight cut-off is not relevant for nose cones.

b. Components and structures, specially designed for launch vehicle propulsion systems specified in 9A005 to 9A009 manufactured using metal "matrix", "composite", organic "composite", ceramic "matrix" or intermetallic reinforced materials, specified in 1C007 or 1C010;

c. Structural components and isolation systems, specially designed to control actively the dynamic response or distortion of "spacecraft" structures;

d. Pulsed liquid rocket engines with thrust-to-weight ratios equal to or more than 1 kN/kg and a response time (the time required to achieve 90% of total rated thrust from start-up) of less than 30ms.

Ramjet, scramjet or combined cycle engines, and specially designed components therefor.

N.B.: SEE ALSO 9A111 AND 9A118.

Technical Note

‘combined cycle engines’ are the engines that employ two or more cycles of the following types of engines: gas-turbine engine (turbojet ,turboprop, turbofan and turboshaft), ramjet, scramjet, pulse jet, pulse detonation engine, rocket motor (liquid/solid-propellant and hybrid).

"Unmanned aerial vehicles" ("UAVs"), unmanned "airships", related systems, equipment and components, as follows:

a. "UAVs" or unmanned "airships",  having any of the following:

1. An autonomous flight control and navigation capability (e.g., an autopilot with an Inertial Navigation System); or

2. Capability of controlled-flight out of the direct vision range involving a human operator (e.g., televisual remote control).

b. Related systems, equipment and components, as follows:

1. Equipment specially designed for remotely controlling the "UAVs" or unmanned "airships",  specified by 9A012.a.;

2. Systems for navigation, attitude, guidance or control, other than those specified in 7A and specially designed to provide autonomous flight control or navigation capability to "UAVs" or unmanned "airships",  specified by 9A012.a.;

3. Equipment or components specially designed to convert a manned "aircraft"or a manned "airship" to a "UAV"  or unmanned "airship" specified by 9A012.a.

4. Air breathing reciprocating or rotary internal combustion type engines, specially designed or modified to propel "UAVs" at altitudes above 50,000 feet (15,240 metres).

Note : 9A012 does not control model aircraft or model "airships".

Turbojet and turbofan engines, other than those specified in 9A001, as follows;

a. Engines having both of the following characteristics:

1. 'Maximum thrust value' greater than 400 N (achieved un-installed) excluding civil certified engines with a 'maximum thrust value' greater than 8,890 N (achieved un-installed), and

2. Specific fuel consumption of 0.15 kg/N/hr or less (at maximum continuous power at sea level static and standard conditions);

Technical Note:

In 9A101.a.1., ‘maximum thrust value’ is the manufacturer’s demonstrated maximum thrust for the engine type un-installed. The civil type certified thrust value will be equal to or less than the manufacturer’s demonstrated maximum thrust for the engine type.

b. Engines designed or modified for use in "missiles" or unmanned aerial vehicles specified in 9A012,

'Turboprop engine systems' specially designed for unmanned

aerial vehicles specified in 9A012, and specially designed

components therefor, having a 'maximum power' greater than

10 kW.

Note: 9A102 does not control civil certified engines.

Technical Notes:

1. For the purposes of 9A102 a 'turboprop engine system' incorporates all of the following:

a. Turboshaft engine; and

b. Power transmission system to transfer the power to a propeller.

2. For the purposes of 9A102 the 'maximum power' is achieved

uninstalled at sea level standard conditions.

Sounding rockets, capable of a range of at least 300 km.

N.B.: SEE ALSO 9A004.

Liquid propellant rocket engines, as follows:

N.B.: SEE ALSO 9A119.

a. Liquid propellant rocket engines usable in "missiles", other than those specified in 9A005, having a total impulse capacity equal to or greater than 1.1 MNs;

b. Liquid propellant rocket engines, usable in complete rocket systems or unmanned aerial vehicles, capable of a range of 300 km, other than those specified in 9A005 or 9A105.a., having a total impulse capacity equal to or greater than 0.841 MNs.

Systems or components, other than those specified in 9A006 as

follows, specially designed for liquid rocket propulsion

systems:

a. Ablative liners for thrust or combustion chambers, usable in

"missiles", space launch vehicles specified in 9A004 or

sounding rockets specified in 9A104;

b. Rocket nozzles, usable in "missiles", space launch vehicles

specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;

c. Thrust vector control sub-systems, usable in "missiles";

Technical Note:

Examples of methods of achieving thrust vector control specified in 9A106.c. are:

1. Flexible nozzle;

2. Fluid or secondary gas injection;

3. Movable engine or nozzle;

4. Deflection of exhaust gas stream (jet vanes or probes); or

5. Thrust tabs.

d. Liquid and slurry propellant (including oxidisers) control

systems, and specially designed components therefor, usable

in "missiles", designed or modified to operate in vibration

environments greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz.

Note: The only servo valves and pumps specified in 9A106.d., are the following:

a. Servo valves designed for flow rates equal to or greater than 24 litres per minute, at an absolute pressure equal to or greater than 7 MPa, that have an actuator response time of less than 100 ms;

b. Pumps, for liquid propellants, with shaft speeds equal to or greater than 8,000 r.p.m. or with discharge pressures equal to or greater than 7 MPa.

Solid propellant rocket engines, usable in complete rocket systems or unmanned aerial vehicles, capable of a range of 300 km, other than those specified in 9A007, having total impulse capacity equal to or greater than 0.841 MNs.

N.B.: SEE ALSO 9A119.

Components, other than those specified in 9A008, as follows, specially designed for solid rocket propulsion systems:

a. Rocket motor cases and "insulation" components therefor, usable in "missiles", space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;

b. Rocket nozzles, usable in "missiles", space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;

c. Thrust vector control sub-systems, usable in "missiles".

Technical Note:

Examples of methods of achieving thrust vector control specified in 9A108.c. are:

1. Flexible nozzle;

2. Fluid or secondary gas injection;

3. Movable engine or nozzle;

4. Deflection of exhaust gas stream (jet vanes or probes); or

5. Thrust tabs.

Specially designed components for Hybrid rocket motors,

usable in 'missiles', having a total impulse capacity equal to

or greater than 8.41 x 105Ns, other than those specified in

9A009

N.B.: SEE ALSO 9A119.

Technical Note:

In 9A109 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Composite structures, laminates and manufactures thereof, other than those specified in 9A010, specially designed for use in 'missiles' or the subsystems specified in 9A005, 9A007, 9A105, 9A106.c., 9A107, 9A108.c., 9A116 or 9A119.

N.B.: SEE ALSO 1A002.

Technical Note:

In 9A110 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Pulse jet engines, usable in "missiles" or unmanned aerial vehicles specified in 9A012, and specially designed components therefor.

N.B.: SEE ALSO 9A011 AND 9A118.

Launch support equipment as follows:

a. Apparatus and devices for handling, control, activation or launching, designed or modified for space launch vehicles specified in 9A004, unmanned aerial vehicles specified in 9A012 or sounding rockets specified in 9A104;

b. Vehicles for transport, handling, control, activation or launching, designed or modified for space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Reentry vehicles, usable in "missiles", and equipment designed or modified therefor, as follows:

a. Reentry vehicles;

b. Heat shields and components therefor, fabricated of ceramic or ablative materials;

c. Heat sinks and components therefor, fabricated of light-weight, high heat capacity materials;

d. Electronic equipment specially designed for reentry vehicles.

Staging mechanisms, separation mechanisms, and interstages, usable in "missiles".

Note: See also Item 7A118

Devices to regulate combustion usable in engines, which are usable in "missiles" or unmanned aerial vehicles specified in 9A012, specified in 9A011 or 9A111.

Individual rocket stages, usable in complete rocket systems or unmanned aerial vehicles, capable of a range of 300 km, other than those specified in 9A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 and 9A109.

Liquid propellant tanks, other than those specified in 9A006, specially designed for propellants specified in 1C111 or 'other liquid propellants', used in rocket systems capable of delivering at least a 500 kg payload to a range of at least 300 km.

Spraying or fogging systems, specially designed or modified for fitting to aircraft, "lighter-than-air vehicles" or unmanned aerial vehicles, and specially designed components therefor, as follows:

a. Complete spraying or fogging systems capable of delivering, from a liquid suspension, an initial droplet 'VMD' of less than 50 μm at a flow rate of greater than two litres per minute;

b. Spray booms or arrays of aerosol generating units capable of delivering, from a liquid suspension, an initial droplet 'VMD' of less than 50 μm at a flow rate of greater than two litres per minute;

c. Aerosol generating units specially designed for fitting to systems specified in 9A350.a. and b.

Note: Aerosol generating units are devices specially designed or modified for fitting to aircraft such as nozzles, rotary drum atomizers and similar devices.

Note: 9A350 does not control spraying of fogging systems and components that are demonstrated not to be capable of delivering biological agents in the form of infectious aerosols.

Technical Notes:

1. Droplet size for spray equipment or nozzles specially designed for use on aircraft, "lighter-than-air vehicles" or unmanned aerial vehicles should be measured using either of the following:

a. Doppler laser method;

b. Forward laser diffraction method.

2. In 9A350 'VMD' means Volume Median Diameter and for water-based systems this equates to Mass Median Diameter (MMD).

Test, Inspection and Production Equipment

Equipment, tooling and fixtures, specially designed for manufacturing gas turbine blades, vanes or tip shroud castings, as follows:

a. Directional solidification or single crystal casting equipment;

b. Ceramic cores or shells;

On-line (real time) control systems, instrumentation (including sensors) or automated data acquisition and processing equipment, having all of the following:

a. Specially designed for the "development" of gas turbine engines, assemblies or components; and

b. Incorporating "technology" specified in 9E003.h. or 9E003.i.

Equipment specially designed for the "production" or test of gas turbine brush seals designed to operate at tip speeds exceeding 335 m/s, and temperatures in excess of 773K (500°C), and specially designed components or accessories therefor.

Tools, dies or fixtures, for the solid state joining of "superalloy", titanium or intermetallic airfoil-to-disk combinations described in 9E003.a.3. or 9E003.a.6. for gas turbines.

On-line (real time) control systems, instrumentation (including sensors) or automated data acquisition and processing equipment, specially designed for use with any of the following:

N.B.: SEE ALSO 9B105.

a. Wind tunnels designed for speeds of Mach 1.2 or more;

Note: 9B005.a. does not control wind tunnels specially designed for

educational purposes and having a 'test section size' (measured

laterally) of less than 250 mm.

Technical Note:

'Test section size' means the diameter of the circle, or the side of

the square, or the longest side of the rectangle, at the largest test

section  location.

b. Devices for simulating flow-environments at speeds exceeding Mach 5, including hot-shot tunnels, plasma arc tunnels, shock tubes, shock tunnels, gas tunnels and light gas guns; or

c. Wind tunnels or devices, other than two-dimensional sections, capable of simulating Reynolds number flows exceeding 25 x 106.

Acoustic vibration test equipment capable of producing sound pressure levels of 160 dB or more (referenced to 20 μPa) with a rated output of 4 kW or more at a test cell temperature exceeding 1,273 K (1,000°C), and specially designed quartz heaters therefor.

N.B.: SEE ALSO 9B106.

Equipment specially designed for inspecting the integrity of rocket motors and using Non-Destructive Test (NDT) techniques other than planar X-ray or basic physical or chemical analysis.

Direct measurement wall skin friction transducers specially designed to operate at a test flow total (stagnation) temperature exceeding 833 K (560°C).

Tooling specially designed for producing turbine engine powder metallurgy rotor components capable of operating at stress levels of 60% of Ultimate Tensile Strength (UTS) or more and metal temperatures of 873 K (600°C) or more.

Equipment specially designed for the production of "UAVs" and associated systems, equipment and components, specified in 9A012.

'Aerodynamic test facilities' for speeds of Mach 0.9 or more, usable for 'missiles' and their subsystems.

N.B.: SEE ALSO 9B005.

Note:

9B105 does not control wind-tunnels  for speeds of Mach 3 or less with dimension of the 'test cross section size' equal to or less than 250 mm.

Technical Notes:

1. 'Aerodynamic test facilities' includes wind tunnels, and shock tunnels for the study of airflow over objects.

2. 'Test cross section size' means the diameter of the circle, or the side of the square, or the longest side of the rectangle, or the major axis of the ellipse at the largest 'test cross section' location. 'Test cross section' is the section perpendicular to the flow direction.

Technical Note:

In 9B105 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Environmental chambers and anechoic chambers, as follows:

a. Environmental chambers capable of simulating all the

following flight conditions:

1. Having any of the following:

a. Altitude equal to or greater than 15 km; or

b. Temperature range from below 223 K (-50℃) to above 398 K (+125℃);

2. Incorporating, or 'designed or modified' to incorporate, a

shaker unit or other vibration test equipment to produce

vibration environments equal to or greater than 10 g rms,

measured 'bare table', between 20 Hz and 2 kHz

imparting forces equal to or greater than 5 kN;

Technical Notes:

1. 9B106.a.2. describes systems that are capable of generating a

vibration environment with a single wave (e.g., a sine wave) and

systems capable of generating a broad band random vibration (i.e., power spectrum).

2. In 9B106.a.2., 'designed or modified' means the environmental

chamber provides appropriate interfaces (e.g., sealing devices) to

incorporate a shaker unit or other vibration test equipment as

specified in 2B116.

3. In 9B106.a.2. 'bare table' means a flat table, or surface, with no

fixture or fittings.

b. Environmental chambers capable of simulating the following

flight conditions:

1. Acoustic environments at an overall sound pressure level

of 140 dB or greater (referenced to 20 μPa) or with a total

rated acoustic power output of 4 kW or greater; and

2. Altitude equal to or greater than 15 km; or

3. Temperature range from below 223 K (-50℃) to above 398 K (+125℃).

Specially designed "production equipment" for the systems, sub-systems and components specified in 9A005 to 9A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A105 to 9A109, 9A111, 9A116 to 9A120.

Specially designed "production facilities" for the space launch vehicles specified in 9A004, or systems, sub-systems, and components specified in 9A005 to 9A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A104 to 9A109, 9A111, 9A116 to 9A120 or ‘missiles’.

Technical Note:

In 9B116 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Test benches and test stands for solid or liquid propellant rockets or rocket motors, having either of the following characteristics:

a. The capacity to handle more than 68 kN of thrust; or

b. Capable of simultaneously measuring the three axial thrust components.

Materials

"Insulation" material in bulk form and "interior lining", other than those specified in 9A008, for rocket motor cases usable in "missiles" or specially designed for 'missiles'.

Technical Note:

In 9C108 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

Resin impregnated fibre prepregs and metal coated fibre preforms therefor, for composite structures, laminates and manufactures specified in 9A110, made either with organic matrix or metal matrix utilising fibrous or filamentary reinforcements having a "specific tensile strength" greater than 7.62 x 104 m and a "specific modulus" greater than 3.18 x 106 m.

N.B.: SEE ALSO 1C010 AND 1C210.

Note: The only resin impregnated fibre prepregs specified in entry 9C110 are those using resins with a glass transition temperature (Tg ), after cure, exceeding 418 K (145℃) as determined by ASTM D4065 or equivalent.

Software

"Software" specially designed or modified for the "development" of equipment or "technology" specified in 9A001 to 9A119, 9B or 9E003.

"Software" specially designed or modified for the "production" of equipment specified in 9A001 to 9A119 or 9B.

"Software" incorporating "technology" specified in 9E003.h. and used in "FADEC Systems" for propulsion systems specified in 9A or equipment specified in 9B

a. Not used

a. Not used

Other "software" as follows:

a. 2D or 3D viscous "software", validated with wind tunnel or flight test data required for detailed engine flow modelling;

b. "Software" for testing aero gas turbine engines, assemblies or components, specially designed to collect, reduce and analyse data in real time and capable of feedback control, including the dynamic adjustment of test articles or test conditions, as the test is in progress;

c. "Software" specially designed to control directional solidification or single crystal casting;

d. Not used

e. "Software" specially designed or modified for the operation of "UAVs" and associated systems, equipment and components, specified in 9A012;

f. "Software" specially designed to design the internal cooling passages of aero gas turbine blades, vans and tip shrouds;

g. "Software" having all of the following :

1. Specially designed to predict aero thermal, aeromechanical and combustion conditions in aero gas turbine engines; and

2. Theoretical modelling predictions of the aero thermal, aeromechanical and combustion conditions which have been validated with actual aero gas turbine engine (experimental or production) performance data.

"Software" specially designed or modified for the "use" of goods specified in 9B105, 9B106, 9B116 or 9B117.

"Software" specially designed for modelling, simulation or design integration of the space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104, or the subsystems specified in

9A005, 9A007, 9A105, 9A106.c., 9A107, 9A108.c., 9A116 or 9A119.

Note: "Software" specified in 9D103 remains controlled when combined with specially designed hardware specified in 4A102.

"Software" specially designed or modified for the "use" of goods specified in 9A001, 9A005, 9A006.d., 9A006.g., 9A007.a., 9A008.d., 9A009.a., 9A010.d., 9A011, 9A101, 9A102, 9A105, 9A106.c., 9A106.d., 9A107, 9A108.c., 9A109, 9A111, 9A115.a., 9A116.d., 9A117 or 9A118.

"Software" which coordinates the function of more than one subsystem, specially designed or modified for "use" in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.

Technology

Note : "Development" or "production" "technology" specified by 9E001 to 9E003  for gas turbine engines remains specified by 9E001 to 9E003 when used for repair or overhaul. Excluded from 9E001 to 9E003 are: technical data, drawings or documentation for maintenance activities directly associated with calibration, removal or replacement of damaged or unserviceable line replaceable units, including replacement of whole engines or engine modules.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 9A001.b., 9A004 to 9A012, 9A350, 9B or 9D.

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 9A001.b., 9A004 to 9A011, 9A350 or 9B.

N.B.: For "technology" for the repair of controlled structures, laminates or materials, see 1E002.f.

Other "technology" as follows:

a. "Technology" "required" for the "development" or "production" of any of the following gas turbine engine components or systems:

1. Gas turbine blades, vanes or tip shrouds, made from directionally solidified (DS) or single crystal (SC) alloys and having (in the 001 Miller Index Direction) a stress-rupture life exceeding 400 hours at 1,273 K (1,000°C) at a stress of 200 MPa, based on the average property values;

2. Combustors having any of the following:

a. Thermally decoupled liners designed to operate at 'combustor

exit temperature' exceeding 1,883K (1,610°C);

b. Non-metallic liners;

c. Non-metallic shells; or

d. Liners designed to operate at 'combustor exit temperature'

exceeding 1,883K (1,610°C) and having holes that meet the

parameters specified by 9E003.c;

Note : The "required" "technology" for holes in 9E003.a.2 is limited to the derivation of the geometry and location of the holes.

Technical Note

'Combustor exit temperature' is the bulk average gas path total (stagnation) temperature between the combustor exit plane and the leading edge of the turbine inlet guide vane (i.e., measured at engine station T40 as defined in SAE ARP 755A) when the engine is running in a 'steady state mode' of operation at the certificated maximum continuous operating temperature.

N.B. : See 9E003.c for "technology" "required" for manufacturing cooling holes.

3. Components manufactured from any of the following:

a. Organic "composite" materials designed to operate above 588 K (315°C);

b. Metal "matrix" "composite", ceramic "matrix", intermetallic or intermetallic reinforced materials, specified in 1C007; or

c. "Composite" material specified in 1C010 and manufactured with resins specified in 1C008.

4. Uncooled turbine blades, vanes, tip-shrouds or other components, designed to operate at gas path total (stagnation) temperatures of 1,323 K (1,050°C) or more at sea-level static take-off (ISA) in a 'steady state mode' of engine operation;

5. Cooled turbine blades, vanes, "tip-shrouds" other than those described in 9E003.a.1, designed to operate at a 'gas path temperature' of 1,693 K (1,420°C) or more;

Technical Notes

1. 'Gas path temperature' is the bulk average gas path total

(stagnation) temperature at the leading edge plane of the turbine

component when the engine is running in a ‘teady state mode’of

operation at the certificated or specified maximum continuous

operating temperature.

2. The term 'steady state mode' defines engine operation conditions,

where the engine parameters, such as thrust/power, rpm and

others, have no appreciable fluctuations, when the ambient air

temperature and pressure at the engine inlet are constant.

6. Airfoil-to-disk blade combinations using solid state joining;

7. Gas turbine engine components using "diffusion bonding" "technology" specified in 2E003.b.;

8. Damage tolerant gas turbine engine rotor components using powder metallurgy materials specified in 1C002.b.;

Technical Note

'Damage tolerant' components are designed using methodology and substantiation to predict and limit crack growth.

9. Not used

N.B. For "FADEC systems", see 9E003.h.

10. Not used

N.B. : For adjustable flow path geometry, see 9E003.i.

11. Hollow fan blades;

b. "Technology" "required" for the "development" or "production" of any of the following:

1. Wind tunnel aero-models equipped with non-intrusive sensors capable of transmitting data from the sensors to the data acquisition system; or

2. "Composite" propeller blades or propfans capable of absorbing more than 2,000 kW at flight speeds exceeding Mach 0.55;

c. "Technology" "required" for manufacturing cooling holes, in gas turbine engine components incorporating any of the "technologies" specified by 9E003.a.1, 9E003.a.2 or 9E003.a.5, and having any of the following:

1. Having all of the following:

a. Minimum 'cross-sectional area' less than 0.45 mm2

b. 'Hole shape ratio' greater than 4.52; and

c. 'Incidence angle' equal to or less than 25°; or

2. Having all of the following:

a. Minimum 'cross-sectional area' less than 0.12 mm2

b. 'Hole shape ratio' greater than 5.65; and

c. 'Incidence angle' more than 25°;

Note : 9E003.c does not control "technology" for manufacturing constant radius cylindrical holes that are straight through and enter and exit on the external surfaces of the component.

Technical Notes

1. For the purposes of 9E003.c, the 'cross-sectional area' is the area of the hole in the plane perpendicular to the hole axis.

2. For the purposes of 9E003.c, 'hole shape ratio' is the nominal length of the axis of the hole divided by the square root of its minimum 'cross-sectional area'.

3. For the purposes of 9E003.c, 'incidence angle' is the acute angle measured between the plane tangential to the aerofoil surface and the hole axis at the point where the hole axis enters the aerofoil surface.

4. Techniques for manufacturing holes in 9E003.c, include "laser", water jet, Electro-Chemical Machining (ECM) or Electrical Discharge Machining (EDM) methods.

d. "Technology" "required" for the "development" or "production" of helicopter power transfer systems or tilt rotor or tilt wing "aircraft" power transfer systems;

e. "Technology" for the "development" or "production" of reciprocating diesel engine ground vehicle propulsion systems having all of the following:

1. 'Box volume' of 1.2 ㎥ or less;

2. An overall power output of more than 750 kW based on 80/1269/EEC, ISO 2534 or national equivalents; and

3. Power density of more than 700 kW/㎥ of 'box volume';

Technical Note:

'Box volume' in 9E003.e. is the product of three perpendicular dimensions measured in the following way:

Length: The length of the crankshaft from front flange to flywheel face;

Width: The widest of the following:

a. The outside dimension from valve cover to valve cover;

b. The dimensions of the outside edges of the cylinder heads; or

c. The diameter of the flywheel housing;

Height: The largest of the following:

a. The dimension of the crankshaft centre-line to the top plane of the valve cover (or cylinder head) plus twice the stroke; or

b. The diameter of the flywheel housing.

f. "Technology" "required" for the "production" of specially designed components for high output diesel engines, as follows:

1. "Technology" "required" for the "production" of engine systems having all of the following components employing ceramics materials specified in 1C007:

a. Cylinder liners;

b. Pistons;

c. Cylinder heads; and

d. One or more other components (including exhaust ports, turbochargers, valve guides, valve assemblies or insulated fuel injectors);

2. "Technology" "required" for the "production" of turbocharger systems, with single-stage compressors having all of the following:

a. Operating at pressure ratios of 4:1 or higher;

b. Mass flow in the range from 30 to 130 kg per minute; and

c. Variable flow area capability within the compressor or turbine sections;

3. "Technology" "required" for the "production" of fuel injection systems with a specially designed multifuel (e.g., diesel or jet fuel) capability covering a viscosity range from diesel fuel (2.5 cSt at 310.8 K (37.8°C)) down to gasoline fuel (0.5 cSt at 310.8 K (37.8°C)) and having all of the following:

a. Injection amount in excess of 230 mm3 per injection per cylinder; and

b. Electronic control features specially designed for switching governor characteristics automatically depending on fuel property to provide the same torque characteristics by using the appropriate sensors;

g. "Technology" "required" for the "development" or "production" of 'high output diesel engines' for solid, gas phase or liquid film (or combinations thereof) cylinder wall lubrication, and permitting operation to temperatures exceeding 723 K (450°C), measured on the cylinder wall at the top limit of travel of the top ring of the piston.

Technical Note:

'High output diesel engines' are diesel engines with a specified brake mean effective pressure of 1.8 MPa or more at a speed of 2,300 r.p.m., provided the rated speed is 2,300 r.p.m. or more.

h. "Technology" for gas turbine engine "FADEC systems" as follows:

1. "Development" "technology" for deriving the functional requirements for the components necessary for the "FADEC system" to regulate engine thrust or shaft power (e.g., feedback sensor time constants and accuracies, fuel valve slew rate);

2. "Development" or "production" "technology" for control and diagnostic components unique to the "FADEC system" and used to regulate engine thrust or shaft power;

3. "Development" "technology" for the control law algorithms, including "source code", unique to the "FADEC system" and used to regulate engine thrust or shaft power;

Note

9E003.h. does not control technical data related to engine-aircraft integration required by the civil aviation certification authorities to be published for general airline use (e.g., installation manuals, operating instructions, instructions for continued airworthiness) or interface functions (e.g., input/output processing, airframe thrust or shaft power demand).

i. "Technology" for adjustable flow path systems designed to maintain engine stability for gas generator turbines, fan or power turbines, or propelling nozzles, as follows:

1. "Development" "technology" for deriving the functional requirements for the components that maintain engine stability;

2. "Development" or "production" "technology" for components unique to the adjustable flow path system and that maintain engine stability;

3. "Development" "technology" for the control law algorithms, including "source code", unique to the adjustable flow path system and that maintain engine stability.

Note: 9E003.i. does not control "development" or "production" "technology" for any of the following:

a. Inlet guide vanes;

b. Variable pitch fans or prop-fans;

c. Variable compressor vanes;

d. Compressor bleed valves; or

e. Adjustable flow path geometry for reverse thrust.

a. "Technology" according to the General Technology Note for the "development" of goods specified in 9A101, 9A102, 9A104 to 9A111 or 9A115 to 9A119.

b. "Technology" according to the General Technology Note for the "production" of 'UAV's specified in 9A012 or goods specified in 9A101, 9A102, 9A104 to 9A111 or 9A115 to 9A119.

Technical Note:

In 9E101.b. 'UAV' means unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of space launch vehicles specified in 9A004, goods specified in 9A005 to 9A011, 'UAV's specified in 9A012 or goods specified in 9A101, 9A102, 9A104 to 9A111, 9A115 to 9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 or 9D103.

Technical Note:

In 9E102 ' UAV' means unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.

0A

0A001

(NT1)

0A001.a

0A001.b

0A001.c

0A001.d

0A001.e

0A001.f

0A001.g

0A001.h

0A001.i

0A001.j

0A001.k

0B

0B001

(NT5, NM2.5)

0B001.a

0B001.b

(NT5.1)

0B001.b.1

(NT5.1.1.

a~e)

0B001.b.2

0B001.b.3

0B001.b.4

0B001.b.5

0B001.b.6

0B001.b.7

(NT5.1.2.

a~f)

0B001.b.8

0B001.b.9

0B001.b.10

0B001.b.11

0B001.b.12

0B001.b.13

0B001.b.14

(NT5.2.4)

0B001.b.15

0B001.c

(NT5.3)

0B001.c.1

0B001.c.2

0B001.c.3

0B001.c.4

0B001.c.5

0B001.c.6

(NT5.4.4)

0B001.d

(NT.5.5)

0B001.d.1

0B001.d.2

0B001.d.3

0B001.d.4

0B001.d.5

0B001.d.6

0B001.d.7

0B001.d.8

0B001.e

(NT5.6)

0B001.e.1

0B001.e.2

0B001.e.3

0B001.e.4

0B001.e.5

0B001.e.6

0B001.f

0B001.f.1

0B001.f.2

0B001.f.3

0B001.g

(NT5.7)

0B001.g.1

0B001.g.2

0B001.g.3

0B001.g.4

0B001.g.5

0B001.h

(NT5.7)

0B001.h.1

0B001.h.2

0B001.h.3

0B001.h.4

0B001.h.5

0B001.h.6

0B001.h.7

0B001.i

(NT5.8)

0B001.i.1

0B001.i.2

0B001.i.3

0B001.i.4

0B001.i.5

0B001.i.6

0B001.j

(NT5.9)

0B001.j.1

0B001.j.2

0B001.j.3

0B001.j.4

0B001.j.5

0B001.j.6

0B002

(NT5.7.11)

0B002.a

(NT5.7.11)

(NT5.4.1)

(NT5.5.7

0B002.b

0B002.c

0B002.d

0B002.e

(NT5.4.2)

0B002.f

(NT5.4.3)

0B002.g

(NT.5.2.3)

0B003

(NT7.1)

0B003.a

0B003.b

0B003.c

0B003.d

0B003.e

0B003.f

0B003.g

0B003.h

0B003.i

0B004

(NT6)

0B004.a

0B004.b

0B004.b.1

0B004.b.2

0B004.b.3

0B004.b.4

0B004.b.5

0B004.b.6

0B004.b.7

0B004.b.8

0B004.b.9

0B005

(NT4)

(NM2.4)

0B006

(NT3)

0B006.a

0B006.b

0B006.c

0B006.d

0B006.e

0B006.f

0B007

(NT7.2)

0B007.a

0B007.b

0C

0C001

(NM1.1)

0C002

(NM1.2)

0C003

(NT2.1)

0C004

(NT2.2)

0D

0E

0E001

0E001.1

0E001.2

원자력 기술해설(NTN)

(제10부의 E 관련)

제10부에서 통제되는 모든 품목과 직접적인 관련이 있는 “기술”은 제10부의 조항에 따라 통제된다.

통제되는 품목의 “개발”, “생산”, “사용”을 위한 “기술”은 통제되지 않는 품목에 응용 되었을지라도 통제된다.

품목의 수출허가는 또한 해당 품목의 설치, 운용, 유지, 보수에 필요로 되는 최소한의 기술을 같은 최종사용자에게 수출하는 것을 허가하는 것이다.

“기술”이전에 대한 통제는 “일반에게 공개되는 자료” 또는 “기초과학연구”에는 적용되지 않는다.

제10부 원자력 전용품목(핵물질, 설비 및 장비)

시스템, 장비 및 부품

“원자로” 및 그 용도로 특별히 설계 또는 준비된 장비와 부품으로서 다음의 것

주) 여러 종류의 원자로는 사용된 감속재(예를 들어, 흑연, 중수, 경수, 감속재 없음), 그 안의 중성자 스펙트럼(예를 들어, 열중성자, 속중성자), 사용된 냉각재 종류(예를 들어, 물, 액체금속, 용융염, 기체), 혹은 기능이나 종류(예를 들어, 동력로, 연구로, 시험로)로 분류될 수 있다. 이 모든 종류의 원자로는 0A001 항목의 범위 및 0A001.a ~ 0A001.k 항목의 모든 범위에 적용될 수 있다. 여기서 핵융합로는 통제하지 않는다.

a. 원자로

핵분열 연쇄반응을 스스로 제어․유지하는 운전능력을 갖는 원자로

주) “원자로”는 기본적으로 원자로 용기내부에 있는 품목 또는 원자로 용기에 직접 부착된 품목, 노심에서 출력수준을 제어하는 장비, 노심의 1차 냉각수와 직접 접하고 있거나 제어하는 부품으로 구성된다.

수출

이 범위에서 주요 물자 전체에 대한 수출은 본 지침서의 절차에 따라서만 이루어질 수 있다. 가이드라인의 절차에 따라서만 수출되어야 하는, 기능별로 한정된 범위내의 각각의 물자들은 다음 단락 0A001.b에서 0A001.k에 기록되어있다.

정부는 본 지침서 절차를 기능별로 한정된 범위 내에서 다른 물자에 적용할 권리가 있다.

b. 원자로 용기

0A001.a에서 정의한 원자로의 노심과 0A001.h.에서 정의한 원자로 내부 구조물을 격납하도록 특별히 설계 또는 준비된 금속용기 또는 그 용도로 제작된 구성품.

주) 정격압력과 상관없이 원자로 압력용기와 칼란드리아를 포함한 원자로 용기가 0A001.b의 대상이다.  원자로 용기의 상부 뚜껑은 원자로 용기의 주요부품으로서 0A001.b 항목에 해당된다.

c. 핵연료 교환기

0A001.a에서 정의한 원자로에 연료를 장전 또는 인출하기 위하여 특별히 설계 또는 준비된 원격 조정장비

주) 핵연료 교환기는 운전 중 핵연료 교체가 가능하거나 통상 핵연료의 직접관찰 또는 접근이 불가능한 상태에서 핵연료 교체가 가능 하도록 고도의 기술적인 위치배열 또는 정렬기능을 지닌 것을 말한다.

d. 원자로 제어봉 및 장비

0A001.a에서 정의한 원자로에서 핵분열 과정을 제어하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 제어봉, 그 용도의 지지구조물 혹은 부착대, 제어봉 운전 기계장치 또는 제어봉 안내관

e. 원자로 압력관

0A001.a에서 정의된 원자로에서, 1차 냉각재와 핵연료를 모두 격납하도록 특별히 설계된 관

주) 압력관은 연료채널의 일부로써, 종종 5MPa 초과 압력에서 운전하도록 설계된다.

f. 핵연료 피복관

- 0A001.a에서 정의한 원자로의 핵연료 피복관으로 사용하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 관 또는 집합체 형태의 지르코늄 금속 혹은 합금으로서,

- 10 kg을 초과하여 수출되는 양

참조 : 지르코늄 압력관은 0A001.e, 칼란드리아관은 0A001.h를 참조할 것

주) 원자로에 사용되는 관 형태의 지르코늄 금속 혹은 합금의 경우 전형적으로 지르코늄에 대한 하프늄의 중량비가 1:500 미만인 지르코늄으로 구성된다.

g. 1차 냉각재용 펌프 혹은 순환기

0A001.a에서 정의된 원자로에서 1차 냉각재를 순환시키기 위하여 특별히 설계된 펌프 혹은 순환기

주) 특별히 설계된 펌프 혹은 순환기는 수냉각 원자로용 펌프, 기체냉각 원자로용 순환기, 액체금속냉각 원자로용 전자기·기계적 펌프를 포함한다. 이러한 장비는 1차 냉각재의 누설을 방지하기 위하여 정교하게 밀봉되거나 다중 밀봉된 시스템을 가진 펌프, Canned- Driven 펌프, 관성 질량 시스템을 가진 펌프 등이 포함된다. 또한 원자력안전등급 I (NC-1) 또는 이와 동등한 표준 규격의 펌프도 포함된다.

h. 원자로 내부 구조물

0A001.a에서 정의된 원자로에서 사용하기 위하여 특별히 설계 또는 준비된 “원자로 내부 구조물”로써, 이는, 예를 들어, 노심 지지대, 핵연료 채널, 칼란드리아관, 열중성자 차폐, 배플, 노심 격자판 및 배분판 등을 포함함.

주) “원자로 내부구조물”이란 원자로 용기 내부의 주요 구조물로서, 다음과 같은 기능을 하나 또는 그 이상을 갖고 있는 것으로 노심지지, 핵연료 정렬유지, 1차 냉각재 유로 조정, 원자로 용기에 대한 방사선 차폐, 노심내 계측장치 지지 등을 말한다.

i. 열교환기

(a) 0A001.a에서 정의된 원자로의 1차 혹은 중간 냉각회로에 사용하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 증기발생기

(b) 0A001.a에서 정의된 원자로의 1차 냉각회로에 사용하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 열 교환기

주) 증기발생장치란 증기를 발생시키기 위하여 원자로에서 발생된 열을 공급수로 전달하도록 특별히 설계 또는 준비된 것. 중간 냉각 회로가 있는 고속로의  경우, 증기발생기는 중간 냉각회로 내 위치한다.

기체(가스)냉각로의 경우, 열교환기는 가스터빈을 구동하기 위한 2차 가스회로에 열을 전달하는데 사용될 수 있다.

단, 비상냉각계통이나 잔열 제거계통과 같이 원자로의 보조계통의 열교환기는 통제 대상에서 제외한다.

j. 중성자 검출기

0A001.a에서 정의된 원자로의 노심 내에서 중성자속 준위를 판단하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 중성자 검출기

주) 원자로 내․외부노심 중성자속을 측정할 수 있는 계측의 범위는 104 neutrons/sec․cm2 ~ 1010 neutrons/sec․cm2 이거나 그 이상을 말한다. 여기서 외부노심 중성자속 검출기란 NT1.1에서 정의된 원자로의 노심 외부에 있는 계측기로 그 위치는 차폐체 내부에 있다.

k. 외부 열 차폐체

0A001.a에서 정의된 원자로의 열손실을 감소시키고 격납용기 보호를 위해 특별히 설계 또는 준비된 “외부 열 차폐체”

주) “외부 열 차폐체”는 원자로 용기 외부에 설치된 주 구조물로써, 원자로로부터 열손실을 줄이고 격납용기 내 온도를 줄이기 위함

시험, 검사 및 생산장비

"천연우라늄", "감손우라늄", 그리고 "특수 핵분열성물질"의 동위원소 분리공장 및 그 용도로 전용 설계 또는 준비된 시설과 장비(단, 분석기기 제외) :

주) 많은 경우에 있어서, 우라늄 동위원소 분리용도의 시설, 장비 및 기술은  수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 분리용도의 시설, 장비 및 기술과 밀접한 관계를 가지고 있다. 따라서 특수한 경우에, 전략물자수출입고시 별표 2 제10부 0B001의 통제가 수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 분리시설과 장비에도 적용된다. 수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 분리시설과 장비에 대한 통제는 전략물자수출입고시 별표 2 제10부에 포함된 특수 핵분열성 물질의 생산과 처리 및 사용을 위하여 특별히 설계되고 준비된 시설과 장비에 대한 통제와 상호보완적이다.   수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 사용에 대한 전략물자수출입고시 별표 2 제10부 0B001의 통제에서의 보완적 통제는 전략물자수출입고시 별표 14의 지침을 따르는 “전자기 동위원소 분리 공정”에 적용되지 않는다.

사용용도가 우라늄 동위원소 분리 혹은  수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 분리를 불문하고 가스원심분리법, 가스확산법, 플라즈마분리공정 및 공기역학공정에 대해 전략물자수출입고시 별표 2 제10부 0B001의 통제가 동등하게 적용된다.

몇몇 공정들의 우라늄 동위원소 분리에 대한 연관관계는 분리되는 원소에 달려있다. 이러한 공정들은 레이저 기반의 공정(예를들어, MLIS; 분자레이저동위원소분리, AVLIS; 원자증기레이저동위원소분리), 화학 교환, 이온 교환이 있다.

따라서  수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 사용에 관한 전략물자수출입고시 별표 2 제10부 0B001의 통제를 적용하기 앞서, 수출국들은 각각의 경우에 맞춰 위의 공정들을 심사해야 한다. 분석기기를 제외한 우라늄 동위원소 분리용도로 전용 설계 또는 준비된 장비의 품목은 다음을 포함한다.

a. "천연우라늄", "감손우라늄", "특수 핵분열성물질"의 동위원소 분리를 위해 전용 설계된 공장으로 다음의 것;

1. 가스원심분리공장

2. 가스확산분리공장

3. 공기역학분리공장

4. 화학적교환분리공장

5. 이온교환분리공장

6. 원자력증기레이저이용 동위원소분리(AVLIS) 공장

7. 분자레이저이용 동위원소분리(MLIS) 공장

8. 플라즈마 분리 공장

9. 전자기 분리 공장:

b. 가스원심분리기와 그 용도로 특별히 설계된 조립체 및 부품

주) 일반적으로 가스원심분리기는 진공상태에서 운전되는 직경 75 ~ 650㎜, 수직 중심축을 갖고 300㎧ec 이상의 고속 원주 속도로 회전하는 얇은 벽의 실린더들로 이루어진다. 고속회전을 유지하기 위하여 회전부품은 고 밀도대비 강도를 지녀야 하고 회전자 조립체 및 각 부품은 밸런스 유지를 위하여 매우 정밀한 공차로 제작된다. 다른 원심분리기와는 달리, 우라늄 농축을 위한 가스원심 분리기는 회전 챔버내에 원판 모양의 회전 배플(baffle)과 UF6가스를 주입․추출하기 위한 관(stationary tube), 최소 3개의 분리 채널로 구성되며, 이 중 2개의 채널은 회전자축으로부터 회전자 원주까지 뻗쳐져 스쿠프(scoop)에 연결된다. 회전하지 않는 다수의 부품들(농축 용도로 특별히 설계되었지만, 제작하기 어렵지 않고, 특수 재질로 제조되지도 않은)이 진공 환경내에 내장되어 있다. 원심분리기에는 이와 같이 다수의 부품이 필요하므로, 부품의 수량은 최종사용 목적을 확인할 때 중요한 판단 지표가 될 수 있다.

1. 가스원심분리기

2. 회전자 조립체

- 얇은 벽 실린더 또는 상호 연결된 다수의 얇은 벽 실린더로서

- 0B001.b.6 하단의 주)에 기술된 고 강도/밀도비의 재질중의 하나로 제조된 것

서로 연결될 경우에는 0B001.b.4에 기술된 벨로우즈나 링에 의하여 서로 연결된다. 최종 형태의 회전자는 0B001.b.5, 0B001.b.6에 기술된 내부 배플과 끝단의 마개가 고정된 것이다. 그러나, 이 회전자 조립체는 부분적으로 조립된 채로 수출 될 수도 있다.

3. 회전자관

- 두께 12mm이하, 직경 75 ~ 650㎜로 특별히 설계된 얇은 벽 실린더로서

- 0B001.b.6 하단의 주)에서 기술한 고 강도/밀도비의 재질중의 하나로 제조된 것

4. 링 또는 벨로우즈

- 회전자관을 지지하거나 다수의 회전자관을 서로 연결시키기 위하여 특별히 설계된 부품

- 벨로우즈는 벽두께 3㎜ 이하, 지름 75~ 650㎜의 말려진 형 태 (convolute)로서, 0B001.b.6 하단의 주)에 기술된 고 강도/밀도비의 재질중의 하나로 제조된 짧은(short) 실린더임

5. 배플

- 원심분리 회전자관 내에 설치하기 위하여 특별히 설계된 지름 75 ~ 650㎜의 원판 형태 부품으로 0B001.b.6 하단의 주)에 기술된 고 강도/밀도비의 재질 중 하나로 만들어진 것,

- 주분리 챔버(chamber)로부터 테이크 오프(take-off) 챔버를 분리하고, 부분적으로는 회전자관의 주분리 챔버 내에서 UF6 가스의 순환을 돕기 위한 것

6. 상단캡 및 하단캡:

직경이 75 ~ 650mm으로 특별히 설계된 원판형으로 아래와 같은 것

- 회전자관 내에 UF6을 포함하고 회전자관의 끝단에 맞도록 설계되어 회전자관 내에 UF6를 가두는 것

- 상단캡의 경우 상단 베어링 부품을 하나의 복합체로 지지·유지·보관하도록, 하단캡의 경우 모터의 회전부분 및 하단 베어링의 무게를 지지하도록 설계된 것

- 고 강도/밀도비의 재질중 하나로 만들어진 것 (0B001.b.6 하단의 주) 참고)

주) 원심분리기 회전자 부품으로 사용되는 재질(고 강도/밀도 비의 재질)은 다음과 같다.

- 1.95 GPa 이상의 극한 인장강도를 가지는 마레이징강

- 0.46 GPa이상의 극한 인장강도를 가지는 알루미늄합금

- 3.18×106m 이상의 특정 계수, 7.62×104m  이상의 특정 극한 인장강도를 가지며, 복합구조물에 사용하기 적합한 필라멘트재료

(‘특정 계수’는 영률(Young's Modulus)(N/m2)을 비중(N/m3)으로 나눈 값이다. ‘특정 극한 인장강도’는 극한 인장강도(N/m2)를 비중(N/m3)으로 나눈 값이다.)

7. 고정부품

- 자기 지지 베어링

1. 댐핑미디엄을 포함하는 하우징내에 부유하는 환상의 자석으로서 특별히 설계된 베어링 조립체

주) 하우징은 UF6 에 대한 내부식성 재료 (0B002 주) 참조)로 제조됨

주) 자석은 자극편과 연결되거나 0B001.b.6에 기술된 상단캡에 맞추어진 두번째 자석과 연결된다. 외경:내경비가 1.6:1 이하인 링 형태일 수도 있다. 자석은 0.15H/m 이상의 초기 투과성을 가지거나, 98.5% 이상의 잔류 자기 또는 80kJ/㎥ 이상의 에너지를 생산하는 형태임. 일반적인 재료 성질에 추가하여, 기하학적인 축으로부터 0.1mm 미만의 자기축 편위, 혹은 자석 재료의 균질성이 특히 필수적임.

2. 가스원심분리기에 사용하기 위해 특별히 설계 혹은 준비한 능동형 자기 베어링

주) 위의 베어링은 다음과 같은 특성을 가진다.

- 600 Hz 이상으로 회전하는 회전자를 중앙에 위치하도록 설계되었으며

- 1시간 이상 작동하기 위한 안정적인 전기공급 그리고/혹은 무정전 전원 장치(UPS)와 연관됨

8. 베어링 및 댐퍼

댐퍼에 장착되는 축(pivot)/컵(cup)을 조립체로 구성키 위해 특별히 설계된 베어링

주) 축은 0B001.b.6에 기술된 하단캡에 부착된 것으로서 끝이 반구 형태인 강철축임.(축에 유체역학의 베어링이 부착될 수 있음)

주) 컵은 한쪽 면이 들어간 반구형의 펠렛 형태.

주)  이러한 부품은 댐퍼의 부분품으로 분리되어 공급  될 수도 있다.

9. 분자 펌프

- 원통형 실린더 내부를 가공하여 압출된 나선형 홈 혹은 가공된 내부 구멍이 있는, 특별히 설계된 실린더로서

- 내부직경 75 ~ 650㎜, 벽 두께 10㎜이상, 길이가 직경에 비해 같거나 크며, 홈의 횡단면은 직사각형, 깊이 2㎜ 이상인 것

10. 모터 고정자

주파수 600㎐ 이상, 피상출력 40VA 이상이며, 진공 상태에서 동기식(同期式)으로 작동되는 고속도․다상․교류자기이력 모타(또는 릴럭턴스 모타)용으로  특별히 설계된 링 형태의 고정자

주) 모터 고정자는 2.0㎜ 이하 두께의 얇은 층으로 구성되는 적층된 저손실의 철심에 다상 권선으로 감겨져 있을 수 있다.

11. 원심분리기 하우징 또는 용기

가스원심분리기의 회전자관 조립체를 담도록 특별히 설계된 부품

주) 하우징은 벽 두께가 30mm 이하인 견고한 실린더 벽으로서, 베어링을 설치하기 위하여 양단이 정밀 가공되며, 장착(mounting)을 위한 한 개 이상의 플랜지를 가진다. 가공된 양단은 서로 평행하며, 실린더의 세로축에 0.05° 이하의 범위 내에서 수직을 이룬다. 하우징은 몇 개의 회전자 집합체를 내장하기 위하여 벌집형태의 구조도 있다.

12. 스쿠프

- 회전자관내 피토관 역할을 하는 것으로서, 방사상으로 배치된 관의 끝을 구부려서 UF6를 추출하기 위한 것,

- 중앙가스 추출시스템에 부착될 수 있는 것

13. 특수 차단 및 제어 밸브

(a) 개별가스원심분리기의 UF6 가스 흐름에서 이송, 생성물 또는 잔재물에 작용하도록 작용하는 특별히 설계 혹은 준비된 특수 차단 밸브

(b) 수동 혹은 자동으로 차단 및 제어가 되고, 내부 직경 10～160mm이며, UF6 내부식성 물질로 보호되거나 만들어진 가스원심분리 농축시설의 보조 혹은 주시스템의 사용용도로 특별히 설계되고 준비된 bellows-sealed 밸브

주) 주로 특별히 설계 혹은 준비된 밸브는 bellows-sealed 밸브, fast acting closure-types, fast acting 밸브와 다른 것들을 포함한다.

14. 주파수 변환기

모터고정자에 전원을 공급하기 위해 특별히 설계된 아래와 같은 모든 특성을 갖는 주파수변환기 (컨버터 또는 인버터) 또는 부품

- 600Hz 이상의 다상출력

- 고 안정성 (주파수 제어 범위가 0.2% 보다 낮은 것)

15. 지름 10~160밀리미터의 벨로우즈 밸브로서, 육불화우라늄(UF6)의 부식성에 견딜 수 있도록 제작된 것

c. 가스확산 농축용 용도로 특별히 설계되거나 준비된 조립체․부품

주) 가스확산에서, 핵심적인 조립체는 특수한 다공성의 가스확산 필터, 압축으로 인해 가열된 가스를 냉각하기 위한 열교환기, 밀봉 및 제어밸브와 관(pipelines)으로 구성된다. 가스확산을 이용하여 농축 시 UF6를 사용하므로, 가스와 접촉하는 모든 장비, 파이프, 기기의 표면은 UF6 와 접촉할 때 안정한 상태를 유지하는 재료로 만들어져야 한다. 가스확산 시설은 이러한 다수의 조립체를 필요로 하므로, 품목의 수량은 최종사용 목적을 확인할 때 중요한 판단 지표가 될 수 있다.

1. 가스확산 막 및 막 재료

- 얇은 다공성 필터로서 기공 크기 10 ~ 100 nm, 두께 5mm 이하이며, 관 형태일 경우, 직경 25mm 이하의 것으로 UF6 에 대한 내부식성 재질인 금속 (세라믹) 또는 중합체 재질로 제작되고 특별히 설계된 것(0B001.d의 주) 참조)

- 필터 제조용 혼합물이나 분말로 아래를 포함한다 :

- 가스확산막 용도로 특별히 준비된 60%이상의 니켈합금이나 니켈 또는 산화알루미늄의 분말 또는

- 순도 99% 중량비 이상, 입자크기 10μm 미만 및 고도의 균일한 입도를 지닌 것으로 UF6 부식에 견디는 완전히 불소화된 탄화수소 중합체를 포함한다.

2. 확산 하우징

- 가스확산막이 내부에 있는, 수평이나 수직으로 설치하기 위하여 설계되고 UF6 에 대한 내부식성 재질로 제조 되거나 보강된 용기 (0B001.d의 주) 참조)

3. 압축기 및 가스송풍기

압축기, 가스송풍기로서,

- UF6 환경에서 장기간 가동되며, 500 kPa (100psi) 이하의 방출 압력을 갖고 1㎥/min 이상의 흡입능력을 갖도록 특별히 설계된 것  및 그러한 압축기, 가스송풍기의 분리식 조립체

- 압축기나 가스 송풍기의 압축률은 10:1 이하이고 UF6 에 대한 내부식 성 재질로 보강되거나 만들어 진 것 (0B001.d의 주) 참조)

4. 회전축 밀봉 장치

UF6 로 가득 찬 가스송풍기나 압축기의 내부 챔버로 공기가 누설되는 것을 방지하기 위해 가동모터를 갖고 있는 압축기나 가스송풍기의 회전자와 연결되는 축을 밀봉하기 위한 밀봉 급송 및 배기 연결부를 갖도록 특별히 설계된 진공 밀봉장치

주) 이 장치의 가스 누설율은 1000㎤/min 미만이 되도록 제작된다.

5. UF6 냉각 열교환기

UF6에 대한 내부식성이 있는 재질로 제조되거나 보강되고(0B001.d의 주) 참조), 100kPa의 압력차에서 누설 압력 변화율이 10Pa/hr 미만이 되도록 특별히 설계된 것

6. 특수 차단 및 제어 밸브

가스확산 농축공장의 주장치나 보조장치에 설치하도록 특별히 설계 또는 준비된 bellows-sealed 밸브, 수동 또는 자동, 차단 혹은 제어 벨로우즈 밸브는 직경 40 ~ 1,500mm 이며, UF6 에 대한 내부식성 재질로 제조 혹은 보강된다.

d. 공기역학 농축 공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부품

주) 공기역학 농축 공정에서는 UF6 와 가벼운 가스(수소 또는 헬륨)가 압축된 후, 곡면벽 구조로 된 단위 분리 장치(곡면벽 구조로 되어 있어 높은 원심력이 발생됨)를 통과하면서,  동위원소가 분리된다.

이 공정에는 분리노즐 공정과 소용돌이관 공정이 있다. 이 두 공정 모두 분리단계의 주요부품은 특별한 단위 분리장치(노즐 또는 소용돌이관), 이를 격납하는 원통형 하우징, 가스압축기 및 압축열을 교환하는 열교환기 등이다. 이 공장에는 다수의 부품이 사용되므로, 부품의 수량이 최종사용 목적을 확인할 때 중요한 판단 지표가 될 수 있다. 공기역학 공정의 모든 장비, 파이프 및 기기 표면 (가스와 접촉하는)은 UF6 에 대한 내부식성 재질로 제조 혹은 보강되어야 한다.

주) UF6 가스와 직접 접하거나 또는 캐스케이드 내에서 흐름을 직접 제어하며, 공정중 가스와 접촉하는 모든 표면은 UF6 에 대한 내부 식성을 갖도록 보강 ․제작되어야 하며, 이러한 재질에는 동, 동 합금, 스테인레스강, 알루미늄, 산화알루미늄, 알루미늄합금, 니켈, 또는 니켈 중량비 60%이상의 니켈합금 및 불화 탄화수소중합체 등이 있다.

1. 분리 노즐

특별히 설계된 분리 노즐 및 그와 관련된 조립체

주) 분리 노즐은 UF6에 대한 내부식성이 있는 1mm미만의 곡율반경을 갖는 작은 틈새 (slit-shaped)로 구성되며, 가스  흐름을 두 분류로 분리하기 위하여 노즐 내에 날카로운 끝을 갖는  것을 말한다.

2. 소용돌이관

특별히 설계된 소용돌이관 및 그와 관련된 조립체로 아래 특성을 갖는 원통 또는 테이퍼 형태의 것으로서,

- UF6 에 대한 내부식성 재질로 보강 ․제조된 것,

- 관의 한쪽 또는 양쪽 끝에 노즐형태의 부속품이 장착 될 수 있는 것

주) 공급 가스는 말단에서 또는 선회 날개를 통해 또는 관둘레를 따라  여러 접면에서 소용돌이관에 진입한다.

3. 압축기 및 가스송풍기

특별히 설계 또는 준비된 압축기, 가스 송풍기로서

- UF6와 운반가스(수소 또는 헬륨)의 혼합가스에 대한 내부식성 재질로 보강 ․제조된 것

4. 회전축 밀봉 장치

UF6 또는 운반 가스로 채워진 가스송풍기나 압축기의 내부 챔버로부터 공정가스의 누설 또는 공기나 밀봉 가스의 침투를 방지하기 위하여, 가동모터를 갖고 있는 압축기나 가스 송풍기의 회전자와 연결되는 축을 밀봉하기 위한 밀봉 급송 및 배기 연결부를 갖는 회전축 밀봉장치로서 특별히 설계 또는 준비된 것

5. 가스냉각용 열교환기

UF6 에 대한 내부식성 재질로 보강 ․제조되고, 특별히 설계 또는 준비된 열교환기

6. 하우징

소용돌이(vortex)관이나 분리노즐을 집어넣기 위하여 UF6 에 대한 내부식성 재질로 보강 ․제조된, 특별히 설계된 하우징

7. 특수차단 및 제어 밸브

공기역학 농축공장의 주장치나 보조 장치에 설치하기 위하여 UF6에 대한 내부식성을 갖는 재질로 보강․제조된 직경 40mm 이상의 bellows-sealed 밸브, 수동 또는 자동, 차단 혹은 제어용 벨로우즈 밸브로서 특별히 설계 또는 준비된 것

8. UF6 / 운반가스 분리 장치

운반가스(수소 또는 헬륨)로부터 UF6 를 분리하기 위해 특별히 설계된 공정시스템

주) 운반 가스중의 UF6 함유량을 1 ppm 이하로 줄일 수 있고, 아래와 같은 보완장치들로 구성되어 있다.

- -153K(-120℃) 이하에서도 작동 가능한 극저온 열교환기 또는 극저온 분리기

- -153K(-120℃) 이하에서도 작동 가능한 극저온 냉각장치

- 운반가스로부터 UF6 분리를 위한 분리노즐 또는 소용돌이관 유니트

- UF6를 분리가능한 UF6 냉각트랩

e. 화학적 교환 농축공장용 용도로 특별히 설계또는 준비된 계통․장비․부속품

주) 우라늄 동위원소들은 질량의 작은 차이로 화학반응 평형에 조금씩 변화가 일어나며, 이를 이용하여 동위원소를 분리한다. 분리방법에는 액체-액체 화학교환, 고체-액체 이온교환 등이 있다.

액체-액체 화학교환공정은 서로 섞이지 않는 액상 (수용액과 유기상)이 수천개의 분리 단계에 케스케이딩 효과를 주기 위하여 상호 역류 형태으로 접하고 있다. 수용액상은 염산용액에 염화우라늄 용액을 함유하고 있고, 유기상은 유기용매에 염화우라늄을 함유하는 추출제로 구성된다. 분리 캐스케이드에서 접촉기기로는 액체-액체교환 탑 (체판들이 있는 맥동탑) 또는 액상 원심분리기가 사용된다. 분리 캐스케이드의 각 끝에는 환류에 대비하여 화학 변환(산화와 환원)이 필요하다. 설계상 가장 중요하게 고려할 점은 공정의 흐름이 금속 이온들에 의하여 오염이 되지 않게 하는 것이다. 따라서 플라스틱(불화탄소 고분자 화합물 등) 또는 유리로 제조된 탑이나 파이프가 사용된다.

1. 액체-액체 교환 탑

기계적 동력을 갖춘 상호역류 액체-액체교환 탑으로서 우라늄 농축용 화학교환 공정을 위하여 특별히 설계된 것

농축염산 용액에 대한 부식억제를 위해, 이들 탑과 그 내장재는 적합한

- 주로 플래스틱 물질(예: 불화된 탄소수소중합체) 또는 유리로 보강 ․제조된다.

- 탑 각 단에서의 체류시간은 주로 30초 이하로 설계된다.

2. 액체-액체 원심접촉기

화학교환공정을 이용한 우라늄 농축용으로 특별히 설계 또는 준비된 액체-액체원심 접촉기로서

- 접촉기는 회전을 통하여 유기상 및 수용액상의 흐름을 분산시키고, 원심력으로 상을 분리한다.

- 진한 염산 용액의 부식에 대응하기 위해, 접촉기는 주로 플라스틱 물질(예: 불화된 탄화수소중합체), 유리로 제조 또는 보강된다.

- 원심접촉기 각 단에서의 체류시간은 30초 이하로 설계된다.

3. 전기 화학적 환원셀

- 화학교환공정에서 우라늄 농축을 위해 우라늄을 하나의 원자가 상태에서 다른 원자가 상태로 환원시키는데 사용되도록 특별히 설계된 전기 화학적 환원셀 (처리용액과 접촉을 하는 셀의 재질은 강한 염산용액에 대하여 내식성을 가질 것)

주) 셀의 음극 격리판은 더 높은 원자가 상태로 우라늄이 재산화 되는 것을 막도록 설계된다. 우라늄을 음극의 격리판 안에 두기 위해,  셀은 특수 양이온 교환 물질로 만들어진 불침투성 격리막을 갖는다. 음극 격리판은 흑연과 같은 적절한 고체상의 도체로 되어있다.

4. 우라늄환원 계통 및 장비

- 캐스케이드의 최종 단계에서, U+4를 회수하고, 산의 농도를 조절하여 전기 화학적 환원셀로 U+4 를 이송하도록 특별히 설계된 장치

주) 이 계통에 관련된 장비들은 유기흐름으로부터 U+4를 용액상으로  추출하기 위한 용매 추출장치, 증발 장치 용액, pH 조절 및 제어용 장비,  펌프 및 전기화학적 환원셀로의 이송 장비들이다. 금속 이온에 의해 수용액이 오염되지 않도록 설계에 반영해야 한다. 즉,  공정 흐름과 접촉하는 부분은 유리, 불화탄소중합체, 폴리페닐황산염, 폴리에테르설폰 및 수지-함유 흑연과 같은 재질로 보강․제조되어야 한다.

5. 급송 계통

화학적 교환 우라늄동위원소 분리 공장에서 고순도 우라늄 염화물을 생산하기 위해 용액을 급송하는 계통

주) 이 계통은 정제 및 전해셀(U+6 또는 U+4를 U+3로 환원)에 필요한 용해장비, 용매추출장비, 이온교환장비로 구성된다. 이 계통에서는 우라늄 염화물 용액이 생산되며, 이 용액은 단지 수 ppm의 금속 불순물(크롬, 철, 바나듐, 몰리브덴, 다가 양이온 등) 을 갖는다. 고순도 U+3를 처리하는 부품의 제작에 사용되는 물질에는 유리, 불화된 탄화수소중합체, 폴리페닐황산염, 폴리에테르설폰 및 수지로 보강한 흑연 등이 있다.

6. 우라늄산화 계통

화학적 교환 농축공정에서 U+3를 U+4로 산화하기 위해 특별히 설계된 계통

주) 아래와 같은 장비로 구성된다.

- 동위원소 분리장비에서 나온 수용액 유출물을 염소 및 산소와 접촉시키는 장비, 캐스케이드 마지막 단의 생성물로부터 환류되어 유기용매속에 잔류하는 U+4를 추출하는 장비

- 염산으로부터 물을 분리하여 적절한 위치에서 공정에 재투입 되게 하는 장비

f. 이온교환 농축공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부속품

개요) 고체-액체 이온교환 처리과정에서, 농축은 매우 신속하게 반응하는 특수한 이온 교환 수지나 흡착제에 우라늄이 흡착/탈착 반응을 함으로써 이루어진다. 염산 및 다른 화학 약품에 있는 우라늄용액은 흡착제 충전층을 가진 원통형의 농축탑(column)을 통과한다. 연속적인 처리공정을 위하여, ‘생산품’이나 ‘잔류물’을 포집할 수 있도록 흡착제로부터 우라늄을 다시 액체의 흐름으로 이송할 수 있는 환류 계통이 필요하다. 이것은 분리된 외부 순환공정에서 완전히 재생되며 동위원소 분리 탑 자체 내에서 부분적으로 재생산될 수도 있는 적절한 환원/산화제에 의해 수행된다. 처리과정에는 농축된 뜨거운 염산 용액을 취급하므로 부식에 강한 특수 재질에 의해 제조되거나 보호되는 기기를 필요로 한다.

1. 고속반응 이온교환 수지/흡착제

이온교환 공정으로 우라늄을 농축하기 위해 특별히 설계된 고속반응 이온 교환수지 또는 흡착제로서,

- 다공성 거시 그물망 구조 수지 또는 활성 화학적 교환군들이, 비활성 다공성 지지구조물 표면에 코팅되어 이루어진 박막 구조체, 입자 또는 섬유를 포함한 적합한 형태의 합성 구조물

- 이온교환수지/흡착제의 직경은 0.2mm 이하이며 교환탑 내에서 충분한 품질 유지는 물론 반드시 농축 염산용액에 대하여 화학적으로 견딜수 있어야 한다.

- 이 수지/흡착제는 우라늄 동위원소를 고속 [kinetics : 10초 미만의 교환율 하프타임]으로 교환할 수 있도록 특별히 설계되며, 373K(100℃) ~ 473(200℃) 사이의 온도에서 운전될 수 있는 것이다.

2. 이온교환탑

이온 교환 수지/흡착제의 충전층을 담고 지지할 수 있도록 직경이 1000mm를 넘는 실린더형으로,  이온교환 공정을 이용한 우라늄 농축을 위해 특별히 설계된 것으로서, 농축 염산용액에 의한 부식을 방지하기 위한 재질(티타늄 또는 불화탄소 플라스틱과 같은)로 보강․제조되고, 373K(100℃) ~ 473(200℃) 사이의 온도와  0.7MPa 이상의 압력에서 운전될 수 있어야 한다.

3. 이온교환 환류 시스템

- 이온교환 우라늄농축 캐스케이드에서 화학적 환원제의 재생을 위해 특별히 설계된 화학적 또는 전기화학적 환원 시스템

- 이온교환 우라늄 농축 캐스케이드에서 화학적 산화제의 재생을 위해 특별히 설계된 화학적 또는 전기화학적 산화시스템

주) 이온교환농축공정에서는 Ti+4를 환원해서 Ti+3로 재생하는 환원시스템에서는 Ti+3가 환원 양이온으로 사용될 수 있다.

이 공정에서는 Fe+2를 산화하여 Fe+3로 재생하고 산화제로 3가의 Fe+3을 사용할 수 있다.

g. 원자증기 레이저 동위원소분리(AVLIS) 공정을 위해 전용 설계, 준비된 장비와 부품으로 다음의 것

개요) 현재 레이저를 이용한 농축에는 두 가지 공정이 있다. 원자우라늄증기를 매체로 사용하는 공정과 다른 가스와 혼합된 우라늄화합물증기를 매체로 사용하는 공정이 있다.

• 공정1: 원자력증기레이저이용 동위원소분리법

• 공정2: 동위원소 선택적 레이저 활성화에 의한 화학반응법을 포함하는 분자레이저이용 동위원소분리법

레이저 농축시설용 계통, 장비와 부품은 아래와 같다.

- 우라늄-금속 증기(선택적 광-이온화용) 공급 장치 또는 우라늄 화합물(선택적 광-분리 또는 선택적 여기/활성용) 증기 공급 장치

- 공정1의 ‘생성물’과 ‘잔재물’인 농축 및 감손우라늄 금속 수집 장치, 공정2에서 ‘생성물’과 ‘잔재물’인 농축 및 감손된 우라늄 화합물을 수집하기 위한 장치

- 우라늄-235만을 선택적으로 여기 시킬 수 있는 공정레이저 설비

- 공급 및 변환장비

우라늄 원자 및 화합물의 경우 그 분광학 기술이 복잡하므로 사용가능한 여러 레이저광학 기술을 복합적으로 필요로 할 수 있다.

주) 아래의 계통 및 기기들은 우라늄금속 증기/액체, 또는 UF6, UF6 혼합물, 기타 가스로 구성된 공정가스와 직접 접촉하므로 우라늄 또는 UF6 와 직접 접촉하는 장비의 모든 표면들은 부식방지 물질에 의해 처리되거나 보강된다.

레이저 농축 공정에서 우라늄 금속, 우라늄합금의 증기/용액에 내부식성을 갖는 재질로서는 산화이트륨으로 코팅된 흑연, 그리고 탄탈륨 등이 있으며, UF6에 대한 내부식성 재질은 동, 동합금, 스테인레스강, 알루미늄, 산화알루미늄, 알루미늄 합금, 니켈, 니켈 중량비 60% 이상의 니켈합금, 불화된 탄화수소 중합체 등이다.

1. 우라늄 증기화계통 (원자증기 이용 공정)

레이저 농축용 우라늄 금속 증기화 시스템을 위해 특별히 설계된 것

주) 동 계통은 전자빔 총을 포함하며 레이저 농축에 필요한 속도로 우라늄 금속 증기를 충분히 발생시키도록 목표물에 대한 전달 출력이 1kW 이상이 되도록 설계된다.

2. 액체 혹은 증기 우라늄 금속 처리 계통 및 부품 (원자증기 이용 공정)

레이저 농축에 사용하기 위한 용융우라늄, 용융우라늄 합금, 또는 우라늄 금속 증기의 취급을 위하여 특별히 설계된 계통 및 이의 부품

주) 액체우라늄 금속 취급계통은 내성로와 내성로 냉각 장비로 구성된다.

용융우라늄, 용융우라늄합금, 또는 우라늄 금속 증기와 접촉하는 내성로와 기타 부품들은  내열․내식성 재질로 보강 ․제조된다.

이에 적합한 재질로는 탄탈륨, 산화이트륨으로 코팅된 흑연, 또는 희토류 산화물들(별표 10의 제2부 NR2.A.1 참조)에 의해 코팅된 흑연, 또는 이들의 혼합물을 포함한다.

주의: 2A225를 참고할 것

3. 우라늄 금속생성물 및 잔재물 수집기 (원자증기 이용 공정)

액체 또는 고체상태의 우라늄 금속을 위해 특별히 설계된 생성물 및 잔재물 수집기

주) 이 계통의 부품은 열과 우라늄금속 증기/용액에 의한 부식방지 물질(산화이트륨으로 코팅된 흑연 또는 탄탈륨)에 의해 보강․제조된다.

주) 배관, 밸브, 마무리 부속품, ‘배수홈통’, 이송 안내로, 기타 열교환기와 자력, 정전력 혹은 다른 분리 방법을 이용한 집열판 등이 포함된다.

4. 분리모듈 하우징 (원자증기 이용 공정)

우라늄금속 증기, 전자빔총 및 생성물, 잔재물 수집기를 내장할 수 있도록 특별히 설계된 원통형 또는 직사각형 용기

주) 하우징은 전선과 수로, 레이저빔 창, 진공펌프 연결체 그리고 계측기에 의한 진단과 모니터링을 위한 다중창구를 가지며, 이들은 내부 부품들의 교체를 위한 개폐장치가 있다.

5. 레이저 계통

우라늄 동위원소 분리를 위해 특별히 설계 또는 준비된 레이저 또는 레이저 시스템

주) 레이저에 의한 농축공정에 있어서 레이저 및 중요한 레이저 부품에는 별표 10의 제2부 NR3.A에 게재된 것을 포함한다.

- 레이저빔의 관리와 동위원소 분리 챔버로의 전송을 위해 레이저 시스템은 전형적으로 광학레이저와 전자레이저의 특성을 모두 포함한다.

- 원자증기 이용 공정을 이용한 레이저 시스템은 주로 다른 종류의 레이저(예를 들어, 구리증기레이저 혹은 특정 고체상태레이저)에 의해 공급된 가변색소레이저로 구성된다.

- 분자 기반 공정을 이용한 레이저 시스템은 이산화탄소(CO₂) 레이저 또는 엑사이머레이저, 그리고 다중통과 광학셀로 구성된다.

- AVLIS와 MLIS에 대한 레이저 또는 레이저 계통은 장시간 운전을 위한 스펙트럼 주파수 안정화 장치가 요구된다.

참조 : 6A005 및 6A205를 참고할 것

h. 분자“레이저” 동위원소분리공정(MLIS)과 동위원소 선택적 레이저 활성화에 의한 화학반응법(CRISLA)을 위해 특수 설계 또는 준비된 장비 및 부품으로서 다음의 것

1. 초음속 팽창 노즐 (MLIS) (분자증기 이용 공정)

UF6 에 대한 내부식성을 가지며 150K (-123℃) 이하까지 UF6 와 운반가스의 혼합물을 냉각하기 위해 특별히 설계된 초음속 팽창노즐

2. ‘생성물’ 혹은 ‘잔재물’ 수집기 (분자증기 이용 공정)

레이저빛을 따라 우라늄 생성물질 혹은 우라늄 잔재물질을 수집하기 위해 특별히 설계 혹은 준비된 부품 혹은 장비

주) 분자 레이저 동위원소분리의 한가지 예로, 생성물 수집기는 농축된 UF5 고체물질을 수집한다. 생성물 수집기는 여과기, 충돌체, 싸이클론형 수집기, 또는 이들의 복합체로 구성될 수 있고 UF5/UF6 환경에 의한 부식에 견딜 수 있어야 한다.

3. UF6/운반가스 압축기 (분자증기 이용 공정)

UF6 환경하에서 장기간 운전될 수 있도록 특별히 설계된 UF6/운반 가스 혼합물용 압축기

주) 공정가스와 직접 접촉하는 압축기의 부품들은 UF6에 대한 내부식성 재질로 보강․제조된다.

4. 회전축 밀봉 (분자증기 이용 공정)

UF6/운반가스 혼합물로 채워진 압축기의 내부 챔버로 밀봉가스 혹은 공기의 내부 누출 또는 공정가스의 외부 누출을 방지하기 위한 특별히 설계된 회전축 밀봉 장치

주) 구동모터를 포함하는 압축기 회전체들을 연결하는 축의 밀봉을 위하여 배출 연결부분과 공급장치 부분이 밀폐되도록 특별히 설계된 회전축 밀봉

5. 불소화 계통 (분자증기 이용 공정)

UF5(고체)를 UF6(기체)로 불화시키기 위해 특별히 설계된 계통

주) 이 계통은 생산품 컨테이너 내에서 연속 수집을 하거나 혹은 추가적인 농축 공정에 공급을 위해, 수집된 UF5를 UF6로 불소화하기 위한 것이다. 첫 번째 방법은 ‘생성물’ 수집기 밖에서 직접적으로 반응시켜 재생하도록 동위원소 분리시시템 내에서 불화반응을 일으키며, 두 번째는 불소화 처리를 위해 UF5 분말을 ‘생성물’ 수집기에서 불화반응을 위해 적절한 반응 용기(예를 들어, 유동반응로, 스크류로, 연소반응기)로 옮기는 것이다. 두 방법 모두 불소(혹은 적절한 불화제) 저장·이송장비 및 UF6 수집·이송장비가 사용된다.

6. UF6/운반가스 분리 계통 (분자증기 이용 공정)

운반가스로부터 UF6를 분리하기 위해 특별히 설계된 분리계통

주) 이 계통은 아래와 같은 보완장치로 구성되어 있다.

- -153K(-120℃) 이하 온도에서도 작동 가능한 극저온 열교환기 또는 극저온 분 리기

- -153K(-120℃) 이하 온도에서도 작동 가능한 극저온 냉각장치

- UF6를 분리가능한 UF6 냉각트랩

운반가스는 질소, 알곤 또는 기타 가스일 수 있다.

7. 레이저 계통

우라늄 동위원소 분리를 위해 특별히 설계 또는 준비된 레이저 또는 레이저 시스템

주) 레이저에 의한 농축공정에 있어서 레이저 및 중요한 레이저 부품에는 별표 10의 제2부 NR3.A에 게재된 것을 포함한다.

- 레이저빔의 관리와 동위원소 분리 챔버로의 전송을 위해 레이저 시스템은 전형적으로 광학레이저와 전자레이저의 특성을 모두 포함한다.

- 분자증기 이용 공정을 이용한 레이저 시스템은 주로 다른 종류의 레이저(예를 들어, 구리증기레이저 혹은 특정 고체상태레이저)에 의해 공급된 가변색소레이저로 구성된다.

- 분자 기반 공정을 이용한 레이저 시스템은 이산화탄소(CO₂) 레이저 또는 엑사이머레이저, 그리고 다중통과 광학셀로 구성된다.

- AVLIS와 MLIS에 대한 레이저 또는 레이저 계통은 장시간 운전을 위한 스펙트럼 주파수 안정화 장치가 요구된다.

참조 : 2A225를 참고할 것

i. 플라스마 분리 농축 공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부품

주) 플라스마 분리공정에 있어서, 우라늄 이온의 플라즈마는 U-235 이온 공진 주파수로 동조된 전기장을 통과하면서 이온들이 선별적으로 에너지를 흡수하고, 나사모양 궤도의 지름은 증가한다. 큰 직경궤도를 가지는 이온들은 U-235의 농축 생성물을 생산하면서 모아진다. 우라늄증기를 이온화하여 만들어진 플라스마는 초전도자기에 의해 형성된 강한 자장을 가진 진공 챔버에 담겨진다. 공정의 주요 기술과 관련된 시스템은 우라늄 플라스마발생 시스템, 초전도 전자석 (별표 10의 제2부 NR3.A.4 참조)을 가진 분리 모듈, 생성물 및 잔재물 수집을 위한 금속 제거 시스템 등이다.

1. 마이크로파 에너지원 및 안테나

이온을 생산 또는 가속화하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 것으로서, 이온생산을 위한 주파수가 30GHz 이상, 평균출력 50kW 이상 인 것

2. 이온 여기화 코일

무선주파수 100kHz 이상, 평균출력 40kW 이상이 되도록 특별히 설계된 것

3. 우라늄 플라즈마 발생 시스템

플라즈마 농축공장용 우라늄 플라즈마를 발생하도록 특별히 설계된 것

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5. 우라늄금속 ‘생성물’ 및 ‘잔재물’ 수집기 조립체

고체상태의 우라늄 금속에 대해 특별히 설계된 ‘생성물’ 및 ‘잔재물’ 수집기 조립체로서, 우라늄 금속 증기에 대한 내열․내식성 재질(예 : 탄탈륨, 산화이트륨으로 도금된 흑연)로 보강․제조된다.

6. 분리 모듈 하우징

우라늄 플라즈마원, 무선주파 구동 코일과 생성물 및 잔재물 수집기 등이 장착될 수 있도록 플라즈마 분리 농축공장을 위해 특별히 설계 또는 준비된 원통형 용기

주) 이 하우징에는 전선, 확산펌프 연결체, 장비의 진단 및 모니터링을 위한 다중 창구를 가지며, 내부 부속품 교환 및 청소를 위한 개폐장치가 있으며, 스테인레스강 같은 비자기성 재료로 보강․제조 된다.

j. 전자기 농축공장용 용도로 특별히 설계 또는 준비된 계통․장비․부품

우라늄 동위원소 분리를 위해 특별히 설계 또는 준비된 전자기 동위원소 분리기 및 이의 장비․부품

주) 전자기 공정에서 우라늄 화합물(salt, 특히 UCI4)의 이온화에 의해 생산된 우라늄 금속이온은 가속화되어 자기장을 통과하며, 이 자기장은 서로 다른 동위원소를 갖는 이온을 서로 다른 경로를 따라 움직이도록 한다.

전자기 동위원소 분리기의 주요 부품에는 동위원소 이온빔 전환/분리를 위한 자기장, 이온가속 시스템을 갖는 이온 소스, 및 분리된  이온들을 수집하는 시스템이 포함되며, 보조 장치에는 자기력 공급시스템, 이온소스 고전압 공급시스템, 진공 시스템, 생성물의 회수 및 부속품들의 세척/재활용을 위한 광범위한 화학처리 시스템 등이 있다.

1. 이온 소스

- 증기발생기, 이온화 장치, 빔 가속기로 구성되고,

- 흑연, 스테인레스강 또는 구리와 같은 재료로 제조되며,

- 합계 50mA 이상의 이온빔 전류를 제공할 수 있도록 특별히 설계된 단일 또는 다중의 우라늄 이온 소스

2. 이온 수집기

- 흑연이나 스테인레스강과 같은 재료로 제조되며,

- 농축 및 감손 우라늄 이온빔의 수집을 위해 특별히 설계된 두 개 이상의 슬릿이나 포켓으로 구성된 수집판

3. 진공 하우징

- 스테인레스강과 같은 비자성 재료로 제조되고

- 0.1Pa 이하의 압력에서 견디도록 설계되고, 우라늄의 전자기 분리기를 위해 특별히 설계된 것

4. 자극 편

- 전자기 동위원소 분리기내에서 일정한 자장을 유지하며,

- 인접된 분리기 사이에 자장을 전달하는데 사용되도록 특별히 설계된 지름 2m 이상의 자극 부품

5. 고압 전원공급장치

이온원을 위해 특별히 설계된 고압 전원공급 장치로서 다음의 모든 특성을 가지고 있어야 한다. 즉,

- 연속 운전가능 하고,

- 전압 20,000V 이상

- 전류 1A 이상,

- 8시간 이상에서 전압 변동율이 0.01% 이하 인 것

참조 : 3A227을 참고할 것.

6. 자기력 공급장치

특별히 설계 또는 준비된 고출력, 직류자기력 공급장치로서 아래의 모든 특성을 갖는 것

- 100V이상의 전압에서 500A이상의 전류를 연속적으로 발생할 수 있고

- 8시간 이상에서 전류 또는 전압 변동율이 0.01% 미만인 것

참조 : 3A226을 참고할 것.

동위원소 분리용으로 특별히 설계되거나 준비된 보조장치․장비․부품

주) 가스원심분리 농축공장용 보조시스템, 장비 및 부품은 원심분리기에 UF6 를 공급하고, 단계적으로 고농도의 농축을 위한 캐스케이드를 형성하기 위하여 각 원심분리기를 연결하고, 공장 제어 및 원심분리기의 운영을 위하여 필요한 장비와 함께, 원심분리기로부터 UF6 ‘잔재물과 생성물’을 인출하기 위한 장치들이다. 일반적으로 UF6는 압력 용기에서  고체 상태에서 가열 ․증발시켜 가스형태로 캐스케이드 헤드파이프 장치를 통과한 후 가스 상태로 원심분리기로 이송된다. 원심분리기로부터 흘러나온 UF6 ‘생성물’과 ‘잔재물’은 캐스케이드 헤드 파이프장치를 통과하여 냉각트랩으로 이송되며, 수송과 저장에 적합한 용기로 보내지기 전, 냉각트랩 (약 -70℃ 에서 작동) 에서 응축된다. 농축공장은 수천 개의 원심분리기로 구성되므로 수 km의 캐스케이드 헤드파이프 장치가 수천 번 용접되어 상당한 횟수로 반복되는 배치로 있다. 장비․부품․파이프시스템은 고진공 청결 기준에 따라 제작된다.

주) 상기 품목은 육불화우라늄(UF6) 공정 가스와 직접적으로 연결되거나 원심분리기에서 원심분리기까지 그리고 캐스케이드에서 캐스케이드까지의 가스 배관 및 원심분리기를 직접 통제한다. UF6에 내부식성을 갖는 재질에는 동, 동합금, 스테인레스강, 알루미늄, 산화알루미늄, 알루미늄합금, 니켈, 또는 60%이상의 니켈합금 및 불화 탄화수소중합체 등이 있다.

a. 농축공정으로 UF6 를 공급하기 위하여 사용되는 급송 고온고압로, 오븐 또는 계통으로 아래와 같이 특별히 설계된 것을 포함한다.

농축공정에서 UF6 를 공급하기 위하여 사용되는 급송 고온고압로, 오븐 또는 계통

b. 농축공정에서부터 가열된 상태로 배출된 UF6 를 회수하기 위하여 사용하는 응축, 냉각트랩 또는 펌프

c. UF6 를 액상 또는 고체상으로 압축하여 변환시켜 농축공정으로 부터 UF6를 배출하는데 사용되는 고화 또는 액화 저장소

d. UF6 ‘생성물’ 및 ‘잔재물’을 용기로 담는데 사용되는 저장소

회수한 UF6 ‘생성물’ 및 ‘잔재물’을 용기에 담기 위한 장치(station)

주) 이러한 공장, 장비 및 파이프 장치는 UF6 에 대한 내부식성 재질로 도금되거나 제작되며, 고진공 및 청결 기준을 적용하여 제작됨

e. 헤더파이핑 계통

공기역학 캐스케이드 내에서 UF6 를 취급하기 위하여 UF6 에 대한 내부식성 재질로 보강․제조하여 특별히 설계 또는 준비된 것

주) 이 파이핑 네트웍은 일반적으로 각 단이나 여러 단의 그룹이 각각의 헤더에 연결되는 ‘이중’ 헤더시스템이다.

주) UF6에 대한 내부식성 재질(0B002의 주) 참조)로 제조 혹은 보강되고, 고진공 및 청결기준으로 제작됨

f. 진공계통 및 펌프

5㎥/min 이상의 흡입 능력을 갖고, 진공 다지관(manifolds), 진공헤더 및 진공펌프로 구성되며 UF6 에 대한 내부식성 재질로 보강․제조되고 UF6 환경에서 운전될 수 있도록 특별히 설계된 것

주) 이 펌프의 밀봉에는 불화탄소 밀봉과 특수작동 유체를 사용한다.

g. UF6 질량분석기/이온 소스

UF6 가스 흐름에서 시료를 ‘공정중’ 채취할 수 있도록 아래의 모든 특성을 갖도록 특별히 설계된 질량분석기로서, 다음의 특성을 모두 갖는 것

- 320 단위질량 이상의 이온을 측정할 수 있고 1/320보다 높은 해상도를 가진 것

- 니켈, 니켈-크롬 합금, 니켈의 중량비가 60% 이상인 니켈-동 합금으로 제조되거나 보강된 이온원

- 전자 충돌식 이온화 소스

- 동위원소 분석을 위한 수집 시스템을 갖는 것

우라늄 변환공장 및 그 용도로 특별히 설계된 계통

주) 우라늄 변환공장 및 계통은 우라늄정광에서 UO3로의 변환, UO3에서 UO2로의 변환, 산화우라늄에서 UF4, UF6 또는 UCl4로의 변환,  UF4에서 UF6로의 변환, UF6에서 UF4로의 변환, UF4에서 금속우라늄으로의 변환, 불화우라늄에서 UO2로의 변환을 포함하여 하나의 우라늄화합물에서 다른 우라늄화합물로 한번 이상의 변환을 수행한다. 우라늄 변환공장의 주요장비는 일반 화학 공정산업의 여러 부분과 유사하며, 그 예로서 로, 회전식 건조로, 유동 반응로, 연소 반응기, 액체 원심분리, 증류탑, 액체/액체 추출탑 등을 들 수 있다.
그러나, “기성품”은 거의 없으며, 대부분은 수요자의 요구와 사양에 따라 제작된다. 설계 및 제작시에는, 특수 핵임계 사항, 처리될 화학물질(HF, F2, CIF3 및 불화우라늄)의 부식 특성까지 고려해야 하는 측면도 있다. 한편, 우라늄 변환용으로 특별히 설계되지 않는 개별 장비들이 우라늄 변환용으로 특별히 설계되거나 준비된 시스템의 일부로 조립될 수 있다는 점도 각별히 유의해야할 사항이다.

a. 우라늄정광을 UO3로 변환하기 위하여 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) 우라늄 정광을 UO3로 변환하기 위해서는 질산에 광석을 용해시키고 트리뷰틸 인산염과 같은 용매를 사용하여 정제된 우라닐 질산염을 추출한다. 우라닐 질산염을 농축 및 탈질산과정을 거치거나, 혹은 가스상태의 암모니아로 중화하여 여과, 건조, 하소하여 중우라늄산 암모늄 생성 후 UO3로 변환된다.

b. UO3를 UF6로 변환하기 위해 특별히 설계된 계통

주) UO3에서 UF6 로의 변환은 직접적인 불소화 처리에 의해 이루어진다. 이 공정은 불소가스나 삼불화염소가 사용된다.

c. UO3를 UO2로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) UO3에서 UO2로의 변환은 암모니아 분해가스 또는 수소로 UO3를 환원시켜 이루어진다.

d. UO2를 UF4로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) UO2에서 UF4로의 변환은 UO2를 300 ~ 500℃에서 불화수소가스 (HF)로 화학반응시켜 이루어진다.

e. UF4를 UF6로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) UF4에서 UF6로의 변환은 연소반응기에서 불소로 발열 반응을 통해 수행된다. UF6는 유출류가 -10℃로 냉각된 냉각트랩을 통과할 때 발생하는 고온 유출가스로부터 응축된다. 이 공정에는 불화가스가 원료로 사용된다.

f. UF4를 우라늄 금속으로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) UF4에서 우라늄 금속으로의 변환은 대규모 회분식 마그네슘 또는 소규모 칼슘의 환원에 의해 수행된다. 이 반응은 우라늄 용융점(1,130℃) 이상의 온도에서 수행된다.

g. UF6를 UO2로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) UF6에서 UO2로의 변환은 다음 세 가지 공정 중 하나를 통해 수행될 수 있다.

- UF6는 수소와 증기를 사용하여 UO2로 환원되고 가수 분해된다.

- UF6는 물에 용해되어 가수 분해되고, 암모니아를 첨가하여 중우라늄산 암모늄으로 침전시킨 후, 이를 820℃에서 수소로 환원시켜 UO2를 제조한다.

- 가스 상태의 UF6, CO2 및 NH3가 물에서 결합되어 암모늄 우라닐 탄산염으로 침전된다. 암모늄 우라닐 탄산염은 500 ~ 600℃에서 수증기  및 수소와 결합하여 UO2가 된다.

UF6에서 UO2로의 변환은 연료 성형가공 공정의 첫 단계이다.

h. UF6를 UF4로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) UF6에서 UF4로의 변환은 수소의 환원에 의해 수행될 수 있다.

i. UO2를 UCl4로 변환하기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) UO2에서 UCL4의 변환은 두가지 공정중 하나에 의해 수행된다.

- UO2는 약 400℃에서 CCl4와 반응하여 UCl4로 변환한다.

- UO2는 카본블랙 (CAS 1333-86-4), 탄소 일산화물 및 염소가 함께 있을 때, 약 700℃에서 반응하여 UCl4를 만들어낸다.

중수, 중수소 및 중수소 화합물을 생산 또는 농축하기 위한 공장 및 그 용도로 특별히 설계 또는 준비된 장비

개요) 중수는 다양한 공정에 의해 생산될 수 있다. 그러나 상업적으로 이용되는 공정은 물-황화수소 교환공정(GS 공정)과 암모니아 수소교환 공정이다.

물-황화수소 교환공정은 상단은 차갑고 하단은 뜨거운 상태에서 운전하는 탑 내에서 물과 황화수소 사이의 수소와 중수소의 교환을 기본으로 한다. 탑의 하단에서 상단으로 황화수소가스가 순환하는 동안, 물은 탑의 밑으로 흐른다. 가스와 물을 혼합시키기 위하여 구멍난 트레이들이 사용된다. 중수소는 낮은 온도에서는 물로 이동하고 높은 온도에서는 황화수소로 이동한다. 중수소에 농축된 가스나 물은 뜨거운 부분과 차가운 부분의 접합점인 첫 단계 탑에서 제거되며, 다음 단계의 탑에서도 공정이 계속 반복된다. 교환공정 최종 단계에서 중수소가 30%까지 농축된 물은 원자력급 중수, 즉 99.75%의 중수소화합물을 생산하기 위해 증류단계로 보내진다.

암모니아-수소교환공정은 촉매속에서 액화암모니아와의 접촉을 통하여 합성가스로부터 중수소를 추출할 수 있다. 합성가스는 교환탑을 통과하여 암모니아 전환기로 보내진다. 탑 내부에서, 액화암모니아가 위에서 아래로 흐르는 동안, 가스는 아래서 위로 흐른다. 중수소는 합성가스의 수소로부터 추출되며, 암모니아에 모여진다. 가스가 상단부의 암모니아 전환기로 흐르는 동안 암모니아는 하단부의 밑바닥에 있는 암모니아 분해기로 흐른다. 계속되는 단계에서 농축이 더욱 진행되며 원자력급 중수는 마지막 증류를 통하여 생산된다. 합성가스는 암모니아 시설로부터 공급되거나, 또는 중수공장내 암모니아-수소 교환설비에서 공급되도록 건설 할 수도 있다. 암모니아-수소교환 설비는 중수소의 공급원으로서 일반적인 물을 사용할 수 있다.

물-황화수소 교환공정이나 암모니아-수소교환공정을 사용하는 중수생산 공장과 관련된 많은 장비들는 석유, 화학산업의 일부 부분과 공통으로 사용될 수 있다. 이러한 현상은 소규모의 물-황화수소 교환공정의 경우 더욱 두드러진다. 그러나, “기성품 (off-the-shelf)”을 사용할 수 있는 품목은 거의 없다. 물-황화수소 교환공정 및 암모니아-수소 공정은 가압상태에서 상당량의 가연성, 부식성, 독성 액체를 취급한다. 따라서 이러한 공정을 사용하는 공장과 장비를 위한 설계 및 가동 표준의 설정시에는 고도의 안전성과 신뢰성 및 가동 수명을 연장시키기 위하여 재료 및 규격 선정에 특별한 주의가 필요하다. 공장의 규모는 우선적으로 경제성 함수이므로 대부분 품목은 수요자의 요구에 따라 제작된다.

최종적으로, 물-황화수소 교환공정 및 암모니아-수소교환 공정에는, 중수 생산을 위하여 특별히 설계되지 않은 장비일지라도 중수 생산을 위하여 특별히 설계된 시스템에 사용할 수 있다. 암모니아-수소교환공정에 사용되는 촉매 생산시스템과 두 공정의 원자력급 중수농축에 사용되는 증류시스템이 그러한 예이다.

중수생산을 위하여 특별히 설계된 품목들은 아래와 같다.

a. 중수, 중수소 및 중수소 화합물을 생산 위한 공장으로 다음의 것

1. 물-황화수소 교환 공장

2. 암모니아 수소교환 공장

b. 장비 및 부품으로 다음의 것

1. 물-황화수소 교환탑

교환탑은 직경 1.5m 이상, 2MPa 이상의 압력에서 운전가능한, 물-황하수소 교환공정을 통하여 중수를 생산하기 위하여 특별히 설계된 것

2. 송풍기 및 압축기

물-황화수소 교환공정을 통하여 중수를 생산하기 위하여 특별히 설계되고, 황화 수소가스(70% 이상의 황화수소)순환을 위한 저압력(0.2MPa 또는 30psi) 원심분리 송풍기 또는 압축기로서, 습한 황화수소에 견디도록 설계되어 밀봉되고 흡인력이 1.8MPa (260psi) 이상인 압력에서 가동하며 56㎥/sec (120,000 SCFM) 이상의 유량을 갖는 것

3. 암모니아-수소 교환탑

암모니아-수소 교환공정을 통하여 중수를 생산하기 위하여 특별히 설계된 것으로서,

- 15MPa (2.225psi) 이상의 압력에서 가동할 수 있고

- 직경 1.5 ~ 2.5m, 높이 35m 이상

- 탑 내부가 원통모양의 부분을 통하여 삽입되거나 빠질 수 있도록 직경의 축방향으로 열려진 최소 하나의 플랜지를 갖는다.

4. 탑 내장장치 및 단 펌프

암모니아-수소 교환공정에서 중수생산 탑을 위하여 특별히 설계된 탑내장장치 및 단 펌프

주) 탑내장장치는 가스/액체 접촉을 촉진시키기 위하여 특별히 설계된 단 접촉기가 있다

주) 단펌프는 단탑의 내부에 있는 접촉단안에 있는 액체암모니아를 순환시키기 위하여 특별히 설계된 수중펌프를 사용하기도 한다.

5. 암모니아 분해장치

암모니아-수소교환 공정에서 중수 생산을 위하여 3MPa(450 psi) 이상의 압력에서 가동할 수 있도록 특별히 설계된 것.

6. 적외선 흡수 분석기

중수소 농축이 90% 이상일 때, “공정중” 수소/중수소 비율 분석이 가능한 것

7. 촉매작용 버너

암모니아-수소교환공정을 통하여 중수를 생산하기 위하여 특별히 설계된 농축 중수소 가스를 중수로 변환하기 위한 것

8. 중수 고순도화 장치 완성품 또는 그를 위한 탑

원자력급 중수를 만들기 위하여 특별히 설계 또는 준비된 중수 고순도화 장비 또는 탑

주) 중수를 경수로부터 분리시키기 위해 일반적으로 증류를 이용하는 이러한 계통들은 저농도의 중수원료로부터 원자로급 중수 (즉, 보통 99.75% 산화중수소)을 생산하기 위해 특별히 설계 또는 준비된다.

9. 암모니아 합성용 전환기 혹은 합성기

암모니아-수소교환공정을 이용하여 중수를 생산하기 위해 특별히 설계 혹은 준비된 암모니아 합성용 전환기 혹은 합성기

주) 전환기 혹은 합성기는 암모니아/수소 고압교환탑에서부터 합성가스(질소, 수소)를 배출하고, 합성된 암모니아는 교환탑으로 되돌아온다.

핵연료 가공공장과 그 용도로 특별히 설계 또는 준비된 장비

주) 핵연료(nuclear fuel elements)는 0C001, 0C002에서 정의한 핵원료물질이나 특수 핵분열성 물질중 하나 또는 그 이상의 물질로 제조된 것이다. 핵연료공장에는 압분, 소결, 연마 및  검사(grading)장치가 있다. 혼합산화 핵연료는 피복관 내에 봉인될 때까지 글로브 박스(혹은 이와 동등한 용기)내에서 취급된다. 원자로 운전시 적절한 성능과 안전을 위하여 핵연료는 제1차로 피복관 내에 밀봉된다. 또한, 핵연료는 예측 가능하고 안전성을 보증하기 위하여 공정과 절차, 장비 등에 대한 고도의 기술기준의 적용 및 엄격한 관리가 필요하다.

핵연료 가공을 위해 “특별히 설계 또는 준비된 장비”의 의미와 부합하는 것으로 간주되는 장비는 다음을 포함한다.

- 핵물질의 생산 공정과 직접 접하거나, 직접 가공 또는 제어하는 장비

- 피복재 내에 핵물질을 밀봉하는 장비

- 피복 또는 밀봉 상태를 검사하는 장비

- 밀봉된 핵연료의 마무리를 검사하는 장비

- 원자로 핵연료를 조립하는 장비

주) 위의 장비, 계통이나 장치는 다음과 같은 것들을 포함한다.

- 핵연료 소결체의 최종 크기와 표면 결함을 검사하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 완전히 자동화된 소결체 검사기

- 핵연료 핀(또는 봉) 말단의 마개를 용접하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 자동 용접기

- 완성된 핵연료핀(또는 봉)의 건전성을 검사하기 위해 특별히 설계 또는 준비된 자동 시험 및 검사기

- 핵연료 피복관을 제조하기 위해 특별히 설계 혹은 준비된 시스템으로서 일반적으로 다음의 장비를 포함한다.

a) 핀(또는 봉)의 말단 마개 용접의 X선 시험 장비

b) 가압된 핀(또는 봉)으로부터의 헬륨 누출 감시 장비

c) 핀(또는 봉) 내부 핵연료 소결체 장전의 정확성을 검사하기 위한 감마선 조사 장비

조사후 핵연료의 재처리공장 및 그 용도로 특별히 설계 또는 준비된 장비

주) 조사후 핵연료의 재처리란 강한 방사성 핵분열 생성물과 기타 초우라늄 원소로부터 플루토늄(Pu)과 우라늄(U)를 분리하는 것을 말한다. 재처리에는 여러 가지 분리공정이 있으며, 그 중 Purex 공정이 가장 보편적으로 사용되는 공정이다. Purex 공정법은 조사후 핵연료를 질산에 용해시키고, 유기 희석제와 혼합한 삼부틸 인산염(tributyl phosphote) 용액을 이용하여 용매추출에 의해 플루토늄(Pu)과 우라늄(U) 및 핵분열 생성물을 분리하는 방식이다.

Purex 설비에는 기능적으로 조사후 핵연료의 절단, 핵연료 용해, 용매추출과 처리용액 저장 등 서로 비슷한 각각의 공정이 있다. 또한 질산우라늄 용액으로부터 질산 제거, 질산 플루토늄(Pu)을 산화물 또는 금속으로 변환, 핵분열 생성물이 포함된 액체폐기물의 장기 저장이나 처분을 위한 장치들이 있다.

그러나 Purex공정은 재처리할 조사후 핵연료의 형태나 양, 회수된 물질의 처분, 시설설계시 고려해야 할 안전성과 유지에 대한 개념상의 차이로 인하여 Purex시설마다 일부 차이가 있다. 조사후 핵연료․주요 핵물질 및 핵분열 생성물질의 처리공정에 일상적으로 직접 접하거나 직접 제어하는 장치나 부품들이 이에 포함된다.

플루토늄(Pu) 변환과 플루토늄(Pu) 금속 생산에 대한 전체 계통을 포함한 이 공정에는 핵임계(기하학적 구조에 의해), 방사능 피폭(차폐에 의해), 독성위험 (격납에 의해)을 차단하기 위한 장치 들이 포함되며, 조사후 핵연료의 재처리 공장을 위해 특별히 설계되거나 준비된 장비들은 아래와 같다.

수출

이 범위에 해당하는 주요 물자 전체에 대한 수출은 본 지침서의 절차에 따라서만  이루어질 수 있다.

정부는 본 지침서의 절차를 기능별 한정된 범위 내에서 다른 물자에  적용할 수 있다.

조사 후 핵연료의 재처리를 위해 “전용 설계되거나 준비된” 장비 물품에는 다음이 포함된다.

a. 조사후 “원자로” 핵연료의 재처리를 위한 공장으로서, 조사후 핵연료, 주요 핵물질, 그리고 핵분열생성물의 처리공정과 직접 접하거나 이를 직접 제어하는 장비 및 부품을 포함함

b. 조사후 핵연료 절단기

재처리공장에서 사용하기 위하여 특별히 설계된 원격조작 장비로서, 조사후 핵연료집합체, 다발 또는 봉을 절단, 핵연료 피복재를 작게 절단하기 위한 것

주) 이 장비는 조사후 핵연료의 용해를 위하여 핵연료 피복재를 절단하고 분쇄한다. 레이저 같은 첨단장비도 있지만, 보통은 특별히 설계된 금속 절단기가 가장 많이 사용되고 있다.

c. 용해조

재처리공장에서 사용하기 위하여 특별히 설계된 임계 안전용기(예 : 작은 원통용기, 환상 또는 평판형 용기)로서, 조사후 핵연료의 용해를 목적으로 하고, 고온, 고부식성 용액에 견딜 수 있는 능력을 가지며, 원격조작으로 장전하고 유지․보수할 수 있는 것

주) 일반적으로 절단된 사용후 핵연료는 임계를 고려한 안전한 용해조 내에서 질산에 용해시키고, 남은 부산물(hull)은 이 공정에서 제거된다.

d. 용매 추출기 또는 용매 추출장비

재처리 공장에서 사용하기 위해 특별히 설계된 용매추출기로서 충전탑(packed column) 또는 맥동탑(pulse columns), 혼합 침강기(mixer settlers), 또는 원심추출기와 같은 것으로, 질산에 대한 내부식성이 있어야 하며, 보통 저탄소 스테인레스강, 티타늄, 지르코늄, 또는 다른 우수한 재료(특수 용접, 검사, 품질보증, 품질관리 기법 등을 최고 기준으로 적용)로 제작된 것

주) 용매추출기는 용해조로 부터 조사후 핵연료 용해액과 우라늄, 플루토튬 및 핵분열 생성물을 분리한 유기 용매를 받는다. 용매추출기는 유지․보수가 불필요한 상황에서도 장시간 사용, 손쉬운 교체, 운전과 제어의 용이성, 다양한 공정 조건에 대한 유연성 등, 엄격한 운전 조건에 맞도록 설계되어야 한다.

e. 화학약품 취급용기 또는 저장조

재처리공장에서 사용되는 화학약품을 취급하기 위해 특별히 설계된 시설 또는 저장조로서 질산에 대한 내부식성을 갖고, 저탄소 스테인레스강, 티타늄이나 지르코늄, 또는 다른 우수한 재질로 제작되고, 원격조작으로 유지보수를 할 수 있도록 설계되고, 핵임계 제어를 위해 다음의 특성을 갖는 것

1) 최소한 2%의 붕소 등가(치)를 갖는 벽 또는 내부 구조물, 또는

2) 직경이 175mm이하인 실린더형 용기 또는

3) 최대폭이 75mm이하 판상형(slab) 또는 환상(annular)형 용기

주) 용매추출 단계에는 다음과 같은 세 가지 주요 액체 공정이 있으며, 화학약품 취급용기 또는 저장 용기는 아래와 같은 세 가지의 추가가공 공정에서 이용된다.

- 순수 질산우라늄 용액은 증발 농축시킨 후, 질산제거 공정 (산화우라늄으로 변환)으로 이송되고, 이 산화우라늄은 핵연료주기에 재이용된다.

- 강력한 방사성 핵분열생성물 용액은 증발 농축시켜 농축 용액으로 저장하며, 또한 이 농축물을 저장이나 처분에 알맞은 형태로 변환하기 위하여 계속 증발시킨다.

- 순수 질산플루토늄 용액은 농축시켜 다음 단계로 이송하기 전까지 저장하고, 특히 플루토늄용액 저장조는 용액의 농도와 형태의 변화로 인한 핵임계를 차단할 수 있도록 설계되어야 한다.

공정제어를 위한 중성자 계측계통

조사후 핵연료의 재처리공장 내 자동 공정제어계통에 통합 및 사용되도록 특별히 설계되거나 준비된 중성자 계측계통

주) 이 계통은 핵분열성물질의 양과 구성을 확인하기 위한 능동 및 수동 중성자 계측을 수반한다. 완전한 계통은 중성자 발생기, 중성자 감지기, 증폭기, 신호처리전자기기로 구성된다.
이 항목의 범위는 핵물질의 계량과 안전조치 혹은 조사후 핵연료의 재처리공장 내 자동공정제어계통에 통합 및 사용과 무관한 다른 용도로 설계된 중성자 검출 및 측정기기를 포함하지 않는다.

플루토늄 변환공장 및 그 용도로 특별히 설계되거나 준비된 계통

개요) 플루토늄 변환공장 및 계통은 하나의 화학적인 플루토늄 종류에서 다른 종류로 변환을 수행할 수 있는데, 여기에는 플루토늄 질산염(Pu nitrate)에서 PuO2로의 변환, PuO2에서 PuF4로의 변환, PuF4에서 금속플루토늄으로의 변환 등이 있다.

플루토늄 변환공장은 흔히 재처리 설비와 관련되지만, 플루토늄 연료 성형가공 공장과도 연관될 수 있다. 대부분의 플루토늄 변환공장의 주요 장비는 일반 화학 공정산업과 여러 부분이 유사하다. 그 예로서 로, 회전식 건조로, 유동반응로, 연소 반응기, 액체 원심분리, 증류탑, 액체/액체 추출탑 등을 들 수 있다. 때로는 핫셀, 글러브 박스 및 원격 조작기들도 필요할 수 있다. 그러나, “기성품”은 거의 없으며, 대부분은 수요자의 요구와 사양에 따라 제작된다. 특별히 플루토늄과 관계되는 방사능, 독성 및 임계 위험 등에 대해서는 설계시 세심한 주의가 필수적이다. 특수 설계 및 제작시 처리될 화학물질(예: HF)의 일부 부식 특성을 처리할 수 있도록 고려해야 한다. 한편,  플루토늄 변환용으로 특별히 설계되지 않는 개별 장비들이 플루토늄 변환용으로 특별히 설계되거나 준비된 시스템, 즉 모든 플루토늄 변환 공정에 조립되어 질 수 있음을 각별히 주의해야만 한다.

a. 플루토늄 질산염을 플루토늄 산화물로 변환시키기 위해 특별히 설계되거나 준비된 계통

주) 주요 공정은 원료 저장 및 조정(adjustment), 침전 및 액체/고체 분리, 하소, 생성물 취급, 환기, 폐기물 관리 및 공정제어 등으로, 이는 특별히 핵임계 및 피폭영향을 피하고 독성 위험을 최소화하기 위한 공정이다. 대부분의 재처리 시설은 질산 플루토늄을 이산화플루토늄으로의 변환 공정과 함께, 플루토늄 수산화물 또는 플루토늄 과산화물의 침전 공정들도 있을 수 있다.

b. 금속 플루토늄 생산을 위해 특별히 설계되거나 준비된 설비

주) 이 공정은 불화 플루토늄을 생산하기 위해, 고부식성 불화수소를 사용한 이산화 플루토늄의 불화공정이 포함되며 이 불화 플루토늄은 최종적으로 금속 플루토늄과 불화칼슘 스러그를 생성하기 위해 고순도 금속 칼슘을 사용하여 환원된다. 이 공정에 포함되는 주요 기능은 불화 (귀금속으로 제조되거나 도금된 장비 포함), 금속 환원 (세라믹 용기 사용), 스러그 회수, 생성물 취급, 환기, 폐기물 관리 및 공정제어 등이 포함된다. 이 공정 설비들은 주로 핵임계 및 피폭 영향을 피하고 독성 위험을 최소화하기 위한 것들이다. 다른 공정들은 금속으로의 환원에 수반되는 플루토늄 수산화물 또는 플루토늄 과산화물의 불소화를 포함한다.

물질

핵원료물질 및 특수 핵분열성 물질

국제원자력기구(IAEA) 헌장 제20조에 정의된 물질들을 의미한다.

※ 원자력법에 명시된 핵원료물질 및 핵연료물질의 정의와는 다르게 적용한다.

핵원료 물질

- 천연동위원소의 혼합물을 함유하고 있는 우라늄

- 동위원소 235가 감손된 우라늄

- 토륨(thorium)

- 금속, 합금, 화학적 화합물 또는 농축된 상기 물질 중 하나 이상을 함유하는 물질

- 국제원자력기구(IAEA) 이사회가 정하는 농축도로 상기 물질 중 하나 이상을 함유하는 기타물질

- 국제원자력기구(IAEA) 이사회가 정하는 기타 물질

특수 핵분열성물질

- 플루토늄 239

- 우라늄 233

- 우라늄 235 또는 233으로 농축된 우라늄(우라늄 속에 함유된 동위원소 235, 233 또는 두 가지 모두의 양과 동위원소 238양의 비율이, 천연 상태에서의 동위원소 238에 대한 235의 비율보다 큰 것을 말한다)

- 상기 물질 중 하나 이상을 함유하는 물질

- 국제원자력기구(IAEA) 이사회가 정하는 기타 핵분열성물질

주) 0C001 및 0C002 중 다음 a, b에 해당하는 물질은 통제하지 않는다.

a.

- 플루토늄 238의 동위원소 농도가 80%를 초과하는 플루토늄

- 계측기에 내장된 수g (혹은 4g)이하의 특수 핵분열성물질

- 합금 또는 요업제품의 제조와 같은 비원자력활동에만 사용 한다고 허가권자가 인정하는 핵원료물질

b. 특수 핵분열성물질 50g정량, 천연우라늄 500kg, 감손우라늄 1,000kg, 토륨 1,000kg 이하의 양이 12개월 동안에 단일 최종사용국에 수출된다고 허가권자가 인정할 경우

중수소 및 중수

0A001.a에서 정의된 원자로에 사용되는 중수소 ․중수 또는 중수소화합물(중수소대 수소의 원자비가 1 : 5,000을 초과 하는 것)

주) 12개월 동안 단일 국가에 대한 중수소 총 수출량이 200kg 이하인 경우에는 통제하지 않는다.

원자로급 흑연

0A001.a에서 정의한 원자로에 사용되는 흑연으로서 5ppm 보다 높은 순도와, 밀도 1.50g/㎤, 1kg 을 초과하는 것

참조 : 1C107을 참고할 것

주) 수출통제를 목적으로 할 경우, 여기서 정의된 사양의 흑연 수출이 원자로에 사용될 것인지의 여부는 수출국 정부가 결정한다.

붕소 환산식은 INFCIRC/254/Part 1을 따른다.

BEz(ppm)=CF × Z원소의 농축도(in ppm);

CF는 변환계수: (σz × AB)/(σB × Az);

σB : 자연발생 붕소의 열중성자 흡수반응단면적(단위: barns)

σZ : Z원소의 열중성자 흡수반응단면적(단위: barns)

AB 와 Az은 붕소와 Z원소 각각의 원자질량이다.

소프트웨어 통제

원자력전용품목과 직결된 “소프트웨어”의 이전은 국내법이 허용하는 범위까지 원자력전용물자와 동일하게 높은 수준의 심사·통제대상이다.

“일반 공개 되는 자료” 혹은 “기초과학연구”에 대한 정보에 대한 “소프트웨어”는 통제되지 않는다.

“소프트웨어”는 유형의 표현매체에 입력된 하나 이상의 “프로그램” 혹은 “마이크로프로그램”의 집합체이다.

“마이크로프로그램” - 특정 저장장치에 저장된, 명령레지스터에 참조명령을 입력하여 실행되는 기본명령어의 시퀀스(sequence)

“프로그램” - 전자 계산기로 실행가능한 형태인, 혹은 형태로 변환가능한 프로세스(process)를 수행하기 위한 명령어의 시퀀스(sequence)

기술

상기 품목들과 관련된 기술

1. 재처리(0B006)·농축(0B001, 0B002)·중수제조시설(0B004) 또는 이들 주요 부품의 설계․건설․제조․운전 또는 보수 등에 관한 기술

2. 핵물질(0C001, 0C002)․원자로 및 그 부속장비(0A001)․원자로용 비핵물질(0C003, 0C004)․핵연료요소가공공장(0B005)․우라늄과 플루토늄 변환공장(0B003, 0B007) 또는 이들 주요부품의 설계․건설․제조․운전 또는 보수 등에 관한 기술(0E)

기술통제 일반지침

1. 구성부품의 이전은 수출통제의 목적을 저해하지 않아야 한다. 정부는 이 목적을 위해서 조치를 취하고, 모든 수출국들이 사용하도록 구성부품의 실용적 정의를 내리기 위한 노력을 지속해야 한다.

2. 지침(전략물자 수출입고시 별표 13)의 9(b)(2)의 “동일한 형태”는 원자력전용품목에 명시된 것과 설계, 건설 혹은 운전 과정이, 동일하거나 유사한 물리적 혹은 화학적 공정에 기반한 경우를 의미한다.

3. 수출국들은 우라늄농축 공장, 장비 및 기술의 특정 동위원소분리 공정과, 연구용·의료용·여타 비원자력산업용 수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 분리 공정간의 밀접한 연관성을 인정한다. 그와 관련하여, 수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소와 관련된 동위원소 분리에 대해 적절한 조치를 이행하기 위해, 수출국은 수출허가규정 및 정보/기술 해당사항 여부와 보안을 포함한 법적 제도를 신중히 검토해야 한다. 수출국들은 특별한 경우 수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소와 관련된 동위원소 분리에 대한 조치가 우라늄 농축에 대한 조치와 근본적으로 동일함을 인정한다. (전략물자수출입고시 별표 2 제10부 원자력전용품목 0B001 주석 참조) 지침(전략물자수출입고시 별표 13)의 17(a)에 따라, 수소, 우라늄, 플루토늄 이외 원소의 동위원소 분리 공장, 장비 및 기술의 이전 및 보호에 대해 일관성있는 정책과 절차를 추진하기 위하여, 적절한 경우 수출국들은 다른 수출국들과 협의해야 한다. 수출국들은 우라늄 농축 공정에서 파생된 장비 및 기술을 화학산업과 같이 비원자력산업에 적용하는 경우 적절한 주의를 기울여야 한다.

기술통제 세부지침

주) 1. “기술”에 대한 통제시 서적․정기 간행물의 형태로 “일반 공개 되는 자료(in the public domain)”, 아무런 제약없이 입수 가능한 자료 및 기초과학연구에 대한 정보는 제외한다. 또한, 실험 또는 이론적인 연구로서 현상 및 관측 가능한 사실의 기본적인 원리에 덧붙여보다 더 새로운 지식을 획득하기 위한 것으로, 실험이나 연구의 목적이 구체적인 실용화 또는 상용화와 연계되지 않는 “기초과학연구(basic scientific research)” 역시 통제 범위에서 제외한다.

2. 핵비확산을 이유로 기술의 수출을 통제할 때는, 핵테러 공격의 위험도 고려하여 원자력전용품목 관련 시설의 설계, 건설 및 운전관련 기술을 최대한 보호하여야 한다.

3. 기술에 대한 정의는 별표 2의 제10부 품목(원자력전용품목)의 “개발”, “생산”, 또는 “사용”에 필요한 세부 정보를 의미하며, 구체적인 내용은 아래와 같다. 한편, “기술자료”나 “기술지원”(technical assitance) 도 기술에 포함된다.

a. “개발(development)”

주) “생산(production)” 전의 모든 단계와 관련된 것으로서, 설계, 설계연구,  설계분석, 설계개념, 원형의 조립과 시험, 시험생산체제, 설계자료, 설계자료를 제품으로 제작하는 과정, 윤곽(configuration) 설계, 통합설계, 배치(layouts) 등이다.

b. “생산”

주) 생산의 모든 단계와 관련된 것으로서, 건조, 생산엔지니어링, 제조, 통합, 조립/탑재, 검사, 시험, 품질보증 등이다.

c. “기술지원”

주) “기술지원”의 형태는 지도, 기능(skills), 훈련(training), 작업지식(working knowledge), 자문서비스(consulting service) 등이다. 기술 지원에는 기술 자료의 이전이 포함될 수 있다.

d. “기술자료”

주) “기술자료“의 형태는 디스크, 테이프, 읽기전용기억장치와 같은 매체 또는 다른 매체에 쓰여져 있거나 기록되어 있는 청사진, 계획, 도표, 모형, 공식, 공학 설계도 및 규격서, 매뉴얼 및 지침서 등이다.

e. “사용”

주) 운용(operation), 설치(현장설치 포함), 유지(점검), 보수, 검사, 수리 혹은 갱신 등이다.

NUCLEAR TECHNOLOGY NOTE (NTN)

(To be read in conjunction with section E of Category 0)

The ″technology″ directly associated with any goods controlled in Category 0 is controlled according to the provisions of

Category 0.

″Technology″ for the ″development″, ″production″ or ″use″ of goods under control remains under control even when applicable to non-controlled goods.

The approval of goods for export also authorises the export to the same end-user of the minimum ″technology″ required for

the installation, operation, maintenance and repair of the goods.

Controls on ″technology″ transfer do not apply to information ″in the public domain″ or to ″basic scientific research″.

CATEGORY 0 - NUCLEAR MATERIALS, FACILITIES, AND

EQUIPMENT

Systems, Equipment and Components

"Nuclear reactors" and specially designed or prepared equipment and components therefor, as follows:

INTRODUCTORY NOTE

Various types of nuclear reactors may be characterized by the moderator used (e.g., graphite, heavy water, light water, none), the spectrum of neutrons therein (e.g., thermal, fast), the type of coolant used (e.g., water, liquid metal, molten salt, gas), or by their function or type (e.g., power reactors, research reactors, test reactors). It is intended that all of these types of nuclear reactors are within scope of this entry and all of its subentries where applicable. This entry does not control fusion reactors.

a. Complete nuclear reactors

Nuclear reactors capable of operation so as to maintain a controlled self-sustaining fission chain reaction.

EXPLANATORY NOTE

A “nuclear reactor” basically includes the items within or attached directly to the reactor vessel, the equipment which controls the level of power in the core, and the components which normally contain or come in direct contact with or control the primary coolant of the reactor core.

EXPORTS

The export of the whole set of major items within this boundary will take place only in accordance with the procedures of the Guidelines. Those individual items within this functionally defined boundary which will be exported only in accordance with the procedures of the Guidelines are  listed in paragraphs 1.2 to 1.11. The Government reserves to itself the right to apply the procedures of the Guidelines to other items within the functionally defined boundary.

b. Nuclear reactor vessels

Metal vessels, or major shop-fabricated parts therefor, especially designed or prepared to contain the core of a nuclear reactor as defined in paragraph 0A001.a above, as well as relevant reactor internals as defined in paragraph 0A001.h. below.

EXPLANATORY NOTE

Item 1.2 covers nuclear reactor vessels regardless of pressure rating and includes reactor pressure vessels and calandrias. The reactor vessel head is covered by item 0A001.b as a major  shop-fabricated part of a reactor vessel.

c. Manipulative equipment especially designed or prepared for inserting or removing fuel in a nuclear reactor as defined in paragraph 0A001.a above.

EXPLANATORY NOTE

The items noted above are capable of on-load operation or at employing technically sophisticated positioning or alignment features to allow complex off-load fueling operations such as those in which direct viewing of or access to the fuel is not normally available.

d. Nuclear reactor control rods and equipment

Especially designed or prepared rods, support or suspension structures therefor, rod drive mechanisms or rod guide tubes to control the fission process in a nuclear reactor as defined in paragraph 0A001.a above.

e. Nuclear reactor pressure tubes

Tubes which are especially designed or prepared to contain both fuel elements and the primary coolant in a reactor as defined in paragraph 1.1. above.

EXPLANATORY NOTE

Pressure tubes are parts of fuel channels designed to operate at elevated pressure, sometimes in excess of 5 MPa.

f. Nuclear fuel cladding

Zirconium metal tubes or zirconium alloy tubes (or assemblies of tubes) especially designed or prepared for use as fuel cladding in a reactor as defined in paragraph 1.1. above, and in quantities exceeding 10kg.

N.B.: For zirconium pressure tubes see 1.5. For calandria tubes see 1.8.

EXPLANATORY NOTE

Zirconium metal tubes or zirconium alloy tubes for use in a nuclear reactor consist of zirconium in which the relation of hafnium to zirconium is typically less than 1:500 parts by weight.

g. Primary coolant pumps or circulators

Pumps or circulators especially designed or prepared for circulating the primary coolant for nuclear reactors as defined in paragraph 1.1. above.

EXPLANATORY NOTE

Especially designed or prepared pumps or circulators include pumps for water-cooled reactors, circulators for gas-cooled reactors, and electromagnetic and mechanical pumps for liquid-metal-cooled reactors. This equipment may include pumps with elaborate sealed or multi-sealed systems to prevent leakage of primary coolant, canned-driven pumps, and pumps with inertial mass systems. This definition encompasses pumps certified to NC-1 or equivalent standards.

h. Nuclear reactor internals

“Nuclear reactor internals” especially designed or prepared for use in a nuclear reactor as defined in paragraph 1.1. above. This includes, for example, support columns for the core, fuel channels, calandria tubes, thermal shields, baffles, core grid plates, and diffuser plates.

EXPLANATORY NOTE

“Nuclear reactor internals“ are major structures within a reactor vessel which have one or more functions such as supporting the core, maintaining fuel alignment, directing primary coolant flow, providing radiation shields for the reactor vessel, and guiding in-core instrumentation.

i. Heat exchangers

(a) Steam Generators especially designed or prepared for the primary, or intermediate, coolant circuit of a nuclear reactor as defined in paragraph 1.1 above.

(b) Other heat exchangers especially designed or prepared for use in the primary coolant circuit of a nuclear reactor as defined in paragraph 1.1 above.

EXPLANATORY NOTE

Steam generators are especially designed or prepared to transfer the heat generated in the reactor to the feed water for steam generation. In the case of a fast reactor for which an intermediate coolant loop is also present, the steam generator is in the intermediate circuit.

In a gas-cooled reactor, a heat exchanger may be utilized to transfer heat to a secondary gas loop that drives a gas turbine.

The scope of control for this entry does not include heat exchangers for the supporting systems of the reactor, e.g., the emergency cooling system or the decay heat cooling system.

j. Neutron detectors

Especially designed or prepared neutron detectors for determining neutron flux levels within the core of a reactor as defined in paragraph 1.1 above.

EXPLANATORY NOTE

The scope of this entry encompasses in-core and ex-core detectors which measure flux levels in a large range, typically from 104 neutrons per cm2 per second to 1010 neutrons per cm2 per second or more.

Ex-core refers to those instruments outside the core of a reactor as defined in paragraph 1.1 above, but located within the biological shielding.

k. External thermal shields

“External thermal shields” especially designed or prepared for use in a nuclear reactor as defined in paragraph 1.1 for reduction of heat loss and also for containment vessel protection.

EXPLANATORY NOTE

“External thermal shields” are major structures placed over the reactor vessel which reduce heat loss from the reactor and reduce temperature within the containment vessel.

Test, Inspection and Production Equipment

Plants for the separation of isotopes of natural uranium, depleted uranium or special fissionable material and equipment, other than analytical instruments, especially designed or prepared therefor :

INTRODUCTORY NOTE

Plants, equipment and technology for the separation of uranium isotopes have, in many instances, a close relationship to plants, equipment and technology for isotope separation of “other elements”. In particular cases, the controls under Section 5 also apply to plants and equipment that are intended for isotope separation of “other elements”.

These controls of plants and equipment for isotope separation of “other elements” are complementary to controls on plants and equipment especially designed or prepared for the processing, use or production of special fissionable material covered by the Trigger List. These complementary Section 5 controls for uses involving “other elements” do not apply to the electromagnetic isotope separation process, which is addressed under Part 2 of the Guidelines.

Processes for which the controls in Section 5 equally apply whether the intended use is uranium isotope separation or isotope separation of “other elements” are: gas centrifuge, gaseous diffusion, the plasma separation process, and aerodynamic processes.

For some processes, the relationship to uranium isotope separation depends on the element being separated. These processes are: laser-based processes(e.g. molecular laser isotope separation and atomic vapour laser isotope separation), chemical exchange, and ion exchange.

Suppliers must therefore evaluate these processes on a case-by-case basis to apply Section 5 controls for uses involving “other elements” accordingly.  Item of equipment that are considered to fall within the meaning of the phrase “equipment, other than analytical instruments, especially designed or prepared“ for the separation of isotopes of uranium include:

a. Plant specially designed for separating isotopes of "natural  uranium", "depleted uranium", and "special fissile materials", as follows:

1. Gas centrifuge separation plant;

2. Gaseous diffusion separation plant;

3. Aerodynamic separation plant;

4. Chemical exchange separation plant;

5. Ion-exchange separation plant;

6. Atomic vapour "laser" isotope separation (AVLIS) plant;

7. Molecular "laser" isotope separation (MLIS) plant;

8. Plasma separation plant;

9. Electro magnetic separation plant;

b. Gas centrifuges and assemblies and components especially designed or prepared for use in gas centrifuges

INTRODUCTOR NOTE

The gas centrifuge normally consists of a thin-welled cylinder(s) of between 75mm and 650 mm diameter contained in a vacuum environment and spun at high peripheral speed of the order of 300 m/s or more with its central axis vertical. In order to achieve high speed the materials of construction for the rotating components have to be of a high strength to density ratio and the rotor assembly, and hence  its individual components, have to be manufactured to very close tolerances in order to minimize the unbalance. In contrast to other centrifuges, the gas centrifuge for uranium enrichment is characterized by having within the rotor chamber a rotating disc-shaped baffle(s) and a stationary tube arrangement for feeding and extracting the UF6 gas and featuring at least three separate channels, of which two are connected to scoops extending from the rotor axis towards the periphery of the rotor chamber. Also contained within the vacuum environment are a number of critical items which do not rotate and which although they are especially designed are not difficult to fabricate nor are they fabricated out of unique materials. A centrifuge facility however requires a large number of these components, so that quantities can provide an important indication of end use.

1. Gas centrifuges;

2. Rotating components

Complete rotor assemblies:

Thin-walled cylinders, or a number of interconnected thin- walled cylinders, manufactured from one or more of the high strength to density ratio materials described in the EXPLANATORY NOTE to this Section. If interconnected, the cylinders are joined together by flexible bellows or rings as described in section 5.1.1. (c) following. The rotor is fitted with an internal baffle(s) and end caps, as described in section 5.1.1 (d) and (e) following, if in final form. However the complete assembly may be delivered only partly assembled.

3. Rotor tubes :

Especially designed or prepared thin-walled cylinders with thickness of 12mm or less, a diameter of between 75 mm and 650 mm, and manufactured from one or more of the high strength to density ratio materials described in the EXPLANATORY NOTE to this Section.

4. Rings or Bellows:

Components especially designed or prepared to give localized support to the rotor tube or to join together a number of rotor tubes. The bellows is a short cylinder of wall thickness 3 mm or less, a diameter of between 75 mm and 650 mm, having a convolute, and manufactured from one of the high strength to density ratio materials described in the EXPLANATORY NOTE to this Section.

5. Baffles:

Disc-shaped components of between 75 mm and 650 mm diameter especially designed or prepared to be mounted inside the centrifuge rotor tube, in order to isolate the take-off chamber from the main separation chamber and, in some cases, to assist the UF6 gas circulation within the main separation chamber of the rotor tube, and manufactured from one of the high strength to density ratio materials described in the EXPLANATORY NOTE to this Section.

6. Top caps/Bottom caps:

Disc-shaped components of between 75 mm and 650 mm diameter especially designed or prepared to fit to the ends of the rotor tube, and so contain the UF6 within the rotor tube, and in some cases to support, retain or contain as an integrated part an element of the upper bearing (top cap) or to carry the rotating elements of the motor and lower bearing (bottom cap), and manufactured from one of the high strength to density ratio materials described in the EXPLANATORY NOTE to this Section.

EXPLANATORY NOTE

The materials used for centrifuge rotating components include the following:

(a) Maraging steel capable of an ultimate tensile strength of 1.95 GPa or more

(b) Aluminium alloys capable of an ultimate tensile strength of 0.46 GPa or more

(c) Filamentary materials suitable for use in composite structures and having a specific modulus of 3.18 X 106 m or greater and a specific ultimate tensile strength of 7.62 X 104 m or greater('specific Modulus' is the Young's Modulus in N/m2 divided by the specific weight in N/m3, 'Specific Ultimate Tensile Strength'is the ultimate tensile strength in N/m2 divided by the specific weight in N/m3).

7. Static components

Magnetic suspension bearings:

1. Especially designed or prepared bearing assemblies consisting of an annular magnet suspended within a housing containing a damping medium. The housing will be manufactured from a UF6-resistant material(see EXPLANATORY NOTE to Section 5.2). The magnet couples with a pole piece or a second magnet fitted to the top cap described in Section 5.1.1 (e). The magnet may be ring-shaped with a relation between outer and inner diameter smaller or equal to 1.6 : 1. The magnet may be in a form having an initial permeability of 0.15 H/m or more, or a remanence of 98.5% or more, or an energy product of greater than 80kJ/m3. In addition to the usual material properties, it is a prerequisite that the deviation of the magnetic axes from the geometrical axes is limited to very small tolerances (lower than 0.1mm) or that homogeneity of the material of the magnet is specially called for.

2. Active magnetic bearings especially designed or prepared for use with gas centrifuges.

EXPLANATORY NOTE

These bearings usually have the following characteristics:

•. Designed to keep centred a rotor spinning at 600 Hz or more, and

•. Associated to a reliable electrical power supply and/or to an uninterruptible power supply (UPS) unit in order to function for more than one hour.

8. Bearings/Dampers:

Especially designed or prepared bearings comprising a pivot/ cup assembly mounted on a damper. The pivot is normally a hardened steel shaft with a hemisphere at one end with a means of attachment to the bottom cap described in section 5.1.1.(e) at the other. The shaft may however have a hydrodynamic bearing attached. The cup is pellet-shaped with a hemispherical indentation in one surface. These components are often supplied separately to the damper.

9. Molecular pumps:

Especially designed or prepared cylinders having internally machined or extruded helical grooves and internally machined bores. Typical dimensions are as follows : 75 mm to 650 mm internal diameter, 10 mm or more well thickness, with the length equal to or greater than the diameter. The grooves are typically rectangular in cross-section and 2 mm or more in depth

10. Motor stators:

Especially designed or prepared ring-shaped stators for high speed multiphase AC hysteresis (or reluctance) motors for synchronous operation within a vacuum at a frequency of 600 Hz or greater and a power of 40 VA or greater. The stators may consist of multi-phase windings on a laminated low loss iron core comprised of thin layers typically 2.0 mm thick or less.

11. Centrifuge housing/recipients:

Components especially designed or prepared to contain the rotor tube assembly of a gas centrifuge. The housing consists of a rigid cylinder of wall thickness up to 30 mm with precision machined ends to locate the bearings and with one or more flanges for mounting. The machined ends are parallel to each other and perpendicular to the cylinder's longitudinal axis to within 0.05 degrees or less. The housing may also be a honeycomb type structure to accommodate several rotor assemblies.

12. Scoops:

Especially designed or prepared tubes for the extraction of UF6 gas from within the rotor tube by a pitot tube action (that is, with an aperture facing into the circumferential gas flow within the rotor tube, for example by bending the end of a radially disposed tube) and capable of being fixed to the central gas extraction system.

13. Special shut-off and control valves

(a) Shut-off valves especially designed or prepared to  act on the feed, product or tails UF6 gaseous stream of an individual gas centrifuge.

(b) Bellows-sealed valves, manual or automated, shut-off or control, made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6, with an inside diameter of 10 to 160 mm, especially designed or prepared for use in main or auxiliary systems of gas centrifuge enrichment plants.

EXPLANATORY NOTE

Typical especially designed or prepared valves include bellow-sealed valves, fast acting closure-types, fast acting valves and others.

14. Frequency changers

Frequency changers (also known as converters or inverters) especially designed or prepared to supply motor stators as defined under 5.1. 2. (d), or parts, components and sub- assemblies of such frequency changers having all of the following characteristics:

A multiphase frequency output of 600 Hz or greater; and

High stability (with frequency control better than 0.2%)

15. Bellows valves made of or protected by "materials resistant to corrosion by UF6", with a diameter of 10 mm to 160 mm

c. Especially designed or prepared assemblies and components for use in gaseous diffusion enrichment

INTRODUCTORY NOTE

In the gaseous diffusion method of uranium isotope separation, the main technological assembly is a special porous gaseous diffusion barrier, heat exchanger for cooling the gas (which is heated by the process of compression), seal valves and control valves, and pipeline. Inasmuch as gaseous diffusion technology uses uranium hexafluoride (UF6), all equipment, pipeline and instrumentation surfaces (that come in contact with the gas) must be made of materials that remain stable in contact with UF6, A gaseous diffusion facility requires a number of these assemblies, so that quantities can provide an important indication of end use.

1. Gaseous diffusion barriers and barrier materials

Especially designed or prepared thin, porous filters, with a pore size of 10 - 100nm, a thickness of 5 mm or less, and for tubular forms, a diameter of 25 mm or less, made of metallic, polymer or ceramic materials resistant to corrosion by UF6(see EXPLANATORY　NOTE to section 5.4), and

especially prepared compounds or powders for the manufacture of such filters. Such compounds and powders include nickel or alloys containing 60 per cent or more nickel, aluminium oxide, or UF6 resistant fully fluorinated hydrocarbon polymers having a purity of 99.9 per cent by weight or more, a particle size less than 10 μm, and a high degree of particle size uniformity, which are especially prepared for the manufacture of gaseous diffusion barriers.

2. Diffuser housings

Especially designed or prepared hermetically sealed vessels for containing the gaseous diffusion barrier, made of or protected by UF6-resistant materials (see EXPLANATORY NOTE to section 5.4).

3. Compressors and gas blowers

Especially designed or prepared compressors or gas blowers with a suction volume capacity of 1m3 per minute or more of UF6, and with a discharge pressure of up to 500 kPa, designed for long-term operation in the UF6 environment, as well as separate assemblies of such compressors and gas blowers. These compressors and gas blowers have a pressure ratio of 10:1 or less and are made of, or protected by, materials resistant to UF6 (see EXPLANATORY NOTE to section 5.4).

4. Rotary shaft seals

Especially designed or prepared vacuum seals, with seal feed and seal exhaust connections, for sealing the shaft connecting the compressor or the gas blower rotor with the driver motor so as to ensure a reliable seal against in-leaking of air into the inner chamber of the compressor or gas blower which is filled with UF6. Such seals are normally designed for a buffer gas in-leakage rate of less than 1000cm3 per minute.

5. Heat exchangers for cooling UF6

Especially designed or prepared heat exchangers made of or protected by UF6-resistant materials (see EXPLANATORY NOTE to section 5.4), and intended for a leakage pressure change rate of less than 10 Pa per hour under a pressure difference of 100 kPa.

6. Special shut-off and control valves

Especially designed or prepared bellows-sealed valves, manual or automated, shut-off or control, made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6, for installation in main and auxiliary systems of gaseous diffusion enrichment plants.

d. Especially designed or prepared systems, equipment and components for use in aerodynamic enrichment plants

INTRODUCTORY NOTE

In aerodynamic enrichment processes, a mixture of gaseous UF6 and light gas (hydrogen or helium) is compressed and then passed through separating elements wherein isotopic separation is accomplished by the generation of high centrifugal forces over a curved-wall geometry. Two processes of this    type have been successfully developed : the separation nozzle process and the vortex tube process. For both processes the main components of a separation stage include cylindrical vessels housing the special separation elements(nozzles or vortex tubes), gas compressors and heat exchangers to    remove the heat of compression. An aerodynamic plant requires a number of these stages, so that quantities can provide an important indication of end use. Since aerodynamic processes use UF6, all equipment, pipeline and instrumentation surfaces(that come in contact with the gas) must be made    of or protected by materials that remain stable in contact with UF6.

EXPLANATORY NOTE

The items listed in this section either come into direct contact with the UF6 process gas or directly control the flow within the cascade. All surfaces which come into contact with the process gas are wholly made of or protected by UF6-resistant materials. For the purposes of the section relating to aerodynamic enrichment items, the materials resistant to corrosion by UF6 include copper, copper alloys, stainless steel, aluminium, aluminium oxide, aluminium alloys, nickel or alloys containing 60% or more nickel by weight and fluorinated hydrocarbon polymers.

1. Separation nozzles

Especially designed or prepared separation nozzles and assemblies thereof. The separation nozzles consist of slit-shaped, curved channels  having a radius of curvature less than 1 mm, resistant to corrosion by UF6 and having a knife-edge within the nozzle that separates the gas flowing through the nozzle into two fractions.

2. Vortex tubes

Especially designed or prepared vortex tubes and assemblies thereof. The vortex tubes are cylindrical or tapered, made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6, and with one or more tangential inlets. The tubes may be equipped with nozzle-type appendages at either or both ends.

EXPLANATORY NOTE

The feed gas enters the vortex tube tangentially at one end or through swirl vanes or at numerous tangential positions along the periphery of the tube.

3. Compressors and gas blowers

Especially designed or prepared compressors or gas blowers made of or protected by materials resistant to corrosion by the UF6/carrier gas(hydrogen or helium) mixture.

4. Rotary shaft seals

Especially designed or prepared rotary shaft seals, with seal feed and seal exhaust connections, for sealing the shaft connecting the compressor rotor or the gas blower rotor with the driver motor so as to ensure a reliable seal against out-leakage of process gas or in-leakage of air or seal gas into the inner chamber of the compressor or gas blower which is filled with a UF6 carrier gas mixture.

5. Heat exchangers for gas cooling

Especially designed or prepared heat exchangers made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6.

6. Separation element housings

Especially designed or prepared separation element housing, made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6, for containing  vortex tubes or separation nozzles.

7. Special shut-off and control valves

Especially designed or prepared bellows-sealed valves, manual or automated, shut-off or control, made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6, with a diameter of 40 mm or greater, for installation in main and auxiliary systems of aerodynamic enrichment plants.

8. UF6/carrier gas separation systems

Especially designed or prepared process systems for separating UF6 from  carrier gas(hydrogen or helium).

EXPLANATORY NOTE

These systems are designed to reduce the UF6 content in the carrier gas to 1 ppm or less and may incorporate equipment such as:

(a) Cryogenic heat exchangers and cryoseparators capable of temperatures of -153K(-120℃) or less, or

(b) Cryogenic refrigeration units capable of temperatures of -153K(-120℃) or less, or

(c) Separation nozzle or vortex tube units for the separation of UF6 from carrier gas, or

(d) UF6 cold traps capable of freezing out UF6.

e. Especially designed or prepared systems equipment and components for use in chemical exchange enrichment plants.

INTRODUCTORY NOTE

The slight difference in mass between the isotopes of uranium causes small changes in chemical reaction equilibria that can be used as a basis for separation of the isotopes. Two processes have been successfully developed: liquid-liquid chemical exchange and solid-liquid ion exchange.

In the liquid-liquid chemical exchange process, immiscible liquid phases(aqueous and organic) are countercurrently contacted to give the cascading effect of thousands of separation stages. The aqueous phase consists of uranium chloride in hydrochloric acid solution; the organic phase consists of an extractant containing uranium chloride in an organic solvent. The contactors employed in the separation cascade can be liquid-liquid exchange columns (such as pulsed columns with sieve plates) or liquid centrifugal contactors. Chemical conversions (oxidation and reduction) are required at both ends of the separation cascade in order to provide for the reflux      requirements at each end. A major design concern is to avoid contamination of the process streams with certain metal ions. Plastic, plastic-lined (including use of fluorocarbon polymers) and/or glass-lined columns and piping are therefore used.

1. Liquid-liquid exchange columns

Countercurrent liquid-liquid exchange columns having mechanical power input, especially designed or prepared for uranium enrichment using the chemical exchange process. For corrosion resistance to concentrated hydrochloric acid solutions, these columns and their internals are normally made of or protected by suitable plastic materials (such as fluorinated hydrocarbon polymers) or glass. The stage residence time of the columns is normally designed to be 30 seconds or less.

2. Liquid-liquid centrifugal contactors

Liquid-liquid centrifugal contactors especially designed or prepared for uranium enrichment using the chemical exchange process. Such contactors use rotation to achieve dispersion of the organic and aqueous streams and then centrifugal force to separate the phases. For corrosion      resistance to concentrated hydrochloric acid solutions, the contactors are normally made of or protected by suitable plastic materials (such as fluorinated hydrocarbon polymers) or glass. The stage residence time of the centrifugal contactors is designed to be short (30 seconds or less).

3. Especially designed or prepared electrochemical reduction cells to reduce uranium from one valence state to another for uranium enrichment using the chemical exchange process. The cell materials in contact with process solutions must be corrosion resistant to concentrated hydrochloric acid solutions.

EXPLANATORY NOTE

The cell cathodic compartment must be designed to prevent re-oxidation of uranium to its higher valence state. To keep the uranium in the cathodic compartment, the cell may have an impervious diaphragm membrane constructed or special cation exchange material. The cathode consists of a suitable solid conductor such as graphite.

4.   Especially designed or prepared systems at the product end of the cascade for taking the U+4 out of the organic stream, adjusting the acid concentration and feeding to the electrochemical reduction cells.

EXPLANATORY NOTE

These systems consist of solvent extraction equipment for stripping the U+4 from the organic stream into an aqueous solution, evaporation and/or other equipment to accomplish solution pH adjustment and control, and pumps or other transfer devices for feeding to the electrochemical reduction cells. A major design concern is to avoid contamination of the aqueous stream with certain metal ions. Consequently, for those parts in contact with the process stream, the    system is constructed of equipment made of or protected by suitable materials (such as glass, fluorocarbon polymers, polyphenyl sulfate, polyether sulfone, and resin-impregnated graphite)

5. Feed preparation systems

Especially designed or prepared systems for producing high-purity uranium chloride feed solutions for chemical exchange uranium isotope separation plants.

EXPLANATORY NOTE

These systems consist of dissolution, solvent extraction and/or ion exchange equipment for purification and electrolytic cells for reducing the uranium U+6 or U+4 to U+3. These systems produce uranium chloride solutions having only a few parts per million of metallic impurities such as chromium, iron, vanadium, molybdenum and other bivalent or higher multi-valent cations. Materials of construction for portions of the system processing high-purity U+3 include glass, fluorinated hydrocarbon polymers, polyphenyl sulfate or polyether sulfone plastic-lined and resin-impregnated graphite.

6. Uranium oxidation systems

Especially designed or prepared systems for oxidation of U+3 to U+4 for return to the uranium isotope separation cascade in the chemical  exchange enrichment process.

EXPLANATORY NOTE

These systems may incorporate equipment such as:

(a) Equipment for contacting chlorine and oxygen with the aqueous effluent from the isotope separation equipment and extracting the resultant U+4into the stripped organic stream returning from the product end of the cascade,

(b) Equipment that separates water from hydrochloric acid so that the water and the concentrated hydrochloric acid may be reintroduced to the process at the proper locations.

f. Especially designed or prepared systems equipment and components for use in ion exchange enrichment plants.

INTRODUCTORY NOTE

In the solid-liquid ion-exchange process, enrichment is accomplished by uranium adsorption /desorption on a special, very fast-acting, ion-exchange resin or adsorbent. A solution of uranium in hydrochloric acid and other chemical agents is passed through cylindrical enrichment columns containing packed beds of the adsorbent. For a continuous process, a reflux system is necessary to release the uranium from the adsorbent back into the liquid flow so that 'product' and 'tails' can be collected. This is accomplished with the use of suitable reduction/oxidation chemical agents that are fully regenerated in separate external circuits and that may be partially regenerated within the isotopic separation columns themselves. The presence of hot concentrated hydrochloric acid solutions in the process requires that the equipment be made of or protected by special corrosion-resistant materials.

1. Fast-reacting ion exchange resins/adsorbents
Fast-reacting ion-exchange resins or adsorbents especially designed or prepared for uranium enrichment using the ion exchange process, including porous macroreticular resins, and/or pellicular structures in which the active chemical exchange groups are limited to a coating on the surface of an inactive porous support structure, and other composite structures in any suitable form including particles or fibres. These ion exchange resins/adsorbents have diameters of 0.2mm or less and must be  chemically resistant to concentrated hydrochloric acid solutions as well as physically strong enough so as not to degrade in the exchange columns. The resins/ adsorbents are especially designed to achieve very fast uranium isotope exchange kinetics (exchange rate half-time of less than 10 seconds) and are capable of operating at a temperature in the range of 373 K (100℃) to 473 K (200℃)

2. Ion exchange columns

Cylindrical columns greater than 1000mm in diameter for containing and supporting packed beds of ion exchange resin/adsorbent, especially designed or prepared for uranium enrichment using the ion exchange process. These columns are made of or protected by materials (such as titanium or fluorocarbon plastics) resistant to corrosion by concentrated hydrochloric acid solutions and are capable of operating at a temperature  in the range of 373 K (100℃) to 473 K (200℃) and pressures above 0.7 MPa.

3. Ion exchange reflux systems

Especially designed or prepared chemical or electrochemical reduction systems for regeneration of the chemical reducing agent(s) used in ion exchange uranium enrichment cascades.

Especially designed or prepared chemical or electrochemical oxidation systems for regeneration of the chemical oxidizing agent(s) used in ion exchange uranium enrichment cascades.

EXPLANATORY NOTE

The ion exchange enrichment process may use, for example, trivalent  titanium (Ti+3) as a reducing cation in which case the reduction system would regenerate Ti+3 by reducing Ti+4.

The process may use, for example, trivalent iron (Fe+3) as an oxidant in which case the oxidation system would regenerate Fe+3 by oxidizing Fe+2.

g. Equipment and components, specially designed or prepared for atomic vapour "laser" isotope separation process (AVLIS), as follows:

INTRODUCTORY NOTE

Present systems for enrichment processes using lasers fall into two categories: those in which the process medium is atomic uranium vapour and those in which the process medium is the vapour of a uranium compound, sometimes mixed with another gas or gases. Common nomenclature for such processes include:

• first category-atomic vapour laser isotope separation;

• second category - molecular laser isotope separation, including chemical reaction by isotope selective laser activation.

The systems, equipment and components for laser enrichment plants embrace:(a) devices to feed uranium-metal vapour (for selective photo-ionization) or devices to feed the vapour of a uranium compound (for selective photo-dissociation or selective excitation/ activation); (b) devices to collect enriched and depleted uranium metal as 'product' and 'tails' in the first category, and devices to collect enriched and depleted uranium compounds as 'product' and 'tails' in the second category; (c) process laser systems to selectively excite the uranium-235 species; and (d) feed preparation and product conversion equipment. The complexity of the spectroscopy of uranium atoms and compounds may require incorporation of any of a number of available laser and laser optics technologies.

EXPLANATORY NOTE

Many of the items listed in this section come into direct contact with uranium metal vapour or liquid or with process gas consisting of UF6 or a mixture of UF6 and other gases. All surfaces that come into direct contact with the uranium or UF6 are wholly made of or protected by corrosion-resistant materials. For the purposes of the section relating to       laser-based enrichment items, the materials resistant to corrosion by the vapour or liquid of uranium metal or uranium alloys include yttria-coated graphite and tantalum; and the materials resistant to corrosion by UF6 include copper, copper alloys, stainless steel, aluminium, aluminium oxide, aluminium alloys, nickel or        alloys containing 60% or more nickel  by weight and fluorinated  hydrocarbon polymers.

1. Uranium vaporization systems(atom vapour based methods)

Especially designed or prepared uranium metal vaporization systems for use in laser enrichment.

EXPLANATORY NOTE

These systems may contain electron beam guns and are designed to achieve a delivered  power (1kW or greater) on the target sufficient to generate uranium metal vapour at a rate required for the laser enrichment function.

2. Liquid or vapour uranium metal handling systems and components (atomic vapour based methods)

Especially designed or prepared systems for handing molten uranium, molten uranium alloys or uranium metal vapour for use in laser enrichment or especially designed or prepared components therefore.

EXPLANATORY NOTE

The liquid uranium metal handling systems may consist of crucibles and cooling equipment  for the crucibles.

The crucibles and other parts of this system that come into contact with molten uranium, molten uranium alloys or uranium metal vapour are made of or protected by materials of suitable corrosion and heat resistance. Suitable materials may include tantalum,    yttria-coated graphite, graphite coated with other rare earth oxides (see INFCIRC/254/Part 2-(as amended)) or mixtures thereof.

N.B.: SEE ALSO 2A225.

3. Uranium metal 'product' and 'tails' collector assemblies (atomic vapour based methods)

Especially designed or prepared 'product' and 'tails' collector assemblies for uranium metal in liquid or solid form.

EXPLANATORY NOTE

Components for these assemblies are made of or protected by materials resistant to the heat and corrosion of uranium metal vapour or liquid (such as yttria-coated graphite or tantalum) and may include pipes, valves, fittings, 'gutters', feed-throughs, heat exchangers and collector plates for     magnetic, electrostatic or other separation methods.

4. Separator module housings (atomic vapour based methods)

Especially designed or prepared cylindrical or rectangular vessels for containing the uranium metal vapour source, the electron beam gun, and the"product' and 'tails' collectors.

EXPLANATORY NOTE

These housings have multiplicity of ports for electrical and water feed-throughs, laser beam windows, vacuum pump connections and instrumentation diagnostics and monitoring. They have provisions for opening and closure to allow refurbishment of internal components.

5. Laser systems

Lasers or laser systems especially designed or prepared for the  separation of uranium isotopes.

EXPLANATORY NOTE

The lasers and laser components of importance in laser-based enrichment processes include those identified in INFCIRC/254/Part 2- (as amended). The laser system typically contains both optical and electronic components for the management of the laser beam (or beams) and the transmission to the isotope separation chamber. The laser system for atomic vapour based methods usually consists of tunable dye lasers pumped by another type of laser (e.g., copper vapour lasers or certain solid-state lasers). The laser system for molecular based methods may consist of CO2 lasers or excimer lasers and a multi-pass optical cell. Lasers or laser systems for both methods require spectrum frequency stabilization for operation over extended periods of time.

N.B.:SEE ALSO 6A005 AND 6A205.

h. Equipment and components, specially designed or prepared for molecular "laser" isotope separation process (MLIS) or chemical reaction by isotope selective laser activation (CRISLA), as follows:

1. Supersonic expansion nozzles (molecular based methods)

Especially designed or prepared supersonic expansion nozzles for cooling mixtures of UF6 and carrier gas to 150K (-123℃) or less and which are corrosion resistant to UF6.

2. 'Product' or 'tails' collectors (molecular based methods)

Especially designed or prepared components or devices for collecting uranium product material or uranium tails material following illumination with laser light.

EXPLANATORY NOTE

In one example of molecular laser isotope separation, the product collectors serve to collect enriched uranium pentafluoride (UF５) solid meterial. The product collectors may consist of filter, impact, or cyclone-type collectors, or combinations thereof, and must be corrosion resistant to the UF５/UF６ environment.

3. UF6/carrier gas compressors (molecular based methods)

Especially designed or prepared compressors for UF6/carrier gas mixtures, designed for long term operation in a UF6 environment. The components of these compressors that come into contact with process gas are made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6.

4. Rotary shaft seals (molecular based methods)

Especially designed or prepared rotary shaft seals, with seal feed and seal exhaust connections, for sealing the shaft connecting the compressor rotor with the driver motor so as to ensure a reliable seal against out-leakage of process gas or in-leakage of air or seal gas into the inner chamber of the compressor which is filled with a UF6/carrier gas mixture.

5. Fluorination systems (molecular based methods)

Especially designed or prepared systems for fluorinating UF5(solid) to UF6(gas).

EXPLANATORY NOTE

These systems are designed to fluorinate the collected UF5  powder to UF6 for subsequent collection in product containers or for transfer as feed for additional enrichment. In one approach, the fluorination reaction may be accomplished within the isotope separation system to react and recover directly off the ‘product’ collectors. In another approach, the UF5 powder may be removed/transferred from the ‘product’collectors into a suitable reaction vessel (e.g., fluidized-bed reactor, screw reactor or flame tower) for fluorination. In both approaches, equipment for storage and transfer of fluorine (or other suitable fluorinating agents) and for collection and transfer of UF6 are used.

6. UF6/carrier gas separation systems (molecular based methods)

Especially designed or prepared process systems for separating UF6 from carrier gas.

EXPLANATORY NOTE

These systems may incorporate equipment such as:

(a) Cryogenic heat exchangers or cryoseparators capable of temperatures of -153K (-120℃) or less, or

(b) Cryogenic refrigeration units capable of temperatures of -153K (-120℃) or less, or

(c) UF6 cold traps capable of freezing out UF6.

The carrier gas may be nitrogen, argon, or other gas.

7. Laser systems

Lasers or laser systems especially designed or prepared for the  separation of uranium isotopes.

EXPLANATORY NOTE

The lasers and laser components of importance in laser-based enrichment processes include those identified in INFCIRC/254/Part 2- (as amended). The laser system typically contains both optical and electronic components for the management of the laser beam (or beams) and the transmission to the isotope separation chamber. The laser system for atomic vapour based methods usually consists of tunable dye lasers pumped by another type of laser (e.g., copper vapour lasers or certain solid-state lasers). The laser system for molecular based methods may consist of CO2 lasers or excimer lasers and a multi-pass optical cell. Lasers or laser systems for both methods require spectrum frequency stabilization for operation over extended periods of time.

N.B.: SEE ALSO 2A522.

i. Especially designed or prepared systems, equipment and components for use in plasma separation enrichment plants.

INTRODUCTORY NOTE

In the plasma separation process, a plasma of uranium ions passes through an electric field tuned to the 235U ion resonance frequency so that they preferentially absorb energy and increase the diameter of their corkscrew-like orbits. Ions with a large-diameter path are trapped to produce a product enriched in 235U. The plasma, which is made by ionizing uranium vapour, is contained in a vacuum chamber with a high-strength magnetic field produced by a superconducting magnet. The main technological systems of the process include the uranium plasma generation system, the separator module with superconducting magnet (see INFCIRC/254/Part 2- (as amended)), and metal removal systems for the    collection of 'product' and 'tails'.

1. Microwave power sources and antennae

Especially designed or prepared microwave power sources and antennae for producing or accelerating ions and having the following characteristics: greater than 30 GHz frequency and greater than 50 kW mean power output for ion production.

2. Ion excitation coils

Especially designed or prepared radio frequency ion excitation coils for frequencies of more than 100 kHz and capable of handing more than 40 kW mean power.

3. Uranium plasma generation systems

Especially designed or prepared systems for the generation of uranium plasma for use in plasma separation plants.

[No longer used - since 14 June 2013]

5. Uranium metal 'product' and 'tails' collector assemblies

Especially designed or prepared 'product' and 'tails' collector assemblies for uranium metal in solid form. These collector assemblies are made of or protected by materials resistant to the heat and corrosion of uranium metal vapor, such as yttria-coated graphite or tantalum.

6. Separator module housings

Cylindrical vessels especially designed or prepared for use in plasma separation enrichment plants for containing the uranium plasma source, radio-frequency drive coil and the 'product' and 'tails' collectors.

EXPLANATORY NOTE

These housings have a multiplicity of ports for electrical feed-throughs, diffusion pump connections and instrumentation diagnostics and monitoring. They have provisions for opening and closure to allow for refurbishment of internal components and are constructed of a suitable non-magnetic material such as stainless steel.

j. Especially designed or prepared systems, equipment and       components for use in electromagnetic enrichment plants.

Electromagnetic isotope separators especially designed or prepared for the separation of uranium isotopes, and equipment and components therefor, including:

INTRODUCTORY NOTE

In the electromagnetic process, uranium metal ions produced by ionization of a salt feed material (typically UCI4) are accelerated and passed through a magnetic field that has the effect of causing the ions of different isotopes to follow different paths. The major components of an electromagnetic isotope separator include: a magnetic field for ion-beam diversion/separation of the isotopes, an ion source with its acceleration system, and a collection system for the separated ions. Auxiliary systems for the process include the magnet power supply system, the ion source high-voltage power supply system, the vacuum system, and extensive chemical handling systems for recovery of product and cleaning/recycling of components.

1. Ion sources

Especially designed or prepared single or multiple uranium ion sources consisting of a vapour source, ionizer, and beam accelerator, constructed of suitable materials such as graphite, stainless steel, or copper, and capable of providing a total ion beam current of 50mA or greater.

2. Ion collectors

Collector plates consisting of two or more slits and pockets especially designed or prepared for collection of enriched and depleted uranium ion beams and constructed of suitable materials such as graphite or stainless steel.

3. Vacuum housings

Especially designed or prepared vacuum housings for uranium electromagnetic separators, constructed of suitable non-magnetic materials such as stainless steel and designed for operation at pressures of 0.1 Pa or lower.

4. Magnet pole pieces

Especially designed or prepared magnet pole pieces having a diameter greater than 2m used to maintain a constant magnetic field within an electromagnetic isotope separator and to transfer the magnetic field between adjoining separators.

5. High voltage power supplies

Especially designed or prepared high-voltage power supplies for ion sources, having all of the following characteristics: capable of continuous operation, output voltage of 20,000V or greater, output current of 1 A or greater, and voltage regulation of better than 0.01% over a time period of 8 hours.

N.B.: SEE ALSO 3A227.

6. Magnet power supplies

Especially designed or prepared high-power, direct current magnet power supplies having all of the following characteristics: capable of continuously producing a current output of 500 A or greater at a voltage of 100V or greater and with a current or voltage regulation better than 0.01% over a period of 8hours.

N.B.: SEE ALSO 3A226.

specially designed or prepared auxiliary systems, equipment and components for isotope separation

INTRODUCTORY NOTE

The auxiliary systems, equipment and components for a gas centrifuge enrichment plant are the systems of plant needed to feed UF6 to the centrifuges, to link the individual centrifuges to each other to form cascades (or stages) to allow for progressively higher enrichments and to extract the 'product' and 'tails' UF6 from the centrifuges, together with the equipment required to drive the centrifuges or to control the plant.

Normally UF6 is evaporated from the solid using heated autoclaves and is distributed in gaseous form to the centrifuges by way of cascade header pipework. The 'product' and 'tails' UF6 gaseous streams flowing from the centrifuges are also passed by way of cascade header     pipework to cold traps (operating at about 203 K (-70℃)) where they are condensed prior to onward transfer into suitable containers for transportation or storage. Because an enrichment plant consists of many thousands of centrifuges arranged in cascades there are many kilometers of cascade header pipework incorporating thousands of welds with a substantial amount of repetition of layout. The equipment, components and piping systems are fabricated to very high vacuum and cleanliness standards.

EXPLANATORY NOTE

Some of the items listed below either come into direct contact with the UF6 process gas or directly control the centrifuges and the passage of the gas from centrifuge to centrifuge and cascade to cascade. Materials resistant to corrosion by UF6 include copper, copper alloys, stainless steel, aluminium, aluminium oxide, aluminium alloys, nickel or alloys containing 60% or more nickel and fluorinated hydrocarbon polymers.

a. Feed autoclaves, ovens, or systems used for passing UF6 to the enrichment process;

Feed systems/product and tails withdrawal systems

Especially designed or prepared process systems including:

Feed autoclaves, ovens, or systems used for passing UF6 to the enrichment process;

b. Desublimers, cold traps or pumps  used to remove UF6 from the enrichment process for subsequent transfer upon heating;

c. Solidification or liquefaction stations used to remove UF6 from the enrichment process by compressing and converting UF6 to a liquid or solid form;

d. ‘Product’ or ‘tails’stations used for transferring UF6 into containers.

'Product' and 'Tails' stations used for trapping UF6 into containers.

This plant, equipment and pipework is wholly made of or lined with UF6-resistant materials (see EXPLANATORY NOTE to this section) and is fabricated to very high vacuum and cleanliness standards.

e. Header piping systems

Especially designed or prepared header piping systems, made of or protected by materials resistant to corrosion by UF6, for handling UF6 within the aerodynamic cascades. This piping network is normally of the 'double' header design with each stage or group of stages connected to     each of the headers.

It is wholly made of or protected by UF6 - resistant materials (see EXPLANATORY NOTE to this section) and is fabricated to very high vacuum and cleanliness standards.

f. Vacuum systems and pumps

(a) Especially designed or prepared vacuum systems having a suction capacity of 5 ㎥/min or more, consisting of vacuum manifolds, vacuum headers and vacuum pumps, and designed for service in UF6-bearing atmospheres,

(b) Vacuum pumps especially designed or prepared for service in UF6-bearing atmospheres and made of or protected by materials resistant to corrosion  by UF6. These pumps may use fluorocarbon seals and special working fluids.

g. UF6 mass spectrometers/Ion sources

Especially designed or prepared mass spectrometers capable of taking on-line samples from UF6 gas streams and having all of the following:

Capable of measuring ions of 320 mass units or greater and having a resolution of better than 1 part in 320;

Ion sources constructed of or protected by nickel, nickel-copper alloys with a nickel content of 60% or more by weight, or nickel-chrome alloys;

Electron bombardment ionization sources;

Collector system suitable for isotopic analysis.

Plants for the conversion of uranium and equipment especially designed or prepared therefor

INTRODUCTORY NOTE

Uranium conversion plants and systems may perform one or more transformations from one uranium chemical species to another, including: conversion of uranium ore concentrates to UO3, conversion of UO3 to UO2, conversion of uranium oxides to UF4, UF6, or UCI4, conversion of UF4 to UF6, conversion of UF6 to UF4, conversion of UF4 to uranium metal, and conversion of uranium fluorides to UO2. Many of the key equipment items for uranium conversion plants are common to several segments of the chemical process industry. For example, the types of  equipment employed in these processes may include: furnaces, rotary kilns, fluidized bed reactors, flame tower reactors, liquid centrifuges, distillation columns and liquid-liquid extraction columns. However, few of the items are available "off-the-shelf"; most  would be prepared according to the requirements and specifications of the customer. In some instances, special design and construction considerations are required to address the corrosive properties of some of the chemicals handled(HF, F2, CIF3, and uranium fluorides) as well as nuclear criticality concerns. Finally, it should be noted that, in all of the uranium conversion processes, items of equipment which individually are not especially designed or prepared for uranium conversion can be assembled into systems which are especially designed or prepared for use in uranium conversion.

a. Especially designed or prepared systems for the conversion of uranium ore concentrates to UO3

EXPLANATORY NOTE

Conversion of uranium ore concentrates to UO3 can be performed by first dissolving the ore in nitric acid and extracting purified uranyl nitrate using a solvent such as tributyl phosphate. Next, the uranyl nitrate is converted to UO3 either by concentration and denitration or by neutralization with gaseous ammonia to produce ammonium diuranate with subsequent filtering, drying, and calcining.

b. Especially designed or prepared systems for the conversion of UO3 to UF6

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UO3 to UF6 can be performed directly by fluorination. The process requires a source of fluorine gas or chlorine trifluoride.

c. Especially designed or prepared systems for the conversion of UO3 to UO2

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UO3 to UO2 can be performed through reduction of UO3 with cracked ammonia gas or hydrogen.

d. Especially designed or prepared systems for the conversion of UO2 to UF4

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UO2 to UF4 can be performed by reacting UO2 with hydrogen fluoride gas (HF) at 300-500℃.

e. Especially designed or prepared systems for the conversion of UF4 to UF6

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UF4 to UF6 is performed by exothermic reaction with fluorine in a tower reactor. UF6 is condensed from the hot effluent gases by passing the effluent stream through a cold trap cooled to -10℃. The process requires a source of fluorine gas.

f. Especially designed or prepared systems for the  conversion of UF4 to U metal

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UF4 to U metal is performed by reduction with magnesium (large batches) or calcium (small batches). The reaction is carried out at temperatures above the melting point of uranium(1130℃).

g. Especially designed or prepared systems for the conversion of UF6 to UO2

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UF6 to UO2 can be performed by one of three processes. In the first, UF6 is reduced and hydrolyzed to UO2 using hydrogen and steam.  In the second, UF6 is hydrolyzed by solution in water, ammonia is added to precipitate ammonium diuranate, and the diuranate is reduced to UO2 with hydrogen at 820℃. In the third process, gaseous UF6, CO2, and NH3 are combined in water, precipitating ammonium uranyl carbonate. The ammonium uranyl carbonate is combined with steam and hydrogen at 500-600℃ to yield UO2.

UF6 to UO2 conversion is often performed as the first stage of a fuel fabrication plant.

h. Especially designed or prepared systems for the conversion of UF6 to UF4

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UF6 to UF4 is performed by reduction with hydrogen.

i. Especially designed or prepared systems for the conversion of UO2 to UCl4

EXPLANATORY NOTE

Conversion of UO2 to UCI4 can be performed by one of two processes. In the first, UO2 is reacted with carbon tetrachloride(CCI4) at approximately 400℃. In the second, UO2 is reacted at approximately 700℃ in the presence of carbon black (CAS 1333-86-4), carbon monoxide, and chlorine to yield UCI4.

Plants for the production or concentration of heavy water, deuterium and deuterium compounds and equipment especially designed or prepared therefor

INTRODUCTORY NOTE

Heavy water can be produced by a variety of processes. However, the two processes that have proven to be commercially viable are the water-hydrogen sulphide exchange process(GS process) and the ammonia-hydrogen exchange process.

The GS process is based upon the exchange of hydrogen and deuterium between water and hydrogen sulphide within a series of towers which are operated with the top section cold and the bottom section hot. Water flows down the towers while the hydrogen sulphide gas circulates from the bottom to the top of the towers. A series of perforated trays are used to promote mixing between the gas and the water. Deuterium migrates to the water at low temperatures and to the hydrogen sulphide at high temperatures. Gas or water, enriched in deuterium, is removed from the first stage towers at the junction of the hot and cold sections and the process is repeated in subsequent stage towers. The product of the last stage, water enriched up to 30% in deuterium, is sent to a distillation unit to produce reactor grade heavy water: i.e., 99.75% deuterium oxide.

The ammonia-hydrogen exchange process can extract deuterium from synthesis gas through contact with liquid ammonia in the presence of a catalyst. The synthesis gas is fed into exchange towers and to an ammonia converter. Inside the towers the gas flows from the bottom to the top while the liquid ammonia flows from the top to the bottom. The deuterium is stripped from the hydrogen in the synthesis gas and concentrated in the ammonia. The ammonia then flows into an ammonia cracker at the bottom of the tower while the gas flows into an ammonia converter at the top. Further enrichment takes place in subsequent stages and reactor grade heavy water is produced through final distillation. The synthesis gas feed can be provided by an ammonia plant that, in turn, can be constructed in association with a heavy water ammonia-hydrogen exchange plant. The ammonia-hydrogen exchange process can also use ordinary water as a feed source of deuterium.

Many of the key equipment items for heavy water production plants using GS or the ammonia-hydrogen exchange processes are common to several segments of the chemical and petroleum industries. This is particularly so for small plants using the GS process. However, few of the items are available "off-the-shelf". The GS and ammonia-hydrogen processes require the handling of large quantities of flammable, corrosive and toxic fluids at elevated pressures. Accordingly, in establishing the  design and operating standards for plants and equipment using these processes, careful attention to the materials selection and specifications is required to ensure long service life with high safety and reliability factors. The choice of scale is primarily a function of economics and need. Thus, most of the equipment items would be prepared according to the requirements of the customer.

Finally, it should be noted that, in both the GS and the      ammonia-hydrogen exchange processes, items of equipment which individually are not especially designed or prepared for heavy water production can be assembled into systems which are especially designed or prepared for producing heavy water. The catalyst production system used in the ammonia-hydrogen exchange process and water distillation systems used for the final concentration of heavy water to reactor-grade in either process are examples of such systems.

The items of equipment which are especially designed or prepared for the production of heavy water utilizing either the water-hydrogen sulphide exchange process or the ammonia-hydrogen exchange process include the following:

a. Plant for the production of heavy water, deuterium or deuterium compounds, as follows:

1. Water-hydrogen sulphide exchange plants;

2. Ammonia-hydrogen exchange plants;

b. Equipment and components, as follows:

1. Water-Hydrogen Sulphide Exchange Towers

Exchange towers with diameters of 1.5 m or greater and capable of operating at pressures greater than or equal to 2 MPa (300psi), especially designed or prepared for heavy water production utilizing the water-hydrogen sulphide exchange process.

2. Blowers and Compressors

Single stage, low head(i.e., 0.2 MPa or 30 psi) centrifugal blowers or compressors for hydrogen-sulphide gas circulation (i.e., gas containing more than 70% H2S) especially designed or prepared for heavy water production utilizing the water-hydrogen sulphide exchange process. These blowers or compressors have a throughput capacity greater than or equal to 56m3/second(120,000 SCFM) while operating at pressures greater than or equal to 1.8 MPa (260 psi) suction and have seals designed for wet H2S service.

3. Ammonia-Hydrogen Exchange Towers

Ammonia-hydrogen exchange towers greater than or equal to 35m(114.3 ft)in height with diameters of 1.5 m (4.9 ft)to 2.5m (8.2 ft) capable of operating at pressures greater than 15 MPa (2225 psi) especially designed or prepared for heavy water production utilizing the ammonia-hydrogen exchange process. These towers also have at least one flanged, axial opening of the same diameter as the cylindrical part through which the tower internals can be inserted or withdrawn.

4. Tower Internals and Stage Pumps

Tower internals and stage pumps especially designed or prepared for towers for heavy water production utilizing the ammonia-hydrogen exchange process. Tower internals include especially designed stage contactors which promote intimate gas/liquid contact. Stage pumps include especially designed submersible pumps for circulation of liquid      ammonia within a contacting stage internal to the stage towers.

5. Ammonia Crackers

Ammonia crackers with operating pressures greater than or equal to 3 MPa (450 psi) especially designed or prepared for heavy water production utilizing the ammonia-hydrogen exchange process.

6. Infrared Absorption Analyzers

Infrared absorption analyzers capable of "on-line" hydrogen/ deuterium ratio analysis where deuterium concentrations are equal to or greater than 90%.

7. Catalytic Burners

Catalytic burners for the conversion of enriched deuterium gas into heavy water especially designed or prepared for heavy water production utilizing the ammonia-hydrogen exchange process.

8. Complete heavy water upgrade systems or columns therefor

Complete heavy water upgrade systems, or columns therefor, especially designed or prepared for the upgrade of heavy water to reactor-grade deuterium concentration.

EXPLANATORY NOTE

These systems, which usually employ water distillation to separate heavy water from light water, are especially designed or prepared to produce reactor-grade heavy water(i.e., typically 99.75% deuterium oxide)from heavy water feedstock of lesser concentration.

9. Ammonia synthesis converters or synthesis units

Ammonia synthesis converters or synthesis units especially designed or prepared for heavy water production utilizing the ammonia-hydrogen exchange process.

EXPLANATORY NOTE

These converters or units take synthesis gas (nitrogen and hydrogen) from an ammonia/hydrogen high-pressure exchange column (or columns), and the synthesized ammonia is returned to the exchange column (or columns).

Plants for the fabrication of nuclear reactor fuel elements, and equipment especially designed or prepared therefor

INTRODUCTORY NOTE

Nuclear fuel elements are manufactured from one or more of the source or special fissionable materials mentioned in MATERIAL AND EQUIPMENT of this annex. For oxide fuels, the most common type of fuel, equipment for pressing pellets, sintering, grinding and grading will be present. Mixed oxide fuels are handled in glove boxes (or equivalent containment) until they are sealed in the cladding. In all cases, the fuel is hermetically sealed inside a suitable cladding which is designed to be the primary envelope encasing the fuel so as to provide suitable performance and safety during reactor operation. Also, in all cases, precise control of processes, procedures and equipment to extremely high standards is necessary in order to ensure predictable and safe fuel performance.

EXPLANATORY NOTE

Items of equipment that are considered to fall within the meaning of the phrase "“and equipment especially designed or prepared"” for the fabrication of fuel elements include equipment which

a.  normally comes in direct contact with, or directly processes, or controls, the production flow of nuclear material

b. seals the nuclear material within the cladding:

c. checks the integrity of the cladding or the seal ;

d. checks the finish treatment of the sealed fuel; or

e. is used for assembling reactor fuel elements.

Such equipment or systems of equipment may include, for example :

1) fully automatic pellet inspection stations especially designed or prepared for checking final dimensions and surface defects of the fuel pellets :

2) automatic welding machines especially designed or prepared for welding end caps onto the fuel pins (or rods) ;

3) automatic test and inspection stations especially designed or prepared for checking the integrity of completed fuel pins (or rods);

4) systems especially designed or prepared to manufacture nuclear fuel cladding.

Item 3 typically includes equipment for:a) x-ray examination of pin (or rod) end cap welds, b) helium leak detection from pressurized pins (or rods), and c) gamma-ray scanning of the pins (or rods) to check for correct loading of the fuel pellets inside.

Plants for the reprocessing of irradiated fuel elements, and equipment  especially designed or prepared therefor

INTRODUCTORY NOTE

Reprocessing irradiated nuclear fuel separates plutonium and uranium from intensely radioactive fission products and other transuranic elements. Different technical processes can accomplish this separation. However, over the years Purex has become the most commonly used and accepted process.  Purex involves the dissolution of irradiated nuclear fuel in nitric acid, followed by separation of the uranium, plutonium, and fission products by solvent extraction using a mixture of tributyl phosphate in an organic diluent.

Purex facilities have process functions similar to each other, including: irradiated fuel element chopping, fuel dissolution, solvent extraction, and process liquor storage. There may also be equipment for thermal denitration of uranium nitrate, conversion of plutonium nitrate to oxide or metal, and    treatment of fission product waste liquor to a form suitable for long term storage or disposal. However, the specific type and configuration of the equipment performing these functions may differ between Purex facilities for several reasons, including the type and quantity of irradiated nuclear fuel to be reprocessed and the intended disposition of the recovered materials, and the safety and maintenance philosophy incorporated into the design of the facility.

A "plant for the reprocessing of irradiated fuel elements", includes the equipment and components which normally come in direct contact with and directly control the irradiated fuel and the major nuclear material and fission product processing streams.

These processes, including the complete systems for plutonium conversion and plutonium metal production, may be identified by the measures taken to avoid criticality (e.g. by geometry), radiation exposure(e. g. by shielding), and toxicity hazards (e.g. by containment).

EXPORTS

The export of the whole set of major items within this boundary will take place only in accordance with the procedures of the Guidelines.

The Government reserves to itself the right to apply the procedures of the Guidelines to other items within the functionally defined boundary as listed below.

Items of equipment that are considered to fall within the meaning of the phrase "and equipment especially designed or prepared" for the reprocessing of irradiated fuel elements include:

a. Plant for the reprocessing of irradiated "nuclear reactor" fuel elements including equipment and components which normally come into direct contact with and directly control the irradiated fuel and the major nuclear material and fission product processing streams;

b. Irradiated fuel element chopping machines

Remotely operated equipment especially designed or prepared for use in a reprocessing plant as identified above and intended to cut, chop or shear irradiated nuclear fuel assemblies, bundles or rods.

EXPLANATORY NOTE

This equipment breaches the cladding of the fuel to expose the irradiated nuclear material to dissolution. Especially designed metal cutting shears are the most commonly employed, although advanced equipment, such as lasers, may be used.

c. Dissolvers

Critically safe tanks (e.g. small diameter, annular or slab tanks) especially designed or prepared for use in a reprocessing plant as identified above, intended for dissolution of irradiated nuclear fuel and which are capable of withstanding hot, highly corrosive liquid, and which can be remotely loaded and maintained.

EXPLANATORY NOTE

Dissolvers normally receive the chopped-up spent fuel. In these critically safe vessels, the irradiated nuclear material is dissolved in nitric acid and the remaining hulls removed from the process stream.

d. Solvent extractors and solvent extraction equipment

Especially designed or prepared solvent extractors such as packed or pulse columns, mixer settlers or centrifugal contactors for use in a plant for the reprocessing of irradiated fuel. Solvent extractors must be resistant to the corrosive effect of nitric acid. Solvent extractors are normally fabricated to extremely high standards (including special welding and inspection and quality assurance and quality control techniques) out of low carbon stainless steels, titanium, zirconium, or other high quality materials.

EXPLANATORY NOTE

Solvent extractors both receive the solution of irradiated fuel from the dissolvers and the organic solution which separates the uranium, plutonium, and fission products. Solvent extraction equipment is normally designed to    meet strict operating parameters, such as long operating lifetimes with no maintenance requirements or adaptability to easy replacement, simplicity of operation and control, and flexibility for variations in process conditions.

e. Chemical holding or storage vessels

Especially designed or prepared holding or storage vessels for use in a plant for the reprocessing of irradiated fuel. The holding or storage vessels must be resistant to the corrosive effect of nitric acid. The holding or storage vessels are normally fabricated of materials such as low carbon stainless steels, titanium or zirconium, or other high quality materials. Holding or storage vessels may be designed for remote operation and maintenance and may have the following features for control of nuclear criticality :

(1) walls or internal structures with a boron equivalent of   at least two percent, or

(2) a maximum diameter of 175 mm (7 in) for cylindrical     vessels, or

(3) a maximum width of 75 mm (3 in) for either a slab      or annular vessel.

EXPLANATORY NOTE

Three main process liquor streams result from the solvent extraction step. Holding or storage vessels are used in the further processing of all three streams, as follows:

(a) The pure uranium nitrate solution is concentrated by evaporation and passed to a denitration process where it is converted to uranium oxide. This oxide is re-used in the nuclear fuel cycle.

(b)  The intensely radioactive fission products solution is normally concentrated by evaporation and stored as a liquor concentrate. This concentrate may be subsequently evaporated and converted to a form  suitable for storage or disposal.

(c) The pure plutonium nitrate solution is concentrated and stored pending its transfer to further process steps. In particular, holding or storage vessels for plutonium solutions are designed to avoid criticality problems resulting from changes in concentration and form of the this stream

f. Neutron measurement systems for process control

Neutron measurement systems especially designed or prepared for integration and use with automated process control systems in a plant for the reprocessing of irradiated fuel elements.

EXPLANATORY NOTE

These systems involve the capability of active and passive neutron measurement and discrimination in order to determine the fissile material quantity and composition. The complete system is composed of a neutron generator, a neutron detector, amplifiers, and signal processing electronics.

The scope of this entry does not include neutron detection and measurement instruments that are designed for nuclear material accountancy and safeguarding or any other application not related to integration and use with automated process control systems in a plant for the reprocessing of irradiated fuel elements.

Plants for the conversion of plutonium and equipment especially designed   or prepared therefor

INTRODUCTORY NOTE

Plutonium conversion plants and systems perform one or more transformations from one plutonium chemical species to another, including: conversion of plutonium nitrate to PuO2, conversion of PuO2 to PuF4, and conversion of PuF4 to plutonium metal. Plutonium conversion plants are usually associated with reprocessing facilities, but may also be associated with plutonium fuel fabrication facilities. Many of the key equipment items for plutonium conversion plants are common to several segments of the chemical process industry. For example, the types of equipment employed    in these processes may include: furnaces, rotary kilns, fluidized bed reactors, flame tower reactors, liquid centrifuges, distillation columns and liquid-liquid extraction columns. Hot cells, glove boxes and remote manipulators may also be required. However, few of the items are available "off-the-shelf"; most would be prepared according to the requirements and specification of the customer. Particular care in designing for the special radiological, toxicity and criticality hazards associated with plutonium is essential. In some instances, special design and construction considerations are required to address the corrosive properties of some of the chemicals handled (e.g. HF). Finally, it should be noted that, for all plutonium conversion processes, items of equipment which individually are not especially designed or prepared for plutonium conversion can be assembled into systems which are especially designed or prepared for use in plutonium conversion.

a. Especially designed or prepared systems for the conversion of plutonium nitrate to oxide

EXPLANATORY NOTE

The main functions involved in this process are: process feed storage and adjustment, precipitation and solid/liquor separation, calcinations, product handling, ventilation, waste management, and process control. The process systems are particularly adapted so as to avoid criticality and radiation effects and to minimize toxicity hazards. In most reprocessing facilities, this process involves the conversion of plutonium nitrate to plutonium dioxide. Other process can involve the precipitation of plutonium oxalate or plutonium peroxide.

b. Especially designed or prepared systems for plutonium metal production

EXPLANATORY NOTE

The process usually involves the fluorination of plutonium dioxide, normally with highly corrosive hydrogen fluoride, to produce plutonium fluoride which is subsequently reduced using high purity calcium metal to produce metallic plutonium and a calcium fluoride slag. The main functions involved in this process are fluorination(e.g. involving equipment fabricated or lined with a precious metal), metal reduction(e.g. employing ceramic crucibles), slag recovery, product handling, ventilation, waste management and process control. The process systems are particularly adapted so as to avoid criticality and radiation effects and to minimize toxicity hazards. Other processes include the fluorination of plutonium oxalate or plutonium peroxide followed by a reduction to metal.

Materials

Source and special fissionable material

As defined in Article XX of the Statute of the International Atomic Energy  Agency

Source material

The term "source material" means uranium containing the mixture of isotopes occurring in nature; uranium depleted in the isotope 235; thorium; any of the foregoing in the form of metal, alloy, chemical compound, or concentrate; any other material containing one or more of the foregoing in such concentration as the Board of Governors shall from time to time determine; and such other material as the Board of Governors shall from time to time determine.

Special fissionable material

i) The term "Special fissionable material" means plutonium-239; uranium-233; uranium enriched in the isotopes 235 or 233 ; any material containing one or more of the foregoing ; and such other fissionable material as the Board of Governors shall from time to time determine ; but the term "special fissionable material" does not include source material.

ii) The term "uranium enriched in the isotopes 235 or 233" means uranium containing the isotopes 235 or 233 or both in an amount such that the abundance ratio of the sum of these isotopes to the isotope 238 is greater than the ratio of the isotope 235 to the isotope 238 occurring in nature.

However, for the purposes of the Guidelines, items specified in subparagraph (a) below, and exports of source or special fissionable material to a given recipient country, within a period of 12 months, below the limits specified in subparagraph (b) below, shall not be included:

(a) Plutonium with an isotopic concentration of
plutonium-238 exceeding 80%

Special fissionable material when used in gram quantities or less as a sensing component in instruments and

Source material which the Government is satisfied is to be used only in non-nuclear activities, such as the production of alloys or ceramics ;

(b) Special fissionable material   50 effective grams ;

Natural uranium             500 kilograms ;

Depleted uranium            1000 kilograms ; and

Thorium                     1000 kilograms.

Deuterium and heavy water

Deuterium heavy water (deuterium oxide) and any other deuterium compound in which the ratio of deuterium to hydrogen atoms exceeds 1:5000 for use in a nuclear reactor as defined in paragraph 1.1. above in quantities exceeding 200kg of deuterium atoms for any one recipient country in any period of 12 months.

Nuclear grade graphite

Graphite having a purity level better than 5 parts per million boron equivalent and with a density greater than 1.50g/cm3 for use in a nuclear reactor as defined in paragraph 1.1. above, in quantities exceeding 1 kilogram.

N.B.: SEE ALSO 1C107

EXPLANATORY NOTE

For the purpose of export control, the Government will determine whether or not the exports of graphite meeting the above specifications are for nuclear reactor use.

Boron equivalent (BE) may be determined experimentally or is calculated as the sum of BEz for impurities (excluding BEcarbon since carbon is not considered an impurity) including boron, where:

BEz(ppm) = CF x concentration of element Z (in ppm);

CF is the conversion factor : (σz x AB) divided by (σB x Az);

σB and σz are the thermal neutron capture cross sections (in barns) for naturally occurring boron and element Z respectively ; and AB and Az are   the atomic masses of naturally occurring boron and element Z respectively.

SOFTWARE CONTROLS

The transfer of “software” directly associated with any item in the List will be subject to as great a degree of scrutiny and controls as will the item itself, to the extent permitted by national legislation.

Controls on “software” transfer do not apply to information in “the public domain” or to “basic scientific research”.

“software” means a collection of one or more “programs” or “microprograms” fixed in any tangible medium of expression.

“microprograms” - A sequence of elementary instructions, maintained in a special storage, the execution of which is initiated by the introduction of its reference instruction into an instruction register.

“program” - A sequence of instructions to carry out a process in, or convertible into, a form executable by an electronic computer.

Technology

General Notes on the Controls of Technology

1. The object of these controls should not be defeated by the transfer of component parts. Each government will take such actions as it can to achieve this aim and will continue to seek a workable definition for component parts, which could be used by all suppliers.

2. With reference to Paragraph 9(b)(2) of the Guidelines, same type should be understood as when the design, construction or operating processes are based on the same or similar physical or chemical processes as those identified in the Trigger List.

3. Suppliers recognize the close relationship for certain isotope separation processes between plants, equipment and technology for uranium enrichment and that for isotope separation of “other elements” for research, medical and other nonnuclear industrial purposes. In that regard, suppliers should carefully review their legal measures, including export licensing regulations and information/technology classification and security practices, for isotope separation activities involving “other elements” to ensure the implementation of appropriate protection measures as warranted. Suppliers recognize that, in particular cases, appropriate protection measures for isotope separation activities involving “other elements” will be essentially the same as those for uranium enrichment. (See Introductory Note in Section 5 of the Trigger List.) In accordance with Paragraph 17(a) of the Guidelines, suppliers shall consult with other suppliers as appropriate, in order to promote uniform policies and procedures in the transfer and protection of plants, equipment and technology involving isotope separation of “other elements”. Suppliers should also exercise appropriate caution in cases involving the application of equipment and technology, derived from uranium enrichment processes, for other non-nuclear uses such as in the chemical industry.

Specific Notes on the Controls of Technology

"Technology" according to the Nuclear Technology Note for the "development", "production" or "use" of goods specified in this Category.

Controls on "technology" transfer do not apply to information "in the public domain" or to "basic scientific research".

"Basic scientific research" - Experimental or theoretical work undertaken principally to acquire new knowledge of the fundamental principles of phenomena and observable facts, not primarily directed towards a specific practical aim or objective.

"In the public domain" as it applies herein, means “technology” or “software” that has been made available without restrictions upon its further dissemination. (Copyright restrictions do not remove “technology” or “software” from being in the public domain.)

Upon controls on "technology" transfer for nuclear non-proliferation reasons, suppliers should promote protection of this technology for the design, construction, and operation of trigger list facilities in consideration of th risk of terrorist attacks, and should stress to recipients the necessity of doing so.

"Technology" means specific information required for the "development", "production", or "use" of any  item contained in the list. This information may take the form of "technical data", or "technical assistance".

"development" is related to all phases before "production" such as : design, design research, design analysis, design concepts, assembly and testing of prototypes, pilot production schemes, design data, process of transforming design data into a product, configuration design, integration design, layouts

"production" means all production phases such as : construction, production engineering, manufacture, integration, assembly (mounting), inspection, testing, quality assurance

"technical assistance" may take forms such as : instruction, skills, training, working knowledge, consulting services. "Technical assistance" may involve transfer of "technical data".

“technical data" may take forms such as blueprints, plans, diagrams, models, formulae, engineering designs and specifications, manuals and instructions written or recorded on other media or devices such as disks, tape, read-only memories.

“use" - operation, installation (including on-site installation), maintenance (checking), repair, overhaul or refurbishing

부록 - 초민감품목

Very Sensitive List

1A002.a

1C001

1C012

1E001

5A001.b.5

5A001.h

5D001.a

5E001.a

6A001.a.1.b.1

6A001.a.2.a.1

6A001.a.2.a.2

6A001.a.2.a.3

6A001.a.2.a.5

6A001.a.2.a.6

6A001.a.2.b

6A001.a.2.c

6A001.a.2.e

6A001.a.2.f

6A008.l.3

6B008

6D001

6D003.a

6E001

6E002

7D003.a.

7D003.b

8A001.b.

8A001.d

8A002.o.3.b

8D001

8E001

9A011

9D001

9D002

9E001

9E002

9E003.a.1

9E003.a.3.a

주의

내용을 중략한 통제번호의 경우, 전체 내용은 이중용도품목 리스트를 참조할 것. 이중용도품목 리스트와 다른 부분은 음영으로 표시되어 있음

제1부

유기물 "모재(Matrix)"를 갖고 1C010.c, 1C010.d. 또는 1C010.e.에 의해 명시된 소재로 만들어진 것으로 구성된 복합재료 또는 적층재료

전자파의 흡수체로 사용될 목적으로 전용 설계된 소재...

다음과 같은 소재...

이 리스트(초민감품목)의 1A002 또는 1C에 명시된 장비 및 소재의 개발 및 생산에 대한 일반기술해설에 규정되어 있는 기술

제2부

없음

제3부

없음

제4부

없음

제5부 - 제1장

디지털 방식으로 제어되는 무선 수신기...

급조 폭발물 방지 장비와 관련 장비...

이 리스트(초민감품목)의 제5부 - 제 1장에서 통제되는 장비나 기능, 특성의 "개발", “생산” 또는 “사용”을 위해 전용 설계된 "소프트웨어"

이 리스트(초민감품목)의 제5부 - 제1장에서 규정된 장비, 기능, 특성 및 “소프트웨어”의 “개발” 또는 “생산”을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”

제5부 - 제2장

없음

제6부

동작주파수범위가 30Hz～2kHz인 장비로서 음압레벨이 210dB (1m에서 1μPa 기준)를 초과하는 물체 또는 위치 탐치 탐지에 전용설계 된 시스템 또는 송수신 어레이

수중청음기... ...내장한...

수중청음기... ....유연한 조립체를 내장한 ...

수중청음기... ...다음 중 어느 하나 ...

수중청음기... ...제공하도록 설계된...

수중청음기... ...설계한 것...

견인(towed) 음파 수중청음기 어레이...

견인(towed) 음파 수중청음기 어레이용으로 전용 설계된 신호처리장비로서 “사용자에 의해 프로그램변경이 가능”하고 시간영역 또는 주파수 영역 처리 및 상관(correlation)을 가지며, 실시간 응용을 위한 것. 여기에는 고속 푸리에 변환 또는 다른 변환이나 처리를 이용한 스펙트럼 분석, 디지털 필터링과 빔 형성을 포함한다.

해저 또는 베이(bay) 케이블 수중청음기 어레이장치로서 다음 중 하나의 것

1. ...수중청음기를 내장한... 또는

2. 다중화 된 수중청음기군 신호 모듈이 내장된 것...

해저 또는 베이(bay)케이블 시스템으로 전용 설계된 신호처리 장비로서 “사용자에 의해 프로그램변경이 가능”하고 시간영역 또는 주파수 영역 처리 및 상관(correlation)을 가지며, 실시간 응용을 위한 것. 여기에는 고속 푸리에 변환 또는 다른 변환이나 처리를 이용한 스펙트럼 분석, 디지털 필터링과 빔 형성을 포함한다.

<삭  제>

펄스레이더 단면...

이 리스트(초민감품목)의 6A008 또는 6B008에 의해 통제되는 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

“소프트웨어”로서 다음의 것...

이 리스트(초민감품목)의 6A, 6B 또는 6D에 의해 통제되는 장비 또는 “소프트웨어”의 “개발”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

이 리스트(초민감품목)의 6A, 6B에 의해 통제되는 장비의 “생산”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술

제7부

...전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

..."소스코드"

제8부

유인, 밧줄이 없는 잠수정...

무인, 밧줄이 없는 잠수정...

...소음 감소․제거 장치

이 리스트(초민감품목)의 8A에 규정된 장비의 "개발" 또는 생산을 위해 전용 설계된 "소프트웨어"

이 리스트(초민감품목)의 8A에 의해 규정된 장비의 개발 또는 생산을 위한 일반기술해설에 의한 “기술”

제9부

램제트, 스크램제트, 복합(combined) 사이클 엔진...

이 리스트(초민감품목)의 9A 또는 9E003에 명시된 장비 또는 “기술“의 “개발”을 위해 전용 설계 또는 개조된 “소프트웨어”

이 리스트(초민감품목)의 9A에 명시된 장비의 “생산”을 위해 전용 설계 또는 개조된 “소프트웨어”

이 리스트(초민감품목)의 9A011 혹은 9D에 명시된 장비 또는 “소프트웨어”의 “개발”에 대한 일반기술해설에 따른 “기술”

이 리스트(초민감품목)의 9A011에 명시된 장비의 “생산”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

그 밖의 “기술”... ...가스터빈 블레이드...

...필요한 기술

...로 제조된 부품

588K(315℃)를 넘는 온도에서 작동되도록 설계된 유기 “복합”소재

N.B.

Where abbreviated entries are used, see List of Dual-Use Goods Lists for full details. Text that differs from that in the List of Dual Use Goods and Technologies is shaded.

CATEGORY 1

“Composite" structures or laminates consisting of an organic "matrix" and made from materials specified in 1C010.c. or 1C010.d.

Materials specially designed for use as absorbers of electromagnetic waves...

Materials as follows...

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 1A002 or 1C of this List.

Category 2

None

Category 3

None

Category 4

None

Category 5 - Part 1

Digitally controlled radio receivers....

Counter Improvised Explosive Device (IED) equipment and related

equipment...

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment, functions or features specified in Catagory 5, Part 1 of this List

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment, functions, features or "software" specified in Cartegory 5, Part 1 of this List.

Category 5 - Part 2

None

CATEGORY 6

Systems or transmitting and receiving arrays, designed for object

detection or location, having a sound pressure level exceeding 210 dB

(reference 1 μPa at 1 m) and an operating frequency in the band from 30Hz to 2 kHz.

Hydrophones...Incorporating…

Hydrophones...Incorporating flexible assemblies...

Hydrophones...Having any...

Hydrophones...Designed to operate …

Hydrophones...Designed for...

Towed acoustic hydrophone arrays...

Processing equipment, specially designed for real time appolication with towed acoustic hydrophone arrays, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;

Bottom or bay-cable hydrophone arrays having any of the following:

1. Incorporating hydrophones .... or

2. Incorporating multiplexed hydrophone group signal modules

Processing equipment, specially designed for real time appolication with bottom or bay cable systems, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;

Not used

Pulse radar cross-section...

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 6A008 or 6B008 of this List.

“Software", as followes:...

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 6A, 6B or 6D of this List.

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 6A or 6B of this List.

CATEGORY 7

"Software" specially designed or modified to...

"Source code" for ...

CATEGORY 8

Manned, untethered submersible vehicles...

Unmanned, untethered submersible vehicles...

Active noise reduction or cancellation systems...

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 8A of this List.

"Technology"  according to the General Technology Note for the "development"  or "production"  of equipment specified in 8A of this List.

CATEGORY 9

Ramjet, scramjet or combined cycle engines...

"Software" specially designed or modified for the "development" of equipment or "technology" specified in 9A or 9E003 of this List.

"Software" specially designed or modified for the "production" of equipment specified in 9A of this List.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 9A011 or 9D of this List.

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment  specified in 9A011 of this List

Other "technology"... Gas turbine blades...

"Technology" "required" for …

Components manufactured from...

Organic "composite" materials designed to operate above 588 K (315°C).

부록 - 민감품목

Sensitive List

1A002

1C001

1C007.c

1C007.d

IC010.c

IC010.d

1C012

1D002

1E001

1E002.e

1E002.f

2D001

2E001

2E002

3A002.g.1

3B001.a.2.

3D001

3E001

4A001.a.2.

4D001

4E001

5A001.b.3

5A001.b.5

5A001.h

5B001.a

5D001.a

5D001.b.

5E001.a.

6A001.a.1.b

6A001.a.1.e

6A001.a.2.a.1

6A001.a.2.a.2

6A001.a.2.a.3

6A001.a.2.a.5

6A001.a.2.a.6

6A001.a.2.b

6A001.a.2.c

6A001.a.2.d

6A001.a.2.e.

6A001.a.2.f

6A002.a.1.a6A002.a.1.b

6A002.a.1.c

6A002.a.1.d

6A002.a.2.a

6A002.a.2.b

6A002.a.3

6A002.b

6A002.c

6A003.b.3

6A003.b.4

6A003.b.5

6A004.c

6A004.d

6A006.a.1

6A006.c.1

6A006.d

6A006.e

6A008.d

6A008.h

6A008.k

6A008.l.3

6B008

6D001

6D003.a

6E001

6E002

7D002

7D003.a

7D003.b

7D003.c

7D003.d.1 ~4 & 7

7E001

7E002

8A001.b

8A001.c

8A001.d

8A002.b

8A002.h

8A002.j

8A002.o.3

8A002.p

8D001

8D002

8E001

8E002

9A011

9B001.b

9D001

9D002

9D004.a

9D004.c

9E001

9E002

9E003.a.1

9E003.a.2

9E003.a.3

9E003.a.4

9E003.a.5

9E003.a.8

9E003.h

주의

내용을 중략한 통제번호의 경우, 전체 내용은 이중용도품목 리스트를 참조할 것. 이중용도품목 리스트와 다른 부분은 음영으로 표시되어 있음

제1부

“복합재료” 구조물 또는 적층구조물...

전자파의 흡수체로 사용될 목적으로 제조된 재료...

...세라믹-세라믹 “복합재료”

...“섬유 또는 필라멘트 소재"...

다음과 같은 물질...

이 리스트(민감품목)에 의해 통제되는 유기"모체", 금속"모체" 또는 탄소"모체"의 적층구조 또는 "복합재료"를 개발하기 위한 "소프트웨어"

이 리스트(민감품목)의 1A002, 1C에 의해 통제되는 장비와 재료의 "개발" 및 "생산"에 대한 기술일반사항에 규정되어 있는 "기술"

기타 기술...

제2부

2D002에서 통제하지 않는 소프트웨어로, 다음 장비의 “개발” 또는 “생산” 을 위해 특별히 설계된 것

a. 터닝가공 공작기계로 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)이고,

2. “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 2개 이상인 것;

b. 밀링가공 공작기계로 다음 특성 중 하나를 갖는 것

1. 다음 모두를 갖는 것

a. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(보다 우수한)이고,

b. “윤곽제어”를 위해 동시 제어될 수 있는 3개의 직선 축과 1개의 회전축을 갖는 것;

2. “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 5개 이상이고, 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 ISO230/2(2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)인 것

3. 지그보링머신의 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”  위치정밀도가 ISO230/2 (2006)나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)인 것,

c. 방전가공기(EDM)로서 2B001.d에 명시된 것;

d. 심공드릴머신으로서 2B001.f에 명시된 것;

e. “수치제어” 또는 수동 공작기계로서 2B003에 명시된 것.

이 리스트(민감품목)의 2D에 규정된 “소프트웨어”의 “개발” 또는 다음 장비의 “개발“을 위한 일반기술해설에 따른 ”기술“

a. 터닝가공 공작기계로 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)이고,

2. “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 2개 이상인 것;

b. 밀링가공 공작기계로 다음 특성 중 하나를 갖는 것

1. 다음 모두를 갖는 것

a. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(보다 우수한)이고,

b. “윤곽제어”를 위해 동시 제어될 수 있는 3개의 직선 축과 1개의 회전축을 갖는 것;

2. “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 5개 이상이고, 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 ISO230/2(2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)인 것

3. 지그보링머신의 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”  위치정밀도가  ISO230/2 (2006)나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)인 것,

c. 방전가공기(EDM)로서 2B001.d에 명시된 것;

d. 심공드릴머신으로서 2B001.f에 명시된 것;

e. “수치제어” 또는 수동 공작기계로서 2B003에 명시된 것.

다음의 장비의 “생산”에 대한 일반기술해설에 따른 “기술”

a. 터닝가공 공작기계로 다음 특성을 모두 갖는 것

1. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)이고

2. “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 2개 이상인 것;

b. 밀링가공 공작기계로 다음 특성 중 하나를 갖는 것

1. 다음 모두를 갖는 것

a. 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”위치정밀도가 ISO 230/2 (2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)이고,

b. “윤곽제어”를 위해 동시 제어될 수 있는 3개의 직선 축과 1개의 회전축을 갖는 것;

2. “윤곽제어”를 위해 동시에 제어될 수 있는 축이 5개 이상이고, 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후” 위치정밀도가 ISO230/2(2006)이나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)인 것

3. 지그보링머신의 한 개 이상의 직선축의 “모든 가능한 보정 후”위치정밀도가  ISO230/2 (2006)나 국내 동등 규격에 따라 3㎛ 이하(같거나 더 우수한)인 것,

c. 방전가공기(EDM)로서 2B001.d에 명시된 것;

d. 심공드릴머신으로서 2B001.f에 명시된 것;

e. “수치제어” 또는 수동 공작기계로서 2B003에 명시된 것.

제3부

우주용 원자 주파수 표준기(atomic frequency standards)

<삭 제>

이 리스트(민감품목)의 3A002.g 또는 3B에서 통제되는 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

이 리스트(민감품목)의 3A 또는 3B에서 통제되는 장비의 “개발” 또는 ”생산“을 위한 [일반기술해설]에 따른 ”기술“

제4부

전자식(Electronic) 컴퓨터... 방사선에 의한 영향을 방지...

이 리스트(민감품목)의 4A에 의해 통제되는 장비의 개발, 생산 또는 최적수행성능(“APP")이 0.1 Weighted TeraFLOPS (WT)를 초과하는 디지털컴퓨터의 "개발", "생산"을 위해 전용 설계된 소프트웨어

다음의  장비,  소프트웨어의 ”개발“, ”생산“을 위한 [일반기술해설]에 따른 기술

- 이 리스트(민감품목)의 4A에 명시된 장비

- 최적수행성능(“APP")이 0.1 Weighted TeraFLOPS (WT)를 초과하는 디지털컴퓨터 또는

- 이 리스트(민감품목)의 4D에 명시된 소프트웨어

제5부 - 제1장

...무선장비로서...

디지털 방식으로 제어되는 무선 수신기로서...

급조 폭발물 방지 장비와 관련 장비...

이 리스트(민감품목)의 5A001에 의해서 통제되는 장비, 기능 또는 특성의 “개발”, “생산” 또는 “사용”을 위해 전용 설계된 장비와 이를 위해 전용 설계된 부품 및 부속품

이 리스트(민감품목)의 5A001에서 통제하는 장비나 기능, 특성의 “개발”, “생산”을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

이 리스트(민감품목)의 5E001에서 통제하는 “기술”을 지원하기 위해 전용 설계되거나 개조된 “소프트웨어“

이 리스트(민감품목)의 5A001에 명시된 장비, 기능, 특성 또는 5D001에 명시된 “소프트웨어”의 “개발”, “생산”을 위한 [일반기술해설]에 따른 “기술”

제5부 - 제2장

없음

제6부

물체 또는 위치 탐치 탐지에 전용설계 된 시스템 또는 송수신 어레이로서 다음 중 하나의 것

1. 송신주파수가 5 kHz 미만 또는 동작주파수범위가 5kHz～10kHz인 장비로서 음압레벨이 224dB (1m에서 1μPa 기준)를 초과하는 것

2. ... 음압레벨이 224dB (1m에서 1μPa 기준)를 초과...

3. ... 음압레벨이 235dB (1m에서 1μPa 기준)를 초과...

4. ... 음향 빔...

5. ... 제공하도록 설계된...

6. ... 견딜 수 있도록 설계한....

...능동 개별 소나...

수중청음기... ...내장한...

수중청음기... ....유연한 조립체를 내장한 ...

수중청음기... ...다음 중 어느 하나 ...

수중청음기... ...제공하도록 설계된...

수중청음기... ...설계한 것...

견인 수중청음기 어레이....

해저 또는 베이(bay)케이블 시스템으로 전용 설계된 신호처리 장비로서 “사용자에 의해 프로그램변경이 가능”하고 시간영역 또는 주파수 영역 처리 및 상관(correlation)을 가지며, 실시간 응용을 위한 것. 여기에는 고속 푸리에 변환 또는 다른 변환이나 처리를 이용한 스펙트럼 분석, 디지털 필터링과 빔 형성을 포함한다.

선수 방위 센서...

해저 또는 베이(bay) 케이블 수중청음기 어레이 장치로서 다음 중 하나의 것

1. ...수중청음기를 내장한... 또는

2. 다중화 된 수중청음기군 신호 모듈이 내장된 것...

해저 또는 베이(bay)케이블 시스템으로 전용 설계된 실시간 응용을 위한 신호처리 장비로서 “사용자에 의해 프로그램변경이 가능”하고 시간영역 또는 주파수 영역 처리 및 상관(correlation)을 가지는 것. 여기에는 고속 푸리에 변환 또는 다른 변환이나 처리를 이용한 스펙트럼 분석, 디지털 필터링과 빔 형성을 포함한다.

“우주용” 고체상태 검출기...

“우주용” 초점면배열...

영상증배관...

1. ...최대응답...

2. ...전자영상증폭...

3. ... 광음극(Photocathodes) ...

a. 감광도가 700㎂/ℓm을 초과하는  멀티알카리 광음극(S-20, S-25)

b. GaAs 또는 GaInAs 광음극

c. 기타 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 광음극

영상증배관 ...

비 “우주용” “초점면 배열(focal plane arrays)”...

주3

6A002.a.3.에서는 다음과 같은 이 리스트(민감품목)의 “초점면배열”에는 적용되지 않는다.

a. 10,000개 미만의의 개별소자를 가진 백금 규소 화합물(PtSi)“초점면배열”

b. 이리듐 규소 화합물 “초점면배열”

주4

6A002.a.3.에서는 이 리스트(민감품목)의 다음과 같은 “초점면배열”에는 적용되지 않는다.

a. 256개 미만의 개별소자를 가진 안티몬화(化) 인듐(InSb) 혹은 납 셀레나이드(PbSe)“초점면배열”

b. 인듐비화(InAs) “초점면배열”

c. 황화납(PbS) “초점면배열”

d. 인듐 갈륨 알세나이드(InGaAs) “초점면배열”

주5

6A002.a.3.에서는 이 리스트(민감품목)의 다음과 같은 카드뮴 수은 텔루라이드(HgCdTe) “초점면배열”에는 적용되지 않는다.

a. 다음과 같은 스케닝 어레이

1. 30개 이하의 개별소자

2. 개별소자 내에 TDI(time delay and integration)를 탑재하고 2개 이하의 개별소자를 갖는 것

b. 256개 미만의 개별소자를 갖는 .'Staring Arrays'

기술해설

1. 'Scanning Arrays' 는 하나의 영상을 만들기 위해 순차적인 방식으로 이미지를 만드는 스캐닝 광학시스템 용도로 설계된  “초점면배열”을 의미한다.

2. 'Staring Arrays' 는 이미지를 만드는 비-스캐닝 광학시스템 용도로 설계된  “초점면배열”을 의미한다.

주6

6A002.a.3.에서는 이 리스트(민감품목)의 다음과 같은 “초점면배열”에는 적용되지 않는다.

a. 256개 미만의 개별소자를 갖는 갈륨비소(GaAs) 혹은 갈륨알루미늄비소(GaAlAs) 양자우물“초점면배열”

b. 8,000개 미만의 개별소자를 갖는 마이크로볼로미터 “초점면배열”

주7

6A002.a.3.g 항은 4,096 소자 미만을 가지고 ‘전하 증폭’을 달성하기 위해 특별히 설계되거나 개조된 선형(1-D) "초점면배열“에는 적용하지 않는다.

주8

6A002.a.3.g 항은 4,096개의 최대 선형 소자와 250,000개 미만의 총 소자를 가지고 ‘전하 증폭’을 달성하기 위해 특별히 설계되거나 개조된 비선형(2-D) "초점면배열“에는 적용하지 않는다.

“단일 스펙트럼 이미지센서” 및 “다중 스펙트럼 이미지센서” ...

‘직시’ 영상 장비로서 다음 중 하나를 내장한 것

1. 이 리스트(민감품목)의 6A002.a.2.a항 또는 6A002..a.2.b 항에서 열거한 특성을 갖는 영상증배관

2. 이 리스트(민감품목)의 6A002.a.3항에서 열거한 특성을 갖는 "초점면배열“; 또는

3. 6A002.a.1에 명시한 반도체 검출기

이 리스트(민감품목)의 6A002.a.2.a 또는 6A002.a.2.b에 열거된 특성을 가지는 영상증배관를 내장한 영상 카메라

주 6A003.b.3은 수중용도로 특별히 설계되거나 개조된 영상카메라에는 적용하지 않는다

“초점면배열”을 내장한 영상카메라로서 다음 중 하나의 것

a. 이 리스트(민감품목)의 6A002.a.3.a에서부터 6A002.a.3.e까지 규정한 “초점면배열”을 내장한 경우

b. 이 리스트(민감품목)의 6A002.a.3.f에 규정한 “초점면배열”을 내장한 경우

c. 이 리스트(민감품목)의 6A002.a.3.g에 규정한 “초점면배열”을 내장한 경우

주 1 ...

주 2 ...

주 3 ...

주 4 ...

주5 6A003.b.4.c는 수중용으로 특별히 설계되거나 개조된 영상카메라에는 적용하지 하지 않는다.

6A002.a.1에 규정된 반도체 검출기를 장착한 영상카메라

“우주용” 광학시스템 부품 ...

광학 제어장비 ...

“초전도체”“기술”을 사용하는 자기계 ...

광학적 펌프 또는 핵자기 공명(proton/ Overhauser) “기술”을 사용하는 자기계 “잡음레벨”(감도)이 2pT (rms) /[eqn: rm root{Hz}] 미만(보다 우수한)일때

이 리스트(민감품목)의 6A006.a.1. 또는 6A006.a.2. 에 의해 수출통제가 되는 복합“자기계”를 사용하는 “자기경도측정기”

다음을 위한 “보상시스템”

1. “감도"가 1 Hz의 주파수에서 2pT (rms) / [eqn: rm root{Hz}] 미만(보다 우수한)인 광학적 펌프 또는 핵자기 공명(proton/ Overhauser)“기술”을 사용하고 6A006.a.2.에서 통제되는 자기센서

2.  6A006.b에서 통제되는 수중전기장센서

3.   “감도"가 1 Hz의 주파수에서 3pT/m (rms) / [eqn: rm root{Hz}] 미만(보다 우수한)인 6A006.c.에서 통제되는 자기경도계]

이 리스트(민감품목)의 6A006.a.1 또는 6A006.a.2.에서 규정된 자기계를 채용한 수중 전자기장

레이더 시스템 ... 가능한...

레이더 시스템 ... 신호처리...

레이더 시스템 ...  “신호처리” ...

<삭  제>

펄스레이더 단면측정 ...

이 리스트(민감품목)의 6A004, 6A008, 6B008에 의해 통제되는 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 “소프트웨어”

“소프트웨어”로서 다음의 것 ...

... 따른 “기술”

이 리스트(민감품목)의 6A 혹은 6B에 의해 통제되는 장비 또는 재료의 “생산”을 위한 일반기술해설에 따른 “기술”

제7부

...에 작동 또는 유지되는 “소스코드(source code)” ...

... 전용 설계되거나 개조된 "소프트웨어"

... "소스코드"

... "소스코드"

삭제(Not used since 2012)

... 일반기술해설에 의거한 “기술”

... 일반기술해설에 의거한 “기술”

제8부

유인, 밧줄이 없는 잠수정 ...

... 무인, 밧줄이 달린 잠수정 ...

무인, 밧줄이 없는 잠수정...

이 리스트(민감품목)의 8A001에 의해 수출 통제되는 잠수정용 장비의 동작을 자동제어하기 위해 전용 설계․개조된 시스템으로서 항해 자료를 사용하고 폐회로(closed loop) 보조제어(servo-control)장치를 갖는 것으로 다음 중 하나의 성능을 가진 것

1. ... 움직일 수 있는 ...

2. ... 유지시킬 수 있는 ...

3. ... 유지시킬 수 있는 ...

... 수중용으로 전용 설계된 "로봇" ...

공기에 무관한 동력장치 ...

... 선박에 이용되는 소음감소장치 ..

... 펌프제트 (pumpjet) 추진 시스템

이 리스트(민감품목)의 8A에 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위해 전용 설계된 "소프트웨어"

... 특정 "소프트웨어"

이 리스트(민감품목)의 8A에 장비의 “개발” 또는 “생산”을 위한 일반기술해설에 의한 “기술”

기타의 기술 ...

제9부

램제트(ramjet), 스크램제트, 복합(combined) 사이클엔진 ...

세라믹 심층부(core) 또는 주형

이 리스트(민감품목)의 9A, 9B 또는 9E003에 명시된 장비 또는 “기술“의 “개발”을 위해 전용 설계 또는 개조된 “소프트웨어”

이 리스트(민감품목)의 9A 또는 9B에 명시된 장비의 “생산”을 위해 전용 설계 또는 개조된 “소프트웨어”

기타 소프트웨어 ... 2D 혹은 3D ...

기타 소프트웨어 ... 소프트웨어 ...

... 일반기술해설에 따른 “기술”

... 일반기술해설에 따른 “기술”

기타의 기술... 가스터빈 블레이드 ...

기타의 기술...

N.B.

Where abbreviated entries are used, see List of Dual-Use Goods Lists for full details. Text that differs from that in the List of Dual Use Goods and Technologies is shaded.

CATEGORY 1

"Composite" structures or laminates...

Materials specially designed for use as absorbers of electromagnetic waves...

Ceramic-ceramic "composite" materials...

"Fibrous or filamentary materials"...

Materials as follows...

"Software" for the "development" of organic "matrix", metal "matrix" or carbon "matrix" laminates or "composites" specifed in this List

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment and materials specified in 1A002 or 1C of this List.

Other. "Technology" ...

CATEGORY 2

"Software", other than that specified in 2D002, specially designed for the "development" or "production" of equipment as follows:

a. Machine tools for turning, having all of the following:

1. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; and

2. Two or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

b. Machine tools for milling, having any of the following characteristics:

1. Having all of the following:

a. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; and

b. Three linear axes plus one rotary axis which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

2. Five or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control" and have a positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO230/2(2006) or national equivalents along one or more linear axis; or

3. A positioning accuracy for jig boring machines, with "all compensations available", equal to or  less (better) than 3µm according to ISO230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis;

c. Electrical discharge machines (EDM) as specified in 2B001.d;

d. Deep-hole-drilling machines as specified in 2B001.f;

e. "Numerically controlled" or manual machine tools as specified in 2B003.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" in 2D of this List or for the "development" of the following equipment as follows:

a. Machine tools for turning, having all of the following:

1. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; and

2. Two or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

b. Machine tools for milling, having any of the following:

1. Having all of the following:

a. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; and

b. Three linear axes plus one rotary axis which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

2. Five or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control" and have a positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO230/2(2006) or national equivalents along one or more linear axis; or

3. A positioning accuracy for jig boring machines, with "all compensations available", equal to or  less (better) than 3µm according to ISO230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis;

c. Electrical discharge machines (EDM) as specified in 2B001.d;

d. Deep-hole-drilling machines as specified in 2B001.f;

e. "Numerically controlled" or manual machine tools as specified in 2B003.

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of the following equipment as follows:

a. Machine tools for turning, having all of the following:

1. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; and

2. Two or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

b. Machine tools for milling, having any of the following characteristics:

1. Having all of the following:

a. Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO 230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis; and

b. Three linear axes plus one rotary axis which can be coordinated simultaneously for "contouring control";

2. Five or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control" and have a positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 3㎛ according to ISO230/2(2006) or national equivalents along one or more linear axis; or

3. A positioning accuracy for jig boring machines, with "all compensations available", equal to or  less (better) than 3µm according to ISO230/2 (2006) or national equivalents along one or more linear axis;

c. Electrical discharge machines (EDM) as specified in 2B001.d;

d. Deep-hole-drilling machines as specified in 2B001.f;

e. "Numerically controlled" or manual machine tools as specified in 2B003.

CATEGORY 3

Atomic frequency standards... "space qualified"

Not used

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A002.g. or 3B of this List.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment specified in 3A or 3B of this List.

CATEGORY 4

Electronic computers... radiation hardened...

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 4A this List or for the "development" or "production" of "digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0.5 Weighted TeraFLOPS (WT).

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of the following equipment or “software”:

- Equipment specified in 4A of this List;

- “Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0.5 Weighted TeraFLOPS (WT); or

- "Software" specified in 4D of this List.

Category 5 - Part 1

Being radio equipment...

Being digitally controlled radio receivers...

Counter Improvised Explosive Device (IED) equipment and related

equipment...

Equipment and specially designed components or accessories therefor, specially designed for the "development" or "production" of equipment, functions or features specified in 5A001 of this List.

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment, functions or features, specified in 5A001 of this List.

"Software" specially designed or modified to support “technology” listed under 5E001. of this List.

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment, functions, features specified in 5A001 or "software" specified in 5D001 of this List

Category 5 - Part 2

None

CATEGORY 6

Systems or transmitting and receiving arrays, designed for object detection or location, having any of the following:

1. A transmitting frequency below 5 kHz or a sound pressure level exceeding 224 dB (reference 1 µPa at 1 m) for equipment with an operating frequency in the band from 5to 10 kHz inclusive;

2. Sound pressure level exceeding 224dB...

3. Sound pressure level exceeding 235dB...

4. Forming beams of ....

5. Designed to operate....

6. Designed to withstand...

...Active individual sonars...

Hydrophones...Incorporating…

Hydrophones...Incorporating flexible assemblies...

Hydrophones...Having any...

Hydrophones...Designed to operate …

Hydrophones...Designed for...

Towed acoustic hydrophone arrays...

Processing equipment, specially designed for real time appolication with towed acoustic hydrophone arrays, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;

Heading sensors...

Bottom or bay-cable hydrophone arrays having any of the following:

1. Incorporating hydrophones...  or

2. Incorporating multiplexed hydrophone group signal modules ...

Processing equipment, specially designed for real time application with bottom or bay cable systems, having "user accessible programmabity" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital ftering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes

"Space-qualified" solid-state detectors...,

"Space-qualified" "focal plane arrays"...

Image intensifier tubes...

1. A peak response...

2. Electron image amplification...

3. photocathodes, follows:

a. Multialkali photocathodes(e.q. .S-20, S-25) having a luminous sensitivity exceeding 700㎂/ℓm;

b. GaAs or GaInAs photocathodes;

c. Other III-V compound semiconductor photocathodes;

Image intensifier tubes ...

Non-"space-qualified" "focal plane arrays" ...

Note 3

6A002.a.3. does not apply to the following "focal plane arrays" in this List:

a. Platinum Silicide (PtSi) "focal plane arrays" having less than 10,000 elements;

b. Iridium Silicide (IrSi) "focal plane arrays".

Note 4

6A002.a.3. does not apply to the following "focal plane arrays" in this List:

a. Indium Antimonide (InSb) or Lead Selenide (PbSe) "focal plane arrays" having less than 256 elements;

b. Indium Arsenide (InAs) "focal plane arrays";

c. Lead Sulphide (PbS) "focal plane arrays";

d. Indium Gallium Arsenide (InGaAs) "focal plane arrays".

Note 5

6A002.a.3. does not apply to Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe) "focal plane arrays" as follows in this List:

a.'Scanning Arrays' having any of the following:

1. 30 elements or less; or

2. Incorporating time delay-and-integration within the element and having 2 elements or less;

b.'Staring Arrays' having less than 256 elements.

Technical Notes

1. 'Scanning Arrays' are defined as "focal plane arrays" designed for use with a scanning optical system that images a scene in a sequential manner to produce an image;

2. 'Staring Arrays' are defined as "focal plane arrays" designed for use with a non-scanning optical system that images a scene.

Note 6

6A002.a.3. does not apply to the following "focal plane arrays" in this List:

a. Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well "focal plane arrays" having less than 256 elements;

b. Microbolometer "focal plane arrays" having less than 8,000 elements.

Note 7

6A002.a.3.g. does not apply to the linear (1-dimensional) "focal plane arrays" specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' having 4,096 elements or less

Note 8

6A002.a.3.g. does not apply to the non-linear (2-dimensional) "focal plane arrays" specially designed or modified to achieve 'charge multiplication' having a maximum linear dimension of 4,096 elements and a total of 250,000 elements or less.

"Monospectral imaging sensors" and "multispectral imaging sensors"  ...

'Direct view' imaging equipment incorporating any of the following:

1. Image intensifier tubes having the characteristics listed in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b. of this List;

2. "Focal plane arrays" having the characteristics listed in 6A002.a.3. of this List.; or

3. Solid-state detectors having the characteristics listed in 6A002.a.1.;

Imaging cameras incorporating image intensifier tubes having the characteristics listed in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b. of this List;

Note 6A003.b.3 does not apply to imaging cameras specially designed of modified for underwater use.

Imaging cameras incorporating "focal plane arrays" having any of the following:

a. a. Incorporating "focal plane arrays" specified by 6A002.a.3.a to 6A002.a.3.e of this List;

b. b. Incorporating "focal plane arrays" specified by 6A002.a.3.f of this List; or

c. Incorporating "focal plane arrays" listed in 6A002.a.3.g of this List.

Note 1 ...

Note 2 ...

Note 3 ...

Note 4 ...

Note 5 : 6A003.b.4.c  does not apply to imaging cameras specially designed of modified for underwater use.

Imaging cameras incorporating solid-state detectors specified by 6A002.a.1.

"Space-qualified" components for optical systems ...

Optical control equipment ...

"Magnetometers" ... Using "superconductive"(SQUID)  "technology" ...

"Magnetometers" ... Using optically pumped or nuclear precession (proton/Overhauser) "technology" having a “sensitivity” lower (better) than 2pT rms per square root Hz

"Magnetic gradiometers" using multiple "magnetometers" specified in 6A006.a.1. or 6A006.a.2. of this List.;

6A006.d   "Compensation systems" for the following:

1. Magnetic sensors controlled in 6A006.a.2. using optically pumped or nuclear precession (proton/Overhauser) "technology" that will permit these sensors to realize a "sensitivity" lower (better) than 2 pT rms per square root Hz.

2. Underwater electric field sensors controlled in 6A006.b.

3. Magnetic gradiometers controlled in 6A006.c. that will permit these sensors to realize a "sensitivity" lower (better) than 3 pT/m rms per square root Hz.

Underwater electromagnetic receivers incorporating magnetometers specified by 6A006.a.1 or 6A006.a.2 of this List.

Radar systems ... Capable of ...

Radar systems ... Employing processing ...

Radar systems ... Having "signal processing" ...

Not used

Pulse radar cross-section ...

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment  in 6A004, 6A008 or 6B008 of this List.

"Software", as follows ...

"Technology" according to ...

"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment in  6A or 6B  of this List

CATEGORY 7

"Source code" for the operation or maintenance…

"Software" specially designed or modified to ...

"Source code" for ...

"Source code" for ...

Not used since 2012

"Technology" according to the General Technology Note ...

"Technology" according to the General Technology Note ...

Category 8

Manned, untethered submersible vehicles ...

Unmanned, tethered submersible vehicles ...

Unmanned, untethered submersible vehicles ...

Systems specially designed or modified for the automated control of the motion of submersible vehicles in 8A001. of this List using navigation data and having closed loop servo-controls:

1. Enabling ...

2. Maintaining ...

3. Maintaining ...

"Robots" specially designed for underwater use ...

Air independent power systems ...

Noise reduction systems designed for use on vessels ...

Pumpjet propulsion systems ...

"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment in 8A. of this List.

Specific "software" ...

"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment  in 8A001 of this List

Other "technology"...

CATEGORY 9

Ramjet, scramjet or combined cycle engines ...

Ceramic cores or shells.

"Software" specially designed or modified for the "development" of equipment or "technology", specified by  9A, 9B or 9E003 of this List.

"Software" specially designed or modified for the "production" of equipment specified by 9A or 9B of this List.

Other "software" ...  2D or 3D ...

Other "software" ...  "Software" specially ...

"Technology" according to the General Technology Note ...

"Technology" according to the General Technology Note ...

Other "Technology ...  Gas turbine blades ...

Other "Technology ...